Электрофизические процессы в диспергированных электрографических слоях на основе окиси-двуокиси (Рb3О4) и полифазной моноокиси (РbОn) свинца

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Содержание

Глава I. Высокоомный полупроводник (сурик)
- 1. 1. Общие сведения о сурике и методы его получения
- 1. 2. Электрические свойства Р83О
- 1. 3. Поглощение света и фотоэлектрические свойства
Выводы к главе I. Оценка параметров Р&Д в свете требований, предъявляемых к электрофотографическим слоям
Глава II. Методика получения диспергированных электрофотографических слоев Р6Д и измерений в электрофотографическом режиме. Создание слоев оптимальной структуры
- 2. 1. Получение диспергированных слоев и таблеток
ИД, нанесение диэлектрических пленок
- 2. 2. Методика измерений электрофотографических параметров слоев
- 2. 3. Зависимость параметров ЭФС Р63О4 от технологии их изготовления. Получение высокочувствительных слоев
Выводы к главе П
Глава. Ш. Спектр локальных состояний и механизм темновой разрядки ЭФС Р630,
- 3. 1. Энергия активации локальных состояний ЭФС
Рб30,
- 3. 2. Механизм темноюй разрядки электрофотографических слоев на основе P^ Q^
Выводы к главе Ш
Глава 1. У. Особенности фоторазрядки слоев Р83 ft,
- 4. 1. Квантовая эффективность и абсолютный квантовый выход фоторазрядки слоев Р$ 3 О
- 4. 2. Анализ моделей фоторазрядки электрофотографических слоев и механизм световой релаксации поверхностного потенциала ЭФС РБ
Выводы к главе 1У
Глава V. Электрофотографические свойства полифазных окисносвинцовых слоев
- 5. 1. Темновые характеристики полифазных ЭФС
- 5. 2. Особенности фоточувстштельности полифазных
- 5. 3. Зависимость параметров окисносвинцовых ЭФС от режима их эксплуатации
Выводы к главе У
Выводы к диссертации

Электрофизические процессы в диспергированных электрографических слоях на основе окиси-двуокиси (Рb3О4) и полифазной моноокиси (РbОn) свинца (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Одной из задач электрофотографии является поиск новых, высокочувствительных материалов, что, в свою очередь, приводит к расширению исследования фотополупроводников и фотодиэлектриков. Одним из сравнительно новых полупроводниковых материалов являются окислы свинца, которые, благодаря своим электрическим, фотоэлектрическим и оптическим свойствам, как явствует из научной и патентной литературы, могут быть использованы в качестве мишеней видик он ов, электрофотографических слоев, фоторезисторов, фото-вольтаических ячеек солнечных элементов и т. д.

Проводимое в ЛГШ им. А. И. Герцена под руководством проф. В. А. Извозчикова исследование электрофизических свойств окислов свинца позволило предположить перспективность как электрофотографических материалов слоев Pf)30A и полифазных окисносвинцо-вых композиций.

Научная актуальность изучения электрофотографических слоев (ЭФС) Р63 О4 и полифазных слоев заключается в том, что оно будут способствовать исследованию механизма фотопроводимости и переноса заряда по слою этого нового как полупроводника материала, а также расширит научное представление об электрических

TV ТУ" процессах в соединениях типа А^В^о переменной ионно-ковалент-ной связью и с тенденцией к формированию неупорядоченной структуры.

С практической точки зрения актуальным является исследование возможности использования в электрофотографии в качестве по крайней мере одного из компонентов электрофотографических слоев PU, (L как нового, практически не изученного полуцроводникового материала, а также создания высокочувствительных полифазных окисносвинцовых слоев.

Целью диссертационной работы явилось исследование физических процессов, происходящих в ЭФС Р63 при темновой и фоторазрядке в зависимости от структуры, технологии получения слоев, режима измерений и внешних воздействий. Второй задачей являлось исследование полифазных окисносвинцовых электрофотографических слоев.

Научная новизна. В работах В. А. Извозчикова с сотрудниками описаны фотопроводящие слои Р 63 и первые ЭФС, подученные методом вакуумного напыления, на его основе /90/. Кроме того, указывается, что наибольшей фотоцроводимостью обладают полифазные окисносвинцовые слои. Однако имеющиеся литературные данные по исследованию Pf)3 ft, и полифазных систем в электрофотографическом режиме носят сугубо предварительный характер.

Настоящая работа является составной частью комплексного исследования окислов свинца, проводимого в ЛГШ им. А. И. Герцена под. руководством проф. В. А. Извозчикова, и продолжением работы В. И. Богословского по изучению окисносвинцовых слоев в электрофотографическом режиме.

Вопросы создания и исследования диспергированных электрофотографических слоев на основе Р63, а также увеличения светочувствительности окисносвинцовых ЭФС за счет расширения ее спектрального диапазона при введении дополнительной фазы ранее в науке не рассматривалось.

Практическая ценность работы. Полученные экспериментальные результаты дополнили изучение темновой и фотопроводимости Р630^, что должно способствовать практическому применению окислов свинца в целом. На основе проведенного исследования создан новый электрофотографический материал, обладающий повышенной светочувствительностью и защищенный авторским свидетельством СССР. Основные результаты были использованы в ГОИ им. С. И. Вавилова и ЛГПИ им. А. И. Герцена.

Основные положения, выносимые на защиту.

I. Деполяризация слоев Р830/, в темноте определяется на первой стадии генерацией носителей заряда в объеме, а на второй стадии — генерацией с поверхностных уровней при заметном влиянии полевой зависимости дрейфовой подвижности.

2. Световая релаксация поверхностного потенциала ЭФС д н есть фоторазряд, ограниченный эмиссией неравновесных носителей заряда. Кинетика фоторазряда определяется полевой зависимостью квантовой эффективности и дрейфовой подвижности носителей заряда.

3. Достигнутое увеличение интегральной электрофотографической чувствительности окисносвинцовых слоев определяется сенсибилизацией фотопроводимости в коротковолновой области спектра введением дополнительной фазы.

Апробация работы. Основные результаты диссертации изложены и обсуждены на

1. Международной конференции «Аморфные полупроводники 78» (ЧССР, Пардубице, 1978);

2. Всесоюзной конференции «Физика диэлектриков и новые области их применения» (Караганда, 1978);

3. Ш и 1У Всесоюзных конференциях «Бессеребряные и необычные фотографические процессы» (Вильнюс, 1980, Суздаль, 1984);

4. X Республиканской научно-методической конференции физиков высших учебных заведений Грузинской ССР (Сухуми, 1978);

5. Межвузовской конференции «Релаксационная поляризация и электретный эффект в твердых диэлектриках» (Москва, 1976);

6. Межвузовских конференциях «Электрическая релаксация и электретный эффект в твердых диэлектриках» (Москва, 1978, 1979, 1980).. .

7. XXX Герценовских чтениях ДЛИ им. А. И. Герцена (Ленинград, 1977);

8. Семинарах лаборатории полупроводниковой оптоэлектроники ЛГПИ им. А. И. Герцена (1975 — 1983).

Публикации. По теме диссертации автором опубликовано в печати и депонировано в ВИНИТИ 12 работ /107−118/, результаты исследования защищены авторским свидетельством СССР /119/.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из пяти глав, введения, выводоы и приложений, в ней 158 страниц по сквозной нумерации, в том числе 88 страниц текста, 8 таблиц на 6 страницах, 72 рисунка на 41 странице, библиография из 164 наименований на 20 страницах.

В первой главе дана оценка параметров РБ^ 0/, по литературным данным в свете требований, предъявляемых к электрофотогра-фтеским материалам.

Во второй главе излагается лабораторная технология изготовления диспергированных слоев Р830^, методика измерений в электрофотографическом режиме, а также пути создания высокочувствительных ЭФС Р6Д.

В третьей главе приводятся результаты исследования разрядки ЭФС Р830/, в темноте. В частности, излагаются результаты исследования спектра локальных состояний гетерогенных слоев сурика, обсуждается роль связующего в слоях Р830^ и влияние условий переноса носителей заряда.

В четвертую главу вошли результаты изучения фоторазрядки слоев сурика. Приведены результаты исследования полевых и спектральных зависимостей квантовой эффективности фоторазрядки. Предлагается механизм фоторазрядки в случае сильного поглощения и объемной генерации носителей заряда.

В пятой главе приведены результаты исследования темновой и фотопроводимости полифазных ЭФС, а также зависимость параметров окисносвинцовых слоев от режима их эксплуатации.

В виде приложения даны заверенные копии актов внедрения научно-технической работы.

— 9

ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ

ВАХ — вольтамперная характеристика, Ж — инфракрасный, КАХ — квантамперная характеристика, НЗ — носители заряда, ПШК — полибутилметакрилат, СДО — спектры диффузного отражения, CP — спектральное расцредзление, ССД — сополимер стирола с дивинилом, ТОПЗ — токи, ограниченные пространственным зарядомТСД — термостимулированная деполяризация, TCP БП — термостимулированная релаксация поверхностного потенциала,

ТСТ — термостимулированные токи, ФП — фотопроводимость, ФЧ — фоточувстштельность, ЭФС — электрофотографический слой, ЭФЧ — электрофотографическая чувствительность, Е — напряженность электрического поля, Е0 — начальная напряженность электрического поля в слое, ДЕ — энергия активации, е — элементарный заряд, f = VezpME/iT) — вероятность термической активации, 4 — темп генерации носителей заряда, fl — постоянная Планка, 10 — интенсивность падающего света, 1П — интенсивность поглощенного света, & - постоянная Больцмана, t — толщина слоя,

U — геом^еокая толщина слоя. 1>э<�р1р — эффективная толщина слоя,

Л — показатель степени полевой зависимости эффективности фотоинжекции,

Ш0 — концентрация локальных уровней, заполненных во время электризации;

N — концентрация носителей заряда, преодолевающих границы

раздела зерен, или число циклов зарядка-экспозицияllt — концентрация ловушек,

П — показатель степени полевой зависимости подвижности, ГЦ — концентрация свободных носителей, R — коэффициент диффузного отражения, S — электрофотографическая чувствительность или скорость поверхностной рекомбинации, St — сечение захвата, Т — температура, t — время, t3ap — время зарядки, tnp — время пролета, U — потенциал слоя, llo — начальный потещиал, ЦПр — предельный' потенциал зарядки, Y — эффективность фотоинжекции, Ye — начальная эффективность фотоинжекции, d — коэффициент поглощзния света, jS — абсолютный квантовый выход, квантовая эффективность фоторазрядки или скорость нагрева образца,? — диэлектрическая цронвдаемость, ?0 — электрическая постоянная, f[ - концентрация связующего, Д — длина световой волны, ytl — подвижность, уЦ0 — начальная подвижность или дрейфовая подвижность НЗ внутри хфисталлов, — дрейфовая подвижность, yUx — холловская подвижность,

— эффективная дрейфовая подвижность, У* частота И частотный фактор, J} - плотность объемного заряда, (5 — проводимость, — время релаксации поверхностного потенциала, Хуц — время полуспада потенциала в темноте, %Cj2 ~ время полуспада потенциала при освещении.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 17

I. Исследованы полевые и спектральные зависимости квантовой эффективности фоторазрядки ЭФС PfS3 CL,: а) в коротковолновой области спектра значения уб существенно меньше I, при этом на кривых J$ ~ f (E) не достигается насыщениепредполагается сильное влияние на разделение и перенос НЗ приповерхностного барьера сорбционной цриродыб) в длинноволновой области цри достижении насыщения на кривых у5 = f (E] значения ув достигают I (Л ~ Дмакс) i монотонно уменьшаясь с ростом Л — оцределящую роль играет транспорт НЗ через объем слоя ниже приповерхностного барьера.

2. Выявлено спектральное распределение электрофотографической чувствительности ЭФС Р f)3 й,, имеющее, аналогично спектральному ходу квантовой эффективности, колоколообразную форму.

3. Изучена кинетика фоторазрядки ЭФС РБД в области сильного и слабого поглощения: а) в области собственного поглощения фоторазрядка слоев РЦ определяется характером разделения и переноса НЗ в приповерхностной области и влиянием межкристаллических барьеров в объеме слоя на транспорт НЗаналитически описывается моделью Фокса с учетом полевой зависимости квантовой эффективности и эффективной дрейфовой подвижностиб) в области длинноволнового края поглощения влияние приповерхностного барьера оказывается несущественным, фоторазрядка определяется лишь параметрами генерации НЗ и транспорта их по объему слоя с межкристаллическими барьерамианалитически описывается моделью Као и Чена при использовании более слабой, чем в случае собственного поглощения, степени полевой зависимости подвижности НЗ.

Глава У

ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛИФАЗНЫХ ОКИСНОСВИНЦОВЫХ

СЛОЕВ

Важнейшей задачей электрофотографии является повышение интегральной чувствительности слоев. Достичь этого можно путем использования новых, высокочувствительных материалов, расширением спектрального распределения электрофотографической чувствительности, а также путем изменения режима визуализации скрытого электростатического изображения.

Практическое применение исследованных ранее ЭФС Р60Т /42, 67/, а также слоев (см. главу 1У) затрудняется их сравнительно невысокой интегральной чувствительностью. Шесте с тем, комплексное изучение фотоэлектрических свойств окислов свинца /1,5,96/ указывает на принципиальную возможность расширения CP ЭФЧ окисносвинцовых слоев путем использования полифазных структур.

Ниже цредставлены материалы, отражающие поиск полифазных окисносвинцовых структур с повышенной электрофотографической чувствительностью, проведенный на базе опубликованных ранее /42, 67/ и описанных в настоящей работе результатов исследования монофазных ЭФС Р60т, приводится также обзор практических параметров полученных слоев.

5.1. Темновые характеристики полифазных ЭФС.

Полифазные слои были получены смешением порошкообразных

Р630,Р80Т, Р60р в разных соотношениях, термической активацией смесей при Т = 600 К и последующим перемолом их в шаровой мельнице. Концентрация связующего соответствовала оптимальному составу, определенному для слоев Р63.

Как видно из представленных на рис. 5.1.1 ив табл. 5.I.I экспериментальных результатов, исследованные слои разного фазового состава цримерно одинаково заряжаются положительным и отрицательным потенциалом. При этом можно выделить следующие две особенности.

1. Максимальные значения Un и, приближающиеся, соответственно, к II00-I300 В и 200−300 с, получены на слоях со значительным содержанием сурика.

2. Сравнительно малым потенциалом зарядки и быстрым его спадом в темноте обладают слои с преобладанием, Однако, значения 11п я таких слоев, приведенные в табл. 5.I.I, являются вполне достаточными для их практического использования /39/.

Выявляемое цри низких температурах (Т = 128 К) (рис. 5.1.2) значительно большее ускорение релаксации поверхностного потенциала слоев Р60П по сравнению с

Р8Д после предварительной подсветки указывает на более существенную роль мелких уровней в начальной стадии темновой разрядки.

Это подтверждает анализ спектра локальных состояний, численные данные которого цредставлены в табл. 5.1.2. Приведенные здесь результаты получены, аналогично описанным выше для PS3O4, двумя способами: а) по температурной зависимости времени релаксации при приближенной аппроксимации кинетических кривых набором экспонентб) по кривым термостимулированной релаксации поверхностного потенциала (рис. 5.1.3).

Из табл. 5.1.2 видно также существенное изменение энергетического спектра при введении

Щ в Р60т по сравнению с полученными ранее для /42/.

Рис. 5.I.I Разрядные кривые слоев исходного состава: 95 $ РАД, 5 $Й0Р (I) — 85 $ РЦ, I5 $P (S0p (2) — 75 $ РЦ, 25 $ Г DUP (3) — 90 $ РЦ, 10 $ PR (4) — 80* РЦ (5) — 95 $, 5 $ (6) — 85 $ PfSOr. 15 $PfSOp (7) — 75 $ P60r, 15 $ Р6Op (8).

Рис. 5.1.2 Разрядные кривые слоев исходного состава 100 $ Р83 (1,2) и 85 $ rDUT, 15 $ (3,4) после выдержки в темноте (1,3) и с предварительной подсветкой Я = 600 нм (2,4). Т = = 128 К.

Т, а б л и п, а 5.1.1 Темновые параметры полифазных слоев

Исходный состав слоев

U", В

W/1 llli в

Г®-, 0

5 $

Р60 -г, % РВО Т ,

PRO ш: р&д.

ПА, пл,

Р6Д ,

25 $ %

15 $ 6

Р6 Pi.

Р60р РБОр од Р60т

Р80т

430 350 250 II00

860 900

40 70 30 200

390 310 240 1300

35 50 22 280

Значения

ДЕ

Показать весь текст

Список литературы

Извозчиков В.А. Криоталлохимичеокая модель фотопроводящих окислов свинца. — В кн.: Фотоцроводашще окислы свинца. Л., ЛПШ, 1976. с.4−37.
Бокий Г. Б. Введение в кристаллохимию. — Л.: ЛГУ, 1954.491 с.
Окисление металлов /Под ред. Ж.Бенара. T. I, — М.: Металлургия, 1968. — 499 с.
Справочник химика /Под ред. Б. П. Никольского. Т.2.Л., Химия, I97I. — II68 с.
Извозчиков В.А. Исследование электронных процессов в энантиотропных фотопроводящих окислах свинца, — Автореф, докт. дисс. — Л.: ЛГПИ, 1973.
Кишмария Р. Исследование фазовых переходов в системеи электронных процессов в — Автореф. канд. дисс, — Л.: ЛГПИ, 1972.
Шамба Э. М, Исследование оптических, электрических и фотоэлектрических свойств окислов состава г Ох Uy. — Автореф. канд.дисс. — Л.: ЛГПИ, 1976.
Памфилов А. В, Иванчева Е, Г., Драгомирецкий П, Г, Электрические свойства окислов свинца. —^{рн.физич.химии,} 1967, т.41, Ш 5, C. I072-I078.
Бордовский Г. А., Извозчиков В. А., Кишмария С, Р. Об однойвозможности определения длины диффузии носителей заряда. В кн.: Физическая и полупроводниковая электроника: ХХ1У Герц.чтения. — Л.: ЛГПИ, I97I, с, 35−38.
Извозчиков В. А, Ломасов В, П., Паландузян Ю. Х, Дрейфовыеподвижности носителей заряда в тонких слоях i Ои и ^D^ , — В кн.: Физическая электроника: XXX Герц.чтения. — Л.: ЛПШ, 1977, с.47−50. — 140
Бордовский Г. А., Извозчиков В. А., Шамба Э. М. Исследованиеуровней прилипания в монокристаллах и пленках 1 63 и^, . В кн.: Физическая и полупроводниковая электроника: XXIX Герц.чтения. — I.: ЛГШ, 1976, с.41−44.
Извозчиков В.А. ,• Шамба Э. М., Паландузян Ю. Х. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства слоев %щ — сурика. — В кн.: Физическая электроника. Ч.1: Физика высокоомных полупроводников: ХХУП Герц.чтения. — Л.- ЛГПИ, 1974, с. 15−22.
Извозчиков В.А., Паландузян Ю.Х, Саксеев Д, А. и др. Влияние технологии получения на структуру и фотоэлектрические свойства пленок сурика. — В кн.: Фотопроводшцие окислы свинца. Л.: ЛГПИ, 1976, с.127−136.
Бордовский Г. А. Получение и исследование фотопроводящихмонокристаллов окиси свинца. — Автореф.канд.дисс. — Л., ЛГПИ, 1968.
Колесова О.й. Фотоэлектрические свойства окиси свишр.В кн.: Вопросы физики полупроводников и диэлектриков- Уч. записки ЛГПИ. — Л.: ЛГПИ, I95I, т.207, с.71−80.
Сюше Ж, П. Физическая химия полупроводников. — М.: Металлургия, 1969. — 224 с.
Майдзинский B.C., Извозчиков В. А., Ануфриев Ю. П. и др.Холловская дрейфовая подвижность носителей заряда в окислах свинца. — В кн.: Физическая и полупроводниковая электроника: ХХ1У Герц. чтения, — Л.: ЛГПИ, I97I, с.18−21.
Извозчиков В.А. Оптические и фотоэлектрические свойстваэнантиотропных окислов свинца. — В кн.: Вопросы физики полупроводников и диэлектриков: Науч. труды Курского гос. — 141 пед. ин-та, т. 15. — Белгород, КПШ, 1974, с. 3−27.
Мотт Н., Дэвис Э, Электронные процессы в некристаллическихтелах. — М.: Мир, 1974. — 472 о.
Ануфриев Ю.П., Извозчиков В. А. Об аппаратуре дога измеренияэффекта Холла в высокоомных полупроводниках. — В кн.: Физическая и полупроводниковая электроника: ХХ1У Герц.чтения. — Л.: ЛГПИ, I97I, с.17−18.
Извозчиков В.А., Косман M.G. Фотоэлектрические и оптическиесвойства окиси свинца. — Изв. вузов: Физика, 1963, № 4, с.128−135.
Извозчиков В.А., Кишмария С Р . Температурная зависимостьоптической энергии активации сурика. — В кн.: Физическая и полупроводниковая электроника: XXI Герц, чтения. — Л.: ЛГПИ, 1968, с.81−84.
Антонов-Романовский В. В. Определение коэффициента поглощения порошкообразных фосфоров. — 1урн. экспер, и теор, физики, 1954, т.26, № 4, с.459−472.
Бордовский В.А. Исследование фотоэлектрического состоянияи пироэлектрических токов в окислах свища. — Автореф.канд. дисс. — л.: ЛГПИ, 1974.
Бордовский Г. А., Кишмария Р. Термостимулированные токив Ъ^Щ . — в Кн.: Физическая и полупроводниковая электроника: ХХ1У Герц.чтения. — Л.: ЛГПИ, I97I, с, 40−43.
Бордовский Г. А., Извозчиков В. А. Квазинепрерывное распределение ловушек и «тонкая» структура примесной полосы в монокристаллах окиси свинца. — Изв. вузов: Физика, 1970, № 9, C. I4I-I44.
Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. — М.: ИЛ, 1962.558 с. — 142
Литовченко П.Г., Уотьянов В. И. Оцределение параметровуровней прилипания в полупроводниках методом ТСП. — В кн.: Актуальные вопросы полупроводников и полупроводниковых приборов. — Вильнюс: Минтис, 1969, c, I53-I7I.
Бордовский Г. А. О разрешащей способности кривых термолкьминесцентной термодеполяризации и термостимулированной цроводимости, — Оптика и спектроскопия, 1974, т.37, В 6, C. II82-II85.
Галанцева М.Л., Извозчиков В. А., Шамба Э. М. Релаксацияфотопроводимости и параметры ловушек в некоторых продуктах разложения Г б U2 . — В кн.: Физическая и полупроводниковая электроника: ХХУ1 Герц.чтения. — Л.: ЛГШ, 1973, с.71−77.
Рывкин С М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.- М.: Физматгиз, 1963. — 494 с.
Роуз А. Основы теории фотопроводимости. -^ М.: Мир, 1966.192 с.
Ламперт М. Инжекционные токи в диэлектриках. — Труды ин-тарадиоинж., 1962, т.50, В Q, с.1820−1836.
Ламперт М., Шркс П. Инжекционные токи в твердых телах.М.: Мир, 1973. — 416 с.
Гренишин Г. Электрофотографичеокий процесс. — М: Наука, 1970. — 375 с.
Шафферт Р. Электрофотография. — М.: Мир, 1968. — 448 с.
Гайдялис Б.И., Маркевич Н. Н., Монтримао Э. А. Физическиепроцессы в электрофотографичеоких слоях ZnO . — Вильнюс, Минтис, 1968. — 367 с.
Гайдялис В.И., Монтримао Э. А., Матуленис Ю. А., Вшцакас Ю.К.Емкость электрофотографичеоких слоев 5е и Zn О. Литовский физ.сб., 1966, т.6, J? 2, с.277−285.
Богословский В.И. Исследование физических процессов вокионосвинцовых электрофотографичеоких слоях. — Автореф. канд.дисс. — Л.: ЛГШ, 1974.
Архипов В.И., Берков А. В., Руденко А. И. Разрядная характеристика фотоприемника в режиме непрерывной экспозиции в случае объемной генерации. — %рн. науч. и прикл. фотогр. и кинематогр., 1978, т.23, В I, с.6−12.
Гасанов O.K. Получение и исследование фоторезистивных ифотодиодных слоев тетрагональной окиси свинца. — Автореф. канд.дисс. — Л., ЛГПЙ, 1974.
Гренишин Г., Черкасов Ю. А. Исследование абсолютногоквантового выхода внутреннего фотоэффекта в высокоомных полупроводниках. — Физика твердого тела, 1964, т.6, № 9, с.2831−2836. — 144
Таурайтене С, А., Таурайтис А. С, Балюяис В. А., МонтримасЭ.А. Электрофотографический процесс с квантовым выходом больше I. — В кн.: Электрофотографические копировальномножительные аппараты и материалы к ним. — Вшгьшэс: НИИэлектрографии, 1970, с.153−156.
Черкасов Ю.А. Экситонные эффекты в неупорядоченных полупроводниках. — Изв. вузов: Физика, 1976, J5 2, с. 86−101. 48. 1^тман Ф., Лайонс Л. Органические полупроводники. — М.: Мир, 1970. — 696 с.
Еременко В.В., Медведь B.C. О зависимости фотопроводимости и интенсивности люминесценции кристаллов антрацена от дяины волны возбуждающего света. -- Физика твердого тела, 1.60, т.2, В 7, C. I572-I575.
Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.- М.: Ми р, 1977. — 562 с.
Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. — М.: Мир, 1976. — 432 с.
Теренин А.Н. Фотоэлектроника органических соединений.Радиотехн. и электрон., 1956, т.1, Ih 8, с.1127−1134,
Нюнько Л.И. Влияние предварительного освещения на свойстваэлектрофотографических слоев из окиси цинка. — Вопросы радиоэлектроники, 1964, сер. 12, }Ь 25, с.81−86.
Нюнько Л.И. Вяияние длительности электростатической зарядки на свойства электрофотографических слоев. — В кн.: Электрофотография и магнитография. — Вильнюс, Респ. ин-т Н И и П, 1965, с. 192−201.
Нюнько Л.И. К вопросу об усталости электрофотографическихслоев. — SypH. науч. и прикл. фотогр. и кинематогр., 1962, — 145
Поцгоо З.В., Липскис К. К., Дракшас П.-Р.П., КараваускаоЯ.И. Исследование восстановления свойств «усталых» слоев окиси цинка. — Литовский физ.сб., 1977, т.17, № 3, с.377−383.
Губкин А.Н. Электреты. — М.: Наука, 1978. — 192 с.
Туб1ШЕ А. Ы, Общая феноменологическая теория электретногоэффекта. — В кн.: Электретный эффект и электрическая релаксация в твердых диэлектриках- Труды ШЭМ, вып. 34. М.: ШЭМ, 1976, с. 193−205.
Лущейкин Г. А. Полимеры электреты. — М.: Хиглия, 1976.224 с.
Гороховатский Ю.А. Термостииулированная деполяризация.Изв. АН Латв. ССР: Физич. и техн. науки, 1972, !Ь 3, с.15−22.
Волькенштейн Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. — М.: Наука, 1973. — 399 с.
Извозчиков В.А. Электронные процессы в ионно-ковалентных соединениях о естественной кристаллической разупорядоченностью (на примере окислов свинца). — Изв. вузов: Физика, 1976, В 2, с.146−158.
Бонч-Бруевич В. Л., Миронов А. Г. Введение в электроннуютеорию неупорядоченных полупроводников. — М.: Наука, 1972. — 109 с. — 146
Пикус Г. В. Контактные явления. — В кн.: Полупроводникив науке и технике. T.I. — М.-Л.: АН СССР, 1957, с.148−230.
Богословский В.И. Формирование скрытого электрофотографического изображения на слоях . — В кн.: Фотопроводящие окислы свинца. — Л.: ЛПШ, 1976, с.38−58.
Цуцейко Е.К. Применение метода конденсатора к изучениювнутреннего фотоэффекта сенсибилизаторов. — ДАН СССР, 1948, т.59, i^ 3, с.471−474.
Цуцейко Е.К. Фотоэлектрическая чувствительность и оптическое поглощение галоидных солей таллия, — Д/Ш СССР, 1951, Т.78, № 3, с.453−456.
Цуцейко Е.К. Применение метода конденсатора к исследованию спектрального распределения фотоэлектрической чувстсительности в полупроводниках. — Изв. АН СССР: Физика, 1952, т.16, В I, с.34−45.
Ц/цейко Е. К. Взшяние паров и газов на внутренний фотоэффект окисных полупроводников и сенсибилизация их хлорофиллом. — Радиотех. и электрон., 1952, т. 1, J^ 10, C. I364-I373. — 147
Извозчиков В.А. Оорбционные процессы на фотопроводящейокиси свинца. — Физика твердого тела, I96I, т. З, ^ 10, с.3230−3238.
Гренишин Г. Методы изготовления электрофотографических слоев. — В кн.: Электрофотография. — Л.: ЦБТИ, 1958, с.6−14.
Тихонов Б.И. Измерение электрических потенциалов селеновых электрофотографических слоев. — В кн.: спектрофотография ж магнитография. — Вильнюс, 1959, Респ. ин-т НТИиП, 1959. C. I6I-I69.
Имянитов М. М, Приборы и методы изучения электричестваатмосферы. — М.: Гостехиздат, 1957. — 483 с.
Бонч-Бруевич A.M. Применение электронных ламп в экспериментальной физике, -г. М.: Гостехиздат, 1955. — 655 с.
Гайсин В.А., Нансак Л., Недзвецкий Д. С. Спектры поглощения и люминесценции красной моноокиси свинца. — Физика твердого тела, 1972, т.14, В 9, 0.2752−2753.
Крамаренко Н.М., Милославский В. К., Набойкин Ю. В. Оптические свойства слоев т желтой и красной модификаций. — Оптика и спектроскопия, 1968, т.24, Ш 6, с.971−975.
Извозчиков В.А., Шамба Э. М., Кишмария С Р . Влияние разупорядоченности структуры на электронные переходы в rO^ U/, — Sj^ PH. прикл. спектроскопии, 1974, т.20, J^ 6, с.902−904.
Кубашевский 0., Гопкинс В, Окисление металлов. — М.:Металлургия, 1965. — 428 с. — 148
Рябинкин Ю. С, Влияние напряженности электрического поляна ток, ограниченный пространствием зарядов. — Физика твердого тела, 1964, т.6, Л 10, с. 2989−2997.
Шейкман М.К., Шик А.Я. Долговременная релаксация и остаточная проводимость в полупроводниках. — Физика твердого тела, 1976, т.10, ^ 2, с.209−233.
Уманский Я.С. Рентгенография металлов и полупроводников.- М.: Металлургия, 1969. — 496 с.
Подвигалкин П.М. Об электрических и фотоэлектрическихсвойствах аморфного селеш. — В кн.: Электрофотография. I.: ЦБТИ, 1958, с.19−32.
Бойцов В.Г., Рычков А. А. Исследование полимерных электретов методом комбинированной деполяризации. — В кн.: Электрическая релаксация и электретный эффект в твердых диэлектриках. — Л., ЛПМ, 1980, с.53−61.
Богословский В.И., Бордовский Г. А., Извозчиков В. А. и др.О влиянии структуры на механизм фоторазрядки электрофотографических слоев окиси свинца со связующим. — В кн.: Физические основы электрофотографии. — Вильнюс, НИИэлектрографии, 1969, с.36−40,
Мешкуотене Э.А., Плавина И.З, О сенситометрических характеристиках скрытого электрофотографического изображения на слоях из окиси цинка. —^рн. науч. и прикл. фотогр, и кинематогр., 1962, т.7, il 5, с.380−385.
Извозчиков В.А., Тимофеев О. А. Фотоцроводшцие окислы свинца в электронике. — Л.: Энергия, 1979. — 142 с.
Нюнько Л.И., Сидаравичус И. Б., Усе В.Г. О квантовой эффективности фототермопластических слоев, содержащих поли- N -винилкарбазол. —^рн. науч. и прикл. фотогр. и кинематогр., 1974, т. 19, J^ 2, O. I27-I3I.
Гренишин Г., Черкасов Ю. А., Винокурова Л. В. и др.Электрофотографические свойства слоев органических фотодиэлектриков для коротковолновой области спектра. — Докл. Межд. конф. по фотогр. науке: Секц.Е. — М., 1970, с. 240 243.
Поцюо З.В., Липскис К. К., Дракшао П.-Р.П., КараваускасЯ.И. Исследование «усталости» электрофотографических слоев окиси цинка. — Литовский физ.сб., 1977, т.17, № 3, с.369−377.
Ракаускас Ю.К., Каладе Ю. А., Монтримас Э. А. Механизмусталости слоев Se дри ойлучении ронтгеновокши лучами. — Литовский физ.сб., 1972, т.12, J? 4, с. 6II-62I.
Вищакас Ю.К. О механизме разрядки электрофотографических слоев. — Докл. Межд. конф. по фотогр. науке: Секц.Е. — М., 1970, с.228−231.
Анисимов A.M., Богословский Б. И., Извозчиков В. А., Сельдяев Б. И. Сравнительные параметры моно- и полифазных окисносвинцовых электрофотографических слоев. —^рн. науч. и црикл. фотогр. и кинематогр., I98I, т.26, В 3, C. I6I-I63.
Комплексное рентгеноструктурное и электрофизическое ису следование композиционных мишеней. — Отчет по НИР, Ш гос. регистрации 81 054 592, инв. J^ 0282.86 208, науч. — 153 рук., проф. В. А. Извозчиков. — Л., 1982.
Анисимов A.M., Богословский В. И. Спектр локальных состояний в электрофотографических слоях на основе окислов свинца. — В кн.: ФотоцроБОдники. — Л.: ЛГПИ, 1983, с.90−96.
Анисимов A.M., Богословский В. И. Спектральное распределение квантовой эффективности и электрофотографической чувствительности окисносвинцовых слоев. — В кн.: Фотопроводники. — Л.: ЛПШ, 1983, с.96−102.
Богословский В.И., Извозчиков В. А., Анисимов A.M. и др.Композиция неорганического фотопроводника электрофотографического слоя. — Авт.свид. СССР № 938 243.
Clark G.L., Rowan R, Studies on lead oxides, J. Amer. Chem, Soc, 1941, v.63, No.5, p.1305−1310,
Wite W, Roy K. Phase relation in the sistem leadoxygen. — J. Amer. Geram, Soc, 1964, v, 47, No, 5, p, 242−249.
Vratny F., Kokalas J.S. The reflectance spectra ofmetallic oxides in the 300 to 1000 millimicron region, — Appl, Spectroscopy, 1962, v, 16, No.6, p.176−184.
Moss S, T, Photoconductivity in the elements. — L: BSP, 1952, — p.263. 124″ Rondal R, V/ilkins M. Phosphorescence and electron traps. — Proc. Roy, Soc, 1945, A-186, No, 999, p.366−389,
Dussel G.A., Buhe R. H, Theory of thermally stimulatedconductivity in a previously photoexcites crystal, Phys. Rev, 1967, v, 155, No.3, p.764−779.
Freeman T, R, Kallman H. p, Silver M, Persistent internal polarization. — Rev* Mod. Phys, 1961, v, 33, — 154 No.4, p.553−573*
Bonch-Bruevich Y/.L. Interband optical transition indisordered semiconductors" - Phys. Stat. Sol., 1970, V.42, N0.1, p"35−42″ 130. de Vore H.V. Spectral distribution of photoconductivity. — Phys. Rev., 1956, V.102, No. l, p.86−91.
Seki H., Batra I.P., Gill W.D. et al. A quasy-steady-state analisis for the electrophotographic discharge process. — IBM J, Res. Dev., 1971f v.15″ N0.3, p.213−221.
Kao CO., Chen I. Xerographic discharge characteristics of photoreceptors with bulk generation* I. Plash — 155 exposure. — J, Appl. Phys., 1973″ v.44″ No.6, p. 2708−2717.
Koramander J., Koriner G.J., Schneider W.G. Photoconductivity of some polynuclear aromatic hydrocarbons. — Can. J. Chem., 1958, v.36, No.4, p.607−614.
Lyons L.E., Mackie J.C. Photo- and semi-conductancein organic cristals. Part VII. Space-charge effects in antracene. — J. Chem. Soc. i Dec.I960, No.12, p. 5186−5192.
McGlynn S.P. Energetics of molecular complexes.^Chem. Rev., 1958, v.58, No.6, p.1113−1156.
Northrop D.G., Simpson 0. Electronic properties ofaromatic hydrocarbons. — Proc. Roy. Soc, 1955"A-234″ No.916, p.124−135.
Gaidelis V., Meskuotiene E., Jurevicius D., Pocius Z. Model of electrophotographic binder layers. — Current problems in electrophotography. — В., N.-Y., 1972, p.116−125.
Tove P.A., Andersson L.G. Transient cpace charge limited currents light-puls excited silicon. — Sol. St. Electron., 1973, v.16. No.9, p.961−971.
Spear W.E. Drift mobility techniques for the studyof electrical transport properties in insulating so lids. — J. Noncryst. Sol, 1969, v.1, No.3, p.197 214.
Bednarczyk J., Bednarczyk D. Effective mobility inpolycrystalline semiconductors. — Acta Phys. Pol., 1969, V.36, No.6, p.1011−1016.
Bednarczyk J., Bednarczyk D. Limitation of mobilityintercrystallite-potential barriers. — Acta Phys. Pol., 1974, A-46, No.6, p.685−693.
Petritz R.L. Theory of photoconductivity in semiconductors films. — Phys. Rev., 1956, v.104, No.6, p. — 157 1508−1516. 155″ Perries-Prabhu A"V" Charge transfer in layered insulators. — Sol. St" Electron., 1973″ v.16, Ho.9″ P" 1086−1087.
Young’CJ., Green H-G. «Electrofax» direct electrophotographic printihg on paper. — RCA Rev., 1954″ v. 15, По.4″ p.469−484.
Giairao E: C. A dynamic-capacitor electrometer suitable for measuring electrophotographic recording media. — RCA Rev., 1961, v.22, No.4, p.780−790.
Izvozchicov 7.A. Cristaliochemical pecualiaritiesand shapt of the absorption edge of lead oxide. Phys, Stat. Sol.(A), 1972, v.14, Wo.1, p.161−170.
Sato H., Ikeda M. Photoinduced voltage-decay characteristics of dye-sensitized poly-N-vinylcarbazole. J. Appl. Phys., 1972, V.43″ No.10, p.4108−4113.
Amick J.A. A volume-charge capasitor model for «Electrofax» layers. — RCA Rev., 1959, v.20, No.4″ p.770 784.
Li Т.Н., Regensburger P.J. Photoinduced discharge characteristics of amorphous selenium plats. — J, Appl. Phis., 1963, V.34, No.6, p.1730−1735.
Meier H., Albrecht V/., Tschirwitz U. On the mechanismof dye sensitization and doping of electrophotographically used organic semiconductors. — Int. Cong. of Phot. Sciens: Papars. — M., 1970, p.264−268-
Является ли данная тема частью проблемы/выполняемой организацией (предп!ЛГПи или совместно- наименование этой проблемы и кому. она поручена (организаци! или совместно): является частью пробдемы. -разрабатываемой в ГОИ имени И. Вавилова '.
Общая оценка полученных результатов и основных технологических (конструктивных)шностей процессов (конструкций) отработэра методикэ подучения гетерофазр. труутур, полунены слои приближающиеся по интегральной светочув" тельности к селеновым слоям.
Какие технические и экономические преимущества дают перечисленные отличительныеенности (данные о научной ценности полученных результатов) __^_

Заполнить форму текущей работой