Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Получение икосаэдрических и декагональных квазикристаллов в системах Al-Cu-Fe и Al-Co-Ni и исследование их свойств

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Получены новые данные о поведении электронных, тепловых и магнитных свойств икосаэдрических и декагональных квазикристаллов, которые позволяют понять природу транспортных, термодинамических и магнитных свойств квазикристаллов, например, зависимость электропроводности от дефектности. На основании исследований теплоемкости икосаэдрических и декагональных образцов показано, что рост теплоемкости при… Читать ещё >

Содержание

  • Общая характеристика работы
  • Актуальность темы
  • Цель работы
  • Научная новизна
  • Практическая значимость
  • Глава I. Аналитический обзор литературы
    • 1. 1. Квазикристаллы и аппроксиманты
    • 1. 2. Модельное представление квазикристаллов
    • 1. 3. Системы квазикристаллов
    • 1. 4. Структура квазикристаллического сплава
      • 1. 4. 1. Формирование икосаэдрической фазы в системе А1-Си-Ре
      • 1. 4. 2. Формирование декагональной фазы в системе А1-Со-№
    • 1. 5. Транспортные и термодинамические свойства квазикристаллов
      • 1. 5. 1. Электропроводность квазикристаллов
      • 1. 5. 2. Теплоемкость квазикристаллов
      • 1. 5. 3. Теплопроводность квазикристаллов
    • 1. 6. Магнитные свойства квазикристаллов
    • 1. 7. Методы получения квазикристаллов
      • 1. 7. 1. Получение поликристаллических квазикристаллов
      • 1. 7. 2. Рост моноквазикристаллов
    • 1. 8. Применение квазикристаллов
  • Глава II. Получение квазикристаллических образцов
    • 2. 1. Получение икосаэдрических образцов в системе А1-Си-Ре
      • 2. 1. 1. Кристаллизация из жидкой фазы
      • 2. 1. 2. Твердофазный синтез
    • 2. 2. Получение декагональных образцов системе А1-Со-№
      • 2. 2. 1. Получение поликристаллических образцов методом аргонно-дуговой плавки
      • 2. 2. 2. Рост моноквазикристаллов методом бестигельной зонной плавки
    • 2. 3. Исследование микроструктуры и фазового состава образцов
      • 2. 3. 1. Исследование микроструктуры икосаэдрических образцов, полученных кристаллизацией из жидкой фазы
      • 2. 3. 2. Исследование микроструктуры и фазового состава икосаэдрических образцов, полученных методом твердофазного синтеза
      • 2. 3. 3. Исследование микроструктуры и фазового состава декагональных образцов
  • Глава III. Исследование транспортных и термодинамических свойств квазикристаллов
    • 3. 1. Исследование температурной зависимости электросопротивления квазикристаллических образцов
      • 3. 1. 1. Зависимость электросопротивления икосаэдрических образцов от температуры в системе А1-Си-Ре
      • 3. 1. 2. Зависимость удельного электросопротивления декагональних образцов от температуры в системе А1-Со-№
    • 3. 2. Исследование теплоемкости квазикристаллических образцов
      • 3. 2. 1. Удельная теплоемкость икосаэдрической и декагональной фаз при высоких температурах
    • 3. 3. Коэффициент температуропроводности квазикристаллических образцов
    • 3. 4. Исследование теплопроводности квазикристаллов
  • Глава IV. Исследование магнитных свойств квазикристаллов
    • 4. 1. Приготовление образцов
    • 4. 2. Методика проведения магнитных экспериментов
    • 4. 3. Магнитные свойства монокристаллов ?/-А^Со^^г
      • 4. 3. 1. Ферромагнетизм монокристаллов ?/-А^Со^Мп
      • 4. 3. 2. Диамагнетизм монокристаллов ?/-АЬгСо^М^
      • 4. 3. 3. Сравнительный анализ магнитных свойств декагональных монокристаллов системы А1-№-Со, полученных методом Бриджмена и бестигельной зонной плавкой

Получение икосаэдрических и декагональных квазикристаллов в системах Al-Cu-Fe и Al-Co-Ni и исследование их свойств (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

Квазикристаллы представляют собой объекты, имеющие апериодический дальний атомный порядок. Они могут иметь симметрию, запрещенную для периодически упорядоченных кристаллов. Это приводит к своеобразным свойствам этих объектов. Электросопротивление квазикристаллов меньше, чем у диэлектриков и легированных полупроводников, но выше, чем у периодически упорядоченных металлов. С ростом температуры электросопротивление, как правило, уменьшается и меняется в пределах от 70? Юм-ст (1-А1М§ Си) до 2−106 цОм-ст (ьА1РсШ.е). Для квазикристаллов характерны высокая твердость (НУ — 5−10 ГПА), низкий коэффициент поверхностного натяжения, сравнимый с КПН тефлона, низкая поверхностная энергия — 30 мДж/м", обуславливающая низкий коэффициент трения, высокая каталитическая активность. Особенности свойств квазикристаллов определяются апериодическим дальним порядком и локальным атомным строением. Помимо выше перечисленных, существует ряд других интересных свойств, сочетание которых делает перспективным использование квазикристаллов в технике.

В настоящее время хорошо известно о существенных отличиях электронных свойств квазикристаллов и свойств возбуждений квазикристаллической решетки от аналогичных свойств, как периодически упорядоченных кристаллов, так и веществ в аморфном состоянии.

Большинство работ по этой тематике посвящено исследованию свойств квазикристаллов при температурах ниже комнатной. Между тем, принципиальные отличия свойств электронных и решеточных возбуждений в квазикристаллах с одной стороны и в периодических кристаллах и аморфных веществах с другой стороны, следует ожидать и в сравнительно мало исследованной области более высоких температур, превышающих 5 температуру Дебая 90, которая составляет ~ 600 К, вплоть до температуры плавления или перитектического разложения. Исследования в этой области температур являются актуальными, поскольку здесь могут качественно меняться электронные и тепловые свойства квазикристаллов и наблюдаться ряд новых эффектов.

Квазикристаллы образуются во многих системах простых и переходных металлов. Среди них можно выделить группу квазикристаллов на основе алюминия, которые перспективны для возможных практических применений, относительно недороги, нетоксичны и биосовместимы. Для квазикристаллов характерна высокая фазовая и структурная чувствительность электрических, магнитных и тепловых свойств. В связи с этим является актуальной задача воспроизводимого получения квазикристаллов на основе алюминия для исследования их транспортных, термодинамических и магнитных свойств при температурах выше температуры Дебая. Решению этих фундаментальных и практических вопросов и посвящено данное исследование.

Цель работы.

Целью диссертационной работы являлось получение икосаэдрических и декагональных образцов в системах А1-Си-Ре и А1-Со-№, соответственно, и исследование их транспортных, термодинамических и магнитных свойств.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Разработать методики кристаллизации из жидкой фазы и твердофазного синтеза для получения образцов системы А1-Си-Ре соответствующих области существования стабильной икосаэдрической фазы, обеспечивающих воспроизводимость их свойств.

2. Получить декагональные квазикристаллы А1-Со-№ методом бестигельной зонной плавки.

3. Изучить транспортные и термодинамические свойства икосаэдрических А1-Си-Ре и декагональных А1-Со-№ квазикристаллов в широком диапазоне температур выше температуры Дебая.

4. Исследовать магнитные свойства квазикристаллов.

Научная новизна.

В диссертационной работе получены следующие новые результаты:

1. Впервые получены методом твердофазного синтеза и кристаллизацией из расплава монолитные икосаэдрические образцы в системе А1-Си-Ре для исследования транспортных, термодинамических и магнитных свойств.

2. Исследован электронный и тепловой транспорт в икосаэдрических и декагональных квазикристаллах при температурах выше температуры Дебая. Показано, что особенности поведения высокотемпературной теплоемкости квазикристаллов связаны с электронным вкладом. При увеличении температуры число Лоренца в квазикристаллах стремится к значению числа Лоренца теории Зоммерфельда.

3. Исследованы магнитные свойства декагональных квазикристаллов А1-Сополученных методом бестигельной зонной плавки, в диапазоне температур 5 — 300 К в магнитных полях до 10 кЭ. Обнаружены диамагнитный и слабый ферромагнитный вклады, связанные с особенностями электронной структуры квазикристаллов.

Практическая значимость работы.

Разработаны методики твердофазного синтеза и кристаллизации из расплава, которыми получены монолитные икосаэдрические образцы в системе А1-Си-Ре. Декагональные квазикристаллы в системе А1-Со-№ получены методом бестигельной зонной плавки. Полученные образцы 7 использовали для исследования транспортных, термодинамических и магнитных свойств.

Получены новые данные о поведении электронных, тепловых и магнитных свойств икосаэдрических и декагональных квазикристаллов, которые позволяют понять природу транспортных, термодинамических и магнитных свойств квазикристаллов, например, зависимость электропроводности от дефектности. На основании исследований теплоемкости икосаэдрических и декагональных образцов показано, что рост теплоемкости при температурах, выше температуры Дебая, до значений 35 Дж-г-атом" '-К" 1 связан с электронным вкладом в теплоемкость. Исследования зависимостей электропроводности и теплопроводности икосаэдрических квазикристаллов показывают, что число Лоренца, определяемое соотношением Видемана-Франца Ь — ге/аТ при температурах выше.

8 ^ температуры Дебая, стремится к 2,5−10″ [Вт-Ом-К" «](при 1100 К), что близко о 'у к классическому значению числа Лоренца в металлах (2.44−10″ [Вт-Ом-К» «]), предсказываемому теорией Зоммерфельда. Проведены исследования магнитных свойств декагональных квазикристаллов А1-Со-№ в полях 0 -10 000 Э в диапазоне температур 5 — 300 К. Обнаружены диамагнитный и слабый ферромагнитный вклады в зависимость намагниченности от внешнего магнитного поля квазикристаллов. Наблюдающийся небольшой ферромагнитный гистерезис связан с формированием ферромагнитных кластеров. Проведенные исследования позволяют понять природу диамагнетизма и парамагнетизма в квазикристаллах.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Методами твердофазного синтеза и кристаллизацией из жидкой фазы получены однофазные икосаэдрические образцы в тройной системе Al-Cu-Fe для исследования тепловых, транспортных и магнитных свойств.

2. Методом бестигельной зонной плавки получены монокристаллы декагональной фазы в тройной системе Al-Co-Ni.

3. В различных температурных диапазонах между 300 и 1400 К исследована температурная зависимость удельной теплоемкости квазикристаллов Al-Cu-Fe и Al-Co-Ni. Установлено, что в обеих системах при температурах близких к температуре Дебая, удельная теплоемкость близка к значению 3Rа при дальнейшем повышении температуры удельная теплоемкость растет, достигая значений существенно превышающих 3R.

4. Исследованы температурные зависимости теплопроводности и электропроводности икосаэдрических квазикристаллов Al-Cu-Fe при температурах выше температуры Дебая. Установлено, что полученное из экспериментальных данных по теплопроводности и электропроводности число Лоренца при высоких температурах стремится к значению числа Лоренца теории Зоммерфельда.

5. Исследованы магнитные свойства декагональных квазикристаллов Al-Co-Ni в интервале температур от 5 до 300 К. Установлено, что зависимость намагниченности от внешнего магнитного поля содержит слабый ферромагнитный вклад и диамагнитный вклад, обусловленный особенностями электронного спектра квазикристаллов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Shechtman D., Blech L, Graitias D. e.a. // Metallic phase with long-range orientational order and no translational symmetry. -Phys. Rev. Lett. 1984-№ 53-pp. 1951−1953
  2. A.P. Tsai, A. Inoue, T. Mashimoto // Jpn. J. Appl. Phys. 1987 — 26 — LI505
  3. G. Bergman, J.L.T. Waugh and L. Pauling // Acta Crystallogr. 1957- 10 254
  4. E.E. Cherkashin, P.I. Kripyakevich and G.I. Oleksiv // Sov. Phys. Crystallogr. 1964−8-681
  5. P. Donnadieu, A. Redjaimia // Phil. Mag. В 1993 — 67 — 569
  6. A.I. Goldman, P.F. Kelton // Rev. Mod. Phys. 1993 — 65 — 213
  7. H.S. Chen, J.C. Phillips, P. Villars, A.R. Kotran, A. Inoue // Phys. Rev. В 1987−35−9326
  8. Tsai A.P., Inoue A. e.a. // Phil. Mag. Lett. 1990. — V. 61. — p. 9
  9. A.P., Inoue A., Masumoto T. // Appl. Phys. 1998. — V. 26. — p. 1505 -1587
  10. Akiyama H., Hahsimoto Т., Shibuya T. e.a. // Phys. Soc. Jpn. 1993. — V. 62.-p. 639
  11. Huttunen-Saarivirta E. // J. of Alloys and Compounds.- 2004.- V. 363.- PP. 150−174
  12. Ю.Ч., Исаев Э. И. Структура и физические свойства квазикристаллов //Сборник докладов первого всероссийского совещания по квазикристаллам. М. — 2003 — с. 5
  13. Tumara R., Waseda A., Kimura К. e.a. // Mater. Sci. Eng. 1994. — A181 -182.-PP. 794−797
  14. Ahlgren M., Rodmar M., Gignoux C. e.a. // Mater. Sci. Eng. 1997. — A 226 -228.- PP. 981 -992
  15. Ritsch S., Beeli C. e. a. // Phil. Mag. Lett. 1998 — vol. 78, no.2 — p.67
  16. De Palo S., Usmani S., Sampath S. e.a. Friction and Wear Behaviour of Thermally Sprayed Al-Cu-Fe Quasicrystal Coatings // A United Forum For Sientific and Technological Advances.- Ohio, 1997
  17. A.P. Tsai, A. Inoue, T. Masumoto // Jpn. J. Appl. Phys. 1987- 26 — LI505
  18. A.P. Tsai, A. Inoue, T. Masumoto // Jpn. J. Appl. Phys. 1988 — 26 — LI 587
  19. Tsai A. P., Yokoyama Y., Inoue A., and Masumoto T. // Jpn. J. Appl. Phys. -1990−29-L1161
  20. S.J. Poon // Adv. Phys. 1992 — 41 — 303
  21. P. Lanco, C. Berger, F. CyrotLackmann and A. Sulpice // J. Non-Cryst.Solids 1993- 153 154−325
  22. F.S. Pierce, S.J. Poon, and Q. Gou // Science 1993 — 261 — 737
  23. H. Akiyama, Y. Honda, T. Hasimoto, K. Edagava, and S. Takeuchi // Jpn. J. Appl. Phys. 1993 — 32 — LI 003
  24. С. Gignoux, С. Berger, G. Fourcaudot, J. С. Grieco and H. Rakoto // Europhys. Lett. 1997 — 39(2) — p. 171
  25. Martin S., Hebard A. F., e. a. // Phys. Rev. Lett. 1991 — vol. 91, no.6 — p. 719
  26. Wagner J.L. et al. // Phys. Rev. В 1988 — 38 — p. 7436
  27. Kimura K. et al. // J. Phys. Soc. Jpn. 1989 -58 — p. 2472
  28. J.L., Biggs B. D., Poon S. J. // Phys. Rev. Lett. 1990 — 65 — p. 203
  29. Ziman J.M. Principles of the Theory of Solids (Camb. Univ. Press. Cambridge, 1972)-p.225
  30. Howson M.A., Gallagher B.L.//Phys. Rep. 1988 — 170-p. 265
  31. D.G. // J. Phys. Chem. Solids. 1984 — 45 — p. 367
  32. J. A. Barrow, B. A. Cook, P. C. Canfield, and D. J. Sordelet // Phys. Rev. B -2003−68- 104 202
  33. J.M.Dubois et.al. // J.Mater.Res. vol.8, No. 1 — p.38
  34. K. Edagawa, K. Kajiyama // Mater. Sci. Eng. A 2000 — 646 — p. 294−296
  35. K. Edagawa et.al. // Mater. Sci. Eng. A 2001 — 312 — p. 293
  36. J. A. Barrow, B. A. Cook, P. C. Canfield, and D. J. Sordelet // Phys. Rev. B -2003−68-p. 104 202
  37. J.M.Dubois et.al. // J.Mater.Res. vol.8, No. 1 — p.38
  38. K. Edagawa, K. Kajiyama // Mater. Sci. Eng. A 2000 — 646 — p. 294−296
  39. A.Yamamoto et.al. // Mater.Sci.Forum 1994 — 150/151 — 221
  40. W.Steurer et.al. // Phil.Mag.Lett. 1990 — 62 — 175
  41. K.Tanaka et.al. // Phil.Mag.A 1995 — 73 — 1714
  42. M.A.Chernikov et.al. // Phys.Rev.Lett. 1998 — 80 — 321
  43. R. // Ann. Phys. Bd. 3. H. 3, S. 1055 (1929)
  44. Chernicov M.A., Bianchi A., Ott H.R. // Phys. Rev. B 1995 — 51 — p.153
  45. Chernicov M.A. et al. // Europhys. Lett. 1996 — 35 — p.431
  46. Kuo Y. K. et al. // Phys. Rev. B 2005 — 72 — p. 54 202
  47. Yh.Kh., Isaev E.I., Johasson B. // Phys. Lett. A 2006 — 352 — p. 524
  48. Perrot A. et al. in Ref. Quasicrystals. Proceeding of the 5th International Conference p. 588
  49. Matsuo S. et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 1989 — 1 — p. 6893
  50. K., Matsuo S., Ishimasa T. // J. Phys. Soc. Jpn. 1993 — 62 — p. 604
  51. Luck R., Kek S. // J. Non-Cryst. Solids. 1993 — 329 — pp. 153−154
  52. F. Cyrot-Lackmann // Solid State Commun. 1997 — 103 — 123
  53. Yu.Kh. Vekilov et.al. // Solid State Commun. 2005 — 133 — 473
  54. Vekilov Yh.Kh., Salokhov S. V., Isaev E.I., and Johansson B. // J. of Exp.
  55. And Theoretical Phys. 2005 — vol.100, no. 6 — p. 1 127 108
  56. Hattori Y. et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 1995 — 7 — 2313
  57. Fisher I. R. et al. // Phys. Rev. В 1999 — 59 — 308
  58. Chernikov M. A. et al. // Phys. Rev. В 1993 — 48 — 3058
  59. Z.M. Stadnik (Ed.) // Physical Properties of Quasicrystals, Springer, Berlin -1999-p. 295
  60. C.R. Lin, S.T. Lin, C.R. Wang, S.L. Chou, H.E. Horn, J.M. Cheng, Y.D. Yao, S.C. Lai // J. Phys.: Condens. Matter. 1997 — 9 — 1509
  61. S. Matsuo, H. Nakano, T. Ishiyama, Y. Fukano // J. Phys.: Condens. Matter. -1989- 1 -6893
  62. S. Matsuo, T. Ishiyama, H. Nakano, Y. Fukano // J. Phys. F: Met. Phys. -1988 18 — L175
  63. A. Kobayashi, S. Matsuo, T. Ishimasa, H. Nakano // J. Phys.: Condens. Matter. 1997−9-3205
  64. Swenson C.A. et.al. // Phys. Rev. В 2004 — 70 — p. 94 201
  65. Markert J.T. et.al. // J.Appl.Phys. 1994 — 76(10) — 6110
  66. Kortan A.R. et.al. // Phys. Rev. В 1989 — 40 — p. 9397
  67. Venkateswara Rao V., Anantharaman T.R. // Mater. Sci. Eng. 1988 — A99 -pp.393 — 398
  68. A. // Mater. Res. Soc. Bull. 1997 — v. 11 — pp. 43 — 47
  69. Salimon A.J., Korsunsky A.M., Shelekhov E.V. e.a. // Mat. Sci. Forum. -1999-pp. 321 -324
  70. A.M., Ласкова Г. В., Михеева M.H. и др. Разработка технологии получения однофазного квазикристаллического порошка в системе А1-Cu-Fe // Сборник докладов первого всероссийского совещания по квазикристаллам.- М., 2003 С. 35 — 38
  71. Stadnik Z.M. Physical properties of quasicrystals.- Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1999
  72. Gui J., Wang J., Wang R. e.a. //J. Mater. Res. 2001 — V. 16 — pp. 1037 -1047
  73. D.Joseph, V. Elser // Phys. Rev. Lett. 1997 — 79 — 1066
  74. C. Dong, J. M. Dubois, M. de Boissieu et.al. // J.Mater.Res. 1991 — 6 — 2637
  75. D. Holland-Moritz, J. Schroers, B. Grushko et.al. // Mater. Sei. Eng. A 1997 -976-p. 226−228
  76. J.Q.Guo, A.P. Tsai // Mater.Res. 2001 — 16 — p. 3038
  77. B.Grushko, T.Ya.Velikanova // J. Alloys Compd. 2004 — 367 — 58
  78. P. Gille, P. Dreier, M. Graber et.al. // J. Crystal Growth 1999 — 207 — 95
  79. M.Graber, R.-U. Barz, P. Dreier et.al. // Mater. Sei. Eng. A 2000 — 294 -143
  80. H.T. Jeong, S.H. Kim, W.T. Kim et.al. // J. Crystal Growth 2000 — 217 -217
  81. P.Jelen, M. Surowiec // J. Crystal Growth 2004 — 261 — 581
  82. K., Mitari Y., Koiwa M. // Philos. Mag.- 1996. vol. 73. — p. 362
  83. N.D., Troian S.M. // Phys. Rev. Lett. 1985 — vol.54 — 1524
  84. A.P. Tsai et.al., J. Non-Crystalline Solids 1999 — 250 — 833
  85. J.Q. Guo et.al., J. Crystal Growth 1999 — 197 — 963
  86. J.Q.Guo, A.P. Tsai, Mater.Res. 2001 — 16 — 3038
  87. A.M. Balbashov and S.K. Egorov, J. Crystal Growth 1981 — 52 — 498
  88. S.E. Burkov, T. Timusk, N.W. Aschkroft // J. Phys.: Condens. Matter. 1992 — vol. 4 — p.9447
  89. S.E. Burkov, A.A. Varlamov, D.V. Livanov // Phys. Rev. B 1996 — vol.53 -p.11 504
  90. S. Matsuo et.al. // J. Phys.: Condens. Matter 1989 — 1 — 6893
  91. K. Tanaka et.al. // Philos. Mag. A73 1996 — 1715
  92. A. Quivy et.al. // J. Appl. Cryst. 1994 — 27 — 1010
  93. A. M. Korsunsky et.al. // Scripta Materialia 2001 — 44 — 217
  94. M. A. Chernikov et.al. // Phys.Rev. Lett. 1998 — 80 — 321no
  95. C. Soltmann et.al. // 2002 Advanced Photon Source Activity Report, Argonne National Laboratory
  96. Perrot and Dudois // Ann. Chim. Fr. 1993 — 18 — 501
  97. K. Edagawa et.al. // Mater. Sei. Eng. A 312 2001 — 293
  98. D.Levine, P.J.Steinhardt // Phys.Rev. B 1986 — 34 — 596
  99. J.E.S.Socolar, P.J.Steinhardt // Phys.Rev. B 1986 — 34 — 617
  100. C.L.Henley, in Quasicrystals: The State of the Art, ed. by D. DiVincenzo and P J. Steinhardt (World Scientific, Singapore, 1991)
  101. M.Oxborrow and C.L.Henley // Phys.Rev. B 1993 — 48 — 6966
  102. H.C.Jeong, P J. Steinhardt // Phys.Rev. B 1993 — 48 — 9394
  103. T.Dotera, PJ. Steinhardt // Phys.Rev. Lett. 1994 — 72 — 1670
  104. K.J.Strandburg, PJ. Steinhardt // Phys.Rev. B 1991 — 44 — 4644
  105. F.Gaehler, in Quasicrystals: Proc. Of ICQ5, ed. by C. Janot and R. Mosseri (World Scientific, Singapore, 1995) p.236
  106. J. A. Barrow, B. A. Cook, P. C. Canfield, and D. J. Sordelet // Phys. Rev. B -2003 68 — 104 202
  107. J. A. Barrow et.al. // J. Non-Cryst. Solids 2004 — 312 — p.334−335
  108. J.M.Dubois et.al. // J.Mater.Res. vol.8, No. l — p.38
  109. Tsai A.-P. et.al. // Jpn. J. Appl. Phys. 27 — L2252
  110. Zhao J.G. et.al. // Mater. Trans., Jpn. Inst. Met. Suppl. 29 — 497
  111. Dunlap R.A. et.al. // Phys. Rev. B 39 — 4808
  112. Yokoyama Y. et.al. // Philos. Mag. Lett. 73 — 247.
  113. Nitori S. et.al. // J. Magn. Magn. Mater. 2002 — 241 — 11
  114. Nasu S. et.al. // Phys. Rev. B 45 — 12 778
  115. Peng D.-L. et.al. // J. Magn. Magn. Mater. 1998 — 184 — 319
  116. , C. A. // Phys. Rev. B 2002 — 65 — p. 184 206
  117. Tsai A.-P. et.al. // J. Non-Cryst. Solids 1999 — 833 — p. 250−252
Заполнить форму текущей работой