Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Атомные и электронные процессы на поверхности полупроводников и границах раздела металл-полупроводник

Диссертация: Атомные и электронные процессы на поверхности полупроводников и границах раздела металл-полупроводник
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В качестве объектов исследования рассмотрены поверхности кремния, как типичного полупроводника ковалентного типа, и диоксида титана в модификации рутила, в котором межатомная связь имеет ионо-ковалеитный характер. Важно отметить, что и кремний и диоксид титана являются модельными системами, демонстрирующими наиболее общие черты, характерные для каждого типа полупроводников На примере данных… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Адсорбция неметаллов на поверхности кремния
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Формирование ПФ Si (lll)(ч/З х /3)Д30°-В
    • 1. 3. Взаимодействие атомов фосфора на Si (100)
    • 1. 4. Адсорбция и диссоциация молекул триметилфосфииа на Si (lll)7x
    • 1. 5. Атомное строение ПФ Si (100) ос (4×4)-В
    • 1. 6. Основные результаты
  • 2. Сегрегация неметаллов вблизи поверхности кремния
    • 2. 1. Введение
    • 2. 2. Сегрегация бора на Si (lll): кластерный подход
    • 2. 3. Се1регация бора на Si (lll): зонный подход
    • 2. 4. Сегрегация бора на Si (100): кластерный подход
    • 2. 5. Сегрегация бора па Si (100): зонный подход
    • 2. 6. Сегрегация фосфора на Si (100)
    • 2. 7. Основные результаты
  • 3. Адсорбция металлов на поверхности кремния
    • 3. 1. Введение
    • 3. 2. Адсорбционная система Al/Si (111)
  • 3. 2.1 Электронная структура ПФ Si (lll)(v/3 х уД) ЯЖ-А
  • 3. 2 2 Электронная структура ПФ Si (lll)(/7 х y/7)R19 Г-А
    • 3. 2. 3. 7-фаза Al-Si (lll)
    • 3. 2. 4. Процессы в атомной и электронной структуре при смене ПФ в системе Al/Si (l 11)
    • 3. 3. Поведение неупорядоченного монослоя А1 на Si (100)2x
    • 3. 4. Адсорбционная система Tl/Si (100)
    • 3. 4. 1. ПФ а-2×2-Т
    • 3. 4. 2. ПФ /?-2×2-Т
    • 3. 4. 3. ПФ 7−2Х2-Т
    • 3. 4. 4. ПФ 2 xl-Tl при комнатной и пониженной температурах
    • 3. 4. 5. Смена ПФ в системе Tl/Si (100) и сопутствующие процессы в атомной и электронной структуре
    • 3. 5. Адсорбционная система Au/Si (lll)
    • 3. 5. 1. Адсорбция изолированных атомов Аи на Si (lll)
      • 3. 5. 1. 1. Электронная структура и спектры ФЭС
      • 3. 5. 2. Перемешивание на границе раздела Au/Si (lll) при монослойном покрытии Аи
    • 3. 6. Основные результаты
  • 4. Электронная структура системы металл—кремний
    • 4. 1. Введение
    • 4. 2. Влияние атомного строения границы раздела металл—кремний на электронную структуру системы
      • 4. 2. 1. Al/Si (l 11)
      • 4. 2. 2. Au/Si (lll)
        • 4. 2. 2. 1. Тонкая пленка Аи на Si (lll)
        • 4. 2. 2. 2. Сшшцидоподобное соединение Ai^Si на Si (lll)
    • 4. 3. Влияние примеси на величину барьера Шоттки
    • 4. 3. 1 Легирование кремния в системе Al/Si (lll)
      • 4. 3. 2. Управление величиной барьера Шогтки при вторичном легировании кремния в системе Al/n-S
    • 4. 4. Основные результаты
  • 5. Туннельный ток в поверхностных системах и наноразмерных контактах «металл — кремний»
    • 5. 1. Введение
    • 5. 2. Моделирование спектров СТС ПФ Si (lll)(V5 х /3)Л30°-В
    • 5. 3. Влияние взаимодействия игла-образец на данные СТС
    • 5. 4. Туннельный ток в наноразмерном контакте Al/Si (lll)
    • 5. 5. Основные результаты
  • 6. Атомная структура поверхности Ti02(110) при ненулевых температурах
    • 6. 1. Введение
    • 6. 2. Тестовые результаты для объемного диоксида титана и поверхности ТЮ2(1 Ю)
    • 6. 3. Поведение поверхности ТЮгЩО) при ненулевых температурах
    • 6. 4. Атомная релаксация ступени на ТЮ2(И0)
    • 6. 5. Разрушение ступени на ТЮ2(1Ю) при Т = 500 К
    • 6. 6. Основные результаты

Атомные и электронные процессы на поверхности полупроводников и границах раздела металл-полупроводник (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

А.2 Электронная структура системы с примесями разного типа.212.

А 3 Электронная структура системы с примесями одного типа .213.

Приложение Б. Методы расчета атомной и электронной структуры твердых тел 219.

Б.1 Введение.219.

Б.2 Неэмпирический подход.220.

Б.2.1 Метод Хартри-Фока.220.

Б.2.2 Теория функционала электронной плотносги.222.

Б.2.3 Псевдопотенциалы в неэмпирических методах.225.

Б.2.4 Метод молекулярной динамики.229.

Б.2.5 Реализации неэмпирического подхода.233.

Б.2.5.1 Зонные методы .233.

Б.2.5.2 Кластерные методы.236.

Б.2.6 Выбор параметров моделирования при использовании неэмиирических методов.242.

Б.З Полуэмпирический подход.249.

Б.4 Эмпирический подход.253.

Литература

259.

Сокращения, используемые в тексте диссертации.

ВАХ вольт-амперная характеристика.

ВИМС вторично-ионная масс-спектроскопия.

ВФ волновая функция.

ДБЭ дифракция быстрых электронов.

ДКС двойной кремниевый слой (для поверхности Si (lll)).

ДМЭ дифракция медленных электронов.

JIKAO линейная комбинация атомных орбиталей.

МИС металлоипдуцированные состояния.

МС монослой.

ПЛП приближение локальной плотности.

ПОГ приближение обобщенного градиента.

ПП псевдопотепциал.

ПФ поверхностная фаза.

ПЭМ просвечивающая электронная микроскопия.

ПЭС плотность электронных состояний.

РМИ рассеяние медленных ионов.

СНПП сохраняющий норму псевдопотенциал.

СТМ сканирующая туннельная микроскопия.

СТС сканирующая туннельная спектроскопия.

СХПЭЭ спектроскопия характеристических потерь энергии электронами.

ТФП теория функционала плотности.

ФЭС фотоэмиссионная спектроскопия.

ЭОС электронная оже-спектроскопия.

Расчетные методы:

ДВ дискретного варьирования.

KB конфигурационного взаимодействия.

МД молекулярной динамики.

ОПВ ортогонализованных плоских волн.

ППВ присоединенных плоских воли.

РВ рассеянных волн.

ХФ Хартри-Фока.

ХФР Хартри-Фока-Рутана.

AMI Austin Model 1 (полуэмпирический метод).

Обозначения, используемые в тексте диссертации е абсолютная величина заряда электрона.

Ев энергия связи.

Ее энергия дна зоны проводимости.

Ecut энергия обрезания (в зонных расчетах) ef энергия Ферми.

Е9 ширина запрещенной зоны.

Es энергия (энтальпия) сегрегации.

Ev энергия потолка валентной зоны.

Ga свободная энергия сегрегации.

T температура vt напряжение на игле СТМ в покрытие адсорбата (в монослоях).

V химический потенциал.

P (E) плотность электронных состояний о поверхностное напряжение.

Фв высота барьера Шоттки (в общем случае).

Фвп высота барьера Шоттки для электронов.

Фвр высота барьера Шоттки для дырок.

Актуальность работы.

В последние десятилетия происходит интенсивное развитие физики поверхности полупроводников, стимулированное в значительной степени требованиями компьютерной и химической индустрии. Создание новых методов исследования и модификации поверхности, в первую очередь, сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (СТМ/СТС), привело к возможности изучения локальной атомной и электронной структуры поверхности и имеет перспективой развитие широкого спектра нанотехнологий. При дальнейшем переходе к нанометровым размерам базовых элементов микросхем необходимо будет более точно учитывать особенности электронного строения систем, опираясь на количественные характеристики физических процессов, протекающих при изготовлении и эксплуатации приборов. Однако, имеющиеся теоретические модели, как правило, построены для идеализированных систем, что сильно осложняет их использование для реальных объектов. В свете этого, большое значение приобретают методы компьютерного моделирования атомной структуры и электронного строения, позволяющие рассчитать количественные характеристики поверхностных систем.

В качестве объектов исследования рассмотрены поверхности кремния, как типичного полупроводника ковалентного типа, и диоксида титана в модификации рутила, в котором межатомная связь имеет ионо-ковалеитный характер. Важно отметить, что и кремний и диоксид титана являются модельными системами, демонстрирующими наиболее общие черты, характерные для каждого типа полупроводников На примере данных объектов рассматриваются основные закономерности ряда типичных процессов на поверхности полупроводника: отжиг плоской и ступенчатой поверхности, адсорбция металлов и неметаллов, последующая реакция адсорбаха с поверхностью, сегрегация примесей. При этом исследуются свойства чистой поверхности, поверхности со ступенями, субмонослойных и монослойных покрытий, полученных в результате процессов адсорбции и сегрегации.

Исследование энерютики и атомной структуры поверхностных систем в процессах сегрегации и адсорбции атомов неметаллов (на примере основных технологических легирующих примесей — бора и фосфора) важно с фундаментальной точки зрения для понимания характера химической связи и межатомного взаимодействия в системе «атом неметалла — поверхность полупроводника». Кроме того, получение количественной информации о величине энергии сегрегации примесей чрезвычайно актуально и для разработки технологических процессов современной микроэлектронной промышленности.

Значительный интерес для исследования представляет начальная стадия роста металлов на кремнии по механизму роста Странски-Крастанова (стадия послойного роста). Известно [210], что при изменении субмонослойных покрытиях металлы образуют на кремнии ряд поверхностных фаз (ПФ), каждая из которых имеет свое атомное строение и электронную структуру. Между тем, неясно, какие процессы при смене ПФ происходят в электронной структуре, как меняется энергия связи адатома с подложкой и поверхностное напряжение в системе, зависят ли характеристики системы от покрытия адсорбата монотонным образом или существуют критические покрытия, при которых свойства системы резко изменяются.

Ответы на эти вопросы актуальны, в частности, для понимания механизма стабилизации уровня Ферми и формирования металлизированного покрытия в системе «металл — кремний», что позволит оценить минимальные толщины пленок металла, при которых формируется барьер Шоттки имеющий высоту, характерную для макроскопического контакта металл/кремний.

Особое внимание уделяется рассмотрению электронной структуры контакта металл/кремний, который является одним из важнейших элементов микроэлектроники В данной работе внимание сконцентрировано на выпрямляющих контактах, поскольку при рассмотрении барьера Шоттки особенно важен учет микроскопических явлений на границе раздела. Здесь прежде Bcei о интересны исследования влияния атомного строения границы раздела и наличия примесей вблизи границы раздела на электронную структуру системы и высоту барьера Шоттки. Кроме того, рассматривается туннельная вольт-амперная характеристика (ВАХ) наноразмерного контакта Al/Si (lll) и влияние на нее атомного строения границы раздела.

Существенной проблемой как с экспериментальной, так и с технологической точек зрения является создание контакта металл/полунроводник с контролируемой высотой барьера Шоттки. Одним из наиболее практически доступных существующих способов является метод приграничного легирования, в котором высотой барьера Шоттки управляют, создавая сильнолегированный приграничный слой полупроводника при помощи ионной имплантации атомов примеси |283]. Для уменьшения эффективной величины барьера приграничный слой ле! ируется примесью того же типа, что и объем, а для увеличения эффективной величины барьера — примесью противоположного типа, причем концентрация примеси в приграничном слое может быть существенно выше концентрации примеси в объеме полупроводника. Сложность процессов, протекающих в подобных системах, а также отсутствие единой теории контакта металл/полупроводник, вызывают повышенный интерес к расчетам из первых принципов, которые могут дать наиболее интересные результаты, благодаря возможности адекватного описания влияния неод-нородностей границы раздела на электронную структуру системы.

Моделирование атомных процессов при ненулевых температурах является одной из самых сложных и трудоемких задач в исследовании поведения поверхности полупроводника. Основные закономерности высокотемпературного поведения чистой поверхности и поверхности со ступенями, рассмотренные на примере поверхности ТКЭДПО), несомненно, имеют общий характер для широкого класса поверхностей, в том числе и полупроводниковых. Кроме того, диоксид титана в модификации рутила является широкозонным полупроводником, который может быть легко редуцирован при нагревании, и имеет огромную технологическую важность ввиду широкого использования в катализе, в солнечных ячейках, как материал для сенсоров и разнообразных покрытий. Моделирование поведения поверхности ТЮг^Ю) позволит на атомном уровне понять суть протекающих тепловых процессов и оценить влияние дефектов поверхности (которые в немалой степени определяют свойства поверхности диоксида титана) на характеристики системы.

В данной диссертационной работе представлены результаты компьютерного моделирования наиболее важных процессов, происходящих на поверхностях полупроводников и границах раздела металл-полупроводник, описаны физические свойства и характеристики рассмотренных систем. Цель работы.

Весь комплекс выполненных исследований был направлен на изучение процессов в атомной и электронной структуре поверхностей кремния и диоксида титана, границ раздела металл-кремний, а также на исследование физических свойств и характеристик рассмотренных систем. Для достижения поставленной цели решались следующие конкретные задачи:

• Изучение процесса атомной и молекулярной адсорбции неметаллов (на примере бора и фосфора) на поверхности кремния, а также сопутствующих процессов (перестройка поверхности, диссоциация молекул адсорбата, замещение атомов подложки атомами адсорбата, взаимодействие между атомами адсорбата) в системе «адсорбат — кремний». Расчет энергетических характеристик процессов и изучение характера химической связи атомов адсорбата и поверхности.

• Определение энергии се1регации основных технологических легирующих примесей (В, Р) в кремнииисследование влияния на величину энергии сегрегации ориентации поверхности кремния и межнримесного взаимодействия.

• Изучение процесса адсорбции металлов (элементов III группы А1 и Т1, а также Аи) на поверхности кремния. Моделирование атомной и электронной структуры образующихся поверхностных фаз, расчет поверхностных напряжений в системах. Исследование зависимости электронной структуры, механических поверхностных напряжений и взаимодействия «адсорбат-подложка» от покрытия адсорбата.

• Изучение процессов стабилизации уровня Ферми и формирования барьера Шоттки при изменении субмонослойных покрытий в системе «адсорбат металла — кремний» .

• Исследование зависимости электронной структуры системы и высоты барьера Шоттки ог атомного строения и наличия примесей в области границы раздела металл-кремний. Изучение эффективности влияния вторичного (приграничного) легирования кремния на электронное строение системы и высоту барьера Шоттки.

• Изучение влияния взаимодействия «игла СТМ — поверхность» на спектры сканирующей туннельной спектроскопии.

• Расчет туннельного тока в наноразмсрной системе Al/Si (lll), исследование влияния атомного строения границы раздела на вольт-амперную характеристику на-норазмерного контакта.

• Моделирование поведения плоской поверхности ТЮ2(1Ю) и ступени на поверхности Ti02(l Ю) в широком интервале температур. Моделирование процесса разрушения ступени на поверхности Т10г (110) при повышенной температуре. Исследование влияния края ступени на процессы происходящие на террасах.

Методы моделирования.

Обширный класс изучаемых полупроводниковых систем и разнообразие моделируемых процессов и структур определили необходимость использования столь же широкою набора современных методов компьютерною моделирования атомного строения и электронной структуры.

Для исследования адсорбции и сопутствующих процессов использовались полуэмпирический (AMI) и неэмпирический (метод дискретного варьирования в приближении локальной электронной плотности) кластерные методы для непериодических систем и неэмиирический зонный метод в приближении локальной электронной плотности для периодических систем. Расчет энергетики процесса сегрегации выполнялся с применением полуэмиирического класгерного метода AMI и неэмпирического зонного метода. Электронная структура границы раздела металл-кремний моделировалась неэмпирическим кластерным методом дискретного варьирования. И, наконец, моделирование поведения плоской и ступенчатой поверхности диоксида титана при различных температурах проводилось методом классической молекулярной динамики с использованием двухчастичных потенциалов Морзе.

Программы моделирования спектров СТС и расчета туннельного тока в нанораз-мерных контактах были написаны автором диссертации. Научная новизна.

Научная новизна данной диссертации заключается в том, что в пей впервые проведено комплексное исследование атомного строения и электронной структуры, изучение физических свойств и определение энергетических характеристик процессов в системах на основе полупроводников ковалептного и ионо-ковалентного типа с использованием широкого спектра современных методов моделирования твердотельных систем. В частности:

• на примере поведения бора и фосфора исследован характер взаимодействия ада-томов неметаллов с поверхностью кремнияизучено влияние ближайшего окружения на энергию связи «адатом — поверхность «;

• рассчитаны величины энергии сегрегации бора на Si (lll) и Si (100) и фосфора на Si (100) — исследовано влияние ориентации поверхности кремния и межпримеспого взаимодействия на величину энергии сегрегации;

• исследованы изменения, происходящие в электронной структуре, энергетике и поверхностном напряжении в субмонослойных адсорбционных системах «металлповерхность кремния» на стадии послойного роста по механизму роста Странски-Крастанова;

• выяснен механизм возникновения длиннопериодических пространственных модуляций электронной плотности в монослойпой адсорбционной системе Tl/Si (100) при пониженной температуре, построена атомная модель модулированной структуры;

• выяснен механизм формирования барьера Шоттки при увеличении покрытия ад-сорбата в субмонослойных системах «металл—кремний» ,.

• изучено электронное строение приграничной области ряда систем «металл-кремний» и выяснены особенности формирования барьера Шоттки в зависимости как от атомного строения границы раздела, так и от наличия примесей вблизи границы раздела;

• рассмотрено влияние взаимодействия «игла СТМ — поверхность» на спектры сканирующей туннельной спектроскопии;

• рассчитан туннельный ток в эпитаксиальном и точечном наноразмерных контактах Al/Si (lll) — показано, что вольт-амперная характеристика наноразмерного контакта Al/Si (lll) имеет зависимость, характерную для макроскопического контакта металл/кремний;

• исследовано поведение поверхности (110) диоксида титана при температурах до 600 Кнайдены характерные температуры начала молекулярной и атомной десорбции кислорода;

• рассчитана равновесная структура ступени па поверхности ТЮ2(110) — показано, что при температуре 500 К происходит разрушение края ступенипредложен двух-стадийный циклический механизм процесса разрушения ступениисследовано перераспределение заряда вблизи края ступени в ходе ее разрушения.

Научная и практическая значимость.

Полученные в работе результаты имеют фундаментальные значение для понимания процессов, происходящих на чистых поверхностях полупроводников, в адсорбционных, сегрегационных системах и на границах раздела металл-полупроводник.

Ряд полученных результатов (к примеру, рассчитанные энергии сегрегации бора и фосфора для различных поверхностей кремния) могут быть использованы для совершенствования современных технологий в микроэлектронике. Рассмотренные в работе особенности формирования электронной структуры границы раздела металл—кремний имеют важное значение для понимания природы барьера Шотгки. Проведенные расчеты показывают возможность не только описывать электронную структуру границы раздела металл-нолупроводник, но и предсказывать величину барьера Шоттки в зависимости от атомного строения границы раздела и наличия примесей.

Исследования поведения поверхности ТЮгЩО) при повышенной температуре важны для понимания процессов редукции диоксида титана, а также адсорбции ряда элементов на редуцированную поверхность ТЮгЩО), что позволит на практике оценить поведение адсорбционных систем на основе ТЮг, например, в сенсорных устройствах.

Основные защищаемые положения.

1. Взаимодействие атомов неметаллов с поверхностью кремния носит преимущественно ионный характер. Взаимодействие между адатомами неметаллов на поверхности кремния существенно слабее, чем взаимодействие «неметалл — кремний» и не может обеспечить упорядочение адсорбционной системы. Сильная химическая связь адатома неметалла с кремиием приводит к тому, что его локальное кремниевое окружение на разных поверхностях одинаково, однако, нарушение симметрии ближайшего окружения адатома неметалла может привести к различиям в энергии связи адатома для поверхностей разных ориентации.

2. Энергия (энтальпия) сегрегации атомов основных технологических легирующих примесей в кремнии (бора и фосфора) больше по абсолютному значению для поверхности Si (lll), чем для Si (100) вследствие большей стабильности поверхностных структур, образованных в результате процесса сегрегации. Энергия сегрегации изолированных атомов примеси меньше по абсолютному значению, чем энергия сегрегации вблизи границ поверхностной структуры, образованной атомами примеси.

3. Взаимодействие атомов несилицидообразующих металлов с поверхностью кремния на начальных стадиях адсорбции носит преимущесгвенно ковалентный характер. После достижения покрытия адсорбата, соответствующего полному насыщению поверхностных связей кремния, взаимодействие «адсорбат — поверхность» монотонно ослабляется с увеличением концентрации атомов адсорбата. При изменении валентности адат омов металла эта зависимость приобретает немонотонный характер.

4. В субмонослойной адсорбционной системе «металл — кремний» механическое поверхностное напряжение при увеличении покрытия адсорбата меняется монотонным образом, если атомы адсорбата в последующей поверхностной фазе занимают позиции того же тина, что и в предыдущей, и немонотонно при смене типа адсорбционных мест.

5. Механизм стабилизации уровня Ферми металлоиндуцированными состояниями в запрещенной зоне становится основным в субмонослойной системе «металл — кремний» при достижении покрытия, соответствующего полному насыщению поверхностных связей. К моменту завершения стадии послойного роста по механизму роста Странски-Крастанова происходит металлизация поверхности и формируется барьер Шоттки, имеющий высоту, характерную для макроскопической системы «металл — кремний» .

6. Высота барьера Шоттки в системе «металл — кремний» зависит от атомного строения границы раздела, в частности, при нарушении эпитаксиалыюсти границы раздела высота барьера Шоттки в системе «металл — п-Si» увеличивается. Вторичное (приграничное) легирование кремния в контакте «металл — кремний» примесыо того же типа, что объемная, приводит к уменьшению, а примесью противоположного типа — к увеличению высоты барьера Шоттки для основных носителей. Эффективность метода приграничного легирования уменьшается при сближении атомов приграничной и объемной примеси на расстояние меньше 1 нм.

7. Игла сканирующего туннельного микроскопа существенно влияет на спектры СТС и электронные состояния поверхности металлав то же время, взаимодействие «игла СТМ — поверхность» не приводит к качественным изменениям в электронной структуре поверхности полупроводника даже при расстояниях игла-поверхность, порядка межатомного.

8. Вольт-амперная характеристика туннельною тока в наноразмерной сисгеме «А1 -Si (lll)» имеет вид, характерный для макроскопического выпрямляющею кои такта «металл — полупроводник». Характер ВАХ наноразмерного контакта зависит от эпитаксиальности границы раздела.

9. Повышение температуры поверхности Ti02(110) приводит к молекулярной десорбции кислорода, а при дальнейшем увеличении температуры — к атомной десорбции кислорода. Разрушение поверхности Ti02(110) при повышении температуры системы начинается с краев ступеней, ввиду более высокой амплитуды тепловых осцилляций атомов, но сравнению с террасами. Область зарядового возмущения вблизи идеального края ступени простирается на расстояния менее 1 нм. При разрыве связей Ti-О на краю ступени, а также при нарушении стехиометрии края ступени это расстояние существенно возрастает.

Апробация работы.

Результаты, положенные в основу диссертации, опубликованы в 54 печатных работах, основные из которых перечислены ниже. Результаты работы докладывались и обсуждались на различных конференциях и семинарах, в том числе: 1st International Conference on Physics of Low-Dimensional Structures (Chernogolovka, Russia, 1993), 1st Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces (Vladivostok, Russia, 1993), 3rd International Symposium on Atomic Layer Epitaxy and Related Surface Processes (Sendai, Japan, 1994), 2nd Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (Osaka, Japan, 1995), Pacific International Conference «Mathematical Modeling and Cryptography» (Vladivostok, Russia, 1995), 18th International Seminar on Surface Physics (Polanica Zdroj, Poland, 1996), 16th European Conference on Surface Science (Genova, Italy, 1996), 4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces (Tokyo, Japan, 1997), 1st International Meeting «Challenges in Predictive Processes Simulation» (Wandlitz, Germany, 1997), 3rd Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces (Vladivostok, Russia, 1998), 14th International Vacuum Congress (Birmingham, Great Britain, 1998), IV Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск, 1999), Международном совещании «Кремний-2004» (Иркутск, 2004), 6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (Toyama, Japan, 2004), V региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование» (Хабаровск,.

2005), 10th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (Aix-en-Provence, France, 2005), 4th International Symposium on Surface Scicnce and Nano-technology (Saitama, Japan, 2005), Международном симпозиуме «Принципы и процессы создания неорганических материалов» (III Самсоновские чтения) (Хабаровск, 2006).

Личный вклад автора.

Личный вклад автора заключается в активном участии в постановке задач, определении моделей исследуемых систем и средств моделирования, проведении расчетов, обработке и интерпретации результатов моделирования. Лично автором спланированы и проведены все основные расчеты, включенные в диссертацию. Вошедшие в диссертационную работу результаты отражают итоги исследований, проведенных автором в ИАПУ ДВО РАН совместно с группой сотрудников.

В опубликованных работах по теме диссертации содержательная и аналитическая части, касающиеся компьютерного моделирования пизкоразмерных систем, не менее чем на 50% выполнены автором. Участие соавторов публикаций заключалось в следующем: д.ф.-м.н. В. Г. Заводинский, член-корр. РАН, профессор В. Г. Лифшиц, д.ф.-м.н., профессор А. А. Саранин, д.ф.-м.н. А. В. Зотов, к.ф.-м.н. Н. В. Добродей, Prof. D.J. Lacks, а также Prof. U. Diebold участвовали в постановке задач и обсуждении результатов, опубликованных в совместных работах. Д.ф.-м.н. В. Г. Заводинский, Е. Н. Чукуров, Л.И. Зи-гельман, А. А. Алексеев и О. М. Заводинская принимали участие в ряде расчетов, обработке результатов и их обсуждении.

Принимали участие в проведении экспериментов, описанных в совместных публикациях, обсуждении полученных экспериментальных результатов: д.ф.-м.н. В.Г. Ко-тляр., к.ф.-м.н. Д. В. Грузнев, Т. В. Касьянова, Н. А. Филиппов, Д. А. Олянич, Д.Н. Чу-бенко, У. Fukuda, М. Shimomura, G. Kaneda, N. Sanada, A. Nishida, М. Kishida, Y. Murata, H. Okado, I. Matsuda, H. Morikawa, N. Miyata, S. Hasegawa, M. Katayaina, K. Oura.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, шести глав, выводов, двух приложений и списка цитируемой литературы, включающего 364 наименования. Общий объем диссертации составляет 290 страниц, в том числе, 36 таблиц и 75 рисунков.

Основные результаты и выводы.

1. Характер атомных структур, формирующихся при адсорбции неметаллов на поверхности кремния, определяется ионным взаимодействием «адатом — подложка». Наиболее энергетически выгодная структура имеет наибольший вклад ионной составляющей в полную энергию. Ослабление и разрыв связей «кремний-кремний» при реакции адатома неметалла с поверхностью происходит за счет сильного оттока отрицательно1 о заряда ближайших атомов кремния к адатому неметалла.

Сильная химическая связь адатома немегалла с кремнием приводит к тому, что его локальное кремниевое окружение на поверхностях разных ориентации одинаково. Однако, нарушение симметрии ближайшего окружения адатома неметалла может привести к различиям в энергии связи адатома для поверхностей разных ориентации.

Взаимодействие между адатомами неметаллов на поверхности кремния существенно слабее, чем взаимодействием между адатомом и ближайшим кремниевым окружением, и не может обеспечить упорядочение поверхности.

2. Энергия (энтальния) сегрегации атомов основных легирующих примесей в кремнии (бора и фосфора) больше, но абсолютному значению для поверхности Si (lll), чем для Si (100), вследствие большей стабильности поверхностных структур, образованных в результате процесса сегрегации.

Энергия сегрегации изолированных атомов примеси меньше по абсолютному значению, чем энергия сегрегации атомов вблизи границ поверхностной структуры, образованной атомами примеси. В частности, энергии сегрегации атома бора на Si (lll) равны —1.83 эВ и -2.10 эВ для случаев сегрегации изолированного атома и образования поверхностной фазы Si (lll)(/3 х /3)/Ш0-В, соответственно.

3. Характер атомных структур, формирующихся при малых покрытиях иссилицидообразующих металлов на поверхности кремния определяется ковалентпым взаимодействием «адатом — подложка». Структура с минимальной полной энергией имеет наибольший вклад ковалентного взаимодействия в полную энергию.

После полного насыщения поверхностных связей кремния разность Д/z химического потенциала адсорбата в поверхностной фазе и в объемном виде (как модели островка) при увеличении покрытия в монотонно приближается к нулю. При изменении валентности атомов адсорбата характер зависимости Ац (в) становится немонотонным, достигая минимумов при атомных покрытиях, соответствующих полному насыщению поверхностных связей при данной валентности. Таким образом, взаимодействие «адсорбатподложка» может усиливаться при увеличении покрытия металла.

В электронной структуре субмонослойной адсорбционной системы «металл — поверхность кремния» появляется запрещенная зона при покрытии, соответствующем полному насыщению поверхностных связей кремния. При дальнейшем увеличении покрытия, в электронной структуре системы появляются полузаполненные состояния и начинается металлизация поверхности, обусловленная избытком валентных электронов адсорбата по отношению к числу оборванных поверхностных связей.

4. В субмонослойной адсорбционной системе «металл — кремний» механическое поверхностное напряжение при увеличении покрытия адсорбата меняется монотонным образом, если атомы адсорбата в последующей поверхностной фазе занимают позиции того же типа, что и в предыдущей, и немонотонно, вплоть до смены знака компонент тензора поверхностного напряжения, при смене типа адсорбционных мест. Это справедливо и для метастабильных структур.

5. Механизм стабилизации уровня Ферми металлоиидуцироваиными состояниями в запрещенной зоне становится основным в субмонослойной системе «металл — кремний» при достижении покрытия, соответствующего полному насыщению поверхностных связей. К моменту завершения стадии послойного роста по механизму роста Странски-Красганова происходит металлизация поверхности и формируется барьер Шоттки, имеющий высоту, характерную для макроскопической системы «металл — кремний» .

6. Высота барьера Шоттки в системе «металл — кремний» зависит от геометрического строения границы раздела. В частности, при нарушении эпитаксиальности границы раздела высота барьера Шоттки в системе «металл — п-Si» увеличивается. Вторичное (приграничное) ле1 ировапие кремния в контакте «металл — кремний» примесью того же типа, что и объемная, приводит к уменьшению, а примесью противоположного типа — к увеличению высоты барьера Шоттки для основных носителей. При сближении атомов приграничной и объемной примесей ближе 1 нм данный эффект ослабевает.

7. Взаимодействие «игла СТМ — поверхность» сильно влияет па спектры СТС поверхности металлов и в гораздо меньшей степени на спектры СТС поверхности полупроводников. В частности, электронные состояния поверхности кремния качественно в не изменяются при взаимодействии с иглой, расположенной на расстоянии 2.7 А, а для системы W/A1(111) взаимодействие «игла — поверхность» существенно сказывается на спектрах СТС даже при расстоянии между крайними атомами иглы и поверхности, о равном 4.3 А.

8. Рассчитан туннельный ток в эпитаксиальном и точечном наноразмерных контактах Al/Si (lll). Показано, что вольт-амперная характеристика наноразмерного контакта Al/Si (lll) имеет зависимость, характерную для макроскопического контакта металл/кремний. Для эпитаксиального контакта кривая ВАХ более сглажена, что объясняется усилением ковалентного взаимодействия на границе раздела и бблыпим перекрыванием волновых функций атомов алюминия и кремния, расположенных вблизи границы раздела.

9. В результате моделирования поведения плоской поверхности ТЮг (110) в диапазоне температур от околонулевых до 600 К были найдены характерные температуры начала молекулярной и атомной десорбции кислорода, равные 400 К и 600 К, соответственно.

Разрушение поверхности при повышении температуры системы начинается с краев ступеней ввиду более высокой амплитуды тепловых осцилляций атомов по сравнению с террасами.

Для стехиометрической идеальной ступени на поверхности ТЮгЩО) область зао рядовою возмущения вблизи края ступени простирается на расстояния менее 10 А, однако, при образовании дсфскгов на краю сгупени (разрыве связей Ti-О или нарушении стехиометрии края ступени) зарядовое возмущение резко возрастает, охватывая всю рассматриваемую террасу шириной 35.5 А.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.Б. Электронное строение и свойства координационных соединений.— J1.: Химия, 1986 — 288 с.
  2. Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников.— М.: Мир, 1990 488 с.
  3. В.Д., Максимов Е. Г. Диэлектрическая проницаемость взаимодействующего электронного газа // Успехи Физических Наук 1980.-Т. 130, N. 1.- С. 65 111.
  4. В.А., Лихтенштейн А. И., Постников А. В. Магнетизм и химическая связь в кристаллах.— М.: Наука, 1985.— 248 с.
  5. Г. Л., Левин А. А. Исследование электронной структуры молекул самосогласованным дискретным вариационным Ха-методом в базисе численных хартри-фоковских функций. I. Общее описание процедуры // Журн. структ. химии -1978.- Т. 19, N. 6 С. 976−981.
  6. Н.В., Кондратенко А.В, Гуцев Г. Л. Кластерное моделирование рентгеновских и фотоэлектронных спектров оксидов ванадия // Жури. физ. химии.-1989 V. LXIII, N. 1- С. 120−127.
  7. Жигунов В. П, Захарьев Б Н. Методы сильной связи каналов в квантовой теории рассеяния.— М.: Атомиздат, 1974.— 246 с.
  8. В.Г. Атомная структура и электронное строение нанометровых систем на основе кремния: Дис.. докт. физ -мат. наук. Владивосток. 1997.- 254 с.
  9. В.Г., Куянов И. А. Влияние акцепторной примеси в приграничном слое кремния на величину барьера Шоттки в системе Al/n-Si // Поверхность -1996.- N. 11- С. 51−55.
  10. В.Г., Куянов И. А. Влияние атомов легирующих примесей (Р, В) на электронную структуру папосистем Al-Si: кластерный подход // Микроэлектроника 1995.-Т. 24, N. 6 — С. 456−459.
  11. В.Г., Куянов И. А. Кластерное моделирование системы «золото (плен-ка)/кремний (монокристалл)» // Доклады Академии Наук 1996.- Т. 350, N. 2.-С. 184−186.
  12. В.А. Программа квантово-химических вычислений в sp-базисе CLUSTER-Z1.— Киев: Институт химии поверхности АН УССР, 1990.
  13. А.В. Встроенные поверхностные фазы на кремнии: Дис.. докт. физ.-мат. наук. Владивосток. 1996.- 255 с.
  14. В.Г. Формирование и атомное строение наноструктур на поверхностях Si(lll) и Si (100): Дис.. докт. физ.-мат. наук. Владивосток. 2005.- 271 с.
  15. В.Г., Саранин А. А., Зотов А. В., Лифшиц В. Г., Куянов И. А., Чукуров Е. Н., Касьянова Т. В. Низкоразмерные структуры металлов на поверхности кремния // Вестник Дальневосточного отделения РАН 2005.- N. 1.- С. 103−115.
  16. И.А., Заводинский В. Г., Чукуров Е. Н. Компьютерное моделирование процессов на поверхности полупроводников // Вестник Дальневосточного отделения РАН 2005.- N. 6.- С. 93−103.
  17. В.Г. Электроггггая спектроскопия и атомные процессы па поверхности кремния.— М.: Наука, 1985.— 200 с.
  18. В.Г., Репинский С. М. Процессы на поверхности твердых тел.— Владивосток: Дальнаука, 2003.— 704 с
  19. Е.Г., Зиненко В. И., Замкова Н. Г. Расчеты фишческих свойств ионных кристаллов из первых принципов // УФН 2004 — V. 174, N 11- С. 1145−1170
  20. В.И., Симкин Б. Я., Миняев P.M. Теория строения молекул.— Росгов-на-Дону: Феникс, 1997.- 560 с.
  21. В.В., Антонов В. Н. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Зонная теория металлов.— Киев: Наук, думка, 1985.— 408 с.
  22. Пат. 6 882 051 США, МКИ H01L 023//48. Nanowires, nanostructures and devices fabricated therefrom / A. Majumdar и др., The Regents of the University of California, Oakland (США).- N. 112 578- Заявл. 29.03.2002- Опубл. 19.04.2005.- 45 с.
  23. Э.Х. Контакты металл—полупроводник.— М.: Радио и связь, 1982.— 208 с.
  24. Г. В. Свойства элементов. Часть 1. Физические свойства.— М.: Металлург, 1976.- 600 с.
  25. Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел.— М.: Мир, 1978.- 658 с.
  26. Дж. Электронная структура молекул.— М.: Мир, 1965.— 587 с.
  27. Н.П., Качурин Г. А. Управление эффективной высотой барьеров Шоттки на кремнии внедрением низкоэнергетичных ионов галлия // Поверхность 1988-N. 12.- С. 138−140.
  28. Abbate G., Barone V., Leji F., Iaconis E., Russo N. Model Hamiltonians in the study of chemisorption and catalysis // Surf. Sci- 1985 V. 152−153 — P. 690−701.
  29. Albaret Т., Finocchi F., Noguera C. First principles simulations of titanium oxide clusters and surfaces // Faraday Discuss 1999- V. 114.-P. 285−304.
  30. Alerhand O.L., Vanderbilt D., Meade R.D., Joannopoulus J.D. Spontaneous formation of stress domains on crystal surfaces // Phys. Rev. Lett. 1988.- V. 61, N. 17-P. 1973−1976.
  31. Andersen J.N., Wigren C., Karlsson U.O. Surface related core level shifts for the Si (lll) ч/Зхч/З: A1 system // J. Vac. Sci Technol. В 1988.- V. 9, N. 4.- P. 2384−2387.
  32. Bachelet G В., Hainarin D.R., Schluter M. Pseudopotentials that work: From H to Pu // Phys Rev. В 1982 — V. 26, N 8.- P. 4199−4228
  33. Badcr R.F.W. Atoms in molecules — A quantum theory.— Oxford: Oxford University Press, 1991 456 p.
  34. Bagno P., Jepsen О, Gunnarsson 0. Ground-state properties of third-row elements with nonlocal density functionals // Phys. Rev. В 1989 — V. 40, N. 3 — P. 1997−2000.
  35. Baird N.C., Dewar M.J.S. Ground states of sigma-bonded molecules. IV. The MINDO method and its application to hydrocarbons //J. Chem. Phys.- 1969.- V. 50 P. 1262— 1280.
  36. Barbiellini В., Moroni E.G., Jarlborg T. Effects of gradient corrections on electronic structure in metals // J. Phys.: Condens. Matter 1990 — V. 2 — P. 7597−7611.
  37. Bardeen J. Surface state and rectification at a metal semiconductor contact // Phys. Rev 1947 — V. 71, N. 10 — P. 717−727.
  38. Basterfield J., Shannon J.M., Gill A. The nature of barrier height variations in alloyed Al-Si Schottky barrier diodes // Solid St. Electron 1975 — V. 18, N. ЗА — P. 290−291.
  39. Bates S.P., Kresse G., Gillan M.J. A systematic study of the surface energetics and structure of ТЮ2(1Ю) by first-principles calculations // Surf. Sci.- 1997 V. 385.-P. 386−394.
  40. Bauer E., Poppa H. Recent advances in epitaxy // Thin Solid Films 1972.- V. 12, N. 1- P. 167−185.
  41. Bauer E. The Si (lll)—(5×1) Au structure // Surf. Sci 1991.- V. 250 — P. L379-L382
  42. Becke A.D. Density functional calculations of molecular bond energies //J. Chem. Phys 1986 — V. 84, N. 8 — P. 4524−4529.
  43. Becke A.D. Density-functional exchange-energy approximation with correct asymptotic behavior // Phys. Rev. A 1988.- V. 38, N. 6 — P. 3098−3100.
  44. Bedrossian P.J. Si binding and nucleation on Si (100) // Phys. Rev. Lett 1995 — V. 74, N. 18 — P. 3648−3651.
  45. Bedrossian P., Chen D.M., Mortensen K., Golovchenko J.A. Demonstration of the tunnel-diode effect on an atomic scale // Nature 1989.- V. 342, N 6247.- P. 258−260.
  46. Bedrossian P., Meade R D., Mortensen K., Chen D.M., Golovchenko J.A., Vanderbilt D. Surface doping and stabilization of Si (lll) with boron // Phys. Rev. Lett.- 1989.-V. 63, N. 12.- P. 1257−1260.
  47. Bennett A. J., Duke C.B. Metallic interfaces. 2. Influence of exchange-correlation and lattice potentials // Phys. Rev 1967 — V. 162, N. 3 — P. 578−586.
  48. Berko A., Solymosi F. Study of clean ТЮгЩО) surface by scanning tunneling microscopy and spectroscopy // Langmuir 1996.- V. 12, N. 5.- P. 1257−1261.
  49. Besler B.H., Merz K.M., Kollman P.A. Atomic charges derived from semiempirical methods // J. Comput. Chem- 1990 V. 11- P. 431−439.
  50. Bingham R.C., Dewar M.J.S., Lo D.H. Ground states of molecules. XXV. MINDO/3. An improved version of the MINDO semiempirical SCF-MO method //J. Arn. Chem. Soc- 1975.- V. 97, N. 6.- P. 1285−1293.
  51. Bingham R.C., Dewar M.J.S., Lo D.H. Ground states of molecules. XXVI. MINDO/3. Calculations for hydrocabons // J. Am. Chem. Soc -1975 V. 97, N. 6 — P. 1294−1301.
  52. G., Rohrer H., Gerber Ch., Weibel E. (7×7) reconstruction on Si(lll) resolved in real space // Phys. Rev. Lett 1983.- V. 50, N. 2 — P. 120−123.
  53. Bockstedte M., Kley A., Neugebauer J., Scheffler M. Density-functional theory calculations for poly-atomic systems: electronic structure, static and elastic properties and ab initio molecular dynamics // Comput. Phys. Commun.- 1997.- V. 107-P. 187−222.
  54. Boys S.F., Bernardi F. The calculation of small molecular interaction by the difference of separate total energies. Some procedures with reduced error // Mol. Phys.- 1970.-V. 19, N. 4.- P. 553−566.
  55. Bozso F., Avouris Ph. Adsorption of phosphorus on Si (lll): Structure and chemical reactivity // Phys. Rev. В 1991- V. 43, N. 2 — P. 1847−1850.
  56. Braicovich L., Garner C.M., Skeath P R., Su C.Y., Chye P.W., I Lindau I., Spicer W.E. Photoernission studies of the silicon-gold interface // Phys. Rev. В 1979.-V. 20, N. 12 — P. 5131−5141.
  57. Braun K.F. Uber die Stromleitung durch Schwefelmetalle // Ann. Phy. Chem.- 1874.-B. 153.- S. 556−563.
  58. Brocks G., Kelly P.J., Car R. Adsorption of A1 on Si (100). a surface polimerization reaction // Phys. Rev. Lett 1993 — V. 70, N. 18 — P. 2786−2789.
  59. Brocks G., Kelly P.J., Car R. The energetics of adatoms on the Si (100) surface // Surf. Sci 1992.- V. 269−270.- P. 860−866.
  60. Brommer K., Needels M., Larson В., Joannopoulos J.D. Ab-initio theory of the Si (lll)-(7×7) surface reconstruction — a challenge for massively parallel computation // Phys. Rev. Lett 1992.- V. 68.- P. 1355−1358.
  61. Broughton J., Khan F. Accuracy of time-dependent properties in electronic-structure calculations using a fictitious Lagrangian // Phys. Rev. В 1989.- V. 40, N. 18-P. 12 098−12 104.
  62. Burkert U., Allinger, N.L. Molecular Mechanics.— Washington, D.C., ACS Monograph 177, American Chemical Society, 1982 339 p.
  63. Campbell C.T. Ultrathin metal films and particles on oxide surfaces: structural, electronic and chemisorptive properties // Surf. Sci. Rep 1997.- V. 27 — P. 1−111.
  64. Cao R., Yang X., Pianetta P. Atomic and electronic arragement of B/Si (100) // J. Vac. Sci. Technol. B 1993.- V. 11, N. 4.- P. 1455−1458.
  65. Cao R., Yang X., Pianetta P. Characterization of the B/Si surface electronic structures // J. Vac. Sci. Technol. A 1993.- V. 11, N. 4.- P. 1817−1822.
  66. Car R., Parrinello M. Unified approach for MD and DFT // Phys. Rev. Lett 1985-V. 55 — P. 2471−2474.
  67. Ceperley D.M., Alder B.J. Ground state of the electron gas by a stochastic method // Phys. Rev. Lett 1980 — V. 45, N. 7.- P. 566−569.
  68. Ceperley D. Ground state of the fermion one-coinponeiit plasma: A Monte Carlo study in two and three dimensions // Phys. Rev. В 1978 — V. 18, N. 7 — P. 3126−3138.
  69. Chadi D.J., Cohen M L. Special points in the Brillouin zone // Phys Rev. В 1973.-V. 8, N. 12.- P. 5747−5753.
  70. Chang Л., Stott M.J. Si (001)/B surface reconstruction // Phys. Rev. В 1996 — V. 53, N. 20 — P. 13 700−13 704.
  71. Chatterjee K., Durig J., Bell S. Microwave-spectrum, rO-structure, and abinitio calculations for trimethylphosphine // J. Mol. Struct.- 1992 V. 265, N. 1−2 — P. 25−45.
  72. Chelikowsky J.R. Electronic structure of A1 chemisorbed oil the Si (lll) surface // Phys Rev. В 1977.- V. 16, N. 8.- P. 3618−3627.
  73. Chen C.J. A theory of scanning tunneling microscopy // J. Vac. Sci. Technol. A -1988 V. 6, N. 2 — P. 319−322.
  74. Chen P., Bolmont D., Sebenne C.A. Adsorption of A1 on cleaved Si (lll) at room temperature // J.Phys.C 1984.- V. 17.- P. 4897−4905.
  75. Chino K. Behavior of Al-Si Schottky-barrier diodes under heat-treatment // Solid St. Electron.- 1973.- V. 16, N. 1.- P. 119−124.
  76. Cohen M.L., Schliiter M., Chelicowsky J.R., Louie S.G. Self-consistent pseudopotential method for localized configurations: Molecules // Phys. Rev. В — 1975. V. 12, N. 12.-P. 5575−5579.
  77. Conroy H. Molecular schrodinger equation. 8. A new method for the evaluation of multidimensional integrals // J. Chem. Phys 1967 — V. 47, N. 12.- P. 5307−5318.
  78. D§, browski J., Mussig H.-J. Silicon surfaces and formation of interfaces: Basic science in the industrial world.— Singapore, World Scientific, 2000.- 550 p.
  79. Drjbrowski J., Scheffler M. Self-consistent study of the electronic and structural properties of the clean Si (001)2×1 surface // Appl. Surf. Sci. 1992 V. 56−58-P. 15−19.
  80. Demiralp E., Qagin Т., Goddard III W.A. Morse stretch potential charge equilibrium force field for ceramics: application to the quartz-stishovite phase transition and to silica glass // Phys. Rev. Lett 1999 — V. 82, N. 8 — P. 1708−1711.
  81. Dev B.N., Mohapatra S.M., Mishra K.C., Gibson W.M., Das T.P. First-principles investigation of geometric and electronic structures of aluminum adsorbed on silicon surfaces // Phys. Rev. В 1987 — V. 36, N. 5 — P. 2666−2674.
  82. Dcwar M.J.S., Friedheim J., Grady G., Healy E.F., Stewart J.J.P. Revised MNDO parameters for silicon // Organometallics 1986.- V. 5 — P. 375−379.
  83. Dewar M.J.S., Haselbach E. Ground states of sigma-bonded molecules. IX. The MINDO/2 method // J. Am. Chem. Soc- 1970 V. 92 — P. 590−598.
  84. Dewar M.J.S., Holder A.J. AMI parameters for aluminum // Organometallics 1990.-V. 9 — P. 508−511.
  85. Dewar M.J.S., Jie C. AMI calculations for compounds containing silicon // Organometallics 1987.- V. 6.- P. 1486−1490.
  86. Dewar M.J.S., Jie C. AMI parameters for phosphorus //J. Mol. Struct. (Theochem) 1989 — V. 187 — P. 1−13.
  87. Dewar M.J.S., Jie C., Zocbisch E.G. AMI calculations for compounds containing boron // Organometallics 1988.- V. 7.- P. 513−521.
  88. Dewar M.J.S., Thiel W. A semiempirical model for the two-center repulsion integrals in the NDDO formalism // Theor. Chim. Acta 1977 — V. 46 — P. 89−104.
  89. Dewar M.J.S., Zoebisch E.G., Hcaly E.F., Stewart J.J.P. AMI: A new general purpose quantum mechanical molecular model // J. Am. Chem. Soc 1985.- V. 107, N. 13.-P. 3902−3909.
  90. Dick B.G., Overhauser A.W. Theory of the dielectric constants of alkali halide crystals // Phys. Rev.- 1958.- V. 112.- P. 90−103.
  91. Diebold U. The surface science of titanium dioxide // Surf. Sci. Rep 2003 — V. 48-P. 53−229.
  92. Diebold U., Lehman J., Mahmoud Т., Kuhn M., Hebenstreit W., Leonardelli G., Schmid M., Varga P. Intrinsic defects on Ti02(110)(lxl) surface and their reaction with oxygen: A scanning tunneling microscopy study // Surf. Sci.- 1998.- V. 411.-P. 137−153.
  93. Diebold U., Li M., Dulub O., Hebenstreit E.L.D., Hebenstreit W. The Relationship between bulk and surface properties of rutile ТЮгЩО) // Surf. Rev. Lett 2000.-V. 7, N. 5&6.~ P. 613−617.
  94. Ding Y.G., Chan C.T., Ho K.M. Theoretical investigation of the structure of the (v/3 x v/3)tf30°-Au/Si (lll) surface // Surf. Sci 1992 — V. 275.- P. L691-L696.
  95. Dobrodey N.V., Ziegelman L.I., Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A. Noneinpical cluster study of the Au adsorption on the Si (lll) surface // Surf. Rev. Lett.- 1994.- V. 1, N. 2&3.- P. 273−284.
  96. Dumas P., Humbert A., Mathiez P., Mouttet C., Rolland R., Salvan F., Thibaudau F., Tosch S. Structure of the Au/Si (lll) surface by scanning tunneling microscopy // Physica Scripta 1988 — V. 38.- P. 244−245.
  97. Dumas Ph, Thibaudau F, Salvan F. Scanning tunnelling microscopy of B/Si (lll)/3x v/3 R (30°) // J. Microscopy — 1988.- V. 152.- P. 751−759
  98. Effner U.A., Badt D, Binder J., Bertrams Т., Brodde A., Lunau Ch., Neddermeyer H., Hanbucken M. Photoemission and scanning tunneling microscopy on K/Si (100) // Surf. Sci.- 1992, — V. 277.- P 207−219.
  99. Elliott S.D., Bates S.P. Energetically accessible reconstructions along interstitial rows on the rutile (110) surface // Phys. Chem. Chem. Phys 2001 — V. 3.- P. 1954−1957.
  100. Ellis D.E. Application of diophantine integration to Hartree-Fock and configuration interaction calculations // Int. J. Quant. Chem. S.- 1968.- V. 2.- P. 35−42.
  101. Ellis D.E., Painter G.S. Discrete variational method for the energy band problem with general crystal potential // Phys. Rev. В 1970. V. 2, N. 8 — P. 2887−2894.
  102. Engel E., Vosko S.H. Fourth-order gradient corrections to the exchange-only energy functional: Importance of V2n contributions // Phys. Rev. В 1994.- V. 50, N. 15.-P. 10 498−10 505.
  103. Essmann U., Perera L., Berkowitz M.L., Darden Т., Lee H., Pedersen L.G. The smooth particle mesh ewald method // J. Chem. Phys 1995 — V. 103 — P. 8577−8593.
  104. Evans M.M.R., Nogami J. Indium and gallium on Si (001): A closer look at the parallel dimer structure // Phys. Rev. В 1999 — V. 59, N. 11- P. 7644−7648.
  105. Ewald P. Die Berechnung optischer und elektrostatischer Gitterpotentiale // Ann. Phys.- 1921- V. 64.- P. 253−287.
  106. Fahmi A., Minot C., Silvi В., Causd M. Theoretical analysis of the structures of titanium dioxide crystals // Phys. Rev. В 1993 — V. 47, N. 18 — P. 11 717−11 724.
  107. Feuchtwang Т.Е., Cutler P.H., Miskovsky N.M. A theory of vacuum tunneling microscopy // Phys. Lett. A 1983.- V. 99, N. 4.- P. 167−171.
  108. Fischer S., Munz A.W., Schierbaum K., Gopel W. The geometric structure of the intrinsic defects at Ti02(110) surfaces: an STM study // Surf. Sci.- 1995 V. 337-P. 17−30
  109. Fock V.A. Naherungsmethode zur Losung des quantenmechanibchen Mehrkorperprob-lerns // Zs. Phys.- 1930.- V 61, N. 1−2 P. 126−148
  110. Fntsch J., Page J.В., Schmidt K. E, Adams G. B First-principles local-orbital study of the boron-induced reconstruction of Si (OOl) // Phys. Rev. В 1998 — V. 57, N. 16-P. 9745−9756.
  111. Fuchs M., Scheffler M. Ab initio pseudopotentials for electronic structure calculations of poly-atomic systems using density-functional theory // Comput. Phys. Commun.-1999.- V. 119- P. 67−98.
  112. Gale J.D. GULP: A computer program for the symmetry-adapted simulation of solids // J. Chem. Soc. Faraday Trans.- 1997.- V. 93, N. 4.- P. 629−637.
  113. Gan S., Liang Y., Baer D.R. Interplay between step anisotropy and surface phase transformation on ТЮ2(П0) // Phys. Rev. В 2001.- V. 63, N. 12 — P. 121 401−1 121 401−4.
  114. Gandolfo D., Ruiz J., Thibaudau F., Zagrebnov V.A. Cooperative phenomenon in B/Si (lll) segregation // Europhys. Lett.- 1995.- V. 30, N. 3 P. 145−150.
  115. Gay S.C.A., Jenkins S.J., Srivastava G.P. Comparative ab initio pseudopotential studies of (2×1) group V overlayers on Si (001) 11 J. Phys.: Cond. Matt 1998-V. 10 — P. 7751−7768.
  116. Gelius U., Electron Spectroscopy. Ed.: Shirley D.A.— Amsterdam, 1972.- 311 p.
  117. Gheber L. A., Gorodetsky G., Voltera V. Studies of sub-micron gold islands on silicon by STM // Thin Solid Films 1994.- V. 238 — P. 1−3.
  118. Glassford K.M., Chelikowsky J.R. Structural and electronic properties of titanium dioxide // Phys. Rev. В 1992.- V. 46, N. 3 — P. 1284−1298.
  119. Goniakowski J., Holender J.M., Kantorovich L. N., Gillan М.Л., White J.A. Influence of gradient corrections on the bulk and surface properties of T1O2 and S11O2 // Phys. Rev. В 1996.- V. 53, N. 23.-P. 957−960.
  120. Gonze X., Stumpf R., Scheffler M. Analysis of separable potentials // Phys. Rev. В -1991.- V. 44, N. 16 P. 8503−8513.
  121. Green A.K., Bauer G. Formation, structure, and orientation of gold silicide on gold surfaces // J. Appl. Phys.- 1976.- V. 47, N. 4- P. 1284−1291.
  122. Greenwood N.N., Earnshaw A. Chemistry of the elements.— Oxford: Pergamon Press, 1984 1368 p.
  123. Griiner G. Density waves in solids.— Reading: Addison-Wesley Publishing Company, 1994.- 288 p.
  124. Gunnarsson O., Lundqvist B.I. Exchange and correlation in atoms, molecules and solids by the spin-density-functional formalism // Phys. Rev. В 1976.- V. 13, N. 10.-P. 4274−4298.
  125. Halgren T.A., Lipscomb W.N. Self-consistent-field wavefunctions for complex molecules — approximation of partial retention of diatomic differential overlap //J. Chem. Phys.- 1973 V. 58, N. 4 — P. 1569−1591.
  126. Hamann D.R. Generalized norm-conserving pseudopotentials // Phys. Rev. В 1989-V. 40, N. 5.- P. 2980−2987.
  127. Hamann D.R., Schliiter M., Chiang C. Norm-conserving pseudopotentials // Phys. Rev. Lett 1979.- V. 43, N. 20 — P. 1494−1497.
  128. Hamers R.J. Effects of coverage on the geometry and electronic structure of A1 overlayers on Si (lll) // Phys Rev. В 1989 — V. 40, N. 3.- P. 1657−1671.
  129. Hamers R J, Demuth J.E. Electronic structure of localized Si danghng-bond defects by tunneling spectroscopy // Phys. Rev. Lett 1988 — V. 60, N. 24 — P. 2527−2530.
  130. Hamers R.J., Wang Y., Shan J. Atomic-level spatial distributions of dopants on silicon surfaces: toward a microscopic understanding of surface chemical reactivity // Appl. Surf. Sci 1996.- V 107 — P. 25−34.
  131. Hansson G.V., Bachrach R Z., Bauer R.S., Chiaradia P. New models for metal-induced reconstructions on Si (lll) // Phys. Rev. Lett 1981- V. 46, N. 15 — P. 1033−1037.
  132. Harrison N. M., Wang X. G., Muscat J., Scheffler M. The influence of soft vibrational modes on our understanding of oxide surface structure // Faraday Discuss.- 1999.-V. 114.- P. 305−312.
  133. Hartree D.R. The wave mechanics of an atom with a non-Coulomb central field. Part I. Theory and methods // Proc. Camb. Phil. Soc- 1928 V. 24.- P. 89−110.
  134. Ha&an M.-A., Radnoczi G., Sundgren J.-E., Hansson G.H. Epitaxial growth of A1 oil Si by thermal evaporation in ultra- high vacuum: growth on Si (100)2×1 single and double domain surfaces at room temperature // Surf. Sci.- 1990.- V. 236.- P. 53−76.
  135. Hasunuma R., Komeda Т., Tokumoto H. Electric properties of nanoscale contacts on Si (lll) surfaces // Appl. Surf. Sci.- 1998.- V. 130−132.- P. 84−89.
  136. Headrick R.L., Robinson I.K., Vlieg E., Feldman L.C. Structure determination of Si (lll):B (/3x/3)fl30o surface. Subsurface substitutional doping // Phys Rev. Lett.-1989.- V. 63, N. 12.- P. 1253−1256.
  137. Hebenstreit E.L.D., Hebenstreit W., Geisler H., Ventrice Jr. C. A., Diebold U. Bulk-defect dependent adsorption on a metal oxide surface: S/Ti02(110) // Surf. Sci.— 2001.- V. 486.- P. L467-L474.
  138. Hedin L., Lundqvist B.I. Explicit local exchange-correlation potentials //J. Phys. С 1971.- V. 4, N. 14.- P. 2064−2084.
  139. Heine V. Theory of surface states // Phys. Rev 1965 — V. 138, N. 6A — P. A1689-A1696.
  140. Henderson M.A. A surface perspective on self-diffusion in rutile TiO^ // Surf. Sci.-1999 V. 419 — P. 174−187.151. Hcnrich V. E., Cox P. A. The surface science of metal oxides.— Cambridge, Cambridge University Press, 1994.— 465 p.
  141. Herman F., Van Dyke J.P., Ortcnburger I.B. Improved statistical exchange approximation for inhomogeneous many-electron systems // Phys. Rev. Lett.- 1969.- V. 22, N. 16- P. 807−811.
  142. Herring С. A new method for calculating wave functions in crystals // Phys. Rev.-1940- V. 57, N. 12.- P. 1169−1178.
  143. Hibino H., Ogino T. Exchange between group-Ill (В, Al, Ga, In) and Si atoms on Si (lll)V3 x y/3 surfaces // Phys. Rev. В 1996.- V. 54, N. 8.- P. 5763−5768
  144. Hiraki A. A model on the mechanism of room temperature interfacial intermixing reaction in various metal-semiconductor couples: what triggers the reaction? // J. Electrochem. Soc 1980.- V. 127, N. 12.- P. 2662−2665.
  145. Hirayama H., Tatsumi Т., Aizaki N. Reflection high energy electron diffraction and Auger electron spectroscopic study on B/Si (lll) surfaces // Surf. Sci 1988.- V. 193.-P. L47-L52.
  146. Hirose F., Sakamoto H. Thermal desorption of surface phosphorus on Si (100) surfaces // Surf. Sci.- 1999.- V. 430 P. L540-L545.
  147. Hofmann S., Erlewein J. A model of the kinetics and equilibria of surface segregation in the monolayer regime // Surf. Sci.- 1978 V. 77 — P. 591−602.
  148. Hohenberg P., Kohn W. Inhomogeneous electron gas // Phys. Rev 1964 — V. 136, N. 3.- P. 864−871.
  149. Horio Y. Structural study of Al deposited surface on Si (lll)/3 x y/3-A // Appl. Surf. Sci 2001 — V. 169−170 — P. 104−108.
  150. Huang H., Tong S.Y., Quinn J., Jona F. Atomic structure of Si (lll)(/3 x %/з)Д30°-В by dynamical low-energy electron diffraction // Phys. Rev. В 1990.- V. 41, N. 5.-P. 3276−3278.
  151. Huang H., Tong S.Y., Yang W.S., Shih H.D., Jona F. Atomic structure of Si (lll)-(v/3 x /3)i?30o—Al studied by dynamical low-energy electron diffraction // Phys. Rev. В 1990 — V. 42, N. 12.- P. 7483−7486.
  152. Ide Т., Nishimori Т., Ichinokawa T. Surface structures of Si (100)-Al phases // Surf. Sci.- 1989.- V. 209.- P. 335−344.
  153. Ihm J., Cohen M. L (2×1) reconstructed Si (001) surface. Self-consistent calculations of dirner models // Phys. Rev. В 1980.- V. 21, N. 10.- P. 4592−4599.
  154. Isaak D.G., Carnes J.D., Anderson O.L., Cynn H., Hake E. Elasticity of T1O2 rutile to 1800 К // Phys. Chem. Miner 1998.- V. 26, N. 1- P. 31−43.
  155. Iwami M., Terada T, Tochihara H., Kubota M., Murata Y. Alloyed interface formation in the Au-Si (lll)2×1 system studied by photoemission spectroscopy // Surf.Sci.-1988 V. 194, N. 1−2 — P. 115−126.
  156. Jackson R.A., Catlow C.R.A. Computer simulation studies of zeolite structure // Mol. Simul 1988 — V. 1- P. 207−224.
  157. Johansson L.S.O., Diiteineyer Т., Duda L., Reihl B. Electronic structure of the Rb-adsorbed Si (100)2xl surface studied by direct and inverse angle-resolved photoemission // Phys. Rev. В 1998 — V. 58, N. 8 — P. 5001−5006.
  158. Johnson K.H. Scattered wave theory of chemical bond // Adv. Quant. Chem.- 1973.-V. 7 P. 143−185.
  159. Johnson K.H., Smith jun. F.C. Cluster wave approach to the electronic structure of complex molecules and solids // Phys. Rev. Lett 1970 — V. 24, N. 4 — P. 139−142.
  160. Jones D.E., Pelz J.P., Hong Y., Bauer E., Tsong I.S.T. Striped phase and temperature dependent step shape transition on highly B-doped Si (001)-(2xl) surfaces // Phys. Rev. Lett 1996 — V. 77, N. 2 — P. 330−333.
  161. Juan Y.-M., Kaxiras E. Application of gradient corrections to density functional theory for atoms and solids // Phys. Rev. В 1993 — V. 48, N. 20 — P. 14 944−14 952.
  162. Kaxiras E., Pandey K.C., Himpsel F.J., Tromp R.M. Electronic states due to surface doping: Si (lll)/3 x /3-B // Phys. Rev. В 1990 — V. 41, N. 2.- P. 1262−1265.
  163. Kelly M.K., Margaritondo G., Papagno L., Lapeyre G.J. Direct picture of the local electronic structure during the Si (l 11)7×7-A1 Schottky-barrier formation process // Phys. Rev. В 1986 — V. 34, N. 8.- P. 6011−6013.
  164. Kerker G.P. Non-singular atomic pseudopotentials for solid state applications // J. Phys. С 1980.- V. 13 — P. L189-L194
  165. Kinosliita Т., Kono S., Sagawa T. Angle-resolved ultraviolet-photoelectron-spectrosco-py study of the Si (lll)/3 x /3-Al surface // Phys. Rev. В 1985.- V. 32, N. 4-P. 2714−2716
  166. Kishida M., Saranin A.A., Zotov A.V., Kotlyar V.G., Nibhida A, Murata Y., Okado H., Katayama M., Oura K. Tl overlayers on Si (100) and their self-assembly induced by STM tip // Appl. Surf. Sci.- 2004.- V. 237.- P. 110−114.
  167. Kleinman L., Bylander D.M. Efficacious form for model pseudopotentials // Phys. Rev. Lett 1982 — V. 48, N. 20.- P. 1425−1428.
  168. Ко Y.-.J., Chang K.J., Yi J.-Y. Atomic structure of Na-adsorbed Si (100) surfaces // Phys. Rev. В 1995.- V. 51, N. 7.- P. 4329−4335.
  169. Kohn W., Rostoker N. Solution of the Schrodinger equation in periodic lattices with an application to metallic Lithium // Phys. Rev 1954 — V. 94, N. 5 — P. 1111−1120.
  170. Kohn W., Sham L.J. Self-consistent equations including exchange and correlation effects // Phys. Rev. A 1965.- V. 140, N. 4.- P. 1133−1137.
  171. Komeda Т., Nishioka Y. Atomic structure of segregated boron on Si (001) surface: scanning tunneling microscopy and cluster model calculation study // Surf. Sci.- 1998.-V. 405 P. 38−45.
  172. Korling M., Haglund J. Cohesive and electronic properties of transition metals: The generalized gradient approximation // Phys. Rev. В 1992 — V. 45, N. 23 — P. 13 293— 13 297.
  173. Korobtsov V.V., Lifshits V.G., Zotov A.V. Formation of Si (lll)/3 x уД-В and Si epitaxy on Si (lll)v/3x уД-В: LEED-AES study // Surf. Sci 1988 — V. 195 — P. 466 474.
  174. Korringa J. On the calculation of a Bloch wave in a metal // Physica 1947.- V. 13.-P. 392−404.
  175. Kotlyar V.G., Zotov A.V., Saranin A.A., Kasyanova T.V., Cherevik M.A., Pisarenko I.V., Lifshits V.G. Formation of the ordered array of A1 magic clusters on Si (lll)7×7 // Phys. Rev. В 2002 — V. 66, N. 16.- P. 165 401−1-165 401−4.
  176. Kresse G., Furthrnuller J. Efficient iterative schemes for ab initio total-energy calculations using a plane-wave basis set // Phys. Rev. В 1996.- V. 54, N. 16 — P. 1 116 911 186.
  177. Kumagai Y., Ishimoto K., Mori R., Hasegawa F. Temperature dependence of boron adsorption during HBO2 irradiation on Si (lll) surface evaluated by reflection high-energy electron diffraction // Jpn. J. Appl. Phys 1994 — V. 33, N. 1A.- P. L1-L4.
  178. Kurtin S., McGill T.C., Mead C.A. Fundamental transition in electronic nature of solid // Phys. Rev. Lett 1969 — V. 22, N. 26.- P. 1433−1442.
  179. Kutzler F.W., Painter G.S. Interconfigurational energies in transition-metal atoms using gradient-corrected density-functional theory // Phys. Rev. В 1991.- V. 43, N. 9 — P. 6865−6872.
  180. Kuyanov I.A., Lacks D.J., Diebold U. Dynamics of the ТЮг (ПО) surface and step: Onset of defects in the ordered structure // Phys. Rev. В 2003. V. 68, N. 23-P. 233 404−1-233 404−4
  181. Lander J.J., Morrison J. Surface reaction of silicon with aluminum and with indium // Surf. Sci.- 1964 V. 2 — P. 553−565.
  182. Lang N.D. Density-functional studies of metal surfaces and metal adsorbate systems // Surf. Sci.- 1994 V. 299−300.- P. 284−237.
  183. Lang N.D., Kohn W. Theory of metal surfaces, charge density and surface energy // Phys Rev. В 1970. V. 1, N. 12 — P. 4555−4568
  184. Lang N.D., Kohn W. Theory of metal surfaces: work function // Phys. Rev. В 1971. V. 1, N. 4.- P. 1215−1223.
  185. Langel W. Car-Parinello simulation of H20 dissociation on rutile // Surf. Sci.- 2002.-V. 496 P. 141−150.
  186. Langreth D.C., Mehl M.J. Beyond the local-density approximation in calculations of ground-state electronic properties // Phys. Rev. В 1983 — V. 28, N. 4 — P. 1809−1834.
  187. Lee S.S., Song H.J., Kim N.D., Chung J.W., Kong K., Ahn D., Yi H., Yu B.D., Tochihara H. Structural and electronic properties of thallium overlayers on the Si (lll)-7×7 surface // Phys. Rev. В 2002.- V. 66, N. 23 — P. 233 312−1-233 312−4.
  188. LeGoues F. K, Krakow W., Ho P. S. Atomic structure of the epitaxial Al-Si interface // Phil. Mag. A 1986 — V. 53, N. 6.- P. 833−841.
  189. Leung T.C., Chan C.T., Harmon B.N. Ground-state properties of Fe, Co, Ni, and their monoxides: Results of the generalized gradient approximation // Phys. Rev. В -1991- V. 44, N. 7 P. 2923−2927.
  190. Ley L., Kowalczyk S., Pollak R., Shirley D.A. X-ray photoemission spectra of crystalline and amorphous Si and Ge valence bands // Phys. Rev. Lett.- 1972.- V. 29, N. 16 P. 1088−109.
  191. Li G., Rabii S. Ab initio structural study of the silicon/nickel disilicide interfaces // Phys Rev. В 1994. V. 49, N. 4 — P. 2927−2930.
  192. Li M., Hebenstreit W., Diebold U. Morphology change of oxygen-restructured Ti02(110) surfaces by UHV annealing: Formation of a low-temperature (1×2) structure // Phys. Rev. В 2000.- V. 61, N. 7.- P. 4926−4933
  193. Li M., Hebenstreit W., Diebold U. Oxygen-induced restructuring of rutile ТКЭДПО) surface // Surf. Sci.- 1998 V. 414 — P. L951-L959.
  194. Lifshits V.G., Saranin A.A., Zotov A.V. Surface Phases on Silicon: Preparation, structures and properties.— Chichester: John Wiley & Sons, 1994.— 448 p.
  195. Lin C.C., Segel L.A. Mathematics applied to deterministic problems in the natural sciences — Macmillan, New York, 1974.— 609 p.
  196. Lindaii P.J.D., Harrison N.M., Gillan M.J., White J.A. First-principles spin-polarized calculations on the reduced and reconstructed ТЮгЩО) surface // Phys. Rev. В -1997 V. 55, N. 23.-P. 15 919−15 927.
  197. Loucks T.L. Augmented plane wave method.— New York: Benjamin, 1967.— 155 p.
  198. Louie S.G., Chelikowsky J.R., Cohen M.L. Ionicity and the theory of Schottky barriers // Phys. Rev. В 1977 — V. 15, N. 4 — P. 2154−2162.
  199. Louie S.G., Cohen M.L. Electronic structure of a metal semiconductor interface // Phys. Rev. В — 1976 — V. 13, N. 6.- P. 2461−2469.
  200. Lutrus C.K., Oshiro Т., Hagen D.E., Suck Salk S.H. Simulation of bulk silicon crystals and Si (lll) surfaces with application to a study of fluorine coverage of the surfaces // Phys. Rev. В.- 1993.- V. 48, N. 20.- P. 15 086−15 091.
  201. Lyo I.-W., Avouris Ph. Negative differential resistance on the atomic scale: Implication for atomic scale devices // Science 1989 — V. 245 — P. 1369−1371.
  202. Lyo I.-W., Kaxiras E., Avouris Ph. Adsorption of boron on Si (lll): Its effect on surface electronic states and reconstruction // Phys. Rev. Lett 1989.- V. 63, N. 12.- P. 12 611 264.
  203. Ma S.-K., Brueckner K.A. Correlation energy of an electron gas with a slowly varying high density // Phys. Rev.- 1968 V. 165, N. 1.- P. 18−31.
  204. Mattheiss L.F. Fermi surface in tungsten // Phys. Rev 1965 — V. 139, N. 6A-P. A1893-A1904.
  205. Mazzone A.M. Boron segregation on a vicinal Si (100) surface // Coinp. Mat. Sci -2001 V. 22, N. 3−4 — P. 213−220.
  206. McCarty К F., Bartelt N. C Role of hulk thermal defects in the reconstruction dynamics of the Ti02(110) surface // Phys Rev. Lett 2003.- V. 90, N. 4 — P. 461 041−46 104−4.
  207. McLean A.B., Terminello L.J., Himpsel F.J. Electronic structure of Si (lll)-B (/3 x /3)Л30° studied by Si 2p and В Is core-level photoelectron spectroscopy // Phys. Rev. В 1990.- V. 41, N. 11.- P. 7694−7700.
  208. McLean D. Grain boundaries in metals.— Oxford: Clarendon Press, 1957.— 116 p.
  209. Meade R.D., Vanderbild D. Adatoms on Si (lll) and Ge (lll) surfaces // Phys. Rev. В 1989 — V. 40, N. 6 — P. 3905−3913.
  210. Melius C.F., Goddard III W.A. Ab initio effective potentials for use in molecular quantum mechanics // Phys. Rev. A 1974 — V. 10, N. 5 — P. 1528−1540.
  211. Mitas L., Grossman J.C., Stich I., Tobik J. Silicon clusters of intermediate size: Energetics, dynamics, and thermal effects // Phys. Rev. Lett 2000.- V. 84, N. 7.-P. 1481−1484.
  212. Miura Y., Fujieda S., Hirose K. Different Ferini-level pinning positions between epitaxial and rotational Al/Si interfaces // Phys. Rev. В 1994 — V. 50, N. 7 — P. 4893−4896.
  213. Miyake K., Hata K., Shigekawa H., Yoshizaki R., Abe Т., Ozawa Т., Nagamura T. STM study of Si (lll)/3 x /3-R30o-B surface structure formed by HB02 irradiation // Appl. Surf. Sci.- 1996.- V. 107.- P. 63−67.
  214. Monch W. Metal-semiconductor contacts: electronic properties // Surf. Sci 1994.-V. 299−300.- P. 928−944.
  215. Moll N., Scheffler M., Pehlke E. Influence of surface stress on the equilibrium shape of strained quantum dots // Phys. Rev. В 1998 — V. 58, N. 8 — P 4566−4571.
  216. Molodtsov S.L., Laubschat С, Kaindl G., Shikin A.M., Adamchuk V.K. Formation and chemical structure of the Au/Si (lll) interface // Phys. Rev. В 1991.- V. 44, N. 16.- P. 8850−8857.
  217. Mott N.F. Note on the contact between a metal and an insulator or semiconductor // Proc. Cambridge Phil. Soc 1938.- V 34 — P. 568−572.
  218. Nachtigall P., Jordan K.D., Smith A., Jonsson H. Investigation of the reliability of density functional methods: Reaction and activation energies for Si-Si bond cleavage and H2 elimination from silanes // J. Chem. Phys 1996 — V. 104 — P. 148−158.
  219. Newman N., Spicer W.E., Kendelewicz Т., Lindau I. On the Fermi level pinning behavior of metal/III-V semiconductor interfaces // J. Vac. Sci. Technol. В 1986.-V. 4, N. 4.- P. 931−938.
  220. Ng K.-O., Vanderbilt D. Structure and apparent topography of Ti02(110) surfaces //Phys. Rev. В 1997.- V. 56, N. 16.- P. 10 544−10 548.
  221. Nielsen J.-F., Im H.-J., Pelz J.P., Krueger M., Borovsky В., Ganz E. Scanning tunneling microscope studies of boron-doped Si (001) // J. Vac. Sci. Technol. A -1999 V. 17, N. 4 — P. 1670−1675.
  222. Nishikata K., Murakami K., Yoshimura M., Kawazu A. Structural studies of Al/Si (l 11) surfaces studied by LEED // Surf. Sci.- 1992 V. 269−270.- P. 995−999.
  223. Northrup J.E. Si (lll)/3 x /3-Al: An adatom-induced reconstruction // Phys. Rev. Lett.- 1984.- V. 53, N. 7.- P. 683−686.
  224. Novak D., Garfunkel E., Gustafsson T. Scanning-tunneling-microscopy study of the atomic-scale structure ТЮ2(И0)-(1×1) // Phys. Rev. В -1994- V. 50, N. 7 P. 50 005 003.
  225. Nurminen L., Tavazza F., Landau D.P., Kuronen A., Kaski K. Comparative study of Si (001) surface structure and interatomic potentials in finite-temperature simulations // Phys. Rev. В 2003.- V. 67, N. 3.- P. 35 405−1-35 405−10.
  226. Niitzel J.F., Abstreiter G. Segregation and diffusion on semiconductor surfaces // Phys. Rev. В 1996.- V. 53, N. 20.- P. 13 551−13 558.
  227. Okuno K, Itoh Т., Iwami M., Hiraki A. Presence of critical Au-film thickness for room temperature interfacial reaction between Au (film) and Si (crystal substrate) // Solid State Commun 1980 — V. 34 — P. 493−497.
  228. Ong C.K., Chan B. C Surface reconstruction on Si (100) studied by the CNDO method // J. Phys.: Cond. Matt.- 1989.- V. 1.- P. 3931−3938.
  229. Onishi H., Iwasawa Y. Dynamic visualization of a metal-oxide-surface/gas-phase reaction: Time-resolved observation by scanning tunneling microscopy at 800 К // Phys. Rev. Lett 1996 — V. 76, N 5.- P. 791−794.
  230. Ossicini S. Theoretical approaches to the Schottky barrier problem // Appl. Surf. Sci.-1992 V. 56−58.- P. 290−300.
  231. Paxton A.T., Thien-Nga L. Electronic structure of reduced titanium dioxide // Phys. Rev. В 1998.- V. 57, N. 3 — P. 1579−1584.
  232. Payne M.C., Teter M.P., Allan D.C., Arias T.A., Joannopoulos J.D. Iterative minimization techniques for ab initio total-energy calculations: molecular dynamics and conjugate gradients // Rev. Mod. Phys 1992 — V. 64, N. 4 — P. 1045−1097.
  233. Perdew J.P., Burke K., Ernzerhof M. Generalized gradient approximation made simple // Phys. Rev. Lett.- 1996 V. 77, N. 18 — P. 3865−3868.
  234. Perdew J.P., Langreth D.C. The exchange-correlation energy of a metallic surface // Solid St. Coinrnun.- 1975 V. 17, N. 11.- P. 1425−1429.
  235. Perdew J.P., Wang Y. Accurate and simple density functional for the electronic exchange energy: Generalized gradient approximation // Phys. Rev. В 1986.- V. 33, N. 12 — P. 8800−8802.
  236. Perdew J.P., Zunger A. Self-interaction correction to density-functional approximations for many-electron systems // Phys. Rev. В 1981- V. 23, N. 4 — P. 5048−5079.
  237. Petersen H.G., Soelvason D., Perrarn J.W., Smith E.R. The very fast multipole method // J. Chem. Phys 1994 — V. 101, N 10- P. 8870−8876.
  238. Phillips J.C., Kleinman L. New method for calculating wave function in crystals // Phys. Rev 1959.- V. 116, N. 2.- P. 287−294.
  239. Plass R., Marks L. D UHV transmission electron microscopy structure determination of the Si (lll)-(/3 x /3)R30°Au surface // Surf. Sci 1995.- V. 342.- P. 233−249.
  240. Poplc J A., Beveridge D. L Approximate molecular orbital theory.— New York, McGraw-Hill, 1970.- 214 p.
  241. Pople J.A., Santry D.P., Segal G.A. Approximate self-consistent molecular orbital theory I. Invariant procedures // J. Chein. Phys 1965 — V 43 — P. 129−135.
  242. Pople J.A., Segal G.A. Approximate self-consistent molecular orbital theory II. Calculations with complete neglect of differential overlap //J. Chem. Phys.- 1965.-V. 43.- P. 136−149.
  243. Purton J., Bullett D.W., Oliver P.M., Parker S.C. Electronic structure and atomistic simulations of the ideal and defective surfaces of rutile // Surf. Sci.- 1995 V. 336.-P. 166−180.
  244. Radny M.W., Smith P.V. An ab initio Hartree-Fock study of the B/Si (001)2×1 adsorption system // Vacuum 1995 — V. 46, N. 5/6 — P. 419−423.
  245. Ramamoorthy M., Briggs E.L., Bernholc J. Chemical trends in impurity incorporation into Si (100) // Phys. Rev. Lett 1998 — V. 81, N. 8.- P. 1642−1645.
  246. Ramamoorthy M., King-Smith R.D., Vanderbilt D. Defects on ТЮ2(1Ю) surfaces // Phys. Rev. В 1994 — V. 49, N. 11- P. 7709−7715.
  247. Ramamoorthy M., Vanderbilt D., King-Smith R.D. First-principles calculations of the energetics of stoichiometric Ti02 surfaces // Phys. Rev. В 1994.- V. 49, N. 23.-P. 16 721−16 727.
  248. Ramstad A., Brocks G., Kelly P.J. Theoretical study of the Si (100) surface reconstruction // Phys. Rev. В 1995 — V. 51, N. 20.- P. 14 504−14 523.
  249. Rappe A.K., Goddard III W. A Charge equilibration for molecular-dynamics simulations // J. Phys. Chem.- 1991- V. 95, N. 8.- P. 3358−3363.
  250. Redondo A., Goddard III W.A., McGill T.C. Mott insulator model of the Si (lll)-(2xl) surface // J. Vac. Sci. Technol.- 1982.- V. 21, N. 2.- P. 649−654.
  251. Redondo A., Goddard III W.A., McGill T.C., Surratt G.T. Relaxation of (111) silicon surface atoms from studies of Si^Hg clusters // Solid State Coinmim.- 1978.- V. 20.-P. 733−736.
  252. P., Неб В A Electronic and geometrical structure of rutile surfaces // Phys. Rev. В 1994 — V. 50, N. 16.- P. 12 015−12 024
  253. Roothaan C. C J. New development in molecular orbit theory // Rev. Mod. Phys -1951- V. 23, N. 2 P. 69−89.
  254. Salvan F., Humbert A., Dumas P., Thibaudau F. Scanning tunneling microscopy (STM) of semiconductor surfaces and metal-semiconductor interfaces // Ann. Phys. Fr 1988.- V. 13, N. 3.- P. 133−152.
  255. Samsonov G.V. The Oxide Handbook New York, IFI/Plenum Press, 1982 — 480 p.
  256. Saranin A.A., Kotlyar V.G., Zotov A.V., Kasyanova T.V., Cherevik M.A., Lifshits V.G. Structure of domain walls in Al/Si (lll) 7-phase // Surf. Sci 2002 — V. 517-P.151−156.
  257. Saranin A.A., Zotov A.V., Kotlyar V.G., Kuyanov I.A., Kasyanova T.V., Nishida A., Kishida M., Murata Y., Okado H., Katayama M., Oura K. Growth of thallium over layers on a Si (100) surface // Phys. Rev. В 2005 — V. 71, N. 3 — P. 35 312−1 035 312−9.
  258. Schaub R., Wahlstrom E., R0nnau A., Laigsgaard E., Stensgaard I., Besenbacher F. Oxygen-mediated diffusion of oxygen vacancies on the ТЮг (110) surface // Science -2003 V. 299.- P. 377−379.
  259. Schelling P.K., Yu N., Halley J.W. Self-consistent tight-binding atomic-relaxation model of titanium dioxide // Phys. Rev. В 1998 — V. 58, N. 3 — P. 1279−1293
  260. Schliiter M., Chelicowsky J.R., Louie S.G., Cohen M.L. Self-consistent pseudopoten-tial calculations for Si (lll) surfaces. Unreconstructed (lxl) and reconstructed (2×1) model structures // Phys. Rev. В 1975. V. 12, N. 10- P. 4200−4214.
  261. Seong H., Lewis L.J. First-principles study of the structure and energetics of neutral divacancies in silicon // Phys. Rev. В 1996 — V. 53, N. 15 — P. 9791−9796.
  262. Sham L.J., Kohn W. One-particle properties of an inhomogeneous interacting electron gas // Phys. Rev.- 1966.- V. 145, N. 2.- P. 561−567.
  263. Shannon J.M. Control of Schottky barrier height using highly doped surface layers // Solid St. Electron 1976.- V. 19, N. 6-A — P. 537−543.
  264. Shannon J.M. Increasing the effective height of a Schottky barrier using low energy ion implantation // Appl. Phys. Lett 1974 — V. 25, N. 1- P. 75−77.
  265. Shen T.-C., Wang C., Lyding J. W., Tucker J. R. STM study of surface reconstructions of Si (lll):B // Phys. Rev. В 1994 — V. 50, N. 11- P. 7453−7460.
  266. Shi H.Q., Radny M.W., Smith P.V. Boron segregation on the Si (lll)/3 x /ЗЯЗО°-В surface // Surf. Rev. Lett.- 2003 V. 10, N. 2&3 — P. 201−205.
  267. Shi H.Q., Radny M.W., Smith P.V. Electronic structure of the Si (lll)N/3x /ЗЯЗО°-В surface // Phys. Rev. В 2002.- V. 66, N. 8.- P. 85 329−1-85 329−8.
  268. Shimomura M., Sanada N., Fukuda Y., Moller P.J. Highly site-selective adsorption of trimethylphospine on Si (lll)-(7×7) surfaces studies by scanning tunneling microscopy (STM) // Surf. Sci.- 1995.- V. 341.- P. L1061-L1064.
  269. Singh D.J., Ashkenazi J. Magnetism with generalized-gradient-approximation density functionals // Phys. Rev. В 1992.- V. 46, N. 18.- P. 11 570−11 577.
  270. Slater J.C. Notes on Hartree’s method // Phys. Rev.- 1930 V 35, N. 2 — P. 210−211.
  271. Slater J. C Wave functions in a periodic potential // Phys. Rev 1937 — V. 51, N. 10 -P. 846−851.
  272. Smit G. D J, Rogge S, Klapwijk T.M. Enhanced tunneling across nanometer-scale metal-semiconductor interfaces // Appl. Phys. Lett 2002 — V. 80, N. 14 — P. 2568−2570.
  273. Song K.M., Ray, А К Ab initio study of cesium chemisorption on the GaAs (llO) surface // Phys. Rev. В 1994 — V. 50, N. 19 — P. 14 255−14 266.
  274. Spicer W.E., Newman N., Kendelewicz Т., Petro W.G., Williams M.D., McCants C.E., Lindau I. Experimental results examining various models of Schottky barrier formation on GaAs // J. Vac. Sci. Technol. В 1985 — V. 3, N. 4 — P. 1178−1183.
  275. Stewart J.J.P. Optimization of parameters for semi-empirical methods I. Method // J. Comput. Chem- 1989 V. 10 — P. 209−220.
  276. Stewart J.J.P. Optimization of parameters for semi-empirical methods II. Applications // J. Comput. Chem.- 1989.- V. 10 P. 221−264.
  277. Stillinger F.H., Weber T.A. Computer simulation of local order in condensed phases of silicon // Phys. Rev. В 1985 — V. 31, N. 8.- P. 5262−5271.
  278. К., ТакёисЫ Y. The crystal-structure of rutile as a function of temperature up to 1600 °C // Z. Kristallogr.- 1991- V. 194, N. 3−4.- P. 305−313.
  279. Swamy V., Gale J.D., Dubrovinsky L. S. Atomistic simulation of the crystal structures and bulk moduli of Ti02 polymorphs // J. Phys. Chem. Solids 2001 — V. 62-P. 887−895.
  280. Taboryski R., Geim A.K., Persson M., Lindelof P.E. Nonlinear conductance at small driving voltages in quantum point contacts // Phys. Rev. В 1994 — V. 49, N. 11.-P. 7813−7816.
  281. Tasker P.W. The stability of ionic crystal surfaces // J. Phys C: Solid State Phys-1979.- V. 12.- P. 4977−4984.
  282. Terasa R., Albert M., Bartha J.W., Roessler Т., Abrarnov A.S., Kosarev A.I., Kudu-yarova V K., Vinogradov A. Alternative phosphorus-doped amorphous silicoii using trimethylphosphine diluted in hydrogen // Thin Solid Films 2003 — V. 427 — P. 270 273.
  283. Tersoff J. New empirical model for the structural properties of silicon // Phys. Rev. Lett.- 1986 V. 56, N. 6 — P. 632−635.
  284. Tersoff J. Recent models of the Schottky barrier formation //J. Vac. Sci. Technol. В 1985.- V. 3, N. 4.- P. 1157−1161.
  285. Tersoff J. Schottky barrier heights and the continuum of gap states // Phys. Rev. Lett 1984- V. 52, N. 6 — P. 465−468.
  286. Thanailakis A. Contacts between metals and atomically clean silicon // J. Phys. C: Solid State Phys 1975 — V. 8 — P 655−668.
  287. Thibaudau F., Roge T.P., Mathiez Ph., Dumas Ph., Salvan F. Cooperative segregation of boron at Si (lll) // Europhys. Lett 1994 — V. 25, N. 5 — P. 353−356.
  288. Thiel W., Voityuk A. Extension of MNDO to d-orbitals — parameters and results for the 2nd row elements and for the zinc group //J. Phys. Chem.- 1996 V. 100.-P. 616−629.
  289. Troullier N., Martins J.L. Efficient pseudopotentials for plane-wave calculations // Phys Rev. В 1991- V. 43, N. 3 — P. 1993−2006.
  290. Tsuge H., Arai M., FujiwaraT. Atomic structure of Si (lll)-(/3x v/3)fl30°-Al studied by first-principles molecular dynamics // Japan. J. Appl. Phys 1991.- V. 30, N. 9A.-P. L1583-L1585.
  291. Tsukada M., Kobayashi K., Shima N., Isshiki N. Scanning tunneling microscopy/scanning tunneling spectroscopy simulation of Si (lll)/3 x /3~B surfacc // J. Vac. Sci. Technol. В 1991.- V. 9, N. 2.- P. 492−494
  292. Tu K.N. Selective growth of metal-rich silicide of near-noble metals // Appl. Phys. Lett.- 1975.- V. 27, N. 4. P 221−224.
  293. Tung R.T. Schottky-barrier formation at single-crystal metal-semiconductor interfaces // Phys. Rev. Lett.- 1984 V. 52, N. 6 — P. 461−464.
  294. Uhrberg R.I.G., Northrup J.E., Biegelsen D.K., Bringans R.D., Swartz L.E. Atomic structure of the metastable c (4×4) reconstruction of Si (100) // Phys. Rev. В 1992-V. 46, N. 16.- P. 10 251−10 256.
  295. Ushio J., Nakagawa K., Miyao M., Maruizumi T. Surface segregation behavior of B, Ga, and Sb during Si MBE: Calculations using a first-principles method // Phys. Rev. В 1998.- V. 58, N. 7.- P. 3932−3936.
  296. Vanderbilt D. Absence of large compressive stress on Si (lll) // Phys. Rev. Lett.-1987 V. 59, N. 13 — P. 1456−1459.
  297. Verlet L. Computer experiments on classical fluids. I. Thermodynamical properties of Lenard-Jones molecules // Phys. Rev 1967 — V. 159 — P. 98−103.
  298. Visikovskiy A., Mizuno S., Tochihara H. Structure of the Si (001)-(2×2)-Tl phase at 0.5 monolayer coverage // Phys. Rev. В 2005 — V. 71, N. 24.- P. 245 407−1-245 407−6.
  299. Vitali L., Ramsey M.G., Netzer F. Substitutional geometry and strain effects in overlayers of phosphorus on Si (lll) // Phys. Rev. В 1998.- V. 57, N. 24 — P. 15 376−15 384.
  300. Vogtenhuber D., Podloucky R., Neckel A., Steinernann S.G., Freeman A.J. Electronic structure and relaxed geometry of the Ti02 rutile (110) surface // Phys. Rev. В -1994 V. 49, N. 3.- P. 2099−2103.
  301. Vogtenhuber D., Podloucky R., Redinger J., Hebenstreit E.L.D., Hebenstreit W., Diebold U. Ab initio and experimental studies of chlorine adsorption on the rutile ТЮ2(1Ю) surface // Phys. Rev. В 2002 — V. 65, N. 12.- P. 125 411−1-125 411−11.
  302. Wagner R S., Ellis W.C. Vapor-liquid-solid mechanism of single crystal growth // Appl. Phys Lett.- 1964 V. 4, N. 5.- P. 89−90.
  303. Wang S, Radny M.W., Smith P.V. Boron, hydrogen and silicon adatoms on the Si (lll) surface, an ab initio Hartree-Fock/density functional cluster study // J. Phys.: Cond. Matt 1997.- V. 9.- P. 4535−4547.
  304. Wang S., Radny M.W., Smith P.V. Mechanisms for the stability of A1 and В adatoms on the Si (lll)s/3 x /ЗДЗО° surface // Phys. Rev. В 1999 — V. 59, N. 3 — P. 15 941 597.
  305. Wang Y., Chen X., Hamers R.J. Atomic-resolution study of overlayer formation and interfacial mixing in the interaction of phosphorus with Si (001) // Phys. Rev. В -1994.- V. 50, N. 7 P. 4534−4547.
  306. Wang Y., Hamers R.J. Boron-induced reconstructions of Si (001) investigated by scanning tunneling microscopy // J. Vac. Sci. Technol. A 1995.- V. 13, N. 3-P. 1431−1437.
  307. Wang Y., Hamers R.J., Kaxiras E. Atomic structure and bonding of boron-induced reconstructions on Si (001) // Phys. Rev. Lett 1995 — V. 74, N. 3 — P. 403−406.
  308. Wolf E.L. Electron tunneling spectroscopy // Rep. Prog. Phys- 1978- V. 41-P. 1439−1508.
  309. Xie J., de Gironcoli S., Baroni S., Scheffler M. Temperature-dependent surface relaxations of Ag (lll) // Phys. Rev. В 1999 — V. 59, N. 2 — P. 970−974.
  310. Yeh J.J., Lindau I. Atomic subshell photoionization cross sections and asymmetry parameters: 1 < Z < 103 // Atomic Data and Nuclear Data Tables 1985 — V. 32-P. 1−155.
  311. Yeom H.W., Abukawa Т., Nakamura M., Suzuki S., Sato S., Sakamoto K., Sakamoto Т., Kono S. Initial stage growth of In and A1 on a single-domain Si (001)2xl surface // Surf. Sci.- 1995.- V. 341, — P 328−334.
  312. Yoshimura M., Takaoka K., Yao Т., Sueyoshi Т., Sato Т., Iwatsuki M. Scanning tunneling microscopy observation of Al-induced reconstructions of the Si (lll) surface. Growth dynamics // J. Vac. Sci. Technol. В 1994 — V 12, N. 4 — P. 2434−2436.
  313. Yuhara J., Inoue M., Morita K. Phase transition of the Si (lll)-Au surface from to 5×1 structure studied by means of low-energy electron diffraction,
  314. Auger electron spectroscopy, and Rutherford backscattering techniques // J. Vac. Sci. Technol. A 1992.- V. 10, N. 2.- P. 334−338.
  315. Yu M.L., Meyer&on В S. The adsorption of PH3 on Si (100) and its effect on the coadsorption of SiH4 // J. Vac. Sci. Technol. A 1984 — V. 2, N. 2.- P. 446−449.
  316. Zangwill A. Physics at surfaces.— Cambridge: Cambridge University Press, 1988.— 454 p.
  317. Zavodinsky V.G., Chukurov E.N., Kuyanov I.A. Computer study of B-Si exchange in the Si (l 11) л/3 x л/3-В surface phase // Phys. Low-Dim. Struct 1998 — N. ¾-P. 183−190.
  318. Zavodinsky V.G., Chukurov E.N., Kuyanov I.A. Energetics of boron in the Si (lll)/3 x /3-B surface phase and in subsurface silicon layers // Surf. Rev. Lett.-1999 V. 6, N. 1- P. 127−132.
  319. Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A., Chukurov E.N. Cluster modeling of the trimethyl-phosphine adsorption and dissociation on the Si (lll)-7×7 surface // Phys. Low-Dim. Struct.- 1999.- N. ½.- P. 145−151.
  320. Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A., Chukurov E.N. Computer study of boron arid phosphorus at the Si (100)-2xl surface // Eur. Phys. J. В 1998.- V. 6 — P. 273−276.
  321. Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A., Chukurov E.N. Computer study of boron segregation at the Si (100)-2xl and Si (lll)V3 x л/3 surfaces // J. Vac. Sci. Technol. A 1999-V. 17, N. 5.- P. 2709−2712.
  322. Zavodinsky V.G., Kuyanov I. A., Chukurov E.N. Energetics of boron and phosphorus as substitutional dopants at the Si (100)-2xl surface // Phys Low-Dim. Struct.- 1998.-N. 9/10.- P. 127−132.
  323. Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A. Cluster simulation of A1 and Si deposited layers on Si (100)-2xl surface // Coinp. Mater. Sci.-1998.-V. 11.- P. 138−143.
  324. Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A. Electronic states and tunnel current in the W/Si (lll)/3 x /3-В system: local density cluster calculation // Phys. Low-Dim. Struct.- 1994.- N. 6 P. 93−99.
  325. Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A. Electronic structure and the tunnel current in Al/Si nanoscale system: local density cluster calculations // Phys. Low-Dim. Struct.- 1995.-V. 4/5.- P. 71−79.
  326. Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A. Electronic structure of aluminum-silicon quantum wires // Phys. Low-Dim. Struct 1995 — N. 7 — P. 89−93.
  327. Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A. Energetics of P-Si and P-P dimcrs on the Si (100)-2xl surface // Appl. Surf. Sci 1999.- V. 141- P. 193−196.
  328. Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A. Influence of a tip/sample interaction on scanning tunneling spectroscopy data // Surf. Rev. Lett 1995 — V. 2, N. 2 — P. 219−223.
  329. Zavodinsky V.G., Kuyanov I. A. Influence of the P, As, and Ga doping on the electronic structure of the Al/Si interface // Vacuum 1997 — V. 48, N. ¾ — P. 261−263.
  330. Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A. Local-density approximation study of p-Si/rc-Si nanoscale junction // Superlat. and Microstr 1996 — V. 20, N. 2 — P. 187−192.
  331. Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A. Nanoscale effects in the electronic structure of the doped silicon // Phys. Low-Dim. Struct 1996.- N. 9/10 — P. 45−53.
  332. Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A. Schottky barrier at the Al/Si (lll) doped and double-doped interfaces: A local-density cluster study // Superlat. and Microstr.-1998.-V. 24 P. 55−60.
  333. Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A. Schottky barrier formation in the Au/Si nanoscale system: A local density approximation study // J. Appl. Phys.- 1997.- V. 81, N. 6.-P. 2715−2719.
  334. Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A., Zavodinskaya O.M. Monolayers of A1 on the Si (lll) surface: Atomic and electronic structure // Phys. Low-Dim. Struct.- 1997.- N. 5/6.-P. 123−129.
  335. Zhu J., dela Rubia T.D., Yang L.H., Mailhiot C., Gilmer G.H. Ab initio pseudopoten-tial calculations of В diffusion and pairing in Si // Phys. Rev. В 1996.- V. 54, N. 7-P. 4741−4747.
  336. Zhu Z., Shima N., Tsukada M. Electronic states of Si (100) reconstructed surfaces // Phys. Rev. В 1989.- V. 40, N. 17.- P. 11 868−11 879.
  337. Zunger A., Cohen M.L. Density-functional pseudopotential approach to crystal phase stability and electronic structure // Phys. Rev. Lett.- 1978 V. 41, N. 1- P. 53−56.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!