Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Математическое моделирование эмиссии электронов из острийных катодов сложной конфигурации

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Для конфигурации сканирующего туннельного микроскопа рассчитаны электронные траектории с учётом сил зеркального изображения. Различие электронных траекторий, рассчитанных с учётом и без учёта сил зеркального изображения, подтверждает тот факт, что для расчёта характеристик различных приборов, использующих полевую эмиссию, необходимо учитывать воздействие сил зеркального изображения… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Физическая модель
    • 1. 2. Аппроксимация формы эмиттера
    • 1. 3. Методы расчёта потенциала
      • 1. 3. 1. Постановка задачи
      • 1. 3. 2. Математические методы расчёта потенциала
      • 1. 3. 3. Физические методы расчёта потенциала
      • 1. 3. 4. Выводы
    • 1. 4. Методы расчёта электронных траекторий
    • 1. 5. Выводы
    • 1. 6. Постановка задачи
  • ГЛАВА 2. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОТЕНЦИАЛА МЕЖДУ ЭЛЕКТРОДАМИ
    • 2. 1. Проведение оценки плотности объёмного заряда
    • 2. 2. Моделирование потенциала для различных аппроксимаций конфигурации системы
      • 2. 2. 1. Расчёт потенциала в ортогональной системе координат
      • 2. 2. 2. Аппроксимации эмиттера гиперболоидом вращения
      • 2. 2. 3. Аппроксимация эмиттера параболоидом вращения
    • 2. 3. Выводы
  • ГЛАВА 3. МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПОТЕНЦИАЛА, СОЗДАВАЕМОГО СИЛАМИ ЗЕРКАЛЬНОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ
    • 3. 1. Постановка задачи
    • 3. 2. Построение двумерной математической модели
      • 3. 2. 1. Построение кривой зеркального изображения методами теории исключений
      • 3. 2. 2. Кривая зеркального изображения
      • 3. 2. 3. Метод кривой зеркального изображения
    • 3. 3. Построение трёхмерной математической модели
      • 3. 3. 1. Построение поверхности зеркального изображения методами аналитической геометрии
      • 3. 3. 2. Поверхность зеркального изображения
      • 3. 3. 3. Метод поверхности зеркального изображения
    • 3. 4. Проверка метода на примере сферической модели острии
    • 3. 5. Применение метода для конфигурации сканирующего туннельного микроскопа
    • 3. 6. Применение метода для конфигурации классического полевого диода
    • 3. 7. Выводы
  • ГЛАВА 4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ ТРАЕКТОРИЙ
    • 4. 1. Расчёт траекторий точечных зарядов для конфигурации сканирующего туннельного микроскопа
    • 4. 2. Расчёт устойчивости электронных траекторий при вариациях граничных условий для конфигурации электронно-оптической системы
    • 4. 3. Расчет траекторий электронов с учетом сил зеркального изображения
    • 4. 4. Выводы

Математическое моделирование эмиссии электронов из острийных катодов сложной конфигурации (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Диссертационная работа посвящена построению математической модели полевой электронной эмиссии для острийных эмиттеров сложной конфигурации методами математического моделирования и численного эксперимента. В рамках модели решаются проблемы взаимодействия точечного заряда с электродом сложной конфигурации и расчёта траекторий зарядов для острийных структур.

Рассматриваемые в диссертационной работе задачи связаны с возросшим интересом к полевой эмиссии в связи с разработками некоторых типов плоских дисплеев, а так же различных приборов, использующих полевую электронную эмиссию [1]. Полевые источники электронов широко используются в вакуумных приборах, электронно-лучевых трубках, высокочастотных генераторах и т. д. Интерес к полевой эмиссии связан и с исследованиями поверхностей на молекулярном уровне с помощью электронных микроскопов на основе полевых электронных катодов, в частности, со сканирующим туннельным микроскопом (СТМ) и атомным силовым микроскопом (АСМ) [2−5]. На основе принципа действия СТМ создаются новые технологии, например, технология производства компьютерных жёстких дисков «millipede» .

Существующие методы проектирования и оптимизации электронно-оптических систем, как правило, используют модели, не учитывающие свойств источника электронов, что существенно ограничивает их возможности. Создаются и используются модели полевой эмиссии для плоских структур, т. е. электроды аппроксимируются плоскими идеальными проводниками [6,7]. Построение математических моделей полевой электронной эмиссии для острийных эмиттеров сложной конфигурации позволит на качественном и количественном уровне интерпретировать экспериментальные данные и выработать рекомендации по практической реализации приборов и устройств, основным элементом которых являются острийные структуры. Именно поэтому задача построения математических моделей для исследования используемых на практике острийных систем, а так же нахождения взаимодействия точечного заряда с электродом сложной конфигурации и расчёта траектории заряда является актуальной.

Цель работы. Целью диссертационной работы является создание математических моделей, адекватно описывающих явление полевой электронной эмиссии из острийных эмиттеров. Важнейшей составляющей моделирования стало нахождение взаимодействия точечного заряда с электродом сложной конфигурации и расчёт электронных траекторий.

Для достижения данной цели были поставлены следующие задачи:

1. Разработать математическую модель распределения потенциала с учётом сил зеркального изображения для острийных полевых эмиттеров сложной конфигурации.

2. На основе математической модели рассчитать электронные траектории для конфигурации сканирующего туннельного микроскопа.

Методы исследования. Основными методами исследования являются методы математического моделирования и численного эксперимента.

Положения, выносимые на защиту:

1. Математическая модель распределения потенциала с учётом сил зеркального изображения для острийных полевых эмиттеров сложной конфигурации.

2. Расчёт электронных траекторий для конфигурации сканирующего туннельного микроскопа с учётом сил зеркального изображения.

3. Комплекс программ для решения прикладных задач моделирования потенциала и электронных траекторий для полевых источников электронов.

Научная новизна работы. Все результаты, изложенные в оригинальной части диссертационной работы, получены впервые и являются новыми.

Практическая значимость. Разработанные математические модели, учитывающие сложную форму полевого эмиттера электронов, позволят проводить сравнение экспериментальных данных с выводами теории как на качественном, так и на количественном уровне, в то время как при использовании теории полевой эмиссии из эмиттеров плоской конфигурации сравнение может осуществляться только качественно. Предложенные модели позволят усовершенствовать работу приборов, для которых острийные структуры являются основным элементом (СТМ, АСМ, высокочастотные генераторы, плоские дисплеи и т. д.).

Опубликованные работы. По теме диссертации опубликовано 6 работ.

8−13].

Апробация результатов. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на VII и VIII международных конференциях Beam Dynamics and Optimization (Санкт-Петербург, 2000 г, Саратов, 2001 г), на XXX и XXXI всероссийских конференциях «Процессы управления и устойчивость» (Санкт-Петербург, 1999, 2000гг), а также на научных семинарах кафедры Моделирования электромеханических и компьютерных систем факультета Прикладной Математики — Процессов Управления Санкт-Петербургского Государственного Университета.

4.4. Выводы.

В результате моделирования электронных траекторий были получены следующие результаты:

1. Рассчитаны траектории электронов для конфигурации сканирующего туннельного микроскопа. Уравнение Лагранжа решено методом Рунге-Кутты 4 порядка.

2. Показана устойчивость электронных траекторий при вариациях граничных условий для конфигурации электронно-оптической системы, используемой в литографии.

3. Получено аналитическое выражение для потенциала в задаче с отклонением одного из электродов, которое может быть использовано при моделировании систем с несимметрично расположенными электродами.

4. Для конфигурации сканирующего туннельного микроскопа рассчитаны электронные траектории с учётом сил зеркального изображения. Различие электронных траекторий, рассчитанных с учётом и без учёта сил зеркального изображения, подтверждает тот факт, что для расчёта характеристик различных приборов, использующих полевую эмиссию, необходимо учитывать воздействие сил зеркального изображения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертационной работе предложены математические модели нолевой электронной эмиссии из острийных структур. Основные результаты математического моделирования, численных расчетов и численных экспериментов можно резюмировать следующим образом:

1. Построены математические модели полевой электронной эмиссии из острийных эмиттеров, формы которых аппроксимированы поверхностями вращения второго порядка.

2. Предложен новый метод расчёта распределения потенциала с учётом сил зеркального изображения. В отличие от существующих методов, взаимодействие точечного заряда с электродом сложной конфигурации может быть рассчитано практически для любой аппроксимации острия.

3. Построено распределение потенциала, создаваемого силами зеркального изображения, для конфигураций сканирующего туннельного микроскопа и классического полевого диода. Показано, что условие, накладываемое на метод физической моделью, выполняется с достаточной степенью точности.

4. Построена математическая модель электронных траекторий для конфигурации сканирующего туннельного микроскопа. Методами численного эксперимента показана адекватность физической модели.

5. Методами численного эксперимента показано, что модель электронных траекторий устойчива к вариациям граничных условий, что демонстрирует корректность решённой задачи.

6. Построена модель электронных траекторий с учётом воздействия сил зеркального изображения. Различие траекторий, рассчитанных с учётом и без учёта сил зеркального изображения, показывает необходимость учёта сил зеркального изображения в математических моделях полевой электронной эмиссии.

7. Создан комплекс программ для решения прикладных задач моделирования потенциала и электронных траекторий для нолевых источников электронов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Д.А., Егоров Н. В. Математическое моделирование систем формирования электронных и ионных пучков. // СПб.: Издательство С.-Петербургского университета, 1998, с. 276.
  2. Дж., Рорер Г. Растровый туннельный микроскоп // В мире науки, 10 (1985), с.26−33.
  3. B.C. Сканирующая туннельная микроскопия. Обзор. // Приборы и техника эксперимента, 5 (1989), с.25−49.
  4. B.C. Развитие сканирующей туннельной микроскопии. // УФН, 161 (1991), № 3, с. 168−171.
  5. Э. Развитие электронного микроскопа и электронной микроскопии. // УФН, 154 (1988), № 2, с.243−259.
  6. А. Авто-, термо- и вторично-электронная эмиссионная спектроскопия. // М.: Наука, 1990, с. 320.
  7. Л.Н., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника. // М.: Наука, 1966, с. 564.
  8. М.С. Расчёт электронных траекторий в сканирующем туннельном микроскопе. // Процессы управления и устойчивость. Труды XXX научной конференции. С. -Петербург, 1999, с.199−202.
  9. М.С. Расчёт взаимодействия заряженной частицы с проводящим электродом сложной конфигурации. // Процессы управления иустойчивость. Труды XXXI научной конференции. С. -Петербург, 2000, с.155−157.
  10. Denissov V.P., Ermoshina M.S. Field emission from tips with complex geometry: a new image-charge method. // Abstracts of 7-th International Workshop: Beam Dynamics and Optimization 2000. S. -Petersburg, 2000, p. 15.
  11. Denissov V.P., Ermoshina M.S. Field emission from tips with complex geometry: a new image-charge method. // Proceedings of the 7-th International Workshop: Beam Dynamics and Optimization 2000, p.39−42.
  12. Denissov V.P., Ermoshina M.S. Configuration stability of electron trajectories in electron-optical system. // Abstracts of 8-th International Workshop: Beam Dynamics and Optimization 2001. Saratov, 2001, p. 18.
  13. Denissov V.P., Ermoshina M.S. Configuration stability of electron trajectories in electron-optical system. // Proceedings of the 8-th International Workshop: Beam Dynamics and Optimization 2001, p.47−50.
  14. Великая революция в мире малого // Chip, 6 (2002), с. 22.
  15. Fowler R.H., Nordheim L. Electron emission in intense electric field // Proceedings of Royal Society A, 119 (1928), № 781, p. 173−181.
  16. C.A., Holland C.E., Schwoebel P.R., Brodie I. // Journal of Vacuum Science and Technologies B, 16 (1998), p.758.
  17. Varajun' M.I., Denissov V.P. Mathematical modeling of the field electron emission from tips emitters. // Proceedings of the 6-th International Workshop: BDO-99. Saratov, 1999, p.51−54.
  18. Nicolaescu D. Physical basis for applying the Fowler-Nordheim J-E relationship to experimental I-V data // Journal of Vacuum Science and Technologies В, 11 (1993), № 2, p.392−395.
  19. A., Xanthahis J.P. // Surface Science, 249 (1991), p.373.
  20. Wei L., Baoping W., Li G., Hanchun Y., Yan T. Analysis of the emission performance of field emitter with Laplace interpolation method // Applied Surface Science, 161 (2000), p. 1−8.
  21. Kantorovich L.N., Foster A.S., Shluger A.L., Stoneham A.M. Role of image forces in non-contact scanning force microscope images of ionic surfaces // Surface Science, 445 (2000), p.283−299.
  22. Miskovsky N.M., Park S.H., He J., Cutler P.H. Energy exchange processes in field emission from atomically sharp metallic emitters // Journal of Vacuum Science and Technologies B, 11 (1993), № 2, p.366−371.
  23. S., Vichev D., Drandarov K. // Vacuum, 47 (1996), № 10, p. l 1 431 144.
  24. Egorov N.V., Vinogradova E.M. Solution of boundary-value problem in bispherical coordinates // Proceedings of 3-th Inter. Workshop: BDO-96, S. Petersburg, 1996, p.274−278.
  25. Mesa G., Dobado-Fuentes E., Saenz J.J. Image charge method for electrostatic calculations in field-emission diodes // Journal of Applied Physics, 79 (1996), № 1, p.39−43.
  26. Y. Ohkavara, T. Naijo, T. Washio, S. Oshio, II. Ito, II. Saitoh. Field emission properties of AlZnO whiskers modified by amorphous carbon and related Films // Japanese Journal of Applied Physics, 40 (2001), № 12, p.7013−7017.
  27. Jensen K.L., Yater J.E. Advanced emitters for next generation rf amplifiers // Journal of Vacuum Science and Technologies B, 16 (1998), № 4, p.2038−2049.
  28. M.J., Valeyev V.G. // Journal of Vacuum Science and Technologies B, 18 (2000), № 2, p. l 119−1121.
  29. Lang N.D., Kohn W. Theory of metal surfaces: induced surface charge and image potential // Physical Review B, 7 (1973), № 8, p.3541−3550.
  30. Lang N.D., Williams A.R. Theory of atomic chemisorption on simple metals // Physical Review B, 18 (1978), № 2, p.616−636.
  31. Miwa R.H., Srivastava G.P. Atomic geometry, electronic structure and image state for the Si (1 1 1) In (4×1) nanowire // Surface Science, 473 (2001), p. l 23−132.
  32. Г. В., Фёдоров Д. В. // Физика Твёрдого Тела, 43 (2001), № 3, с.385−390.
  33. Lindell I.V., Dassios G., Nikoskinen K.I. Electrostatic image theory for the conducting prolate spheroid // Journal of Physics D: Applied Physics, 34 (2001), p.2302−2307.
  34. Pan Li-H., Sullivan Т.Е., Pcridier V.J., Cutler P.M., Miskovsky N.M. Three-dimensional electrostatic potential, and potential-energy barrier, near a tip-base junction // Applied Physics Letters, 65 (1994), № 17, p.2151−2153.
  35. N.I., Solntsev V.A., Rodionov A.N. // Journal of Vacuum Science and Technologies B, 16 (1998), № 6, p.647.
  36. Mesa G., Saenz J.J. Three-dimensional image interaction for nonsmooth emitters // Applied Physics Letters, 69 (1996), № 8, p. 1169−1171.
  37. Kiejna A. Stabilized jellium-simple model for simple metal surfaces // Progress in Surface Science, 61 (1999), p.85−125.
  38. Garcia-Hernandez M., Bagus P. S., Illas F. A new analysis of image charge theory // Surface Science, 409 (1998), p.69−80.
  39. A. // Physical Review B, 43 (1991), p. 14 695.
  40. Y. // Surface Science, 287/288 (1993), p.605.
  41. S.T., Binh V.Th., Baptist R. // Journal of Vacuum Science and Technologies B, 15 (1997), p.1666.
  42. Borisov A.G., Kazansky A.K. Comment on the paper by M. Garcia-Hernandez, P. S. Bagus, F. Illas, «A new analysis of image charge theory» // Surface Science, 429(1999), p.345−347.
  43. Garcia-Hernandez M., Bagus P. S., Illas F. Reply to the comment by A.G. Borisov, A.K. Kazansky // Surface Science, 429 (1999), p.348−350.
  44. Forbes R.G. The electrical surface as centroid of the surface-induced charge // Ultramicroscopy, 79 (1999), p.25−34.
  45. P., Krzyzewski Т., Steans P., Bell G. // Surface Science, 492 (2001), № 3, p.345−353.
  46. N., Rohrer H. // Journal of Physics: Condensed Matter, 1 (1989), p.3737.
  47. Shifren L., Akis R., Ferry D.K. Correspondence between quantum and classical motion: comparing Bohmian mechanics with a smoothed effective potential approach // Physics Letters A, 274 (2000), p.75−83.
  48. G.H. // Ultramicroscopy, 81 (2000), p. l 11−121.
  49. Ximen J., Ximen H., Zhou Li // Journal of Vacuum Science and Technologies B, 11 (1993), № 1, p.275−280.
  50. Wang C., Wang В., Zhao H., Sin J.O., Poon M.C. Numerical modeling of the disk-edge field emitter triode // Journal of Vacuum Science and Technologies B, 15 (1997), № 2, p.394−422.
  51. Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. //М.: Наука, 1978, с.190−193.
  52. Е.А., Утешев А. Ю. Теория исключения. // СПб.: изд-во НИИ Химии СПбГУ, 2001.
  53. Р., Лейтон Р., Сэндс М. Фейнмановские лекции по физике. 5 том. // М.: Мир, 1977.
Заполнить форму текущей работой