Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Квантовая теория туннельного и гигантского магнитосопротивления в магнитных многослойных структурах

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В заключение я хочу поблагодарить профессора А. В. Ведяева и профессора А. К. Аржникова за научное руководство и внимание при выполнении данной работы. Выражаю благодарность Наталье Викторовне Рыжановой за ценные консультации и помощь во время работы. Я благодарю доктора Бернарда Диени за плодотворные дискуссии и за предоставление мне возможности годичной стажировки в лаборатории «Наноструктур… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Спин-зависящее туннелирование в мультислойных наноструктурах
      • 1. 1. 1. Эксперименты по туннелированию из ферромагнитных металлов в сверхпроводники
      • 1. 1. 2. Прогресс в технологии изготовления туннельных наноструктур
      • 1. 1. 3. Теоретические работы по туннельному магнитосоп-ротивлению
    • 1. 2. Спин-зависящий транспорт в наноструктурах со сверхпроводящими контактами
  • Глава 2. Двухзонная s — d модель туннельного магнитосопротивления
    • 2. 1. Гамильтониан модели
    • 2. 2. Вычисление проводимости системы
    • 2. 3. Приближение когерентного потенциала
    • 2. 4. Вычисление «вершинной» поправки
    • 2. 4. Обсуждение результатов
  • Глава 3. Резонансное спин-зависящее туннелирование через парамагнитные примеси в барьере
    • 3. 1. Теоретическая модель
    • 3. 2. Проводимость системы
    • 3. 3. Резонансное туннелирование в случае немагнитных примесей
    • 3. 4. Резонансное туннелирование в случае парамагнитных примесей
    • 3. 5. Вольт-амперная характеристика и дифференциальная проводимость
    • 3. 6. Обсуждение результатов
  • Глава 4. ГМС в системах со сверхпроводящими контактами
    • 4. 1. Теоретическая модель
    • 4. 2. Баллистический режим
    • 4. 3. Диффузный режим .'

Квантовая теория туннельного и гигантского магнитосопротивления в магнитных многослойных структурах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Эффект туннельного магнитосопротивления (ТМС) наблюдается в магнитных туннельных наноструктурах, в которых ферромагнитные металлические слои разделены слоем диэлектрика порядка нескольких десятков нанометров, а также в туннельных гранулированных системах, где разделяющий слой представляет диэлектрическую матрицу с распределенными в ней ферромагнитными гранулами. Родственный ТМС эффект гигантского магнитосопротивления (ГМС) проявляется в металлических мультислойных наноструктурах и сверхрешетках, в которых чередуются ферромагнитные и немагнитные слои. Наиболее общей чертой упомянутых структур является тот факт, что ферро — или антиферромагнитный порядок оказывает существенное влияние на электронные транспортные свойства в этих системах и приводит к эффекту спиновой поляризации электрического тока. В результате этого, сопротивление структуры зависит от параллельной или антипараллельной конфигурации намагниченностей ферромагнитных слоев, которая может изменяется под воздействием внешнего магнитного поля.

Актуальность исследования спин-поляризованного электронного транспорта в этих гетероструктурах имеет одновременно прикладной и фундаментальный аспекты. Первый из них связан с широкими перспективами использования наноструктур с ГМС и ТМС в качестве наноэлементов спиновой электроники в MRAM (Magnetic Random Access Memory) компьютерных технологиях. Другую область применения составляют одно-электронные и спин-вентильные транзисторы, а также датчики слабого магнитного поля. С фундаментальной точки зрения, можно выделить следующие аспекты, которые представляют самостоятельный научный интерес.

1. Использование сверхпроводящих контактов в экспериментах по измерению ГМС в поперечной геометрии соотносится с общей проблемой эффектов близости в гибридных структурах ферромагнетик / сверхпроводник и их влияния на электронные транспортные свойства.

2. Особенность вольт-амперной зависимости тока при низких напряжениях в туннельных наноконтактах связана с возбуждением коллективных неупругих мод на границе раздела металл / диэлектрик и позволяет получать информацию о поверхностном магнонном спектре в ферромагнетиках.

3. Нерешенной до конца научной проблемой остается выяснение роли тонкой структуры электронного спектра вблизи интерфейса ферромагнитный металл/диэлектрик в формировании поляризации туннельного тока.

4. Изучение прыжковой проводимости через промежуточные квантовые состояния в гранулированных туннельных структурах при низких температурах тесно взаимодействует с эффектом кулоновской блокады в случае наноразмерных масштабов ферромагнитных гранул.

Рассмотренные в диссертации вопросы в той или иной степени коррелируют с этими проблемами.

Целями данной работы являются:

1. Исследование влияния s — d и магнонного механизма рассеяния на интерфейсах на сопротивление туннельных контактов.

2. Исследование магнитосопрбтивления туннельных контактов в присутствии парамагнитных примесей в барьере.

3. Выяснение роли андреевского отражения на интерфейсе металл/ сверхпроводник в подавлении экспериментально измеряемой величины ГМС в поперечной геометрии с помощью сверхпроводящих контактов.

Результаты, полученные в диссертации, могут привести к новой интерпретации экспериментальных данных по магнитосопротивлению в на-ноконтактах, а также использованы в качестве научной основы для оптимизации характеристик магнитных считывающих устройств, основанных на эффекте ТМС.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, четырех приложений и списка литературы. Общий объем работы составляет 152 страницы, включая 27 рисунков и библиографический список из 143 наименований.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах: 1*. D. A. Bagrets, A. A. Bagrets, А. V. Vedyayev, and В. Dieny. Impurity assisted spin-dependent tunneling in magnetic field // Proceedings of the Moscow International Symposium on Magnetism (MISM'99) — Moscow: MSU, 1999. PP. 175−180.

2*. N. Ryzhanova, C. Lacroix, A. Vedyayev, D. Bagrets, B. Dieny. Does giant magnetoresistance survive in presence of superconducting contact? // arXiv: cond-mat/2 411 (2000).

3*. A. Vedyayev, D. Bagrets, A. Bagrets, B. Dieny. Resonant spin-dependent tunneling in spin-valve junctions in the presence of paramagnetic impurities // arXiv: cond-mat/4 198 (2000).

4*. D. A. Bagrets, A. A. Bagrets, A. V. Vedyayev, N. V. Ryzhanova, B. Dieny. The s — d model of electron tunneling between metallic ferromagnetic layers // 8th European Magnetic Materials and Applications Conference. Abstracts. 7−10 June 2000, Kyev, Ukraine. Abtract We-PA052, P. 66.

5*. А. В. Ведяев, Д. А. Багрец, А. А. Багрец, Б. Диени. Магнитосопро-тивление туннельных контактов в присутствии парамагнитных примесей в слое оксида //В кн: «Новые магнитные материалы микроэлектроники», сборник трудов XVII международной школы-семинара, 20−23 июня 2000 г., Москва", Москва: физический факультет МГУ им. М. В. Ломоносова, 2000. С. 622.

6*. Д. А. Багрец, А. А. Багрец, Н. В. Рыжанова, А. В. Ведяев, Б. Диени. Влияние s — d и магнонного механизмов рассеяния на интерфейсах на магнитосопротивление туннельных контактов //В кн: «Новые магнитные материалы микроэлектроники», сборник трудов XVII международной школы-семинара, 20−23 июня 2000 г., Москва", Москва: физический факультет МГУ им. М. В. Ломоносова, 2000. С. 623.

7*. N. Ryzhanova, С. Lacroix, A. Vedyayev, D. Bagrets, В. Dieny. Does giant magnetoresistance survive in presence of superconducting contact? // Symposium on Spin-Electronics, Halle, Germany, July 3−6, 2000. Abstract PB-28. P. 91.

8*. A. Vedyayev, D. Bagrets, A. Bagrets, and B. Dieny. Magnetoresistance of magnetic junctions in the presence of paramagnetic impurities in oxide layer // Symposium on Spin-Eledtronics, Halle, Germany, July 3−6, 2000. Abstract PB-29. P. 92.

9*. A. Vedyayev, A. Bagrets, D. Bagrets, and B. Dieny. Influence of s — d and magnon interfacial scattering on magnetoresistance in tunnel junctions // Symposium on Spin-Electronics, Halle, Germany, July 3−6, 2000. Abstract PB-30. P. 92.

10*. N. Ryzhanova, C. Lacroix, A. Vedyayev, D. Bagrets, B. Dieny. Andreev reflection in superconducting/spin-valve sandwiches // International Conference on Magnetism, Recife, Brazil, August 6−11, 2000. Abstract 2U-38. P. 173.

В заключение я хочу поблагодарить профессора А. В. Ведяева и профессора А. К. Аржникова за научное руководство и внимание при выполнении данной работы. Выражаю благодарность Наталье Викторовне Рыжановой за ценные консультации и помощь во время работы. Я благодарю доктора Бернарда Диени за плодотворные дискуссии и за предоставление мне возможности годичной стажировки в лаборатории «Наноструктур и магнетизма» в научно-исследовательском центре по атомной энергии в Гренобле, благодаря которой была выполнена существенная часть данной работы. И, наконец, я искренне признателен Клодин Jla-круа за ценное обсуждение результатов работы и ее гостепреимство в стенах лаборатории Луиса Нееля Национального центра научных исследований Франции.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Giaever I. Electron tunneling between two superconductors. // Phys. Rev. Lett.1960 V. 5, N10, — P. 464−466.
  2. Giaever I. and Megerle K. Study of Superconductors by Electron Tunneling. // Phys. Rev. 1961 — V. 122, N4, — P. 1101−1111.
  3. Bardeen J. Tunneling from a many-particle point of view. // Phys. Rev. Lett.1961 V. 6, N2, — P. 57−59.
  4. Duke C. Tunneling in Solids. // Solid State Physics. 1969 — Suppl. 10. Meservey R. and Tedrow P.M. Spin-polarized electron tunneling.// Phys. Rep. -1994 — V. 238, N4, P. 173−243.
  5. Wolf E.L. Principles of Tunneling Spectroscopy Clarendon Press, Oxford, — 1985. Zhang S. and Levy. P.M. Models for magnetoresistance in tunnel junctions. // Eur. Phys. J. В — 1999 — V. 10, — P. 599−606.
  6. Harrison W.A. Tunneling from an Independent-Particle Point of View. // Phys. Rev. 1961 — V. 123, N1, — P. 85−89.
  7. Meservey R., Tedrow P.M. and Fulde P. Magnetic Field Splitting of the Quasiparticle States in Superconducting Aluminum Films. // Phys. Rev. Lett. -1970 V. 25, N18, — P.1270−1272.
  8. Tedrow P. M. and Meservey R. Spin-Dependent Tunneling into Ferromagnet Nickel.// Phys. Rev. Lett. 1971 — V.26, N4, — P.192−195.
  9. Meservey R., Tedrow P.M. and Moodera J.C. Electron spin polarized tunneling study of ferromagnetic thin films. //J. Magn. Magn. Matt. 1983 — V. 35, -P. 1−6.
  10. Choy T.-S., Chen J., Hershfield- S. Correlation between spin polarization and magnetic moment in ferromagnetic alloy. //J. Appl. Phys. — 1999 V. 86, N1 — P. 562−564.
  11. Julliere M. Tunneling between ferromagnetic films. // Phys. Rev. Lett. 1975 -V. 54A, N3, — P. 225−226.
  12. J. «s-d» Exchange model of zero-bias tunneling anomalies. // Phys. Rev. Lett. 1966 — V. 17, N2, — P. 91−95.
  13. Appelbaum J.A. Exchage Model of Zero-Bias Tunneling Anomalies. // Phys. Rev.- 1967 V. 154, N3, — P. 633−643.
  14. Appelbaum J.A. Microscopic Theory of Tunneling Anomalies. // Phys. Rev. 1967 -V. 160, N3,-P. 554−561.
  15. Anderson P.W. Localized magnetic states and Fermi-surface anomalies in tunneling. // Phys. Rev. Lett. 1966 — V. 17, N2, P. 95−97.
  16. Slonczewski J.C. Conductance and exchange coupling of two ferromagnets separated by a tunneling barrier. // Phys. Rev. B. 1989 — V. 39, N10, — P. 6995−7002.
  17. Daughton J.M. Magnetic tunneling applied to memory (invited). //J. Appl. Phys.- 1997 V. 81, N8, — P. 3758−3763.
  18. Miyazaki Т., Tezuka N. Giant magnetic effect in Fe/Al203/Fe junctions. //J. Magn. Magn. Mat. 1995 — V. 139, — P. L231-L234.
  19. Miyazaki Т., Tezuka N. Spin-polarized tunneling in ferromagnet/insulator/ferro-magnet junctions. // J. Magn. Magn. Mat. 1995 — V. 151, — P. 403−410.
  20. Yaoi Т., Ishio S. and Miazaki T. Dependence of magnetoresistance on temperature and on applied voltage in 82№-Ре/А1-А120з/Со tunneling junctions. //J. Magn. Magn. Mat. 1993 — V. 126, — P. 430−432.
  21. Stratton R. Volt-Current Characteristics for Tunneling through Insulating Films. // J. Phys. Chem. Solids 1962 — V. 23, — P. 1177−1190.
  22. Moodera J.C., Kinder Lisa R., Wong T.W., and Meservey R. Large Magnetoresistance at Room Temperature in Ferromagnetic Thin Film Tunnel Junctions. // Phys. Rev. Lett. 1995 — V. 74, N16, — P. 3273−3276.
  23. Moodera J.C., Kinder Lisa R. Ferromagnetic-insulator-ferromagnetic tunneling: Spin-dependent tunneling and large magnetoresistance in trilayer junctions. //J. Appl. Phys. 1996 — V. 79, N8,-'P. 4724−4729.
  24. Moodera J.S., Nowak J., Veerdonk van de R.J.M. Interface Magnetism and Spin Wave Scattering in Ferromagnet-Insulator-Ferromagnet Tunnel Junctions. // Phys. Rev. Lett. 1998 — V. 80, N13, — P. 2941−2944.
  25. Moodera J.S., Gallagher E.F., Robinson K., Nowak J. Optimum tunnel barrier in ferromagnetic-insulator-ferromagnetic tunneling structures. // Appl. Phys. Lett. -1997 V. 70, N22, — P. 3050−3052.
  26. Gallagher W.J., Parkin S.S.P., Lu Yu, Bian X.P., Marley A., Roche K.P., Altman R.A., Rishton S.A., Jahnes C., Shaw T.M., Xiao Gang. Microstructured magnetic tunnel junctions. // J. Appl. Phys. 1997 — V. 81, N8, — P. 3741−3746.
  27. Lu Yu., Li X.W., Xiao Gang, Altman R.A., Gallagher W.J., Marley A., Roche K., Parkin S. Bias voltage and temperature dependence of magnetotunneling effect. // J. Appl. Phys. 1998 — V. 83, N11, — P. 6515−6517.
  28. MacDonald A.H., Jungwirth Т., Kasner M. Temperature Dependence of Itinerant Electron Junction Magnetoresistance. // Phys. Rev. Lett. 1998 — V. 81, N3, -P. 705−708. -
  29. Mathon J., Ahmad S.B. Quasi-two-dimensional behavior of the surface magnetization in a ferromagnet with softened surface exchange. // Phys. Rev. B. -1988 V. 37, N1, — P. 660−663.
  30. Zhang S., Levy P.M., Marley A.S., and Parkin S.S.P. Quenching of Magnetoresistance by Hot Electrons in Magnetic Tunnel Junctions. // Phys. Rev. Lett. 1997 — V. 79, N19. — P. 3744−3747.
  31. Mitsuzuka Т., Matsuda K., Kamijo A., Tsuge H. Interface structures and magnetoresistance in magnetic tunnel junctions. //J. Appl. Phys. 1999 — V. 85,1. N8. P. 5807−5809.
  32. Covington M., Nowak J., Song D. Magnetic tunnel junction performance versus barrier thickness: NiFe/AlO^/NiFe junctions fabricated from a wedged A1 layer. // Appl. Phys. Lett. 200 — V. 76, N26. — P. 3965−3967.
  33. Sousa R.C., Sun J. J, Soares V., Freitas P.P., Kling A., Silva da M.F. and Soares J.C. Large tunneling magnetoresistance enhancement by thermal anneal. // Appl. Phys. Lett. 1998 — V. 73, N22. — P. 3288−3290.
  34. Sun J.J., Soares V., Freitas P.P. -Low resistance spin-dependent tunnel junctions deposited with a vacuum break and radio frequency plasma oxidized. // Appl. Phys. Lett. 1999 — V. 74, N3. — P. 448−450.
  35. Sato M., Kikuchi H., Kobayashi K. Ferromagnetic tunnel junctions with plasma-oxidized A1 barriers and their annealing effects. // J. Appl. Phys. 1998 — V. 83, N11. — P. 6691−6693.
  36. Nassar J., Hehn M., Vaures, Petroff F., Fert A. Magnetoresistance of ferromagnetic tunnel junctions with A1203 barriers formed by sputter etching in Ar/C>2 plasma. // Appl. Phys. Lett. 1998 — V. 73, N5. — P.698−700.
  37. Groot de R.A., Mueller F.M., Engen van P.G., Buschow K.H.J. New Class of Materials: Half-Metallic Ferromagnets. // Phys. Rev. Lett. 1983 — V. 50, N25. -P. 2024−2027.
  38. Williams A.R., Kubler J., Gelatt C.D., Jr. Cohesive properties of metallic compounds: Augmented-spherical-wave calculations. // Phys. Rev. B. 1979 -V. 19, N12. — P. 6094−6118.
  39. Tanaka C.T., Nowak J., Moodera J.C. Magnetoresistance in ferromagnet-insulator-ferromagnet tunnel junctions with half-metallic ferromagnet NiMnSb compound. // J. Appl. Phys. 1997- V. 81, N8. — P. 5515−5517.
  40. Caballero J.A., Geerts W.J., Petroff F., Thiele J.-U., Weller D., Childress J.R. Magnetic and magneto-optical properties of NiMnSb thin films. // Journ. Magn. Magn. Mat. 1998 — V. 177−181. — P. 1229−1230.
  41. Caballero J.A., Park Y.D., Cabibibo A., Childress J.R., Petroff F., Morel R. Deposition of high-quality NiMnSb magnetic films at moderate temperatures. // J. Appl. Phys. 1997 — V. 81, N6. — P. 2740−2744.
  42. Phys. 1997 — V. 81, N8. — P. 5509−5511.
  43. Sun J.Z., Abraham D.W., Roche K., Parkin S.S.P. Temperature and bias dependence of magnetoresistance in doped manganite thin film trilayer junction. // Appl. Phys. Lett. 1998 — V. 73, N7. — P. 1008−1010.
  44. Viret M., Drouet M., Nassar J., Contour J.P. Fermon C., Fert A. Low-field colossal magnetoresistance in manganite tunnel spin valves. // Europhys. Lett. 1997 -V. 39, N5. — P. 545−549.
  45. Korotin M.A., Anisimov V.I., Khomski D.I., Sawatzky G.A. Cr02: A Self-Doped Double Exchange Ferromagnet. // Phys. Rev. Lett., 1998 — V. 80, N19. — P. 43 054 308.
  46. Coey J.M.D., Berkowitz A.E., Balcells LI., Putris F.F., Barry A. Magnetoresistance of Chromium Dioxide Powder Compacts. // Phys. Rev. Lett. 1998 — V. 80, N17.- P. 3815−3818.
  47. Manoharan S.S., Elefant D., Reiss G., and Goodenough J.B. Extrinsic giant magnetoresistance in chromium (IV) oxide, СЮ2. // Appl. Phys. Lett. — 1998- V. 72, N8. P. 984−986.
  48. Vedyayev A., Chshiev M., Ryzhanova N., Dieny B. Magnetoresistance of magnetic tunnel junctions in the presence of a nonmagnetic layer. // Phys. Rev. B. 2000 -V. 61, N2. — P. 1366−1370.
  49. Zhang X., Li Bo-Zhang, Sun G., Pu Fu-Cho. Spin-polarized tunneling and magnetoresistance in ferromagnet/insulator (semiconductor) single and double junctions subjected to an electric field. // Phys. Rev. B. 1997 — V. 56, N9. -P. 5484−5488.
  50. Vedyayev A., Ryzhanova N., Vlutters R., Dieny B. and Strelkov N., Voltage dependence of giant tunnel magnetoresistance in triple barrier magnetic systems.
  51. Honda S., Okada Т., Nawate M., Tokumoto M. Tunneling giant magnetoresistance in heterogeneous Fe-Si02 films. // Phys. Rev. B. 1997 — V. 56, N22. — P. 14 56 614 573.
  52. Barnas J., Fert A. Magnetoresistance Oscillations due to Charging Effects in Double Ferromagnetic Tunnel Junctions. // Phys. Rev. Lett. 1998 — V. 80, N5. — P. 10 581 061.
  53. Majumdar K. and Hershfield S. Magnetoresistance of the double-tunnel-junctions Coulomb blockade with magnetic metals. // Phys. Rev. B. 1988 — V. 57, N18. -P. 11 521−11 526.
  54. Barnas J., Fert A. Effects of spin accumulation on single-electron tunneling in a double ferromagnetic microjunctions. // Europhys. Lett. 1998 — V. 44, N1. -P. 85−90.
  55. Tsymbal E. Yu., Pettifor D.G. Spin-polarized electron tunneling across a disordered insulator. Phys. Rev. B. 1998 — V. 58, N1 — P. 432−437.
  56. Guinea F. Spin-flip scattering in magnetic junctions. // Phys. Rev. B. 1988 -V. 58, N14. — P. 9212−9216.
  57. Mathon J. Tight-binding theory of tunneling giant magnetoresistance. // Phys. Rev. В 1997 — V. 56, N16 — P. 11 810−11 819.
  58. MacLaren J.M., Crampin S., Vvedensky D. D, and Pendry J.B. Layer Korringa-Kohn-Rostoker technique for surface and interface properties. // Phys. Rev. B. -1990 V. 40, N18. — P. 12 164 -12 175.
  59. MacLaren J.M., Crampin S., Vvedensky D. D, Albers R.C. and Pendry J.B. Layer Korringa-Kohn-Rostoker electronic structure code for bulk and interface geometries. // Сотр. Phys. Comm. 1990 — V. 60 — P. 365.
  60. Butler W.H., Zhang X.-G., Wang X., Ek van Jan and MacLaren J. M. Electronic structure of FM / semiconductor / FM spin tunneling structures. //J. Appl. Phys.- 1997 V. 81, N8. — P. 5518 — 5520.
  61. MacLaren J.M., Butler W.H., Zhang X.-G. Spin-dependent tunneling in epitaxial systems: Band dependence of conductance. // J. Appl. Phys. — 1998 V. 83, N11.- P. 6521 6523.
  62. MacLaren J.M., Zhang X.-G., Butler W.H. and Wang X. Layer KKR approach to Bloch-wave transmission and reflection: Application to spin-dependent tunneling. // Phys. Rev. B. 1999 — V. 59, N8. — P. 5470−5478.
  63. Oleinik I.I., Tsymbal E.Yu., Pettifor D.G. Structural and electronic properties of Co/A1203/Co magnetic tunnel junctions from first principles. // Phys. Rev. B. -2000 V. 62, N6. — P. 3952−3959.
  64. Aulbur W.G., Jonsson L., Wilkins J.W. Quasiparticle Calculations in Solids. // Solid State Physics 2000 — V. 84. — P. 2−207.
  65. Baibich M.N., Broto J.M., Fert A., Nguyen Van Dau F., Petroff F., Etienne P., Creuzet G., Frederich A., and Chazelas J. Giant magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr magnetic superlattices// Phys. Rev. Lett. 1988 — V. 61, N21- P. 2272−2475.
  66. Levy P.M. Giant Magnetoresistance in Magnetic Layered and Granular Materials. // Solid State Physics. 1994 — V. 47, — P. 367−462.
  67. А. // ЖЭТФ 1964 — Т. 46. — С. 1823.
  68. К., Palanisami A., Louie N.R., Buhrman R.A. // Probing Ferromagnets with Andreev Reflection Phys. Rev. Lett. 1998 — V. 81, N15 — P. 3247−3250.
  69. Jong de M.J.M and Beenakker C.W.J. // Andreev Reflection in Ferromagnet-Su-perconductor Junctions. // Phys. Rev. Lett. 1995 — V. 74, N9. — P. 1657−1660.
  70. Zutic I. Tunneling spectroscopy for ferromagnet / superconductor junctions. // Phys. Rev. B. 2000 — V. 61, N2. — P. 1555−1566.
  71. Takane Y., Ebisawa H. Conductance Formula for Mesoscopic Systems with a Superconducting Segment. // J. Phys. Soc. Jpn. 1992 — V. 61, N5. — P. 1685−1690.
  72. Jedema F.J., Wees van B.J., Hoving B.H., Filip A.T., Klapwijk T.M. Spin-accumulation-induced resistance in mesoscopic ferromagnet-superconductor junctions. // Phys. Rev. B. 1999 — V. 60, N24. — P. 16 549−16 552.
  73. Golubov A.A. Interface resistance in ferromagnet/superconductor junctions.// arXiv: cond-mat/9 907 194 1999.
  74. Lambert C.J., Raimondi R. Phase-coherent transport in hybrid superconducting nanostructures. // J. Phys.: Cond. Matt. 1998 — V. 10, — P. 901−941.
  75. Fal’ko V.I., Lambert C.J., Volkov A.F. Andreev reflections and magnetoresistance in ferromagnet-superconductor mesoscopic structures. // JEPT Lett. 1999 — V. 69, N7. — P. 532−538.
  76. Taddei F., Sanvito S., Jefferson J.H., Lambert C.J. Supression of Giant Magnetoresistance by a Superconducting Contact. // Phys. Rev. Lett. 1999 -V. 82, N24. — P. 4938−4941.
  77. Papaconstantopoulos D.A. Handbook of the Band Structure of Elemental Solids. -Plenum, New York. 1986.
  78. Taddei F., Sanvito S., Lambert C.J. Ehchancement of GMR due to spin-mixing in magnetic multilayers with a superconducting contact. // arXiv: cond-mat/3 345- 21 Mar 2000.
  79. Valet Т., Fert A. Theory of the perpendicular magnetoresisitance in magnetic multilayers. // Phys. Rev. B. 1993 — V. 48, N10. — P. 7099−7113.
  80. Bass J., Pratt W.P. Jr. Current-perpendicular (CPP) magnetoresisistance in magnetic metallic multilayers. //J. Magn. Magn. Mat. 1999 — V. 200. — P. 247 289.
  81. Piraux L., Dubois S., Fert A., Belliard L. The temperature dependence of the perpendicular giant magnetoresistance in Co/Cu multilayered nanowires. // Eur. Phys. J. В 1998 — V. 4. — P. 313−420.
  82. Dubois S., Piruax L., George J.M., Ounadjela K., Duvail J.L., Fert A. Evidence for the short spin diffusion length in permalloy from the giant magnetoresistance of multilayered nanowires. // Phys. Rev. B. 1999 — V. 60, N1 — P. 477−483.
  83. Pratt W.P., Jr., Lee S.-F., Slaughter J.M., Loloee R., Shroeder P.A., and Bass J. Perpendicular Giant Magnetoresisistance of Ag/Co Multilayers. // Phys. Rev. Lett.- 1991 V. 66, N23 — P. 3060−3063.
  84. Pratt W.P., Jr., Lee S.-F., Holody P., Yang Q., Lolee R., Bass J. and Shroeder P.A. Giant magnetoresisitance with current perpendicular to the multilayer planes. // J. Magn. Magn. Mat. 1993 — V. 126. — P. 406−409.
  85. Pratt W.P., Jr., Lee S.-F., Wang Q., Holody P., Loloee R., Shroeder P.A., Bass J. Giant magnetoresistance with current perpendicular to the layer planes of Ag/Co and AgSn/Co multilayers. // J. Appl. Phys. 1993 — V. 73, N10 — P. 5326−5331.
  86. Pratt W.P., Jr., Steenwyk S.D., Hsu S.Y., Chiang W.-C., Schaefer A.C., Loloee R., and Bass J. Perpendicular-Current Transport in Exchange-Biased Spin-Valves. // IEEE Trans. Magn. 1997 — V. 33, N5 — P. 3505−3510.
  87. Holody P., Chiang W.C., Loloee R., Bass J., Pratt W.P., Jr., and Schroeder P.A. Giant magnetoresistance of copper/permalloy multilayers. // Phys. Rev. B. 1998- V. 58, N18. P. 12 230−12 236.
  88. А. К., Новокшонов С. Г. Кластерное обобщение приближения когерентного потенциала на основе проекционного формализма в расширенном пространстве // ТМФ. 1990. — Т. 84, № 1. — С. 128−140.
  89. Lee С., Sato Y., Doi М., Matsiu М. Interface structure of FeCo/Al Oxide/Fe tunnel junctions. Japan. J. Appl. Phys. 1999 — V. 38, N6A. — P. 3664−3667.
  90. Tsymbal E. Yu. and Pettifor D.G. Modelling of spin-polarized electron tunneling from 3d ferromagnets. // J. Phys.: Cond. Matt. 1997 — V.9, N. — P. L411-L417.
  91. Brouers F., Vedyeyev A.V., and Giorgino M. Residual Resisitivity of Concentrated Ferromagnetic Disordered Alloys. // Phys. Rev. B. 1973 — V.7, N1. — P. 380−391.
  92. Brouers F., Vedyeyev A.V. Theory of Electrical Conductivity in Disordered Binary Alloys. // Phys. Rev. B. 1972 — V.5, N7. — P. 348−360.
  93. Kubo R., Toda M. and Hashitsume N. Statistical Physics II. Nonequilibrium Statistical Mechanics. — Springer,'Berlin. 1985.
  94. Soven P. Coherent-potential model of substitutional disordered alloys. // Phys. Rev. B. 1967. — V. 156, N3 — P. 809−813.
  95. Velicky B. Theory of Electron Transport in Disordered Binary Alloys: Coherent-potential Approximation. // Phys. Rev. B. 1969. -V. 184, N3 — P. 614−627.
  96. Mokerjee A. A new formalism for the study of configuration-averaged properties of disordered systems // J. Phys. C. 1973. — V. 6, N10. — P. L205-L208.
  97. Ciraci S., Barta LP. Electronic structure of o-alumina and its defect states. // Phys. Rev. B. 1983 — V. 28, N2. — P. 982−992.
  98. Xu Y.-N., Ching W.Y. Self-consistent band structures, charge distributions, and optical- absorption spectra. // Phys. Rev. B. 1991 — V. 43, N5 — P. 4461−4472.
  99. E. M., Питаевский JI. П. Физическая кинетика (Серия: «Теоретическая физика», том X). М.: Наука, 1979. — 528 с.
  100. Л. Д., Лившиц Е. М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория (Серия: «Теоретическая физика», том III). М.: Наука, 1989. — 767 с.
  101. Levy P.M., Camblong Н.Е., Zhang S. Effective internal fields and magnetization buildup for magnetotransport in magnetic multilayered structures. // J. Appl. Phys.- 1994 V. 75, N10. — P. 7076−7078.
  102. Valet Т., Fert A. Theory of the perpendicular magnetoresistance in magnetic multilayers. // Phys. Rev. B. 1993 — V. 48, N10. — P. 7099−7113.
  103. А.В. Пространственно-неоднородные задачи теории сверхроводи-мости. М.: Наука, 1982. — 312 с.
  104. J. АЪ initio calculation of the perpendicular giant magnetoresistance of finite Co/Cu (001) and Fe/Cr (001) superlattices with fluctuating layer thicknesses. // Phys. Rev. B. 1997 — V. 55, N2. — P. 960−969.
Заполнить форму текущей работой