Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Анизотропные полупроводниковые датчики интенсивности излучения миллиметрового диапазона

Диссертация: Анизотропные полупроводниковые датчики интенсивности излучения миллиметрового диапазона
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Во второй главе разрабатывается феноменологическая модель поперечных термоэлектрических эффектов, возникающих в прямоугольных AT из p-CdSb под воздействием импульсного или непрерывного излучения СВЧ. Рассматриваются временные зависимости термоотклика от начальных и граничных условий нагрева AT, а также от параметров полупроводникового материала и металлических контактов на торцах термоэлемента… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. Термоэлектрические эффекты (обзор литературы)
    • 1. 1. Термоэлектрические явления
    • 1. 2. Механизм возникновения термо-ЭДС
    • 1. 3. Условия возникновения анизотропии термо-ЭДС
    • 1. 4. Термоэлектрические материалы
    • 1. 5. Основная задача исследований
  • ГЛАВА 2. Поперечные термоэлектрические эффекты в анизотропных термоэлементах при воздействии СВЧ излучения
    • 2. 1. Общие соотношения для термоэлектрических эффектов в анизотропных полупроводниках
    • 2. 2. Прямоугольный анизотропный термоэлемент
    • 2. 3. Нестационарная термо-ЭДС в анизотропном термоэлементе
    • 2. 4. Анализ нестационарной термо-ЭДС
    • 2. 5. Спектральная характеристика термоэлектрического отклика
    • 2. 6. Стационарная термо-ЭДС в анизотропном термоэлементе
  • ГЛАВА 3. Экспериментальное исследование поперечных термоэлектрических эффектов в анизотропных термоэлементах из р — CdSb
    • 3. 1. Подготовка анизотропных термоэлементов для экспериментальных исследований
    • 3. 2. Исследование анизотропных термоэлементов на стандартных волноводах
    • 3. 3. Зеркальные диэлектрические волноводы
    • 3. 4. Электрическое поле волн электродинамически связанных структур зеркальных волноводов
    • 3. 5. Исследование AT, электродинамически связанного с ЗДВ
    • 3. 6. Влияние длины термоэлемента на генерацию термоотклика в связанных линиях
    • 3. 7. Определение оптимальной ориентации AT относительно ЗДВ
    • 3. 8. Возникновение термо-ЭДС в анизотропных полупроводниках, закрепленных над ЗДВ
    • 3. 9. Нестационарный поперечный термоотклик в AT при Л = 8 мм
    • 3. 10. Использование поперечных термоэлектрических эффектов для приема СВЧ излучения в МДВ
  • ГЛАВА 4. Измерительные приборы на термоэлектрическом эффекте
    • 4. 1. Основные положения
    • 4. 2. Принцип работы термоэлектрических измерительных приборов
    • 4. 3. Калибровка измерительных приборов. а. Калибровка на постоянном токе. б. Калибровка импульсом постоянного тока
    • 4. 4. Измеритель мощности в коротковолновой части миллиметрового диапазона
    • 4. 5. Измеритель энергии импульсов СВЧ
    • 4. 6. Измеритель мощности и энергии импульсов
  • ГЛАВА 5. Экспериментальные исследования эффектов в n — InSb при СВЧ нагреве
    • 5. 1. Исследование детектирующего эффекта в монокристаллических слоях п — InSb на подложке из сапфира при воздействии СВЧ излучения
    • 5. 2. Исследование эффектов преобразования частоты сигнала в образцах п — InSb на сапфире
    • 5. 3. Использование монокристаллических слоев InSb для высокочувствительного приема излучения диапазонов СВЧ и КВЧ

Анизотропные полупроводниковые датчики интенсивности излучения миллиметрового диапазона (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В последние десятилетия ушедшего века появилась тенденция к широкому использованию электромагнитных волн миллиметрового (ММ) и субмиллиметрового диапазонов в различных областях науки и техники. В настоящее время множество приборов и устройств работают именно в этом диапазоне длин волн. Среди них важное место занимают устройства, фиксирующие интенсивность излучения электромагнитной волны (ЭМВ). Однако, существующие в настоящее время приемники, вследствие тех или иных причин, не могут полностью решить проблему эффективного приема ММ излучения и остается весьма актуальной задача создания новых типов приемных устройств, в частности, устройств, обеспечивающих регистрацию, контроль и измерение интенсивности СВЧ излучения (как непрерывного, так и импульсного), способных работать в широком диапазоне частот с различными типами волноведущих структур ММ диапазона ЭМВ. Особенно важным является создание широкополосных чувствительных элементов (датчиков), работающих при комнатной температуре и устойчивых к выгоранию при кратковременных перегрузках.

В предлагаемой работе рассматривается возможность использования в качестве чувствительных элементов анизотропных полупроводниковых датчиков на основе поперечных термоэлектрических эффектов, возникающих под воздействием СВЧ излучения.

Структура диссертации.

В первой главе приводится краткий обзор литературы, посвященной исследованиям термоэлектрических эффектов. На основе законов термодинамики показывается, что в средах с анизотропией термо-ЭДС могут существовать поперечные термоэлектрические эффекты. Рассматриваются механизмы возникновения термо-ЭДС в различных средах, а также условия осуществления максимальной анизотропии термо-ЭДС. Описываются основные свойства полупроводникового соединения антимонида кадмия с дырочной проводимостью p-CdSb), используемого в данной работе в качестве материала для создания анизотропных термоэлементов (AT).

В заключение главы приводится постановка основной задачи, рассматриваемой в настоящей диссертационной работе.

Во второй главе разрабатывается феноменологическая модель поперечных термоэлектрических эффектов, возникающих в прямоугольных AT из p-CdSb под воздействием импульсного или непрерывного излучения СВЧ. Рассматриваются временные зависимости термоотклика от начальных и граничных условий нагрева AT, а также от параметров полупроводникового материала и металлических контактов на торцах термоэлемента, предназначенных для «съема» термоэлектрического отклика. Здесь же приводятся результаты спектрального анализа термоотклика.

Третья глава представляет экспериментальные результаты исследования свойств прямоугольных анизотропных термоэлементов из р — CdSb, помещенных в различные волноведущие структуры. Исследован термоотклик на воздействие импульсного и непрерывного СВЧ излучения в частотном диапазоне 10−5-300/71/. Приводятся результаты анализа экспериментальных исследований, а также сравнение опытных данных с результатами применения построенной феноменологической модели поперечных термоэлектрических эффектов.

Четвертая глава описывает три измерительных прибора, разработанных автором в рамках выполнения диссертационной работы. Работа этих приборов основана на эффектах возникновения напряжений поперечных термо-ЭДС в объемных AT из p — CdSb при комнатной температуре. Здесь же представлен способ калибровки термоэлектрических приборов, основанный на применении импульсов постоянного тока.

В пятой главе приведены результаты экспериментальных исследований объемных эффектов в изотропных полупроводниках при СВЧ нагреве. Подробно исследуются свойства монокристаллических слоев п — InSb на теплопрово-дящей подложке при комнатной температуре. Обсуждается возможность создания высокочувствительных датчиков малой инерционности на основе таких слоев для детектирования и преобразования частоты излучения миллиметрового диапазона электромагнитной волны.

В заключении приводятся основные результаты и выводы диссертационной работы.

Положения, выносимые на защиту;

1. Феноменологическая модель нестационарных и стационарных поперечных термоэлектрических эффектов, возникающих под воздействием импульсного или непрерывного СВЧ излучения в полупроводниковых анизотропных термоэлементах из р — CdSb, применительно для регистрации и измерения энергии электромагнитной волны на практике.

2. Способы согласования анизотропных термоэлементов со стандартным металлическим, зеркально-диэлектрическим и металлодиэлектрическим волноводами, работающими на основных типах волны.

3. Конструкции трех термоэлектрических приборов, предназначенных для измерения энергии одиночных импульсов СВЧ и (или) мощности непрерывного СВЧ излучения на частотах, как минимум, lO-т-ЗОО ГГц.

4. Способ калибровки термоэлектрических приборов, основанный на применении импульсов постоянного тока.

5. Как показано экспериментально, в образцах n-InSb на сапфировой подложке при комнатной температуре под воздействием электромагнитных волн сантиметрового и миллиметрового диапазонов обнаружены эффекты детектирования и преобразования частоты сигнала «вниз» и «вверх» .

Заключение

.

В рамках выполнения данной диссертационной работы были получены следующие наиболее важные результаты:

1. На основе построенной феноменологической модели проведено теоретическое исследование нестационарных и стационарных поперечных термоэлектрических эффектов в полупроводниках, обладающих анизотропией термо-ЭДС при комнатной температуре. В качестве объекта исследований рассмотрен полупроводник p-CdSb, имеющий форму прямоугольного параллелепипеда, на теплопроводящей подложке, нагреваемый импульсным или непрерывным СВЧ излучением.

2. Разработаны конструкции преобразователей с анизотропными термоэлементами из тонких монокристаллических слоев р — CdSb на основе различных волноведущих структур миллиметрового диапазона длин волн. Рассмотрены различные условия согласования термоэлементов с СВЧ излучением.

3. Приведены результаты исследования стационарных и нестационарных поперечных термоэлектрических откликов изготовленных преобразователей на воздействие СВЧ излучения. Результаты эксперимента хорошо согласуются с результатами применения построенной феноменологической модели поперечных термоэлектрических эффектов.

4. Показана возможность широкополосного приема СВЧ излучения на основе исследованных эффектов. Подробно рассмотрены простые способы регистрации как поглощаемой, так и проходящей мощности или энергии непрерывного или импульсного СВЧ излучения анизотропными термоэлементами на открытых линиях передачи (например, ЗДВ).

5. Разработаны и прошли испытания три термоэлектрических прибора, работа которых основана на поперечных термоэлектрических эффектах в анизотропных термоэлементах из р — CdSb. Приведены основные конструктивные и технико-эксплуатационные характеристики этих приборов. Показано, что данные приборы могут быть успешно использованы для измерения мощности непрерывного СВЧ излучения и (или) энергии одиночных СВЧ импульсов в одноволновом металлическом, зеркально-диэлектрическом, сверхразмерном металлодиэлектрическом и др. волноводах в широком диапазоне частот (как минимум в диапазоне 10 -г- 300 ГГц).

6. Предложена и реализована в экспериментальных исследованиях возможность внутренней калибровки измерительных приборов с инерционными термопреобразователями на анизотропных полупроводниках короткими импульсами постоянного тока, несущими известное количество энергии. Такой способ калибровки исключает использование калибровочных пленок, что упрощает конструкцию и улучшает параметры преобразователей (следовательно, и измерителей в целом).

7. Проведено экспериментальное исследование реакции тонких монокристаллических слоев изотропного полупроводника n — InSb, выращенных на подложках из сапфира, на СВЧ нагрев. Показано, что датчики из таких структур являются эффективными элементами для детектирования и преобразования частоты излучения миллиметрового диапазона электромагнитной волны при комнатной температуре. Получена предельная чувствительность предлагаемых датчиков, ее величина может быть лучше, чем 10~9 Вт/^[Гц, вольт-ваттная чувствительность Кр > 100 В/Вт, инерционность г<3−10~п сек, потери преобразования около 10 дБ.

Материалы диссертационной работы изложены в 11 научных работах, в том числе в 8 печатных. Основные результаты диссертации получены в ходе проведения 3-х научно-исследовательских работ ([55], [56], [65]). Результаты работы опубликованы в 2 статьях ([122], [123]), доложены на 4 научных конференциях ([108], [111], [112], [113]), на семинарах ИРЭ РАН. В ходе работы над диссертацией получено 1 авторское свидетельство на изобретение ([107]). Выпущена опытная партия измерителя мощности в коротковолновой части миллиметрового диапазона СКБ ИРЭ РАН СССР. Разработанные в процессе выполнения диссертационной работы измерительные приборы награждены серебряной медалью ВДНХ СССР в 1988 г. ([104]).

В заключение, автор выражает глубокую благодарность своему научному руководителю — доктору физико-математических наук, профессору Любчен-ко В. Е. и кандидату физико-математических наук, ведущему научному сотруднику Трифонову В. И. за большую помощь и постоянный интерес к данной работе на всех этапах ее выполнения, а также Толмачеву М. М. за сотрудничество в теоретической части работы. Автор искренне благодарен своей жене — Матосян Ж. В. за моральную поддержку в завершении работы, настоящая работа посвящается ей.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.Г., Коренблит J1.JI. Современное состояние теории термоэлектрических и термомагнитных явлений в полупроводниках. Часть 1. Термодинамическая теория. // УФЫ, т. 49, № 2, 1953. с. 243−272.
  2. И. Введение в термодинамику необратимых процессов. —М.: Изд. иностр. лит., 1960. 127 с.
  3. А.Г. Термодинамика и статистическая физика. —М.: Гостехиздат, 1955. 368 с.
  4. Domenicalli СИ. A. Irreversible thermodynamics of thermoelectricity. // Rev. Mod. Phys., v. 26, N 2, 1954. p. 237−275.
  5. Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. -М.: Изд. иностр. лит., 1962. 253 с.
  6. И.И., Выграненко Ю. В., Jlycme О.Я., Пинчук И. И. Распределение потенциалов в однородном изотропном полупроводнике при большом градиенте температуры. // ФТП, т. 6, № 5, 1972. с. 981−982.
  7. ВейнгерА.И., Крамер Н. И., Парщкий Л. Г., АбдиновА.Ш. Возникновение термо-ЭДС в однородном полупроводнике (явление Бенедикса) при разогреве насителей тока СВЧ полем в германии. // ФТТ, т. 6, № 5, 1972. с. 915−921.
  8. Lukosz W. Geschlossene elektrische strome in thermoelektrisch anisotropen kristallen. // Z. Naturforsch., b. 19a, N 13, 1964. s. 1599−1610.
  9. Л.И., Искра В. Д., Лусте О. Я. Влияние примесей на термоэлектрические свойства анизотропных материалов. //УФЖ, т. 14, № 1, 1969. с. 151 156.
  10. А.Г., Коренблит Л. Л. Вихревые термоэлектрические токи в анизотропной среде. // ФТТ, т. 3, № 7, 1961. с. 2054−2059.
  11. Л. И., Лусте О. Я. Вихревые термоэлектрические токи и вихревые термоэлементы (обзор). // ФТП, т. 10, № 5, 1976. с. 817−832.
  12. JustiE. Патент ФРГ № 1 076 210.
  13. ИМ., Беликов А. Б., Казанская JI.JJ., АщеуловА.А. Влияние анизотропии теплопроводности на поперечную термо-ЭДС в анизотропных средах. //ФТП, т. 10, № 5, 1976. с. 1019−1021.
  14. ИоффеА.Ф. Полупроводниковые термоэлементы. —M.-JL: Изд. АН СССР, 1960. 188 с.
  15. А.И. Введение в теорию полупроводников. —М—JL: Физматлит, 1962.418 с. 21 .Анатычук Л. И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства. Справочник. —Киев: Наукова думка, 1979. 768 с.
  16. И.К., КотМ.В. Зависимость подвижности носителей тока в кристаллах антимонида кадмия от температуры. // Изв. АН СССР, серия физическая, т. 28, № 6, 1964. с. 1028−1032.
  17. Кот М.В., КрецуИ.В. Зависимость подвижности носителей тока в кристаллах антимонида цинка от температуры. // Изв. АН СССР, серия физическая, т. 28, № 8, 1964. с. 1295−1299.
  18. В.М., Иванов Г. А. О поведении дифференциальной термо-ЭДС в сплавах висмута. // ФТТ, т. 8, № 8, 1966. с. 2460−2461.
  19. С.М. Зависимость свойств кристаллов CdSb, легированных элементами IV и VI групп, от концентрации примеси. // Изв. АН СССР, серия физическая, т. 28, № 6, 1964. с. 1033−1039.
  20. Анатычук Л. И, Искра В. Д., ЛустеО.Я. Вихревые термоэлектрические токи в Ge.llИзв. ВУЗов в СССР, физика, № 2, 1968. с. 127−128.
  21. ГицуД.В., Иванов Г. А., Попов A.M. О термоэлектродвижущей силе в висмуте и его сплавах с теллуром. // ФТТ, т. 4, № 1, 1962. с. 22−28.
  22. ЗЗ.Коренблит Л. Л. Исследование замкнутых термоэлектрических токов в анизотропных кристаллах. // ФТТ, т. 6, № 10, 1964. с. 3059−3064.
  23. ЗА.АнатычукЛ.И, ЛустеО.Я. Вихревые термоэлектрические токи в CdSb. II ФТТ, т. 8, № 8, 1966. с. 2492−2494.
  24. Л.И., Лусте О. Я. Исследование замкнутых термоэлектрических токов в зонально неоднородных средах. //УФЖ, т. 14, № 8, 1969. с. 13 911 395.
  25. Анатычук Л. И, ЛустеО.Я. Вихревые термоэлектрические токи и поперечная термо-ЭДС в зонально неоднородных пластинках. // Изв. ВУЗов СССР, физика, т. 6,№ 1, 1969. с. 134−136.
  26. АнатычукЛ.И, ДимитрачукВ.Т., ЛустеО.Я., ЦыганюкЮ.С. Вихревой термоэлектрический ток в нестационарном температурном поле. // Изв. ВУЗов СССР, физика, № 3, 1972. с. 23−29.
  27. Н.В., Рябошанко В. А., Полников В. Г. Вихревые термоэлектрические токи в тонких пленках. // ФТП, т. 8, № 10, 1974. с. 1999−2001.
  28. Л.И., Искра В. Д., Лусте О. Я. Метод определения термоэффективности анизотропных материалов. // УФЖ, т. 13, № 7, 1968. с. 1226−1228.
  29. СамойловичА.Г., Слипченко В. Н. Исследование КПД анизотропных термоэлементов. // ФТП, т. 9, № 10, 1975. с. 1897−1901.41 .Регелъ А. Р., Стильбанс Л. С. О термоэлектрической энергетике. // ФТП, т. 1, № И, 1967. с. 1614−1619.
  30. JCozapm К. Материалы, используемые в полупроводниковых приборах. —М.: Мир, 1968. 349 с.
  31. К.А. Получение монокристаллов и физико-химические свойства диарсенидов кадмия, цинка и эвтектических композиций на их основе. / Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук. -М.: ИОНХ АН СССР, 1984.
  32. Анатычук JJ. К, Лусте О. Я. Анизотропия термо-ЭДС CdSb. // УФЖ, т. 11, № 9, 1966. с. 971−977.
  33. И.М. Электрические свойства интерметаллических соединений СЖ.//ЖТФ, т. 27, № 1, 1957. с. 119−122.4%.Най Дж. Физические свойства кристаллов. —М.: Мир, 1967.
  34. И.М., Анатычук Л. И., Любченко А. В. Теплопроводность сурьямисто-го кадмия. // ФТТ, т. 4, № 6, 1962. с. 1649−1654.
  35. Л.И., Гнатюк A.M. Электрические и термоэлектрические исследования CdSb. II Изв. АН СССР, неорган, материалы, т. 8, № 1, 1972. с. 44−48.
  36. ЪХ.КотИ.М., АнатычукЛ.И. Анизотропия теплопроводности антимонида кадмия. // Изв. АН СССР, серия физическая, т. 28, № 6, 1964. с. 1040−1043.
  37. В.А., Алексеев Н. Е. Термоэлектрические свойства сплавов Cd — Sb. IIЖТФ, т. 26, № 4, 1956. с. 911−912.
  38. В.Я., Гончаров А. Д., Лазарев В. Б., Маркович В. Б., Рудольф Г. Получение тонких слоев полупроводниковых веществ направленной кристаллизацией расплава. -М.: ИОНХ АН СССР, 1973.
  39. ЪА.Падалко А. Т. Физико-химическое исследование процессов получения тонких слоев некоторых полупроводниковых веществ направленной кристаллизацией расплава. / Автореферат диссертации. —М.: ИОНХ АН СССР, 1979.
  40. Исследование возможности создания измерителя энергии мощных одиночных импульсов СВЧ излучения на основе термоэлектрических свойств полупроводниковых соединений. /Отчет ИРЭ АН СССР, № 176/169−3-83. Шифр «Алиса-ИРЭ», М., 1984.
  41. Исследование возможности создания измерителей мощности коротковолновой части миллиметрового диапазона на основе термоэлектрических явлений в полупроводниках. / Отчет ИРЭ АН СССР, № 173−3-87, Шифр «Алиса— 2ИРЭ», М., 1987.
  42. А.Г. Проблемы современной физики. / Сб. ст., Л., 1980.
  43. Гуров К П. Феноменологическая теория необратимых процессов. —М.: «Наука», 1978.
  44. А.Г., БудаИ.С. Теория эффекта увлечения электронов фонона-ми. // ФТП, т. 9, № 8, 1975. с. 1478−1484.
  45. Р. Полупроводники. —М.: Изд. иностр. лит., 1962. 468 с.
  46. JCapKeeu4 А. А. Спектры и анализ. —М.: Связьиздат, 1962.
  47. JCapKeeun А. А. Основы радиотехники. —M.: Связьиздат, 1962.
  48. Разработка широкополосных элементов трактов на основе зеркального диэлектрического волновода для измерительной аппаратуры КВЧ диапазона. / Отчет ИРЭ АН СССР, № 138−24−89. Шифр «Зевс-Модуль», М., 1989.
  49. В.И. Болометр на эффекте Холла. // ФТП, т. 1, № 9, 1967. с. 13 421 350.
  50. Solbach К., Wolfl. The electromagnetic fields and the phase constants of dielectric image lines. // IEEE Trans. On MTT, v. 26, N 4. April, 1978. p.266−274.
  51. MareatiIi E.A.J. Dielectric rectangular waveguide and directional coupler for integrated optics. // B.S.T.J., v. 48, N 7, 1969. p. 2071−2132.
  52. Shindo S., Itanami T. Low-loss rectangular dielectric image line for millimeter-wave integrated circuits. // IEEE Trans. On MTT, v. 26, N 10, 1978. p. 749−750.
  53. Д.М., ГридинА.Н., Мишустин Б. А. Устройства СВЧ. —М.: Высшая школа, 1981. 295 с.
  54. Конструкции СВЧ устройств и экранов. / Под ред. A.M. Чернушенко, -М.: Радио и связь, 1983. 400 с.
  55. Klaus S. The calculation and measurement of the coupling properties of dielectric image lines of rectangular cross section. // IEEE Trans. On MTT, v. 27, N 1, 1979. p. 54−58.
  56. Tiwari А.К., Bhat В., Singh R.P. Generalized coupled dielectric waveguide and its variants for millimeter-wave applications. // IEEE Trans. On MTT, v. 34, N 8, 1986. p. 869−875.
  57. Lanfen Qi, LigunXu, IeZuo Image guide couplers used in millimeter wave integrated circuits. // International J. Of integrated and millimeter waves, v. 9, N 12, 1988. p. 1051−1056.
  58. SA.BirandM.T., GelsthorpeR.V. Experimental millimetric array using dielectric radiators fed by means of dielectric waveguide. //Electronic letters, v. 17, N 18, 1981. p. 633−635.
  59. S5.Itoh T. Open guiding structures for millimeter wave integrated circuits. // Microwave J., September, 1982. p. 113−126.
  60. Rutledge D.B., Schwarz S.E., Hwang T.-L., Angelakos D.J., Mei K.K., YokotaS. Antennas and waveguides for far-infrared integrated circuits. // IEEE J. Of quantum electronics, v. 16, N 5, 1980. p. 508−516.
  61. Klonh K.L. Metall walls in close proximity to a dielectric waveguide antenna. // IEEE Trans. On MTT, v. 29, N 9, 1981. p. 962−966.
  62. Ш. Мурмужев Б. А., Трифонов В. И. Сверхвысокочастотный измеритель мощности. / Положительное решение о выдаче авторского свидетельства по заявке № 4 446 652/24−09/97 728, приоритет от 24.06.88.
  63. С.С., МурмужевБ.А. Широкополосные ответвители на зеркальных диэлектрических волноводах. // Радиотехника, № 2, 1988. с. 86−87.
  64. Ю.Н., Харлашкин О. А. Прямоугольные волноводы класса «полый диэлектрический канал». //Радиотехника и электроника, т. 23, № 10, 1978. с. 2060−2068.
  65. Техника субмиллиметровых волн. / Под ред. проф. Р. А. Валитова. —М.: Сов. Радио, 1969. 480 с.
  66. М.И., Томашевский А. К., Шаров /7.77., Баймурагпов Е. А. Измерение мощности на СВЧ. -М.: Сов. Радио, 1976. 168 с.9%.Тимер Ф. Техника измерений на сверхвысоких частотах. —М.: Физматлит, 1963. 368 с.
  67. Измерения на миллиметровых и субмиллиметровых волнах. Методы и техника. /Под ред. Р. А. Валитова и Б. И. Макаренко. —М.: Радио и связь, 1984. 295 с.
  68. Benson F.A., Tuscher F.J. Some guiding structures for millimeter waves. // Proc. IEE, v. 131, Pt. A, N 7, 1984. p. 429−449.
  69. Anderson T.N. State of the waveguide art. //Microwave J., December, 1982. p. 22−48.
  70. Нетепловое воздействие импульсного СВЧ излучения на биологические объекты. / Отчет ИРЭ АН СССР, № 169−18−80, Шифр «Мишень-ИРЭ», М., 1981.
  71. М.Д., ЦоппЛ.Э. Детектирование и излучение мощности СВЧ излучения наносекундной длительности. // Радиотехника и электроника, т. 20, № 8, 1975. с. 1691−1693.
  72. В.А. Удостоверение на серебряную медаль ВДНХ СССР за достигнутые успехи в развитии народного хозяйства СССР, № 10 427. Постановление от 14.06.88 г., № 309.Н.
  73. Билько М. К, Томашевский А. К. Измерители мощности на СВЧ. —М.: Сов. Радио, 1986.
  74. Clark R.F. The microcalorimeter as a national microwave power standard. // Proc. IEEE, v. 74, N 1, 1986. p. 102−104.
  75. В.А., Трифонов В. И. Способ калибровки измерителя мощности на инерционном элементе. / ИРЭ АН СССР. Авторское свидетельство1 748 080. Заявка № 4 739 095, приоритет изобретения 20.09.90., опубл. в Б.И. 15.07.92., № 26, МКИ G01R21/04.
  76. В.А., Трифонов В. И. Измеритель мощности короткой части миллиметрового диапазона. / Радиоастрономическая аппаратура. XXI Всесоюзная конференция. Тезисы докладов. —Ереван, АН Арм. ССР, ч. 1, 1989. С. 6.
  77. А.Г. и др. Применение прецизионных аналоговых микросхем. -М.: Радио и связь, 1985.
  78. Измеритель мощности излучения. Авторское свидетельство № 693 782 с приоритетом от 14.11.77.
  79. С.М. Проектирование СВЧ устройств радиоприемных устройств. — М.: Энергия, 1969.
  80. Н.А., Корольков Д. В., Парийский Ю. Н. Радиотелескопы и радиометры. -М.: Наука, 1973.
  81. Кристаллические детекторы. /Под ред. Е. Я. Пумпера, -М.: Сов. Радио, т. 1,2, 1950.
  82. Д.Н., Халилов А. Ю. Электрические свойства InSb. IIЖТФ, т. 25, № 1, 1956. с. 6−14.
  83. ГалавановВ.В. О ширине запрещенной зоны InSb. //ЖТФ, т. 27, № 4, 1957. с. 651−655.
  84. К.И., Галаванов В. В., Наследов Д. Н. Получение сурьямисто-го индия высокой степени чистоты методом зонной плавки. // ЖТФ, т. 27, № 9, 1957. с. 1976−1986.
  85. О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. -М.: «Мир», 1967.
  86. С. Электроградиентные явления в полупроводниках. / Серия электроны в полупроводниках, т. 5, Вильнюс, Мокелас, 1984.122.
  87. В. А., Трифонов В. И. Электрическое поле волн электродинамически связанных структур зеркальных волноводов. // Электродинамика и техника СВЧ, КВЧ и оптических частот, т. 10, выпуск 1 (33), 2002, с. 69−71.
  88. В. А., Толмачев М. М., Трифонов В. И. Нестационарная поперечная терм-ЭДС в анизотропных термоэлементах из p-CdSb при воздействии СВЧ импульса. // Электродинамика и техника СВЧ, КВЧ и оптических частот, т. 10, выпуск 1 (33), 2002, с. 72−76.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!