Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Исследование нелинейных элементов СВЧ цепей на основе сегнетоэлектриков

Диссертация: Исследование нелинейных элементов СВЧ цепей на основе сегнетоэлектриков
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

О. Г. Вендик, И. Г. Мироненко, Л.Т. Тер-Мартиросян. Размерные эффекты динамической поляризации в тонких слоях сегнетоэлектриков типа смещения// Физика Твердого Тела, 1984, Т. 26, Вып. 10, -С.3094 3100. П. Н. Юдин, М. А. Никольский, С. П. Зубко. Применение метода Монте-Карло для моделирования диэлектрического отклика сегнетоэлектирков// журнал Технической Физики, 2003, Т. 73, Вып. 8, -С. 56 61. О… Читать ещё >

Содержание

  • ВВЕДЕНИЕ б
  • ГЛАВА. 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Фазированные антенные решетки
    • 1. 2. Основные характеристики перестраиваемых СВЧ устройств на основе сегнетоэлектрических материалов
    • 1. 3. Физические предпосылки использования сегнетоэлектриков в приборах СВЧ диапазона г
    • 1. 4. Феноменологическое описание диэлектрического отклика сегнетоэлектрика
    • 1. 5. Применение метода частичных емкостей и конформных отображений для расчета емкости слоистой структуры, содержащей сегнетоэлектрик
    • 1. 6. СВЧ фазовращатели на сегнетоэлектриках
  • ГЛАВА. 2. ПОТЕРИ НА СВЧ В ЭЛЕКТРОДАХ РАСПРЕДЕЛЕННЫХ И
  • СОСРЕДОТОЧЕННЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ
  • ДОБРОТНОСТЬ ФАЗОВРАШАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА
    • 2. 1. Поглощение СВЧ энергии в сегнетоэлектрическом материале
    • 2. 2. Поглощение СВЧ энергии в линии передачи с тонким слоем
    • 41. ' диэлектрика
      • 2. 3. Поглощение СВЧ энергии в сосредоточенном элементе на основе сегнетоэлектрика
      • 2. 4. Потери в копланарной линии передачи, содержащей сегнетоэлектрическую пленку7 б
      • 2. 5. Потери во внешних цепях фазовращателя на основе сегнетоэлектрика
      • 2. 6. Фактор коммутационного качества сегнетоэлектрического компонента
      • 2. 7. Теоретическая оценка достижимых значений добротности фазовращателей на основе сегнетозлектрика
  • ГЛАВА 3. СВЧ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГШАНАРНОГО КОНДЕНСАТОРА
    • 3. 1. Моделирование и расчет емкости планарного конденсатора, содержащего тонкий слой сегнетозлектрика, методом частичных емкостей
    • 3. 2. Моделирование и расчет емкости многослойного, сегнетоэлектрического, планарного конденсатора
    • 3. 3. Моделирование и расчет емкости слоистого планарного конденсатора на основе пленки BaxSrixTi03 переменного состава
  • ГЛАВА 4. НЕЛИНЕЙНЫЕ ПЛАНАРНЫЕ ЛИНИИ ПЕРЕДАЧИ НА ОСНОВЕ СЕГНЕТОЗЛЕКТРИКА
    • 4. 1. Учет нелинейности сегнетоэлектрического слоя в модели планарного конденсатора
    • 4. 2. Учет нелинейности сегнетоэлектрического материала, входящего в состав планарных линий передачи
  • ГЛАВА 5. ДИСКРЕТНЫЙ, ОТРАЖАТЕЛЬНЫЙ 180-ГРАДУСНЫЙ СВЧ ФАЗОВРАЩАТЕЛЬ НА ОСНОВЕ СЕГНЕТОЗЛЕКТРИКА С МИНИМАЛЬНОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ К СТАТИСТИЧЕСКОМУ РАЗБРОСУ ПАРАМЕТРОВ СХЕМЫ
    • 5. 1. Анализ эквивалентной схемы фазовращателя
    • 5. 2. Анализ чувствительности характеристик фазовращателя к статистическому разбросу параметров его схемы
    • 5. 3. Построение топологии фазовращателя на основании электродинамического анализа схемы^
    • 5. 4. Экспериментальные результаты

Исследование нелинейных элементов СВЧ цепей на основе сегнетоэлектриков (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. S.C. Tidrow, Е. Adler, Т. Anthony, W. Weibach, and J. Synowczynski. Evaluating voltage tunable materials for RF phase shifter technology// Integrated Ferroelectrics, 2000, Vol. 28, -P. 151 — 160.

2. O.G. Vendik, S.P. Zubko. Modeling Microwave Dielectric Characteristics of Thin Ferroelectric Films for Tunable Planar Structures// Integrated Ferroelecrics, 2001, Vol. 34, Pt. 5, -P. 215 226.

3. Y. Liu, B. Acikel, A.S. Nagra, T.R. Taylor, P.J. Hansen, J.S. Speck, and R.A. York. Distributed phase shifters using (Ba, Sr) Ti03 thin films on sapphire and glass substrates// Integrated Ferroelectrics, 2001, Vol. 39, -P. 1263 1270.

4. F.W. Van Keuls, C.H. Mueller, R.R. Romanofsky, J.D. Warner, F.A. Miranda, and H. Jiang. A comparison of MOCLD with PLD BaxSrixTi03 thin films on LaA103 for tunable microwave applications// Integrated Ferroelectrics, 2001, Vol. 39,1. P. 1387 1398.

5. O.G. Vendik, I.B. Vendik, and V.O. Sherman. Commutation Quality Factor as a Working Tool for Optimization of Microwave Ferroelectric Devices// Integrated Ferroelectrics, 2002, Vol. 43, -P. 81 89.

6. O.G. Vendik, I.B. Vendik, V.V. Pleskachev, M.A. Nikol’ski, and M. L Khazov. Properties of Tunable Filters with Ferroelectric Capacitors// Integrated Ferroelectrics, 2002, Vol. 43, pp. 91 99.

7. O.G. Vendik, S.P. Zubko, and M.A. Nikol’ski. Optimization of reflection type microwave phase shifter with respect to sensitivity to statistical dispersion of circuit characteristics// Integrated Ferroelectrics, 2002, Vol. 49, -P. 141 149.

8. O.G. Vendik, I.В. Vendik, V.V. Pleskachev, M.A. Nikol’ski, M.L. Khazov. Tunable Microwave Filters Using Ferroelectric Materials// Integrated Ferroelectrics, 2002, Vol. 49, -P. 83 -92.

9. O.G. Vendik. Microwave Tunable Components and Subsystems Based on Ferroelectrics: Physics and Principles of Design// Integrated Ferroelectrics, 2002, Vol. 49, -P. 181 -190.

10. O.G. Vendik, S.P. Zubko, M.A. Nikol’ski. Theoretical estimation of achievable figure of merit of microwave ferroelectric phase shifters// ISIF2003, Agile Materials and Technologies Inc., Book of abstracts, 2003, paper No. 3.3.23-P, -P. 212 213.

11. O.G. Vendik, S.P. Zubko, M.A. Nikol’ski. Widening of operational temperature range of microwave ferroelectric tunable devices// ISIF2003, Agile Materials and Technologies Inc., Book of abstracts, 2003, paper No. 3.2.3-C, -P. 152 153.

12. O.G. Vendik, I.B. Vendik, V.V. Pleskachev.' Figure of Merit of Tunable Ferroelectric Planar Filters// ISIF2003, Agile Materials and Technologies Inc., Book of abstracts, 2003, paper No. 3.3.20-P, -P. 206 207.

13. I. Vendik, O. Vendik, V. Sherman, A. Svishchev, V. Pleskachev, A. Kurbanov, and R. Woerdenweber. Performance limitation of a tunable resonator with a ferroelectric capacitor// IMS Digest, 2000, Vol. 3, -P. 1371−1374.

14. A. Kozyrev, V. Osadchy, A. Pavlov, L. Sengupts. Application of ferroelectrics in phase shifter design// IMS Digest, 2000, Vol. 3, -P. 1355 1358.

15. R. Romanofsky, J. Bernhard, G. Washington, F. Van Keuls, F. Miranda, and C. Cannedy. A K-band linear phased array antenna based on Ba0.6Sr0.4TiO3 thin film phase shifters// IMS.

16. Digest, 2000, Vol. 3, -P. 1351 1355.

17. I. Vendik, O. Vendik, V. Pleskachev, A. Svishchev, and R. Woerdenweber. Design of tunable ferroelectric filters with a constant fractional bandwidth// IMS Digest, 2001, Vol. 3, -P. 1461 1464.

18. G. Subramanyan, F. Miranda, R. Romanofsky, and F. Van Keuls. A ferroelectric tunable microstrip Lange coupler for K-band applications// IMS Digest, 2001, Vol. 3, -P. 136 313 66.

19. D. Kim, Y. Choi, M. Allen et al. A wide bandwidth monolithic BST reflection type phase shifter using a coplanar waveguide Lange coupler// IMS Digest, 2002,1. P. 1471 1474.

20. B. Acikel, T. Taylor, P. Hansen et al. A new X band 180 high performance phase shifter using (Ba, Sr) TiC>3 thin films// IMS Digest, 2002, -P. 1467 1469.

21. A. Deleniv, A. Eriksson, S. Gevorgian. Design of narrowband tunable band-pass filter based on dual mode SrTi03 disc resonators// IMS Digest, 2002, -P. 1197 1200.

22. A. Eriksson, A. Deleniv, S. Gevorgian. Resonant tunneling of microwave energy in thin film multilayer metal/dielectric structures// IMS Digest, 2002, -P. 2009 -2012.

23. I.B. Vendik, O.G. Vendik, and E.L. Kollberg. Criterion for a switching device as a basis of microwave switchable and tunable components// Proc. 29th Eur. Microwave Conf., Germany, 1999, Vol. 3, -P. 187 190.

24. V. Sherman, К. Astafiev, A. Tagantsev, N. Setter, I. Vendik, O. Vendik. Design and investigation of ferroelectric digital phase shifter// Proc. 31st Eur. Microwave Conf., England, 2001, Vol. 3, -P. 185 188.

25. S. Gevorgian, P. Petrov, Z. Ivanov, and E. Kollberg. Reduction of temperature coefficient of capacitance in microwave ferroelectric devices// Proc. 31st Eur. Microwave Conf., England, 2001, Vol. 3, -P. 201 204.

26. S.S. Gevorgian, E.F. Carlsson, S. Rudner, U. Helmersson, E.L. Kollberg, E. Wikborg, O.G. Vendik. HTS/ferroelectric devices for microwave applications// IEEE Transactions on Applied superconductivity, 1997, Vol. 7, -P. 2458 2461.

27. H. Fuke, Y. Terashima, H. Kayano, M. Yamazaki, F. Aiga, and R. Katoh. Tuning properties of 2 GHz superconducting microstrip-line filters// IEEE Transactions on Applied superconductivity, 2001, Vol. 11, -P. 434 437.

28. M. Adam, D. Fuchs, and R. Schneider. Tuning of Y-Ba-Cu-0 ring resonator by Sr-Ti-0 thin films// IEEE Transactions on Applied superconductivity, 2003, Vol. 13, -P. 708 712.

29. B.H. Moeckly, L.S.-J. Peng, and G.M. Fischer. Tunable HTS microwave filters using strontium titanate thin films// IEEE Transactions on Applied superconductivity, 2003, Vol. 13, -P. 712 716.

30. F.W. Patten. DARPA program in high-temperature superconductivity: tunable high-Q filters// VI Symposium High Temperature Superconductors in High Frequency Fields, Italy, 2000, Abstracts No. OT8, -P. 31.

31. О. Г. Вендик, М. Д. Парнес. Антенны с электрическим сканированием., под ред. чл.-корр. РАН Л. Д. Бахраха, М.: Сайнс-Пресс, 2000, 232 С.

32. М. Д. Парнес. Фазированные антенные решетки в системахспутникового телевидения// Телеспутник, 1997, № 8(22), С. 58 60.

33. H.T. Friis, W.D. Lewis. Radar antennas// BSTJ, 1947, Vol. 26, No 2.

34. H.T. Friis. A new directional receiving system// PIRE, 1925, Vol. 18, No. 12.37. -П.Н. Рамлау. Изменение направления излучения направленной антенны// Техника радио и слабого тока, 1932, № 7.

35. А. А. Пистоль коре, П. Ш. Натадзе. Управление минимумом направленной характеристики// Техника связи, 1938, № 4.

36. JI.M. Гуревич. Комбинирование коротковолновых антенн для получения острой и управляемой направленности// М.:Электросвязь, 1939, № 1.

37. Н. Н. Шумская. Антенные системы с управляемой диаграммой направленности// М.:Электросвязь, 1941, № 4.

38. О. Г. Вендик, Ю. В. Егоров. Опыт создания и разработки теории ФАР (работа группы Ю. Я. Юрова 1955 I960 гг.), Сб. «Антенны» под ред. Л. Д. Бахраха, 1999, Вып. 1(42), -С 74 — 77.

39. B. Kreutel. IEEE Workshop on microwave application of ferroelectric films// Glen Research Center, Ohio Airspace Institute, Cleveland, USA, March 19 20, 2001.

40. D. Gait, Т. Rivkina, M. Cromer. Microwave tuning quality and power handling of voltage capacitors: Semiconductor varactors vs. BaixSrxTi03// in Proc. Matter. Res. Soc., 1998, -P. 341 — 347.

41. V.V. Pleskachev, I.B. Vendik. Comparison of Commutation Quality Factor of Microwave Capacitive Tunable Components// Proc. 2003 St.-Petersburg IEEE Chapters, St.-Petersburg Electrotechnical University, 2003, -P. 26 29.

42. H.H. Антонов, И. М. Бузин, О. Г. Вендик и др. Сегнетоэлектрики в технике СВЧ., под. ред. О. Г. Вендика, М.: Сов. радио, 1979, 272 С. 48., «Paratek's DRWiN™ Scanning Antennas// Microwave Product Digest, September 2001, -P. 24 and 30.

43. А. Б. Козырев. Сегнетоэлектрические фазовращатели для фазированной антенной решетки// Юбилейный выпуск журнала Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ», посвященный 70-летию проф. О. Г. Вендика, 2002, Серия «Физика твердого тела», -С. 115 -122.

44. O.G. Vendik, I.G. Mironenko, L.T. Ter-Martirosyan. Superconductors spur application of ferroelectric films// Microwave & RF, July 1994, -P. 67−70.

45. I.B. Vendik, O.G.Vendik, and E.L. Kollberg. Commutation quality factor of two-state switchable devices// IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 2000, Vol. 28, -P. 802 808.

46. Г. С. Хижа, И. Б. Вендик, Е. А. Серебрякова. СВЧ фазовращатели и переключатели., М. Радио и связь, 1984, 184 С.

47. О. Г. Вендик, М. С. Гашинова, А. Н. Деленив. Влияние тонкой пленки сегнетоэлектрика на характеристики микрополосковой линии передачи// Письма в журнал технической физики, 2002, Т. 28, Вып. 11, -С. 37 43.

48. R.K. Hoffman. Handbook of microwave integrated circuits., Boston, London: Artech House, 1987.

49. I. Kasa/ Microwave integrated circuits// New York: Elsevier, 1991.

50. В. Л. Гинзбург. О поляризации и пьезоэффекте титаната бария вблизи точки сегнетоэлектрического перехода// Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики, 1949, Т. 19, -С. 36 41.

51. B.JI. Гинзбург. Теория сегнетоэлектрических явлений// Успехи Физических Наук, 1949, Т. 38, Вып. 4, -С. 490 525.

52. B.JI. Гинзбург. Несколько замечаний о фазовых переходах второго рода и микроскопической теории сегнетоэлектриков// Физика Твердого Тела, 1960, Т. 2, Вып. 9, -С. 2031 2043.

53. A.F. Devonshino Theory of barium titanate Part I// Philosophical Magazine, 1949, Vol. 40, -P. 1040 — 1063. Theory of barium titanate — Part II// Philosophical Magazine, 1951, V. 42, -P. 1065 — 1079.

54. Г. А. Смоленский. Физика сегнетоэлектрических явлений., Л.: Наука, 1985, 396 С.

55. Г. А. Смоленский. Сегнетоэлектрические свойства некоторых кристаллов// ДАН СССР, 1952, Т. 85, № 5, -С. 985 987.

56. К. Be the. Clber das mikrowellenverhalten nichlinearerdielektrika// Philips Res. Repts. Suppl., 1970, N 2, -P. 1 -145.

57. D. Gait, J.C. Price, J. A. Beall, and R.H. Ono. Characterization of a tunable thin film microwave YBa2Cu3C>75 SrTi03 coplanar capacitor// Applied Physics Letters, 1993, Vol. 63, N 22, -P. 3078 3080.

58. O.G. Vendik, S.P. Zubko, S.F. Karmanenko, M.A. Nikol’ski, N.N. Isakov, I.T. Serenkov, V.I. Sakharov. Layered planarcapacitor based on BaxSrixTi03, a-Al203 film with variable parameter x// Journal of Applied Physics, 2002, Vol. 91, Is. 1, -P.331 335.

59. Special issue on the microwave and millimeter wave applications of high temperature superconductivity// IEEE Trans. On MTT, 1996, Vol. 44, No. 7, -P. 1193 1392.

60. O.G. Vendik. Cryoelectronics (Lecture course)// St.-Petersburg Electrotechnical University, 1998.

61. Vendik O.G., L.T. Ter-Martirosyan, A.I. Dedyk, S.F. Karmanenko, R.A. Chakalov. High-Tc superconductivity: new applications of ferroelectrics at microwave frequencies// Ferroelectrics, 1993, Vol. 144, -P. 33−43.

62. E.K. Гольман, В. И. Гольдрин, В. Е. Логинов, A.M. Прудан, А. В. Земцов. Свойства пленок BaxSrixTi03, выращенных методом ВЧ магнетронного распыления на сапфире с подслоем SrTi03// Письма в Журнал Технической Физики, 1999, Т. 25, Вып. 14, -С. 1−5.

63. S.S. Gevorgian, E.L. Kollberg. Do we really need ferroelectrics in paraelectric phase only in electrically controlled microwave devices?// IEEE Transactions on microwave theory and technique, 2001, Vol. 49, No. 11, -P. 2117 2124.

64. O.G. Vendik, S.P. Zubko. Modeling the dielectric response of incipient ferroelectrics// Journal of Applied Physics, 1997, Vol. 82, No. 9, -P. 4475 4483.

65. O.G. Vendik, L.T. Ter-Martirosyan, S.P. Zubko. Microwave losses in incipient ferroelectrics as a function of the temperature and the biasing field// Journal of Applied Physics, 1998, Vol.' 84, No. 29, -P. 993 998.

66. O.G. Vendik, L.T. Ter-Martirosyan. Influence of charged defects on the dielectric response of incipient ferroelectrics// Journal of Applied Physics, 1998, Vol. 87, No. 3, -P. 1435 1439.

67. O.G. Vendik, M.A. Nikol’ski, S.P. Zubko. Ferroelectric materials as a basis of microwave tunable components// Journal of Applied Physics, 2003, submitted.

68. A.K. Tagantsev. DC-electric-field-induced microwave loss in ferroelectrics and intrinsic limitation for the quality factor of a tunable component// Applied Physics Letters, 2000, Vol. 76, No. 9, -P. 1182 1184.

69. P. Блинц, Б. Жекш. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики., М.: Мир, 1975.

70. В. Г. Вакс.

Введение

в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков., М.: Наука, 1973, 328 С.

71. О. Г. Вендик, JI.T. Тер-Мартиросяню Размерный эффект в слоистых структурах: сегнетоэлектрик-нормальный металл и сегнетоэлектрик-ВТСП// Физика Твердого Тела, 1994, Т. 36,1. Вып. 11, -С. 3343 3351.

72. Б. Я. Балагуров, В. Г. Вакс, Б. И. Шкловский. // Физика Твердого Тела, 1970, Т. 12, -С. 89.

73. О. Г. Вендик. Затухание сегнетоэлектрической моды в кристалле типа SrTi03// Физика Твердого Тела, 1975, Т. 17, -С. 1683 1690.

74. А. К. Таганцев. О диэлектрических потерях в сегнетоэлектриках типа смещения// Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики, 1984, Т. 86, -С. 2215 2228.

75. B.JI. Гуревич, А. К. Таганцев. // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики, 1986, Т. 91, -С. 245.

76. О. Г. Вендик, JI.M. Платонова. Влияние заряженных дефектов на диэлектрические свойства материалов// Физика Твердого Тела, 1971, Т. 13, -С. 1617 1625.

77. Е. Schloeman. // Physical Review, 1964, Vol. 135, A413−9.

78. О. Г. Вендик, А. Я. Зайончковский, В. В. Коноваленко, А. С. Рубан, Т. Б. Самойлова, Д. Д. Шапанский. Центральный пик в спектре флуктуаций и диэлектрические потери в SrTi03 при 4,2 К// Физика Твердого Тела, 1977, Т. 19, -С. 1442 1444.

79. П. Н. Юдин, М. А. Никольский, С. П. Зубко. Применение метода Монте-Карло для моделирования диэлектрического отклика сегнетоэлектирков// журнал Технической Физики, 2003, Т. 73, Вып. 8, -С. 56 61.

80. Т. Hirano, Т. Fujii, К. Fujino, К. Sakuto, Т. Kobayashi, Epitaxial SrTi03 thin films grown by ArF excimer laser deposition// Japanese Journal of Applied Physics, 1992, Vol. 31, Part 2., N 4B, -P. L511 L514.

81. F.A. Miranda, C.H. Mueller, G.A. Koepf, R.M. Yandrofski. Electrical response of erroelectric/superconducting/dielectric BaxSri-xTiOs/YBaaCu^-s/LaAlO-j thin-film multilayer structures// Supercond. Sci. Technol., 1995, Vol. 8, -P. 755 763.

82. G.V. Belokopytov. Low-temperature nonlinear microwave response of incipient ferroelectrics// Ferroelectrics, 1995, Vol. 168, -P. 69 89.

83. S. Komatsu, K. Abe. Crystallographic orientation dependence of dielectric constant in epitaxially grown SrTiCb films// Japanese Journal of Applied Physics, 1995, Vol. 34, Part 1., N 7A, -P. 3597 3601.

84. O.G. Vendik, S.P. Zubko, L.T. Ter-Martirosyan. Experimental evidence of the size effect in thin ferroelectric films// Appl. Phys. Let., 1998, Vol. 73, No. 1, -P. 37 39.

85. O.G. Vendik, I.G. Mironenko, L.T. Ter-Martirosyan. Some properties and application of ferroelectrics at microwaves// I. de Physique. Colloque C-2, Suppl., 1972, Vol. 33, -P. 277.

87. О. Г. Вендик, И. Г. Мироненко, Л.Т. Тер-Мартиросян. Размерные эффекты динамической поляризации в тонких слоях сегнетоэлектриков типа смещения// Физика Твердого Тела, 1984, Т. 26, Вып. 10, -С.3094 3100.

88. О. Г. Вендик, С. П. Зубко, Л.Т. Тер-Мартиросян. Корреляционные эффекты в сегнетоэлектрическом тонкопленочном конденсаторе// Физика твердого тела, 1996, Т. 38, № 12, -С. 3654 3664.

89. А. Н. Деленив. К вопросу о погрешности метода частичныхемкостей// Журнал Технической Физики, 1999, Т. 69, Вып. 4, 1. С. 8 14.

90. О. Г. Вендик, С. П. Зубко, М. А. Никольский. Моделирование и расчет емкости планарного конденсатора, содержащего тонкий слой сегнетоэлектрика// Я^рнал Технической Физики, 1999,1. Т. 69, Вып. 4, -С. 1−7.

91. В. И. Лаврик, В. Н. Савельев. Справочник по конформным отображениям. Киев: «Наукова Думка., 1970, 252 С.

92. К. Гупта, Р. Гарда, Р. Чадха. Машинное проектирование СВЧ устройств., пер. с англ. М.: Радио и связь, 1987.-, 432 С.: ил.

93. Э. С. Кочанов. Паразитные емкости в печатном монтаже радиоаппаратуры// Радиотехника, 1967, Т. 22, № 7, -С. 82−85.

94. Э. С. Кочанов. Емкость планарной полосковой линии с учетом толщины диэлектрической подложки// Радиотехника, 1975, Т. 30, № 1, -С. 92−94.

95. S.S. Bedair, I. Wolf. Fast accurate and simple approximate analytic formulas for calculating the parameters of supported coplanar waveguides for MMIC4s// IEEE Trans, on MTT, 1992, Vol. 40, No. 1, -P. 41−48.

96. S. Gevorgian, P. Linn6r, E.L. Kollberg. CAD models for shielded multilayered CPW// IEEE Trans, on MTT, 1995, Vol. 43, No. 4, -P. 772 779.

97. E. Chen, S.Y. Chou. Characteristics of coplanar transmission line on multilayer structures modeling and experiments// IEEE Trans, on MTT, 1997, Vol. 45, No. 6, -P. 939 945.

98. A.I. Dedyk, N.W. Plotkina, L.T. Ter-Martirosyan. The dielectric hysteresis of YBC0-SrTi03-YBC0 structures at 4.2 K// Ferroelectrics, 1993, Vol. 144, -P. 77 81.

99. А. И. Дедык, A.M. Прудан, JI.Т. Тер-Мартиросян. Электропроводность МДМ структур на основе монокристалла титаната стронция// Физика Твердого Тела, 1984, Т. 26,1. Р. 299 -301.

100. А. И. Дедык, A.M. Прудан, Л.Т. Тер-Мартиросян. Электропроводность высокоомных кристаллов титаната стронция в интервале температур 150 400 К// Физика Твердого Тела, 1985,1. Т. 27, -С. 1615 1619.

101. К. Astafiev, V. Sherman, A. Tagantsev, N. Setter, Т. Rivkin, D. Ginley. Investigation of Electrical Degradation Effects in Ferroelectric Thin Film Based Tunable Microwave Components// Integrated Ferroelectrics, 2002, Vol. 49,1. P. 103 112.

102. I.A. Stolichnov, N. Setter, A.K. Tagantsev, N. Cross, and M. Tsukada. //Appl. Phys. Lett., 1999, Vol. 14, -P. 3552.

103. H.H. Антонов, О. Г. Вендик, А. А. Дахнович и И. Г. Мироненко. Авторское свидетельство № 1 286 681/26−9 от 02.12.1968, заявитель: Ленинградский электротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина), Описание изобретения № 261 493, Бкшллетень № 5, 1970.

104. Полупроводники на основе титана бария. Под ред. В. М. Петрова, М., «Энергоиздат», 1981, 327 С.

105. С. П. Зубко, A.X. Курбанов. Обеспечение устойчивой работы сверхвысокочастотных сегнетоэлектрических устройств в широком температурном диапазоне// Письма в журнал 'технической физики, 2003, Т. 29, Вып. 17, -С. 55−62.

106. Microstrip phase shifter// U.S. Patent, 2002, Ser.

107. А. Козырев, А. Иванов, О. Солдатенков, E. Гольман, А. Прудан, В. Логинов/ СВЧ фазовращатель с планарными конденсаторами на основе пленок титаната стронция// Письма в журнал технической физики, 1999, Т. 25, Вып. 20, -С. 78 83.

108. А. Козырев, М. Гайдуков, А. Гагарин, А. Тумаркин, С. Разумов. Волноводно-щелевой 60 ГГц фазовращатель на основе (Ba, Sr) TiC>3 сегнетоэлектрической пленки// Письма в журнал технической физики, 2002, Т. 28, Вып. 6, -С. 51 56.

109. А.Б.', Козырев, А. В. Иванов, О. И. Солдатенков, А. В. Тумаркин, С. В. Разумов, С. Ю. Айгунова. 60 GHz фазовращатель на основе (Ba, Sr) Ti03 сегнетоэлектрической пленки// Письма в журнал технической физики, 2001, Т. 27, Вып. 24, -С. 16 21.

110. Y. Liu, В. Acikel, A. S. Nagra, Т. R. Taylor, P. J. Hansen, J. S. Speck, and R. A. York. Distributed phase shifters using (Ba, Sr) Ti03 thin films on sapphire and glass substrates// Integrated Ferroelectrics, 2001, Vol. 39,1. P. 1263 1270.

111. I. Vendik. Phenomenological model of the microwave surface impedance of high-Tc superconducting films// Supercond.

112. Sci. Technol., 2000, Vol. 13, -P. 974 982.

113. T. Edwards. Foundations for microstrip circuit design., Jonh Wiley & Sons Ltd, 1991.

114. Л. Д. Ландау, E.M. Лившиц. Электродинамика сплошных сред., 1957, М.: Государственное издательство технико-теоретической литературы, 532 С.

115. Z.-G. Ban, S.P. Aplay. Phase diagrams and dielectric response of epitaxial barium strontium titanate films: A theoretical analysis// Journal of Applied Physics, 2002, Vol. 91, No. 11, -P. 9288 9296.

116. Z.-G. Ban, S.P. Aplay. Optimization of the tunability of barium strontium titanate films via epitaxial stresses, 2003, Journal of Applied Physics, Vol. 93, No. 1, -P. 504 511.

117. I. Vendik, 0. Vendik, V. Pleskachev, A. Svishchev, and R. Woerdenweber. Design of tunable ferroelectric filters with a constant fractional bandwidth// IMS Digest, 2001, Vol. 3, -P. 1461 1464.

118. B.B. Афросимов, P.H. Ильин, С. Ф. Карманенко, H.M. Панов, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков. Исследование границы раздела между пленками BaxSrixTi03 и МдО подложкой // Поверхность, 1997, № 8, -С. 71 75.

119. D. Huther, U. Gutner, О. Meyer, J. Reiner, G. Linker. High-resolution Rutherford backscattering study of ultrathin YBCO film growth on SrTi03 and MgO // Applied Physics Letters, 1994, Vol. 65, -P. 2863 2865.

Показать весь текст
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!