Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Создание и исследование локализованных одномерных и двумерных наноструктур для систем диагностики

Диссертация: Создание и исследование локализованных одномерных и двумерных наноструктур для систем диагностики
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Целью настоящей работы является исследование процессов формирования малых ансамблей и одиночных полупроводниковых и металлорганических нановискеров, исследование их механических, электронных и оптических свойств, создание на их основе функциональных наноструктур для локальной диагностики материалов, в том числе полупроводниковой природы методами СЗМ. Вместе с тем, малым ансамблям, насчитывающим… Читать ещё >

Содержание

  • Список сокращений
  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Одномерные и двумерные микро- и наноструктуры
    • 1. 2. Методы формирования вискерных наноструктур
    • 1. 3. Туннельный ток и локальная плотность состояний
    • 1. 4. Механические свойства одномерных систем
    • 1. 5. Зонды для сканирующей зондовой микроскопии, спектроскопии и зондовой литографии
    • 1. 6. Интеграция микро- и наноструктур в микрофлюидные чипы
  • Глава 2. Формирование микро- и наноструктур
    • 2. 1. Формирование полупроводниковых нановискеров и структур на их основе
    • 2. 2. Фокусированный электронный пучок. Формирование углеродных нановискеров и структур на их основе
    • 2. 3. Модель роста углеродных нановискеров
    • 2. 4. Формирование металлорганических нановискеров и структур на их основе
    • 2. 5. Формирование упорядоченного массива нановискеров. Электронная литография. .69 2.6. Формирование микро- и наноструктур фокусированным ионным пучком
  • Глава 3. Исследование свойств вискерных наноструктур
    • 3. 1. Электронные свойства ОаАэ нановискеров
    • 3. 2. Особенности вольт-амперных характеристик наноструктур в форме замкнутых наноколец
    • 3. 3. Механические характеристики одиночных нановискеров
    • 3. 4. Оптический плазмонный резонанс на упорядоченном массиве металлических нановискеров
  • Глава 4. Применение вискерных микро- и наноструктур для систем диагностики
    • 4. 1. Одиночные нановискеры. Модификация СЗМ зондов
    • 4. 2. Микро- и наноструктуры на основе нановискеров. Модификация СЗМ зондов
    • 4. 3. Одиночные углеродные нанолезвия. Модификация СЗМ зондов
    • 4. 4. Микро- и наноструктуры на основе замкнутого кольца. Модификация МСМ зондов
    • 4. 5. Одиночные нановискеры. Модификация СБОМ зондов
    • 4. 6. Оптический плазмонный резонанс на упорядоченном массиве металлорганических нановискеров
    • 4. 7. Массив наноструктур. Наноканалы в микрофлюидном чипе

Создание и исследование локализованных одномерных и двумерных наноструктур для систем диагностики (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Одним из основных направлений развития современных нанотехнологий является создание, исследование свойств и применение низкоразмерных систем, таких как: квантовые ямы, квантовые проволоки, нановискеры, квантовые точки, в которых свободное движение электронов ограничено в одном, двух или трех направлениях [1]. В последние годы основное внимание уделяется созданию, исследованию и применению наноструктур, представляющих собой большие ансамбли нановискеров [2].

Вместе с тем, малым ансамблям, насчитывающим небольшое число нановискеров, или одиночным нановискерам, локализованным на заранее заданных участках поверхности, в том числе на поверхности острий малого радиуса (радиус острия составляет десятки и сотни нанометров), уделяется недостаточное внимание. Интерес к таким объектам обусловлен несколькими причинами.

Во-первых, нановискеры, наностержни и нанотрубки могут выступать в качестве базы для формирования новых микрои наноустройств. Механические, электронные и оптические свойства таких объектов значительно отличаются от свойств трехмерных материалов [3].

Во-вторых, большой интерес, как с теоретической, так и прикладной точек зрения, представляют двухи трехмерные нанообъекты, составленные из нановискеров. Такие малые ансамбли нановискеров могут иметь вид плоских или объемных графов, с одномерными ребрами. При определенных условиях свойства подобных объектов могут быть описаны с привлечением формализма одномерных криволинейных наноструктур. Как показано в [4], искривляя в пространстве одномерные и двумерные элементы и сочетая их различным способом в плоскости или в объеме, можно управлять их электронными свойствами.

В-третьих, локализация одиночного полупроводникового нановискера на вершине металлического острия создает условие к исследованию его электронных, механических и оптических характеристик методами сканирующей туннельной, силовой и ближнепольной микроскопий.

Наконец, данный подход может стать основой для создания элементов нанофотоники, нанофлюидики, автоэмиссионных и жидкометаллических катодов, специализированных зондов с повышенным пространственным разрешением для нанодиагностики материалов методами сканирующей туннельной, силовой, ближнепольной, в том числе терагерцовой, микроскопий [5].

Целью настоящей работы является исследование процессов формирования малых ансамблей и одиночных полупроводниковых и металлорганических нановискеров, исследование их механических, электронных и оптических свойств, создание на их основе функциональных наноструктур для локальной диагностики материалов, в том числе полупроводниковой природы методами СЗМ.

Задачами работы являются.

• Развитие методов формирования СтаАз, С наноструктур, металлорганических Р1 и соединений, состоящих из нановискеров и выращенных на вершинах и острий с радиусом кривизны, сравнимым с радиусом нановискера.

• Создание модели роста и численное моделирование процесса формирования наноструктур на вершине острия под действием фокусированного электронного пучка.

• Локализация одиночного полупроводникового ваАэ нановискера на вершине острия и измерение ширины запрещенной зоны нановискера методом упругой туннельной спектроскопии.

• Исследование механической устойчивости нановискера, локализованного на вершине острия, и исследование пространственного разрешения СЗМ зондов с нановискерами на вершине.

• Создание упорядоченной матрицы из нановискеров и исследование ее оптических свойств.

• Введение малого ансамбля упорядоченных нановискеров в канал микрофлюидного чипа с целью объединения методов микрофлюидики и наноплазмоники для захвата, фиксации и детектирования биологических объектов в их нативном состоянии.

Структура диссертации. Диссертация содержит введение, четыре главы, заключение и список литературы.

Основные результаты данной работы заключаются в следующем:

• Массив полупроводниковых СтаАз нановискеров выращен методом молекулярно-пучковой эпитаксии на острие иглы. Освоена модификация массива с помощью технологии ФИП, обеспечивающая изменение его конфигурации с получением, в частности, одиночных нановискеров.

• Электронные характеристики одиночного ОаАэ нановискера определены с помощью метода сверхвысоковакуумной упругой туннельной спектроскопии. Анализ зависимости с11/с1У (У) показал, что ширина запрещенной зоны (ЗаА5 нановискера составляет-1,5 эВ.

• Предложена математическая модель, описывающая формирование двумерных углеродных наноструктур под действием фокусированного электронного пучка. Данная модель учитывает влияние электрического поля пучка электронов. В рамках предложенной модели разработана программа для численного моделирования формирования углеродного нанолезвия.

• Предложен метод формирования одномерных, двумерных и трехмерных локализованных наноструктур, состоящих из ОаАэ, С и металлорганических нановискеров.

• Проведено теоретическое исследование механической устойчивости нановискеров под действием продольной сжимающей силы. Определено значение критической силы потери устойчивости.

• Предложены модифицированные СЗМ зонды на основе нановискеров, повышающие пространственное разрешение при исследовании поверхностей с развитым рельефом.

• Предложены модифицированные СЗМ зонды-наноскальпели на основе одиночных С наноструктур для локальной модификации поверхности образцов.

• Предложен зонд на основе проводящей нанопетли для локального исследования магнитных свойств образцов.

• Предложен оптический элемент на основе массива металлорганических нановискеров, генерирующий и распространяющий поверхностную электромагнитную волну с частотой, соответствующей видимому диапазону спектра. • Предложены новые топологии микрофлюидных систем для фиксации, сортировки и детектирования биообъектов.

Заключение

.

Настоящая работа посвящена исследованию процессов формирования малых ансамблей и одиночных полупроводниковых и металлорганических нановискеров, исследование их механических, электронных и оптических свойств, а также созданию на их основе функциональных наноструктур для локальной диагностики материалов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. JI. Ченг, К. Плог. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. М.: Мир. 1989. 584 с.
  2. В.Г. Дубровский. Теоретические основы технологии полупроводниковых наноструктур: учебное пособие. СПб: Изд-во СПбГУ. 2006. 347 с.
  3. By Younan Xia, Peidong Yand and etc. One-dimensional nanostructures: synthesis, characterization, and applications // Adv. Mater. 2003. Vol. 15. No. 5. P. 353.
  4. Л.И. Магарилл, A.B. Чаплик, M.B. Энтин. Электроны в криволинейных структурах // УФН. 2005. Т. 175. № 9. С. 995.
  5. Т. Н. Taminiau, F. D. Stefani, F. В. Segerink, and N. F. van Hulst. Optical antennas direct single-molecule emission // Nat. Photonics. 2008. N. 2. P. 234.
  6. W.F. van Dorp. C.W. Hagen. A critical literature review of focused electron beam induced deposition // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 104. No. 8. P. 813 101−42
  7. P. Poncharal, Z.L. Wang, D. Ugarte, W.A. de Heer. Electrostatic deflections and electromechanical resonances of carbon nanotubes // Science. 1999. Vol. 283. P. 1513.
  8. A.M. Кривцов, Н. Ф. Морозов. О механических характеристиках наноразмерных объектов // ФТТ. 2002. Т. 44. Вып. 12. С. 2158.
  9. Л.Д.Ландау, Е. М. Лившиц. Квантовая механика. М.: физ.-мат.лит. 1963. 368 с.
  10. J.M.Romo-Herrera, М. Terrones, Н. Terrones, S. Dag, V. Meunier. Covalent 2D and 3D networks from ID nanostructures: designing new material // NanoLett. 2007. Vol. 7. No. 3. P 570.
  11. M. Terrones, F. Banhart, N. Grobert, J.-C. Charlier, H. Terrones, P.M. Ajayan. Molecular junctions by joining single-walled carbon nanotubes // PRL. 2002. Vol. 89. No. 7. P. 75 505.
  12. P.M. Ajayan, V. Ravikumar, J.-C. Charlier. Surface reconstructions and dimensional changes in single-walled carbon nanotubes // Phys. Rev.Lett. 1998. Vol. 81. No. 7. P. 1437
  13. B.C. Satishkumar, P.J. Thomas, A. Govindaraj, C.N. Rao. Y-junction carbon nanotubes // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 77. N. 16. P. 2530.
  14. J. Park, C. Daraio, S. Jin, P.R. Bandaru. Three-way electrical gating characteristics of metallic Y-junction carbon nanotubes // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88. P. 243 113.
  15. N. Gothard, C. Daraio, J. Gaillard, R. Zidan, S. Jin, A.M. Rao. Controlled Growth of Y-Junction Nanotubes Using Ti-Doped Vapor Catalyst // Nano Lett. 2004. Vol. 4. No. 2. P. 213.
  16. M. S. Fuhrer, J. NygHrd, L. Shih, M. Forero, Young-Gui Yoon, M. S. C. Mazzoni, Hyoung Joon Choi, Jisoon Ihm, Steven G. Louie, A. Zettl, Paul L. McEuen. Crossed nanotube junctions // Scince. 2000. Vol. 288. P. 494.
  17. Y. Huang, X. Duan, Y. Cui, L.J. Lauhon, K.-H. Kim, C.M. Lieber. Logic gates and computation from assembled nanowire buildings block // Science. 2001. Vol. 294, P. 1313.
  18. Y. Cui, C.M. Lieber. Functional Nanoscale Electronic Devices Assembled Using Silicon Nanowire Building Blocks // Scince. 2001. Vol. 291. P. 851.
  19. Y. Cui, L.J. Lauhon, M.S. Gudiksen, J. Wang, C.M. Lieber. Diameter-controlled synthesis of single-crystal silicon nanowires // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 78. P. 2214.
  20. Y. Huang, X. Duan, Q. Wei, C.M. Lieber. Directed assembly of one-dimensional nanostructures into functional networks // Science. 2001. Vol. 291. P. 630.
  21. X. Duan, C.M. Lieber. Laser-Assisted Catalytic Growth of Single Crystal GaN Nanowires // J. Am. Chem. Soc. 2000. Vol. 122. P. 188.
  22. R.S. Wagner and W.C. Ellis. Vapor-Liquid-Solid Mechanism of Single Crystal Growth // Appl. Phys. Lett. 1964. Vol. 4. No. 5. P. 89.
  23. Е.И., Чернов A.A. Скорость роста нитевидных кристаллов по механизму пар-жидкость-кристалл и роль поверхностной энергии // Кристаллография. 1973. Т. 18. № 1. С. 147.
  24. Горбунова К. М, Никифорова A.A. Физико-химические основы процесса химического никелирования. Учеб. пособие. М: АН СССР. 1960. 423 с.
  25. Ohachi Т., Taniguchi I. Growth of Silver Whiskers and Transport of Silver Atoms in Silver Atoms in Silver Chalcogenides // Sei. Eng. Rev. Doshisha Univ. 1974. V. 15. № 1. P. 1.
  26. Г. В. Нитевидные кристаллы. Учеб. пособие. М: Наука. 1969. 155 с.
  27. P. G. Lucasson, R. М. Walker. Energy dependence of electron-induced atomic displacements in AI, Ag, Cu, Fe //Faraday Soc. 1961. № 31. P. 57.
  28. Alfredo M. Morales, Charles M. Lieber. A laser ablation method for the synthesis of crystaline semiconductor nanowires // Science, 1998. № 279. P. 208.
  29. Randolph S. J., Fowlkes J. D. and Rack P. D. Focused, Nanoscale Electron-Beam-Induced Deposition and Etching // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. 2006.Vol.31:3.P. 55.
  30. N. Silvis-Cividjian, C.W. Hagen, P. Kruit. Direct fabrication of nanowires in an electron microscope // Appl. Phys. Let. 2003. № 20. P. 3514.
  31. J. Hiller. On the investigation of specimen contamination in the electron microscope // J. App. Phys. 1948. Vol. 19. P. 226.
  32. A. G. Baker and W. C. Morris. Deposition of metallic films by electron impact decomposition of organometallic vapors // Review of Scientific Instruments. 1961. Vol. 32, P. 458.
  33. J. Tersoff and D. R. Hamann. Theory and application for the scanning tunneling microscope // Phys. Rev. Lett. 1983. Vol. 50. P. 1998.
  34. J. Tersoff and D.B. Hamann, Theory of the scanning tunneling microscope // Phys. Rev. B. 1985. Vol. 51. P. 805.
  35. В.Я. Демиховский, Д. О. Филатов. Исследование электронных состояний в низкоразмерных структурах методами сканирующей зондовой микроскопии. Н.Н. 2007. 77 с.
  36. J.A.Kubby, J.J. Boland. Scanning tunneling microscopy of semiconductor surfaces // Surface Science Reports. 1996. Vol. No. 26. P. 61.
  37. R.L. Mehan, J.A. Herzog. Mechanical properties of whiskers. Inc.: New York. 1970 P. 157−195.
  38. C.C. Evans. Whiskers. MB.: London. 1972. P. 46−65.
  39. M.M.J. Treacy, T.W. Ebbesen, J.M. Gibson. Exceptionally high Young’s modulus observed for individual carbon nanotubes // Nature. 1996. Vol. 381. P. 678.
  40. P. Poncharal, Z.L. Wang, D. Ugarte, W.A. de Heer. Electrostatic deflections and electromechanical resonances of carbon nanotubes // Science. 1999. Vol. 283. P. 1513.
  41. E.W. Wong, P.E. Sheehan, C.M. Lieber. Nanobeam mechanics: elasticity, strength, and toughness of nanorods and nanotubes // Science. 1997. Vol. 277. P. 1971.
  42. Young R. Field Emission Ultramicrometer // Rev. Sci. Instrum. 1966. Vol. 37. P. 275.
  43. Young R., Ward J., Scire F. Observation of Metal-Vacuum-Metal Tunneling, Field Emission and Transition Region // Phys. Rev. Lett. 1971. Vol. 27. P. 922.
  44. Young R., Ward J., Scire F. The Topografmer: An Instrument for Measuring Surface Microtopography // Rev. Sci. Instrum. 1972. Vol. 43. P. 999.
  45. Binnig G., Rohrer H. Scanning tunneling microscopy // Helv. Phys. Acta. 1982. Vol. 55. P. 726.
  46. Binnig G., Rohrer H., Gerber Ch., Weibel E. Tunneling through a controllable vacuum gap //Appl. Phys. Lett. 1982. Vol. 40. P. 178.
  47. G., Rohrer H., Gerber Ch., Weibel E. 7 * 7 Reconstruction on Si(l 11) Resolved in Real Space // Phys. Rev. Lett. 1983. Vol. 50. P. 120.
  48. Wichramasinghe H. Progress in scanning probe microscopy // Acta materiala. 2000. Vol. 48. P. 347.
  49. Д.И. Основы квантовой механики. М.: Наука. 1983. 664 с.113
  50. Л.Д., Лнфшид Е. М. Квантовая механика (нерелятивистская теория). Издание 5-е. -М.: Физматлит. 2001. 808 с.
  51. В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. М.: Техносфера. 2005. 144 с.
  52. B.C. Летохов. Проблемы нанооптики // УФН. 1999. Т. 169. №. 3. С. 345.
  53. М.Н. Либенсон. Преодоление дифракционного предела в оптике // Соросовский образовательный журнал. 2000. Т. 6. №. 3. С. 99.
  54. A. Manz, N. Graber, Н. Widmer. Miniaturized total chemical analysis systems, a novel concept for chemical sensing // Sensors and Actuators B. 1990. Chemical В 1(1:6). P. 244.
  55. A.A. Евстрапов. Физические методы управления движением и разделением микрочастиц в жидких средах. I. Диэлектрофорез, фотофорез, оптофорез, оптический пинцет// Научное приборостроение. 2005. Т. 15. № 1. С. 1.
  56. P. Abgrall, А-М Gu’e. Lab-on-chip technologies: making a microfluidic network and coupling it into a complete microsystem a review // J. Micromech. Microeng. 2007. Vol. 17. P. 15.
  57. Y. Huang, X. Duan, Q. Wei, C.M. Lieber. Directed assembly of one-dimensional nanostructures into functional networks // Science. 2001. Vol. 291. P. 630.
  58. М.Н. Либенсон. Преодоление дифракционного предела в оптике // Соросовский образовательный журнал. 2000. Т. 6. №. 3. С. 99.
  59. V.G. Kravets, F. Schedin, A.N. Grigorenko. Extremely narrow plasmon resonances on diffraction coupling of localized plasmons in arrays of metallic nanoparticles // Phys. Rev. Lett. 2008. Vol. 101. P. 87 403.
  60. К. Борен, Д. Хафмен. Поглощение и рассеяние света малыми частицами. М.: Мир. 1986. 664 с.
  61. Г. Э. Цырлин, В. Г. Дубровский, Н. В. Сибирев, И. П. Сошников, Ю. Б. Самсоненко, А. А. Тонких, В. М. Устинов. Диффузионный механизм роста нановискеров GaAs и AlGaAs в методе молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 5. С. 587.
  62. В.А. Быков. Микромеханика для сканирующей зондовой микроскопии и нанотехнологии. Учеб. Пособие. М.: Мир электроники. 2005. 356 с.
  63. Р. Балеску. Равновесная и неравновесная статическая механика. Учеб. пособие. М: Мир. 1978. 399 с.
  64. Botman A., Mulders J. J. L., Weemaes R., Mentink S. Purification of platinum and gold structures after electron-beam-induced deposition // Nanotechnology. 2006. Vol. 17. P. 3779.
  65. Mohammad Yeakub Ali, Wayne Hung and Fu Yongqi. A Review of Focused Ion Beam Sputtering // Int. J. of Precision Engineering And Manufacturing. 2010. Vol. 11, No. 1. P. 157.
  66. X. Duan, Yu Huang, Yi Cui, J. Wang, Ch.M. Lieber. Indium phosphide nanowires as building blocks for nanoscale electronic and optoelectronic devices // Nature. 2001. Vol. 409. P. 66.
  67. K. Haraguchi, T. Katsuyama, K. Hiruma, K. Ogawa. // Appl. Phys. Lett. 1991. Vol. 60. P. 745.
  68. Golubok А.О. Davydov D.N. Rykov S.A. Local tunneling spectroscopy of n-РЬТе surface // Ultramicroscopy. 1992. Vol. 42−44. P. 878.
  69. Э. Бурштейн., С. Лундквист. Туннельные явления в твёрдых телах. М.: Мир. 1973. 421 с.
  70. В. Туртов. Твердлотельная электроника. М.: Техносфера. 2005. 408 с.
  71. М.А. Kokoreva, V.A. Margulis, М.А. Pyataev. Electron transport in a two-terminal Aharonov-Bohm ring with impurities // Physica E. 2011. Vol. 43. Is. 9. P. 1610.
  72. A.O. Goluboka, I.S. Mukhinc, I.U. Popova, I.S. Lobanov. Creation and study of 2D and 3D carbon nanographs // Physica E. 2012. Vol. 44. Is. 6. P. 976.
  73. Л.Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. Т.VII. Теория упругости. М.: Физматлит. 2003. 264 с.
  74. Э. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям. М.: Наука. 1971. 589 с.
  75. Прочность, устойчивость, колебания. Справочник, т.З. Под ред. А. И. Биргера и Я. Г. Пановко. М.: Машиностроение. 1968. 567 с.
  76. А. А. Васильев, С. Ю. Керпелева, В. В. Котов, И. Д. Сапожников, А. О. Голубок. Датчик локального силового и туннельного взаимодействий в сканирующем зондовом микроскопе // Научное Приборостроение. 2005. Т. 15. № 1. С. 62.115
  77. Y.Martin, H.K.Wickramasinghe. Magnetic imaging by «force microscopy» with 1000 A resolution 11 Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 50. No. 20. P. 1455.
  78. M. Burresi, D. van Oosten, T. Kampfrath, H. Schoenmaker, R. Heideman, A. Leinse, L. Kuipers. Probing the Magnetic Field of Light at Optical Frequencies // Science. V. 326. P 550.
  79. Л.Д., Лившиц Е. М. Краткий курс теоретической физики. Механика. Книга 1.М.: Наука. 1972. 368 с.
  80. J.Wang et al. Exchange Coupling and Spin Transport in Hybrid Spintronic Devices // Nature Phys. 2010. V. 6. P. 389.
  81. Emit Finkler, Yehonathan Segev, Yuri Myasoedov, Michael L. Rappaport, Lior Ne’eman, Denis Vasyukov, Eli Zeldov, Martin E. Huber, Jens Martin and Amir Yacoby. Self-Aligned Nanoscale SQUID on a Tip //Nano Lett. 2010. Vol. 10. No. 3. P. 1046.
  82. E. J. Romans, E. J. Osley, L. Young, P. A. Warburton, and W. Li. Three-dimensional nanoscale superconducting quantum interference device pickup loops // Appl. Phys. Lett. 2010. Vol. 97. No. 22. P. 222 506.
  83. B.F. Keilmann, R. Hillenbrand. Near-field microscopy by elastic light scattering from a tip // Phil. Trans. R. Soc. Lond. A. 2004. Vol. 362. P. 787.
  84. Heinrich G. Frey, SusanneWitt, Karin Felderer, and Reinhard Guckenberger. HighResolution Imaging of Single Fluorescent Molecules with the Optical Near-Field of a Metal Tip // Phys. Rev. Lett. 2004. Vol. 93. No. 20. P. 200 801.
  85. Al. A.O. Golubok, I.U. Popov, I.S. Mukhin, I.S. Lobanov. Creation and study of 2D and 3D carbon nanographs. Elsevier Physica E, 2011, doi: 10.1016/j.physe.2010.10.013.
  86. A2. Голубок A.O., Самсоненко Ю. Б., Мухин И. С., Буравлев А. Д., Цырлин Г. Э. Формирование и исследование электрических характеристик одиночных GaAs нитевидных нанокристаллов на вольфрамовом острие. ФТП, 2011, том 45, выпуск 8, стр. 1079−1083.
  87. A3. Мухин И. С., Мухин М. С., Феклистов А. В., Голубок А. О. Специализированные СЗМ-зонды на основе каркасных вискерных структур. Научное Приборостроение, 2011, том 21, № 3, стр. 23−29.
  88. А4. Чивилихин С. А., Голубок А. О., Мухин И. С. Рост нановискера под воздействием электронного пучка: математическая модель. НТВ ИТМО, 2010, № 2(66), стр. 78−83.
  89. А5. Голубок А. О., Ковров А. В., Левичев В. В., Мухин И. С., Приходько О. А. Формирование одиночных нановискеров на вершинах зондов сканирующего зондового микроскопа. НТВ ИТМО, 2009, № 4(62), стр. 82−87.116
  90. А6. Evstrapov А.А., Mukhin I.S., Bukatin A.S., Kuhtevich I.V. Ion and electron beam assisted fabrication of nanostructures integrated in microfluidic chips. NIMB B, 2011, doi: 10.1016/j.nimb.2011.08.035.
  91. A7. A.A. Евстрапов, И. С. Мухин, И. В. Кухтевич, А. С. Букатин. Метод сфокусированного ионного пучка при формировании наноразмерных структур в микрофлюидных чипах. Письма в ЖТФ, 2011, том 37, вып. 20, стр. 32−40.
  92. А8. Кухтевич И. В., Букатин А. С., Мухин И. С., Евстрапов А. А. Микрофлюидные чипы с интегрированными наноразмерными структурами для фиксации биологических объектов. Научное Приборостроение, 2011, том 21, № 3, стр. 17−22.
  93. А10. Евстрапов А. А., Мухин И. С, Кухтевич И. В., Букатин А. С. Применение ионной литографии для формирования наноразмерных каналов микрофлюидных чипов в стеклянных подложках. НТВ ИТМО, 2010, № 4(68), стр. 59−63.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!