Основные электрические свойства МДП-и биполярных транзисторов в рамках классических моделей

Основные электрические свойства МДПи биполярных транзисторов в рамках классических моделей представлены в табл. V.2.1 (см. разделы Ш. З, IV.2 — IV.4). Для определенности полагается, что МДПТ имеет я-канал, а БТ — тип проводимости п-р-п.

В МД ПТ изменение потенциала подложки приводит к изменению порогового напряжения V_t и деформации ВЛХ (см. параграф Ш. 2.4, III.4.1). В ВТ подложка не оказывает на ВАХ никакого воздействия (п. 8 табл. V.2.1). Причина этого различия состоит в том, что в МДПТ подложка примыкает к каналу и расположена параллельно плоскости протекания тока (и. 8 табл. V.1.2, рис. 111.8.1 — III.8.3). В ВТ подложка отделена от базы коллекторным слоем и расположена перпендикулярно плоскости протекания тока (см. п. 8 табл. V.1.2, рис. IV.8.1).

Отметим также, что в МДПТ расположение затвора параллельно плоскости протекания тока вызывает трудности разделения заряда в канале на составляющие Q"_s, Q_gd и представления емкости затвор—канал тензором 2-го ранга (см. параграф III.6.1). В ВТ эта проблема практически отсутствует, так как заряды избыточных носителей Q_BN и Q_BI, инжектированные в базу через эмиттерный и коллекторный переходы (см. параграф IV.4.7), слабо зависят от напряжений на противоположных переходах (только вследствие эффекта Эрли).