Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Эффекты размытия фазовых переходов в сегнетоэлектриках–релаксорах

РефератПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

С использованием термодинамической теории Ландау плотность свободной энергии для сегнетоэлектриков-релаксаров можно записать как (2): В релаксорах существуют микроскопические полярные области, обусловленные неоднородностью распределения атомов разного сорта; Температурно-зависимые коэффициенты A (T), B (T), C (T) могут быть определены по петле гистерезиса в их представлении полиномами (3). Эти… Читать ещё >

Эффекты размытия фазовых переходов в сегнетоэлектриках–релаксорах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Одна из актуальнейших проблем современной физики в области исследования фазовых переходов связанна с исследованием сегнетоэлектриков сложного состава со структурой типа перовскита, в которых не наблюдается четкого фазового перехода. В связи с этим появилось новое название сегнетоэлектрик с размытым фазовым переходом. В таких сегнетоэлектриках наблюдается релаксационный характер диэлектрической поляризации в области фазового перехода. Такие опытные факты удается объяснить, если предположить, что размытие фазового перехода обусловлено флуктуациями состава. Согласно этим представлениям различные области кристалла (линейный размер ~100 А) имеют различные температуры Кюри. Предполагается, что релаксация обусловлена 1) движением границ между полярной и неполярной фазами или 2) зарождением и исчезновением полярных областей. Второй механизм был рассчитан в работе, в которой была обобщена теория Дебая на случаи, когда число релаксаторов меняется с температурой (с максимумом: в средней точке Кюри Тср). При таком подходе возникает возможность объяснения различных опытных фактов, например температурной зависимости е [1, 2, 3].

Для эффектов релаксационной поляризации микроскопических полярных областей в сегнетоэлектриках-релаксорах [4, 10] при описывается законом (1).

(1).

(1).

где — константы; m — принимает значение от 1,5 до 2,0 [5,7]. Также отличительным признаком сегнетоэлектриков-релаксаров является существование спонтанной поляризации сопутствующих ей свойств (пьезоэффекта, пироэффекта и др.) при. Отметим, что в этих объектах увеличивается с увеличением частоты измерительного поля.

Таблица. Температурно-зависимые коэффициенты по петлям гистерезиса в представлении полиномами.

Коэффициенты.

Материалы.

PMN.

0.9 PMN-0.1PT.

PLZT 12/40/60.

A0(Vm/C)

1,04· 108

0,17· 108

5,55· 108

A1(Vm/CK)

— 0,79· 106

— 0,21· 106

— 2,67· 106

A2(Vm/CK2)

1,57· 103

0,53· 103

3,25· 103

B0(Vm5/C3)

— 3,23· 109

0,29· 109

8,65· 109

B1(Vm5/C3K)

2,11· 107

— 0,15· 107

— 8,73· 107

B2(Vm5/C3K2)

— 3,46· 104

0,16· 104

16,6· 104

C1(Vm9/C5)

1,04· 1010

1,6· 109

— 4,19· 1011

C1(Vm9/C5K)

— 5,17· 107

2,90· 108

C2(Vm9/C5K2)

8,07· 104

— 4,51· 106

Коэффициенты.

Материалы.

PLZT 9/65/35.

SBN.

BTS-3.5.

A0(Vm/C)

1,24· 108

0,14· 108

1,89· 108

A1(Vm/CK)

— 0,62· 106

— 0,12· 106

— 1,27· 106

A2(Vm/CK2)

0,84· 103

0,26· 105

2,14· 103

B0(Vm5/C3)

1,38· 109

— 1,97· 109

4,08· 109

B1(Vm5/C3K)

— 1,31· 107

0,63· 107

— 2,18· 107

B2(Vm5/C3K2)

2,3· 104

12,8· 104

C1(Vm9/C5)

1,24· 1011

4,11· 1010

— 2,17· 1013

C1(Vm9/C5K)

— 7,19· 108

— 1,18· 108

1,57· 1013

C2(Vm9/C5K2)

1,08· 106

— 2,83· 108

Гистограмма локальных для различных количеств дислокации в объеме.

Рис. 2. Гистограмма локальных для различных количеств дислокации в объеме: сплошные линии — аппроксимации распределения функции Гауса; a — 1; б — 10; в — 50; г — 100

В работе [6, 8, 9] подробно анализируется модель, в которой выдвигаются следующие положения:

  • — в релаксорах существуют микроскопические полярные области, обусловленные неоднородностью распределения атомов разного сорта;
  • — эти области независимы, т. е. каждая область имеет свой дипольный момент, который может независимо переключиться;
  • — в ромбоэдрической фазе дипольные моменты могут ориентироваться только в одном из направлений [111].

С использованием термодинамической теории Ландау плотность свободной энергии для сегнетоэлектриков-релаксаров можно записать как (2):

Зависимость полуширины гауссовской функции и числом дислокаций.

Рис. 3. Зависимость полуширины гауссовской функции и числом дислокаций

(2).

(2).

Температурно-зависимые коэффициенты A (T), B (T), C (T) могут быть определены по петле гистерезиса в их представлении полиномами (3).

;; (3).

В таблице приведены результаты таких расчетов при обработке экспериментальных данных для материалов PMN, 0.9PMN-0.1PbTiO3, PLZT 12/40/60, PLZT 9/65/35, SBN и BTS — 3.5.

Во всех рассмотренных материалах в релаксорных фазах величина дипольных моментов уменьшается с увеличением температуры. При увеличении температуры до Tm монодоменный кристалл разбивается на малые полярные области. релаксационный поляризация гистерезис ландау Этот процесс продолжается до предельной температуры. При более высоких концентрация полярных областей уменьшается, и кристалл становится нормальным параэлектриком.

  • 1. Смоленский Г. А. Научная сессия Отделения общей физики и астрономии академии наук СССР совместно с Отделением физико-технических и математических наук Академии наук Молдавской ССР — Кишинев, 1973 г., С.331−351.
  • 2. Ляпин А. А., Кадомцев М. И., Тимофеев С. И. Исследование деформирования частично заглубленного фундамента при гармоническом воздействии с использованием МКЭ- // «Инженерный вестник Дона», 2011, № 4. -Режим доступа: http://www.ivdon.ru/magazine/ archive/n4y2011 /700 (доступ свободный) — Загл. с экрана. — Яз. Рус.
  • 3. Снежков В. И., Столбовская Н. Н., Камошенкова Е. В., Корабельников Г. Я. Направления повышения конкурентоспособности коммерческих банков на рынке автокредитования в Ростовском регионе- // «Инженерный вестник Дона», 2012, № 4 (часть 2). -Режим доступа: http://ivdon.ru/magazine/ archive/n4p2y2012/1315 (доступ свободный) — Загл. с экрана. — Яз. Рус.
  • 4. Cross L.E. // Ferroelectrics. 1987. V.76. P.241−267
  • 5. Смоленский Г. А., Боков В. А., Исупов В. А. и др. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики // Л. 1971. С. 476.
  • 6. Skulski R. The diffusion of the phase transitions in the selected groupsof ferroelectrics and relaxors. Katowice, 1999, P.345
  • 7. Skulski R. // Mater. Sci. and Engineering. 1999. V. B64. P.39−43.
  • 8. Захарченко И. Н., Дудек Ю., Дудкевич В. П. и др. // Рукопись деп. ВИНИТИ. 1985. № 2956 — В88. с. 423.
  • 9. Surowiak Z., Margolin A.M., Birukov S.V. et al/ // Inzynieria materialova. 1988. V.4. P. 87−95.
  • 10. Блинц P., Жекш Б. Мягкие моды в сегнетоэлектриках и антисегнетоэлекриках. М, 1975, с.398
Показать весь текст
Заполнить форму текущей работой