Емкости p-n перехода

Изменение внешнего напряжения dU на p-n переходе приводит к изменению накопленного в нем заряда dQ. Поэтому p-n переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого С = dQ/ dU.

В зависимости от физической природы изменяющегося заряда различают емкости барьерную (зарядную) и диффузионную.

Барьерная (зарядная) емкость определяется изменением нескомпенсированного заряда ионов при изменении ширины запирающего слоя под воздействием внешнего обратного напряжения. Поэтому идеальный электронно-дырочный переход можно рассматривать как плоский конденсатор, емкость которого определяется соотношением:

(1.41).

где П, — соответственно площадь и толщина p-n перехода.

Из соотношений (1.41) и (1.31) следует:

.

В общем случае зависимость зарядной емкости от приложенного к p-n переходу обратного напряжения выражается формулой:

.

где: C₀ — емкость p-n перехода при U_ОБР = 0; - коэффициент, зависящий от типа p-n перехода (для резких p-n переходов = ½, а для плавных = 1/3).

Барьерная емкость увеличивается с ростом N_А и N_Д, а также с уменьшением обратного напряжения. Характер зависимости С_БАР = f (U_ОБР) показан на рис. 1.13, а.

Рисунок 1.13. Зависимость барьерной (а) и диффузионной (б) емкостей p-n перехода от напряжения.

Рассмотрим диффузионную емкость. При увеличении внешнего напряжения, приложенного к p-n переходу в прямом направлении, растет концентрация инжектированных носителей вблизи границ перехода, что приводит к изменению количества заряда, обусловленного неосновными носителями в pи n-областях. Это можно рассматривать как проявление некоторой емкости. Поскольку она зависит от изменения диффузионной составляющей тока, ее называют диффузионной. Диффузионная емкость представляет собой отношение приращения инжекционного заряда dQ_инж к вызвавшему его изменению напряжения dU_пр, т. е.:

.

Воспользовавшись уравнением (1.30), можно определить заряд инжектированных носителей, например дырок в n-области:

.

Тогда диффузионная емкость, обусловленная изменением общего заряда неравновесных дырок в n-области, определится по формуле:

.

Аналогично для диффузионной емкости, обусловленной инжекцией электронов в p-область:

.

Общая диффузионная емкость:

.

Зависимость емкости от прямого напряжения на p-n переходе показана на рисунке 1.13, б.

Полная емкость p-n перехода определяется суммой зарядной и диффузионной емкостей:

.

При включении p-n перехода в прямом направлении преобладает диффузионная емкость, а при включении в обратном направлении — зарядная.

На рис. 1.14 приведена эквивалентная схема p-n перехода по переменному току. Схема содержит дифференциальное сопротивление p-n перехода r_Д, диффузионную емкость С_ДИФ, барьерную емкость С_БАР и сопротивление объема pи n-областей r₁. На основании уравнения (1.37) можно записать:

.

Если при прямом включении p-n перехода U_пр >> _т, то:

; .

При комнатной температуре:

; (1.42).

(в соотношении (1.42) значение тока подставляется в амперах). Сопротивление утечки r_УТ учитывает возможность прохождения тока по поверхности кристалла из-за несовершенства его структуры. При прямом включении p-n перехода С_БАР << С_ДИФ, дифференциальное сопротивление r_Д ПР мало и соизмеримо с r₁, поэтому эквивалентная схема принимает вид, показанный на рис. 1.15, а.

Рисунок 1.15 Упрощенные эквивалентные схемы p-n перехода.

При обратном смещении r_Д ОБР >> r₁, С_БАР >> С_ДИФ и эквивалентная схема имеет вид, показанный на рис. 1.15, б.