Расчёт входного каскада

Выберем в качестве входного каскада усилительный каскад по схеме с общим эмиттером.

Ориентировочно можно выбрать низкочастотный транзистор, имеющий параметры:

Iкмах?2,5Iмн; Uкмах?(1,2ч1,5)Еп;

где IMН — амплитуда тока в нагрузке — амплитуда входного тока последующего каскада. Выбираем транзистор [4]: КТ503Д: n-p-n; Iкмах=300(мA); Pкмах=0,3(Вт); fГР=400(кГц); Uкэмах=60(В); h21Э=40…120:

Выберем исходный режим:

Iкп ?4*Iмн=0,009(А); Uкэп ?0,5Еп=40,5(В); где.

Iкп — ток коллектора в исходном режиме.

Uкэп — напряжение коллектор-эмиттер соответствующее режиму покоя.

Выбираем ток делителя:

Iдел=5*Iкп/h21min =0,036 (А);

Находим значения сопротивлений RЭ и RК :

Rк=0,5*Еп/Iкп=75(Ом); Rэ=0,2*Еп/Iкп=30(Ом);

Выбираем сопротивления из стандартного ряда сопротивлений [5], и выполняем проверку по допустимой мощности рассеивания.

; МЛТ-2*75(Ом)+5%;

; МЛТ-1*30(Ом)+5%;

Рассчитаем сопротивления R1 и R2 делителя:

R2=(Iкп*Rэ+Uбэ)/Iдел=270(Ом); R1=(Еп-R2*Iдел)/Iдел+Iбп=866(Ом);

где Uбэ = 0,5(В). Выбираем сопротивления из стандартного ряда сопротивлений, и выполняем проверку по мощности рассеивания.

; МЛТ-1*270(Ом)+10%;

; МЛТ-0,25*866(Ом)+5%;

Для определения коэффициента усиления каскада по току определим эквивалентное сопротивление цепи коллектора по переменному току:

Rэкв=Rк*Rвх.сл/(Rк+Rвх.сл)=57,5(Ом);

где Rвх. сл — входное сопротивление следующего каскада.

Определим коэффициент усиления по току:

Кi=h21* Rэкв/Rвх.сл=12;

Определим амплитуду входного тока:

Iмахвх=Iмах.вх.сл/Ki; где Iмах.вх.сл.

— амплитуда входного тока следующего каскада.

Определим входное сопротивление каскада:

Rвх=R1//R2//((h21/gм)+h21*Rэ)=179(Ом); где.

;

— усреднённое значение крутизны сквозной характеристики.

Uт — тепловой потенциал, Uт =0,026(В).

пределим коэффициент усиления по напряжению:

Ku=h21*Rэкв/(Rг+Rвх)=12;

Амплитуда входного напряжения:

Uмах.вх=Uмах.вх.сл/Ku=0.076(В);

где Uмах.вх.сл — амплитуда входного.

напряжения следующего каскада.

Определим параметры конденсаторов в каскаде:

Cp=(vMn2−1)/2fRвх=44(мкФ);

Сэ=(vMn2−1)/2fRэ=265(мкФ);

Uск.ном1,2Еп=40,5(В);

На основании этих данных выбираем конденсаторы [4].

К50−24 50*47 мкФ20%; K50−22 50*340 мкФ 20%.