Работа фототранзистора с общим эмиттером

Рассмотрим, например, работу фототранзистора в схеме с общим эмиттером при отключенной базе. Фототок коллекторного перехода суммируется с обратным током коллектора, поэтому в формуле для тока транзистора вместо J_К0 следует поставить.

J_К0 + J_Ф/J = (J_К0 + J_Ф)/(1-б).

При J_К0>>J_Ф J =J_Ф/(1-б)? вJ_Ф, т. е. фототок фототранзистора усиливается в в раз по сравнению током фотодиода. Соответственно в в раз увеличивается и чувствительность. Ток может быть усилен в 1000 раз, поэтому чувствительность фототранзистора во много раз больше чувствительности фотодиода. Однако поскольку произведение коэффициента усиления на полосу частот величина постоянная, то предельная частота уменьшается в в раз.

Рисунок 2.3 — Эквивалентная схема фототранзистора.

Наличие диффузии носителей обуславливает значительную инерционность прибора ф = 10-⁵-10-⁶ с. При сужении базы время диффузии уменьшается, но уменьшается и чувствительность. Для германиевых фототранзисторов SI= 0,2−0,5 А/лм, V_раб= 3 В, I_темн= 300 мкА, ф = 0,2 мс. В корпусе прибора предусмотрено прозрачное окно, через которое световой поток попадает обычно на базовую область фототранзистора. Площадь фоточувствительной площадки составляет 1−3 мм².