Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Изучение закономерностей формообразования и качества кристаллов германатов и силикатов висмута, выращенных низкоградиентным методом Чохральского

Диссертация: Изучение закономерностей формообразования и качества кристаллов германатов и силикатов висмута, выращенных низкоградиентным методом Чохральского
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В нашей лаборатории уже проводилось несколько экспериментов по выращиванию В^ОеОгоПредварительные результаты свидетельствуют о том, что механизм роста существенно отличается от описанного в литературе. Удалось предварительно установить, что В^веС^о может быть выращен в условия низких градиентов температур, причем фронт кристаллизации может быть полностью занят гранями и, при соблюдении… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Системы В1203-Се02 и В1203−8Ю
    • 1. 2. Способы выращивания кристаллов германатов и силикатов висмута со структурой силленита и эвлитина
    • 1. 3. Структура и морфология кристаллов германатов и силикатов висмута со структурой силленита и эвлитина
    • 1. 4. Свойства кристаллов германатов и силикатов висмута со структурой силленита и эвлитина
    • 1. 5. Применение кристаллов германатов и силикатов висмута
    • 1. 6. Формообразование кристаллов в зависимости от тепловых условий выращивания
      • 1. 6. 1. Нормальный и послойный механизм роста
      • 1. 6. 2. Влияние тепловых условий на рост кристаллов
      • 1. 6. 3. Низкоградиентный метод Чохральского
  • 2. Аппаратура и методы исследования
    • 2. 1. Особенности низкоградиентного метода Чохральского
    • 2. 2. Описание экспериментальной установки
    • 2. 3. Процесс выращивания кристаллов низкоградиентным методом Чохральского и подготовительные операции
    • 2. 4. Характеристика тепловых условий выращивания
    • 2. 5. Методы исследование качества кристаллов
  • 3. Выращивание кристаллов В^веОго и ВцгвЮго
    • 3. 1. Исследование влияния тепловых условий на морфологию
  • В^веОго и В1128Ю2о
    • 3. 2. Выращивание кристаллов В^ЙЮго в направлении <110>
    • 3. 3. Исследование влияния скорости кристаллизации на габитус кристаллов В1[20е02о
  • 4. Оптимизация процесса выращивания кристаллов В^гСеОго низкоградиентным методом Чохральского на основе математического моделирования процессов тепло- и массопереноса
    • 4. 1. Характеристика тепловых условий выращивания кристаллов В1]20е02о и теплофизических свойств материалов установки НХ620Н-М
    • 4. 2. Тепло физические свойства В^веОго
    • 4. 3. Описание математической модели выращивания кристаллов В1]20е02о низкоградиентным методом Чохральского
    • 4. 4. Результаты моделирования и их экспериментальная проверка
  • 5. Выращивание болыперазмерных кристаллов BinGeCho и Bi12SiO
  • 6. Выращивание Bii2GeO20 в условиях высоких градиентов температуры
  • 7. Выращивание кристаллов BLfSijOn
    • 7. 1. Твердофазный синтез шихты
    • 7. 2. Особенности роста кристаллов Bi4S
  • 8. Выращивание кристаллов Bi4Ge3XSi3(iX)O
    • 8. 1. Система Bi4Si30i2-Bi4Ge
    • 8. 2. Особенности выращивания кристаллов Bi4Ge3XSi3(iX)O
  • 9. Качество кристаллов, выращенных низкоградиентным методом Чохральского
    • 9. 1. Травление кристаллов Bi|2Ge02o и Bii2Si02o
    • 9. 2. Исследование Bii2Ge02o методом рентгеновской топографии
    • 9. 3. Интерферометрическое исследование кристаллов Bii2Ge02o и Bii2Si02o

Изучение закономерностей формообразования и качества кристаллов германатов и силикатов висмута, выращенных низкоградиентным методом Чохральского (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Исследования в области роста оксидных кристаллов, перспективных для применения в технике — традиционное направление исследований Института. Отправной точкой этих работ можно считать изучение фазовых диаграмм, условий синтеза и спонтанной кристаллизации, кристаллохимических характеристик молибдатов и вольфраматов редкоземельных металлов, которые привлекли к себе внимание еще в 60-е годы. Многие структурные типы в этом классе соединений были впервые исследованы в ИНХ СО РАН. Ряд кристаллов соединений указанного о «класса, например К0с1(У04)2:Кс1 — оказались перспективными для создания новых высокоэффективных сред для лазеров и нашли практическое применение. Получить однородные кристаллы этого класса соединений, используя традиционные методы и подходы, оказалось невозможным. В ИНХ удалось решить эту проблему, существенно модифицировав метод Чохральского, в частности понизив градиенты температуры в зоне кристаллизации до величины менее 1С°/см.

Рост кристаллов из расплава в условиях, когда градиенты температуры в расплаве на один-два порядка ниже типичных для традиционного метода Чохральского — мало изученная область. Сам метод выращивания в таких условиях не получил большого распространения, несмотря на то, что он имеет ряд преимуществ по сравнению с традиционным методом Чохральского и позволяет получать совершенные кристаллы.

Разработка научных основ метода низких градиентов далеко отстает от практических достижений. Это относится как к числу изученных объектов, так и к направленности выполненных исследований процесса роста и характеризации кристаллов. Фактически исследования, выходящие за рамки практических задач, проводились только с одним объектом, а именно, германоэвлитином — В140е3012. В частности, были изучены закономерности формообразования этих кристаллов в зависимости от условий роста и установлена связь формообразования с совершенством кристалла. Но даже этот объект изучен далеко недостаточно.

Таким образом, остается неизвестным, насколько универсален метод низких градиентов, всегда ли реализуются его преимущества и каковы границы его эффективного применения. Для этого необходимо исследовать влияние различных факторов на процесс роста и формообразование кристалла. Отправной точкой данных работ стала проверка применимости данного метода на примере германосилленита — В^гОеОгоВ дальнейшем круг исследуемых объектов был расширен до четырех материалов: В^ОеОго > ВЬгЗЮго, В1481з012 и Вц0е3×81з (1х)012.

Важнейшим требованием к исходным материалам для синтеза кристаллов является их чистота. Те факты, что на базе сложившегося производства германоэвлитина определен источник, стабильно обеспечивающий продукт высокого качества, отлажены методики синтеза и анализа исходных компонентов, оксидов висмута и германия, на высоком уровне, позволили уверенно получать воспроизводимый результат. Качество шихты было неоднократно проверено при выращивании и анализе качества кристаллов германоэвлитина. Высококачественный диоксид кремния в свою очередь является доступным коммерческим материалом.

Теплофизические свойства В^веОго, В1128Ю2о, Вь^зСЬг и Bi4GeзOl2 значительно отличаются, что показано в разделе 1.3.1. табл. 5 и 6. Данное обстоятельство предоставило нам возможность исследовать применимость метода низких градиентов к материалам, отличающимся по свойствам, значительно влияющим на процессы роста, от В14ОезО]2.

В нашей лаборатории уже проводилось несколько экспериментов по выращиванию В^ОеОгоПредварительные результаты свидетельствуют о том, что механизм роста существенно отличается от описанного в литературе. Удалось предварительно установить, что В^веС^о может быть выращен в условия низких градиентов температур, причем фронт кристаллизации может быть полностью занят гранями и, при соблюдении определенных условий процесса, кристалл получается без видимых дефектов и включений. Эта работа ограничена несколькими экспериментами.

В литературе имеются многочисленные работы по выращиванию Bii2Ge02o и Bii2SiO20 традиционными методами, а также ряд работ посвященных Bi4Si3Oi2 и Bi4Ge3xSi3(iX)Oi2. Результаты этих работ позволят провести сравнение и оценить достоинства и недостатки низкоградиентного метода Чохральского, применявшегося для выращивания монокристаллов, в данной работе. В литературе в основном описывается получение данных кристаллов с использованием традиционных высокоградиентных методов выращивания кристаллов, которые обладают рядом существенных недостатков. К ним можно отнести вызываемые высокими градиентами (порядка 100°/см) термоупругие напряжения в кристалле на всех стадиях процесса, включая охлаждение, способствующие дефектообразованию. Улетучивание компонентов расплава из-за локальных перегревов, которые могут достигать нескольких сотен градусов, и нарушение стехиометрии в расплаве приводит к ограничению времени процесса выращивания, снижению коэффициента использования материала загрузки, затрудняет рост и ухудшает однородность кристалла по длине.

Используемый в настоящей работе низкоградиентный метод Чохральского, предложенный в Институте неорганической химии СО РАН A.A. Павлюком, не приводит к существенным термоупругим напряжениям, а также к локальным перегревам в расплаве, от которых зависит как скорость улетучивания расплава, так и интенсивность естественной конвекции. Эффективность данного метода была подтверждена на примере выращивания большеразмерных высококачественных кристаллов Bi4Ge30i2.

Из всего комплекса проблем, требующих изучения, главное внимание было уделено исследованию и систематизации зависимостей формообразования и качества кристаллов от условий выращивания. Особое место при решении данных задач имело математическое моделирование процесса выращивания монокристаллов низкоградиентным методом Чохральского.

Работа выполнена в ИНХ СО РАН в период с 2005 по 2010 гг.

Целью данной работы являлось развитие научных основ низкоградиентного метода Чохральского на примере изучения закономерностей формообразования кристаллов В^веОго, В^БЮго, В140езх81з (1х)012, В14 813 012, и поиск условий выращивания кристаллов высокой однородности с использованием математического моделирования процессов выращивания.

Поставленная цель определила следующие задачи работы:

• Изучение влияния параметров процесса на формообразование кристаллов В^веОго, В^ЭЮго, В14 813 012, В14Се3×81з (1Х)012 в условиях низких градиентов температуры и определение условий получения качественных и однородных кристаллов;

• Разработка и усовершенствование методик контроля тепловых условий выращивания кристаллов и получение экспериментальных данных с целью задания параметров и граничных условий для решения задачи математического моделирования процессов теплои массопереноса при выращивании кристаллов низкоградиентным методом Чохральского;

• Экспериментальная проверка на реальных процессах выращивания кристаллов результатов, полученных при математическом моделировании процесса выращивания, обеспечивающих возможность получения качественных кристаллов;

• Выращивание кристаллов В^веС^о в условиях высоких градиентов температуры для сравнения их свойств с кристаллами, полученными в условиях низких градиентов температуры;

• Проверка возможности масштабирования с использованием математического моделирования и получение большеразмерных кристаллов В^веОго и В1128Ю2о.

Научная новизна работы.

• Впервые применен низкоградиентный метод Чохральского для выращивания кристаллов В^ЗЮго, В1481з012, В140е3ч81з (1Х)012 из расплава. Найдены условия, при которых на всей поверхности раздела кристалл-расплав реализуется послойный механизм роста, фронт кристаллизации имеет ограненную форму. Для В14Ое3×81з (1Х)С>12 построена фазовая диаграмма системы В14 813 012-В140е3012;

• Для В^веОго и Вц^Юго изучено формообразование, описаны макродефекты, исследована связь формы фронта кристаллизации с качеством кристаллов, выращенных в условиях низких градиентов температуры;

• Впервые для низкоградиентного метода Чохральского разработана математическая модель глобального теплообмена для всей установки. Адекватность модели и полученных с ее помощью результатов подтверждена экспериментально;

• Для нахождения тепловых условий роста, обеспечивавших выращивание высококачественных кристаллов В^ОеОго и В1128Ю2о с заданной оптимальной формой фронта кристаллизации по всей длине кристалла в условиях низких градиентов температуры использована математическая модель процесса выращивания кристаллов низкоградиентным методом Чохральского;

• Подтверждено, что при росте кристаллов низкоградиентным методом Чохральского образование граней на фронте кристаллизации имеет кинетическую природу;

• Впервые проведено сравнение кристаллов В^2ОеО20, выращенных традиционным и низкоградиентным методом Чохральского. Установлены существенные различия в плотности дислокаций и оптической однородности кристаллов, выращенных в условиях низких и высоких градиентов температуры.

Практическая значимость.

• Разработана лабораторная методика выращивания высококачественных кристаллов В^ОеСЬо и В^^Юго диаметром 85 мм, длиной до 200 мм и весом до 10 кг низкоградиентным методом Чохральского;

• Экспериментально проверена разработанная математическая модель роста кристаллов низкоградиентным методом Чохральского, которая может быть адаптирована для моделирования процессов роста других оксидных кристаллов;

• Полученные новые данные о связи формообразования с качеством получаемых кристаллов, которые могут быть использованы при выращивании новых материалов низкоградиентным методом Чохральского.

Основные положения, вынесенные на защиту.

• Описание морфологии и ее взаимосвязь с качеством кристаллов В112Се02о, В^вЮго в зависимости от условий выращивания при их росте в условиях низких градиентов температуры;

• Возможность предсказания условий выращивания качественных кристаллов В^веОго и В^веОго низкоградиентным методом Чохральского путем математического моделирования;

• Достижение высокой оптической однородности кристаллов BiI2Ge02o, Bii2SiO20 при послойном механизме роста из расплава с полностью ограненным фронтом;

• Кинетическая природа образования граней на фронте кристаллизации при росте кристаллов низкоградиентным методом Чохральского;

• Выращивание болыперазмерных кристаллов Bi]2Ge02o и Bii2Si02o высокого качества.

Апробация работы. Результаты работы докладывались на следующих конференциях: НКРК-2006 (Москва, ИКР АН, 23−27 октября 2006 г.) — НКРК-2008, (Москва, ИКР АН, 17−21 ноября 2008 г.) — III-rd International Conference on Crystal Materials — 2010 (Kharkov, Ukraine, SSI «Institute for Single Crystals» NAS of Ukraine, 31.05 — 03.06 2010) — Novosibirsk-Tohoku Global СОЕ conference for young scientists «New processes for syntheses of multifunctional multicomponent materials» (Novosibirsk, Russia, NIIC SB RAS, 21−24.09.2010) — The 16th International Conference on Crystal Growth (Beijing, China, Beijing International Convention Center, 08−13.08.2010).

Публикации. По материалам диссертации опубликованы 4 работы (из них 4 статьи в рецензируемых журналах).

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, 9 глав, основных результатов с выводами, списка литературы из 88 наименований и приложений на 5 страницах. Общий объем диссертации 165 страниц, включая 16 таблиц и 83 рисунка.

10. Основные результаты и выводы.

1. Впервые систематически изучены особенности выращивания кристаллов Bi^GeCbo, BinSiCbo, Bi4Si3Oi2, Bi4Ge3XSi3(iX)Oi2 из расплава низкоградиентным методом Чохральского. Найдены условия, при которых на всей поверхности раздела кристалл-расплав реализуется послойный механизм роста, а фронт кристаллизации имеет форму полиэдра. Для кристаллов Bii2GeO20 и Bii2SiO20 показано, что при полностью ограненном фронте отсутствуют неоднородности в местах пересечения граней различного типа, и могут быть получены совершенные кристаллы.

2. Изучено формообразование кристаллов Bii2GeO20 и Bi12SiO20 в зависимости от условий выращивания, исследована связь формы фронта с качеством получаемых кристаллов. Показано, что формообразование этих кристаллов идентично и зависит от внешних условий. Разработаны рекомендации по выращиванию кристаллов хорошего качества.

3. Установлено, что стабилизация граней на фронте кристаллизации, в условиях проводившихся процессов, имеет кинетическую природу и обусловлена увеличением переохлаждения на грани при повышении скорости кристаллизации.

4. Впервые проведена оптимизация процесса выращивания кристаллов низкоградиентным методом Чохральского на основе математического моделирования процессов теплои массопереноса. Адекватность модели и полученных с ее помощью результатов подтверждена экспериментально.

5. Низкоградиентным методом Чохральского получены кристаллы Bii2GeC>2o и Bi]2SiO20 с высокой оптической однородностью и рекордно.

2 9 низкой плотностью дислокаций (менее 10 /см").

6. Впервые проведено прямое сравнение качества кристаллов Bi^GeC^o, выращенных традиционным и низкоградиентным методом Чохральского. Установлено, что радикальное снижение градиентов температуры на 2−3 порядка при выращивании кристаллов Bi^GeC^o приводит к значительному улучшению их качества, а именно однородности оптической плотности и снижению плотности дислокаций (на 2−3 порядка).

7. Показана возможность масштабирования процесса выращивания кристаллов В^ОеОго и В^БЮ^. Впервые получены кристаллы указанных соединений весом до 10 кг. При этом использованы результаты математического моделирования процесса выращивания, что упростило поиск оптимальных условий выращивания.

8. Создана и отработана лабораторная методика выращивания кристаллов В^СеОго и В1|28Ю20. Полученные результаты могут быть использованы, как при выращивании других соединений низкоградиентным методом Чохральского, так и при создании производства кристаллов В112ОеО20 и В^28Ю20.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Kaplun А.В., Meshalkin А.В. Stable and metastable phase equilibrium in system Bi203-Ge02 // Journal of Crystal Growth. 1996. — V. 167. — P. 171— 175.
  2. Corsmit G., Van Driel M.A., Elsenaar R.J. Thermal analysis of bismuth germanate compounds // Journal of Crystal Growth. 1986. — V. 75. — P. 551 560.
  3. Smet F., Van Enckevort W.J.P. In situ microscopic investigations of crystal growth processes in the system Bi203-Ge02 // Journal of Crystal Growth. 1990. — V. 100. — P. 417−432.
  4. Е.И., Аршакуни A.A. Система окись висмута двуокись германия // Журнал Неорганической Химии. — 1964. — Т. 9. — N 2. — С. 414— 421.
  5. А.А., Саркисов С. Э., Майер А. А. Выращивание и спектрально-люминесцентные свойства гексагональных кристаллов Bi2Ge309-Nd3+ // Неорганические Материалы. 1983. — Т. 19. — N 7. — С. 1148−1157.
  6. А.А., Ломонов В. А., Балашов В. А. Физико-химические основы технологии монокристаллов со структурой силленита и эвлитина // Труды Института / МХТИ. Вып. 120. Москва, 1981. — С. 16−27.
  7. И.В., Скориков В. М., Каргин Ю. Ф. Исследование образование метастабильных фаз в системах Bi203-Si02 (Ge02) // Неорганические Материалы. 1978. — Т. 14. — N 11. — С. 2024−2028.
  8. В.П., Каргин Ю. Ф., Скориков В. М. Модели строения расплавов в системах Bi203−302 (где Э — Si, Ge) // Неорганические Материалы. 1978. — Т. 14. — N 11. — С. 2029−2031.
  9. Кристаллы Bi.2Mx02o±5 со структурой силленита. Синтез, строение, свойства / Каргин Ю. Ф., Бурков В. И., Марьин А. А., Егорышева А. В. М.: ИОНХ, 2004.-316 с.
  10. Ю.Ф., Ендржеевская В. Ю., Скориков В. М. Взаимодействие оксидов висмута и германия (кремния) в твердой фазе // Неорганические Материалы. 1991. — Т. 27, — N 3, — С. 530−533.
  11. Е.И., Скориков В. М., Сафронов Г. М. Система ВьОз-Si02 // Изв. АН СССР, Неорганические Материалы. 1968. — Т. 4. — N 8. -С.1374−1375.
  12. Ю.Ф., Жереб В. П., Скориков В. М. Стабильное и метастабильное фазовые равновесия в системе Bi2C>3—Si02 // Журнал Неорганической Химии. 1991. — Т. 36,-N 10, — С. 2611−2616.
  13. В.И., Юхин Ю. М. Твердофазный синтез Bii2Ge02o // Журнал Неорганической Химии. 1997. — Т. 42. — N 9. — С. 1450−1455.
  14. Fei Y.T. et al. Crystallizing behavior of Bi203-Si02 system // Journal of Materials Science Letters. 2000. — V. 19. — P. 893−895.
  15. Grabmaier B.C., Haussuhl S., Klufers P. Crystal growth, structure, and physical properties of Bi2Ge309 // Zeitschrift fur Kristallographie. 1979. — V. 149.-P. 261−267.
  16. И.В., Шпирт М. Я. Химия германия. — М.: Химия, 1967. — 452 с.
  17. В.П., Скориков В. М. Влияние метастабильных фаз на совершенство монокристаллов стабильных соединений с оксидом висмута // Неорганические Материалы. 2003. — Т.39. — № 11. — С. 1365−1372.
  18. Ballman A. A. The growth and properties of piezoelectric bismuth germanium oxide Bii2Ge02o // Journal of Crystal Growth. — 1967. — V. 1. P. 370.
  19. Santos M.T., Marin C., Diegues E. Morphology of Bi.2GeO20 crystals grown along the <111> direction by the Czochralski method // Journal of Crystal Growth. 1996. — V. 160. — P. 283−288.
  20. А.И., Барышев C.A., Никифорова Т. И. Выращивание и оптические свойства монокристаллов Bii2Si02o // Кристаллография. — 1968. -Т. 13.-N5.-C. 914−915.
  21. А.И., Барышев С. А., Никифорова Т. И. Выращивание и оптические свойства монокристаллов Bii2Ge02o // Кристаллография.1969.-Т. 14.-N 1.-С. 152−153.
  22. Prokofiev V.V., Andreeta J.P., de Lima C.J. Growth of single crystal photorefractive fibers of Bi.2Si02o and Bii2Ti02o by the laser-heated pedestal growth metod // Journal of Crystal Growth. 1994. — V. 137. — P. 528−534.
  23. Fu S., Ozoe H. Growth and characterization of single crystal rods and fibers ofBi12SiO20 by the floating zone method // Journal Appl. Phys. 1995. -V. 77. — P. 5968−5977.
  24. Fu S., Ozoe H. Enhancement of growth rate for BSO crystals by improving thermal conditions // Material Research Bulletin. — 1996. — V. 31. — N 11.-P. 1341−1354.
  25. Maffei N., Quon D.H.H., Aota J. Characterization of Bii2GeO20 processed in a microgravity environment // Journal of Crystal Growth. 1997. -V. 181.-P. 382−389.
  26. B.C., Литвин Б. Н. Кристаллизация в системах Na20-Bi203-Si02-H20 и Na20-Bi203-Ge02-H20 // Неорганические Материалы.1970.-Т. 6.-N9.-С. 1695−1697.
  27. B.C., Литвин Б. Н. Исследование фазообразования в системе Na20-Me203-Si02-H20 (Ме-А1, Ga, In) в гидротермальных условиях // Кристаллография. 1970. — Т. 15. -N 3. — С. 604−607.
  28. А.Н., Марьин А. А., Балицкий B.C. Особенности морфологии кристаллов со структурой силленита, выращенных в гидротермальных условиях // Кристаллография. 1985. — Т. 31. — N 5. — С. 1039−1042.
  29. Ю.Ф., Марьин А. А., Васильев, А .Я. Выращивание энантиоморфных кристаллов со структурой силленита // Неорганические Материалы.-1981.-Т. 17.-N8.-C. 1428−1429.
  30. Т.М., Батог В. Н., Красилов Ю. И. Некоторые физико-химические свойства силикатов и германатов висмута силленит-типа // Неорганические Материалы. 1970. — Т. 6. -N 2. — С. 284−288.
  31. А.Т., Копылов Ю. Л., Кравченко В. Б. Зависимости оптической однородности кристаллов германосилленита от условий роста //Кристаллография. 1978. — Т. 23. -N 1. — С. 174−179.
  32. Ю.С., Лифшиц М. Г., Сальников В. Д. Выращивание и физико-химические свойства соединений Bii2Ge02o и Bi4(Ge04)3 // Кристаллография. 1969. — Т. 14. -N 3. — С. 363−365.
  33. Brice J.C., Bruton Т.М., Hill O.F. The Czochralski growth of Bi12Si02o crystals // Journal of Crystal Growth. 1974. — V. 24/25. — P. 429−431.
  34. Tanguay A.R., Mroczkowski S., Barker R.C. The Czochralski growth of optical quality bismuth silicon oxide (Bii2Si02o) И Journal of Crystal Growth. 1977. — V. 42. — P. 431−434.
  35. Budenkova O.N., Vasilev M.G., Bystrova E.N. Simulation of global heat transfer in the Czochralski process for BGO sillenite crystals // Journal of Crystal Growth. 2004. — V. 266. — P. 103−108.
  36. Steiner В., Laor U., Kuriyama M. Diffraction imaging of high quality bismuth silicon oxide with monochromatic synchrotron radiation: implications for crystal growth // Journal of Crystal Growth. 1988. — V. 87. — P. 79−100.
  37. M.A., Дегтярев Ю. Л., Петрашень П. В. Рентгенотопографическое исследование монокристаллов соединений со структурой типа силленита // Неорганические Материалы. — 1986. — Т. 22. — N5.-С. 798−800.
  38. Л.С. Растворение поверхности монокристаллов германатов и силиката висмута со структурами силленита и эвлитина: Диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук: 02.00.01 / Л. С. Тарасова. ИОНХ АН СССР. М., 1985. 192 с.
  39. Lin С., Witt A.F. Decoration of dislocations in Bii2Si02o crystals by annealing in a reducing atmosphere // Journal of Crystal Growth. 1994. — V. 140.-P. 444−446.
  40. Yiting F., Shiji F., Renying S. Bridgman growth of Bi4Si3Oi2 scintillation crystals and doped effects on radiation resistance // Progress in
  41. Crystal Growth and Characterization of Materials. 2000. — V. 40. — P. 189 194.
  42. Ishii M., Harada K., Hirose Y. Development of BSO (Bi4Si3Oi2) crystal for radiation detector // Optical Materials 2002. — V. 19. -N 1. — P. 201−212.
  43. Harada K., Ishii M., Senguttuvan N. Scintillation Characteristics and Radiation Damage of Ce-Doped Bi4Si3Oi2 Single Crystals // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. — V. 40. — P. 1360−1366.
  44. Senguttuvan N., Oootsuka K., Kidokoro N. Crystal growth and optical properties of Bi4Si3Oi2: Nd. // Journal of Crystal Growth. 2001. -V. 229. P. 188−192.
  45. Ishii M., Harada K., Senguttuvan N. Crystal growth of BSO (Bi4Si3012) by vertical Bridgman method // Journal of Crystal Growth. 1999. — V. 205. -N l.-P. 191−195.
  46. Kobayashi M., Ishii M., Harada K. Bismuth silicate Bi4Si3Oi2, a faster scintillator than bismuth germanate Bi4Ge3012// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. 1996. — V. 372. — P. 45−50.
  47. Borovlev Yu.A., Ivannikova N.V., Shlegel V.N. Progress in growth of large sized BGO crystals by the low-thermal-gradient Czochralski technique // Journal of Crystal Growth. 2001. — V. 229. — P. 305−311
  48. Beneventi P., Bersani D., Lottici P.P. A Raman study of Bi4(GexSil-x)012 crystals // Solid State Communications. 1995. — V. 93. — N 2. — P. 143 146.
  49. Vaithianathan V., Santhanaraghavana P., Ramasamy P. Growth and characterization of BGSO single crystal // Materials Chemistry and Physics. -2002.-V. 78-P. 1−5.
  50. Vaithianathana V., Claudea A., Santhanaraghavan P. On the energy and time resolution measurements of bismuth germanium silicon oxide (BGSO) crystal grown by Czochralski technique // Journal of Crystal Growth. 2005. — Y. 273.-P. 481−488.
  51. Vaithianathana V. et al. Czochralski growth of bismuth germanium silicon oxide (BGSO) singlecrystal and its characterization // Journal of Crystal Growth. 2002. — V. 235. — P. 212−216.
  52. Cho J.H., Kim S.J., Yang Y.S. Structural change in Bi4(SixGeix)3Oi2 glasses during crystallization // Solid State Communications. — 2001. V. 119.-P. 265−270.
  53. Abrahams S.C., Jamieson P.B., Bernstein J.L. Crystal structure of piezoelectric bismuth germanium oxide Bi^GeC^o // Journal of Chemical Physics. 1967. -V. 47. -N 10. — P. 4034−4042.
  54. Svensson C., Abrahams S.C., Bernstein J.L. Laevorotatory Bii2Ge02o: remeasurement of structure // Acta Cryst. B. 1979. — V. 35. — P. 2687−2690.
  55. С.Ф., Симонов В. И. Структура силленитов и атомные механизмы изоморфных замещений в них // Кристаллография. 1992. — Т. 37.-N4.-С. 914−941.
  56. Abrahams S.C., Bernstein J.L., Svensson С. Crystal structure and absolute piezoelectric d и coefficient in laevorotatory Bi12Si02o I I Journal of Chemical Physics. 1979. -V. 71. -N 2. — P. 788−792.
  57. Ортогерманат висмута / Шулльгин Б. В., Полупанова Т. И., Кружалов А. В., Скориков В. М. Екатеринбург, 1992. — 170 с.
  58. D. Е., Leonyuk N. I. Hydrothermal synthesis and morphology of eulytite-like single crystals // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2003. — V. 5. — N 3. — P. 621−625.
  59. Ю. А., Васильев Я. В., Иванникова Н. И. Морфология кристаллов Bi4Ge3012, выращенных низкоградиентным методом Чохральского// Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2002. -N 3. — С. 112−115.
  60. В.А., Деменко С. И., Детиненко В. А. Влияние отжига в кислороде на фотоэлектрические свойства монокристаллов Bii2GeO20 // Неорганические Материалы. 1986. — Т. 22. -N 12. — С. 2070−2072.
  61. И.С., Петухов П. А., Кичуткин K.M. Термостимулированные токи термолюминесценция в легированных кристаллах типа силленита // Неорганические Материалы. — 1986. — Т. 22. -N3.-C. 438−441.
  62. Ю.Ф. Фазовый состав поверхности кристаллов Bi.2MO20 и BI4M3O12 (M-Si, Ge, Ti) при отжиге в вакууме // Неорганические Материалы. 1995. — Т. 31. — N 1. — С. 88−90.
  63. Роль структурных особенностей кристаллической решетки в формировании функциональных свойств силленитов, Москва, октябрь 2006 г. Тезисы докладов XII национальной конференции по росту кристаллов — М.: РЖ РАН, 2006. — 536 с.
  64. Ю.Ф., Волков В. В., Господинов М. Оптическая неоднородность в монокристаллах Bi.2SiO20H Bii2Ge02o, выращенных методом Чохральского // Высокочистые вещества. 1990. -N 5. — С. 6771.
  65. Leigh W., Larkin J.J., Harris М.Т. Characterization of Czochralslci- and hydrothermal-growth Bi12SiO20 // Journal Appl. Phys. 1994. — V. 76. — N 2. -P. 660−666.
  66. Grabmaier B.C., Oberschmid R. Properties of pure and doped Bi12GeO20 and Bi12SiO20 crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1986. — V. 96. — P. 199−210.
  67. Фотоиндуцированные явления в силленитах / Малиновский В. К., Гудаев O.A., Гусев В. А., Дименко С. И. Новосибирск: Наука, 1990. — 160 с.
  68. Проблемы роста кристаллов, Бостон, июнь 1967 г: Избранные доклады на международном симпозиуме. — М.: Мир, 1968. 263 с.
  69. Muller G., Review: The Czochralski Metod — where we are 90 years after Jan Czochralski’s invention // Cryst. Res. Technol. 2007. — V. 42. — N 12. -P. 1150−1161.
  70. Neurothl G., Wallrafen F. Czochralski growth and characterisation of pure and doped YAIO3 single crystals // Journal of Crystal Growth. — 1999. V. 198/199.-P. 435−439.
  71. Kuper Ch., Pankrath R., Hesse H. Growth and dielectric properties of congruently melting Bai-xCaxTi03 crystals // Appl. Phys. A 1997. — V. 65. — P. 301−305.
  72. Monchamp R.R., Mihalik G.B., Franks L.A. Octagonal crystals of strontium barium niobate (SBN:61) // Journal of Crystal Growth. — 1994. V. 140.-P. 439−440.
  73. Zupp R.R., Nielsen J.W., Vittorio P.V. Growth of transparent, stration-free Ba2NaNb50i5 single crystals by low-thermal-gradient Czochralski technique // Journal of Crystal Growth. 1969. — V. 5. — P. 269−273.
  74. М.И. Создание в Государственном Оптическом Институте им. С. И. Вавилова метода выращивания крупногабаритных кристаллов оптического лейкосапфира // Оптический журнал. — 2009. Т. 76. — С. 67−70.
  75. М.И. Влияние градиентов температуры на форму фронта и скорость кристаллизации // Труды Института / ГОИ. Т. 54. — Вып. 188. — Ленинград, 1983. — С. 41−45.
  76. М.И. Оптимзация метода выращивания крупных кристаллов корунда высокого качества // ОМП. 1975. — N 8. — С. 36−40.
  77. М.И. Образование напряжений и блоков в кристаллах корунда // Труды Института / ГОИ. — Т. 54. Вып. 188. — Ленинград, 1983. -С. 33−38.
  78. М.И., Ананьева Г.В, Морова И. В. Блочная структура в кристаллах оптического корунда // ОМП. — 1978.-N7.-C. 39−42.
  79. В. С., Стадник П. Е., Герасимчук JI. И., Епифанова Ю. М. Сцинтилляционные материалы: Автоматизированное Выращивание. — Донецк: Наука, 2009. 260 с. 80. www.megabook.ru
  80. Galashov E.N. et al. Growing of ZnW04 single crystals from melt by the low temperature gradient Czochralski technique // Functional Materials. -2009. V. 16. — N 1. — P. 63−66.
  81. Установка выращивания монокристаллов с автоматическим весовым контролем НХ620Н.00.000 ТО: техническое описание / ИНХ СО РАН.- 1991, — 154 с.
  82. Д.К., Таннер Б. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография. С-П.: Наука, 2002. — 281 с.
  83. Современная кристаллография. Том 3 / Вайнштейн Б. К., Чернов А. А. М.: Наука, 1980. — 408 с.
  84. В.Н. Формообразование кристаллов Bi4Ge3012 (BGO) при росте из расплава в условиях низких градиентов температуры: Диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук: 02.00.04 / В. Н. Шлегель. ИНХ СО РАН. Новосибирск, 2003. 123 с.
  85. Flow module of CGSim package, product of STR Inc, www.semitech.us.
  86. Sidletskiy O. Ts. et al. Growth of LGSO: Ce Crystals by the Czochralski Method // Crystallography Reports. 20 029. — V. 54. — N 7. — P. 1256−1260.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!