Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряженных гетероструктур

Диссертация: Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряженных гетероструктур
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Научная и практическая значимость работы. Создано новое направление в физике и технологии твердотельных наноструктур. Созданы новые классы микрои наноструктур, пригодных для формирования элементной базы наномеханики, наноэлектроники, для применений в молекулярной биологии, оптике. Трехмерные микрои наноструктуры (трубки, кольца, спирали, гофрировки и системы) с атомно гладкой поверхностью… Читать ещё >

Содержание

  • Введение
  • Общая характеристика работы
  • Глава 1. Новое направление в нанотехнологии
  • Роль упругих сил в формировании трехмерных нанооболочек и наносистем
    • 1. 1. Тенденции и подходы в нанотехнологии
    • 1. 2. Физические основы оригинального подхода к формированию микро-и нанооболочек
  • Прецизионные молекулярные нанооболочки
    • 1. 3. Полупроводниковые и металлические нанотрубки и нанокольца
  • Сборка сложных конструкций. Экспериментальные результаты
    • 1. 4. Анизотропия механических свойств полупроводников и формирование микро — и наноспиралей
  • Ключевые этапы технологии полупроводниковых микро — и

§ 1.5. нанооболочек. а) методы высокоселективного удаления жертвенных слоев б) методы направленного сворачивания, формирование самых разнообразных по форме структур- метод сборки из оболочек сложных конструкций в) сверхкритическая сушка оболочек

§ 1.6. Концепции формирования прецизионных в 3-х измерениях наноструктур. Примеры созданных структур.

§ 1.7. Свойства цилиндричеких микро — и нанооболочек.

Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряженных гетероструктур (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Создание и исследование наноструктур с контролируемыми размерами и заданными свойствами входит в число важнейших, ключевых проблем нашего времени. Нанотехнология является основной движущей силой пауки и техники XXI века и многие государства уже имеют свои национальные программы по нанотехнологии [1]. Она приведет и уже приводит к революционным изменениям в материаловедении, электронике, микробиологии, медицине, и других областях. Успехи последних лет в этой области позволяют надеяться на создание в ближайшие годы новых материалов и приборов [1−4], в которых определяющими являются квантовые свойства. Для ряда таких приборов, например, квантовых клеточных автоматов [4], туннельных приборов, необходимы структуры и строго периодичные системы, элементы которых выполнены с атомной или молекулярной точностью. Фундаментальные ограничения стандартных литографических методов не позволяют достичь такой точности, поэтому в мире идет активный поиск новых высокоточных методов. Анализ литературы и тенденций развития нанотехнологии позволяет сделать вывод об актуальности перехода от плоской геометрии приборных структур к трехмерной, от одиночных наноструктур к наноструктурам, изготовление которых осуществляется с атомной или молекулярной точностью и высокой воспроизводимостью.

В диссертации изложены экспериментальные и теоретические результаты нового направления нанотехнологии, инициатором которого является автор диссертации. Совместно с учениками автора созданы и исследованы новые классы прецизионных твердотельных наноструктур, перспективных для формирования элементной базы наномеханики и наноэлектроники.

Цель данной работы.

Создать новое направление нанотехнологии, обеспечивающее молекулярную точность изготовления структур, разработать физические основы формирования новых классов тонкопленочных трехмерных наноструктур и систем, предназначенных для создания элементной базы наиоэлектроники и наномеханики.

Теоретически и экспериментально исследовать упругие, электрические и квантовые свойства созданных полупроводниковых и металлических наноструктур и систем.

Для достижения этой цели необходимо было решить следующие задачи:

1. предложить и разработать новые подходы в создании полупроводниковых микро — и наноструктур и прецизионных систем;

2. предложить и разработать методы и приемы, позволяющие контролируемо освобождать от связи с подложкой монокристаллические напряженные пленки молекулярных толщин и преобразовывать их в трехмерные оболочки и конструкции разнообразных форм;

3. найти условия, позволяющие формировать с высокой точностью тонкопленочные нанооболочки и трехмерные системы, в том числе, нанотрубки, спирали, гофрированные строго периодичные в латеральных направлениях системы. Продемонстрировать формирование этих объектов из полупроводников типа А3В5, Si, Ge;

4. исследовать закономерности масштабирования объектов и установить предельно достижимые минимальные размеры нанобъектов;

5. исследовать теоретически и экспериментально свойства созданных новых квантовых микрои нанообъектоврассчитать упругие напряжения и квантовые свойства полупроводниковых оболочек исследовать квантовый транспорт в созданных объектах;

6. разработать методы и приборы исследования электрических свойств и электрически активных центров в тонкопленочных стуктурах, в том числе в освобожденных от подложки.

7. исследовать в тонких пленках полупроводниковых соединений А3В5 примесные центры, сильно деформирующие окружающую решеткуисследовать зависимость свойств примесей от их размеров, состава твердых растворов и величины электрических полейрассмотреть возможность использования энергии упругой деформации в качестве движущей силы контролируемого формирования атомно размерных примесных объектов и приборов на их основе;

8. изучить области практического применения созданных микрои наноструктур, создать макеты простейших приборов.

Научная новизна заключается в создании нового направления в области физики и технологии формирования твердотельных наноструктур, обладающих новыми свойствами, открывающих новые возможности в создании приборов микро — и наномеханики и наноэлектроники.

Разработан единый подход в формировании микро-, нано — и атомно размерных квантовых объектов. Суть подхода — в контролируемом преобразовании упруго деформированных плоских пленок или упруго деформированной системы примесный атом-окружение в устойчивые микро-, нанои атомно размерные квантовые объекты с минимумом упругой энергии.

Сформулирована новая концепция и разработаны технологические и физические основы создания нового класса тонкопленочных наноструктурпрецизионных нанооболочек и систем на их основе. Разработаны методы, позволяющие отсоединять от подложки монокристаллические напряженные пленки молекулярных толщин, и контролируемо преобразовывать их в трехмерные оболочки и конструкции разнообразных форм. Эффективность методов продемонстрирована на примере изготовления микрои наноструктур из полупроводниковых, металлических и диэлектрических пленок (InGaAs/GaAs, InSbAs/InAs, InP/InAs, Si/GeSi, Si/GeSi/Si3N4/Cr, InAs, Au/Ti, Ta205/GaAs и т. д.).

Определены условия формирования и созданы прецизионные трехмерные твердотельные оболочки различных форм, в том числе, отдельные InGaAs/GaAs трубки с внутренним диаметром до 2 нм, периодичные гофрированные системы с периодом до 10 нм. Созданы упруго взаимодействующие, высокоупорядоченные во всех трех измерениях массивы полупроводниковых тонкопленочных наноструктур, в том числе, InGaAs и SiGe наногофрированные пленки, сформированные в строго ограниченном пространстве, и имеющие заданные амплитуду и период гофрировки.

На основании результатов численного моделирования оболочек, созданных на основе пленок InAs толщиной от 2 до 6 нм было показано, что оболочки обладают новыми квантовыми свойствами, не проявляющимися в других известных низкоразмерных объектаха) в стенках многовитковых InAs/GaAs нанотрубок происходит пространственное разделение электронов и дырокб) в наногофрированных InAs пленках, толщиной менее Знм, низшими являются квантовые уровни X — минимума, а локальные упругие деформации изгиба пленки вызывают сдвиги краев зон, расщепление X — минимума и приводят к появлению системы потенциальных ям глубиной до 1 эВ. Такие глубокие потенциальные ямы обеспечивают локализацию волновой функции электрона.

Впервые показана возможность контролируемого разрезания свободных тонких пленок (толщиной меньше 100 нм) атомно резкими хрупкими трещинами шириной < 2 нм с ровными атомно гладкими краями. Предложены и разработаны новые методы и приборы емкостной спектроскопии и неразрушающего, бесконтактного СВЧ экспресс-контроля электрических параметров тонкопленочных структур, в том числе внутренних слоев и границ раздела в структурах типа n±n-i;

Обнаружены новые физические явления и эффекты, характерные для тонкопленочных структур, в том числе содержащих примесные центры с глубокими уровнями. Предложны физические модели, объясняющие обнаруженные явления. Среди них такие как: а) гигантское возрастание в сильном электрическом поле сечений захвата электронов и дырок на притягивающие и нейтральные безызлучательные центры в GaAsб) сильнополевое переключение проводимости тонкопленочных GaAs, InP n-i структурв) влияние упругих полей примесей и дефектов на энергию ионизации и сечения захвата носителей на глубокие центры в GaAsг) устойчивость монослойных пленок к окислению и сращивание пленок, образующих стенку нанотрубок.

Созданы новые твердотельные объекты — свободные монослойные твердотельные пленки, обладающими новыми свойствами и требующими дальнейшего развития физических методов исследования и новых квантовохимических подходов.

Объекты, методы формирования структур и методы исследования.

Трехмерные микрои наноструктуры формировались из напряженных многослойных гетероструктур на основе соединений А3В5, выращенные молекулярно-лучевой эпитаксией на GaAs, InP и InAs, GaSb подложках и содержащих слои GaAs, AlAs, GaP, InAs, InSb, AlSb и слои твердых растворов на их основе. Исходными структурами являлись также структуры, содержащие слои Si, SiGe на Si подложках и гибридные структуры InAs/GaAs/Ta205, SiGe/Si/Cr и SiGe/Si/SixNy/Cr. Для освобождения пленок от связи с подложкой использовались жертвенные слои, специально выращенные между пленкой и подложкой, которые удалялись оригинальными высокоселективными травителями, не взаимодействующими с основными пленками. Формирование прецизионных наноструктур осуществлялось оригинальными методами, основанными на кристаллографических, химических и физических свойствах полупроводниковых кристаллов. Для изготовления исходных меза-структур применялись оптическая и электронная литографии и методы травления в плазме. Параметры и свойства созданных наноструктур исследовались с помощью сканирующего электронного микроскопа, сканирующего атомно-силового микроскопа и высокоразрешающего просвечивающего микроскопа.

Все исследования электрически активных примесей и дефектов в полупроводниковых соединениях А3В5 и, прежде всего, глубоких примесных центров, сильно деформирующих окружающую решетку, были выполнены разработанными высокоточными методами емкостной спектроскопии и неразрушающими СВЧ методами. Для исследований применялся целый ряд оригинальных методов неразрушающей диагностики тонкопленочных структур. Исследования структур в сильных электрических и квантующих магнитных полях были выполнены на стандартном оборудовании.

Нахождение формы и напряжений в тонкопленочных оболочках осуществлялось в рамках континуальной теории упругости. Численными методами решались системы нелинейных дифференциальных уравнений в частных производных (уравнения Фон Кармана). Энергетический спектр и волновая функция электронов нанотрубках и наногофрировках находились с использованием приближения эффективной массы и решением уравнения Шредингера.

Научная и практическая значимость работы. Создано новое направление в физике и технологии твердотельных наноструктур. Созданы новые классы микрои наноструктур, пригодных для формирования элементной базы наномеханики, наноэлектроники, для применений в молекулярной биологии, оптике. Трехмерные микрои наноструктуры (трубки, кольца, спирали, гофрировки и системы) с атомно гладкой поверхностью и прецизионными размерами в диапазоне от мкм до нм, которые невозможно создать другой известной технологией. Данные наноструктуры-представляют собой основу для создания приборов микро-, наномеханики, наноэлектроники и новых материалов, в том числе для изготовления наношприцов, нейрозондов, нанопринтеров, быстродействующих термоанемометров, fin-транзисторов и вертикальных транзисторов, туннельных диодов с подвижными электродами, трехмерных массивов периодично расположенных квантовых точек, монокристаллических нановолокон, нанопружин, киральных микрои нанообъектов и композиционных материалов на их основе.

Предложены и разработаны комплексные методы отсоединения от монокристаллических полупроводниковых гетероструктур напряженных пленок молекулярных толщин, методы прецизионного управления их изгибом, методы направленного сворачивания напряженных пленок, методы бездеформационной сверхкритической сушки и селективного травления структур, метод сборки сложных конструкций из отдельных оболочек, методы формирования строго периодичных гофрированных наноструктур и систем.

Созданы макеты микрои наноинструменты для молекулярной биологии на основе трубок и атомно острых игл. Изготовлены высокоскоростные гибридные термоанемометры. Сформированы плотные массивы наноигл, показана возможность изготовления атомно острых игл. Созданы киральные структуры. Созданы макеты туннельных диодов с подвижными электродами. Созданы новые материалысвободные, сверхгибкие монослойные пленки, спиралеобразные микрои нановолокна из Si/SiGe, полупроводниковых соединений А3В5 и нанокомпозиты на их основе.

Комплекс разработанных методов исследования как свободных трехмерных тонкопленочных структур, так и планарных тонкопленочных структур уже используемых для изготовления приборов.

Разработаны, созданы, запатентованы и используются на предприятиях, методы и приборы диагностики и исследования тонко пленочных многослойных структур: а) методы и приборы емкостной спектроскопии с высоким пространственным разрешением и чувствительностью (измеритель профиля легирования, емкостные высокочастотные и низкочастотные спектрометры глубоких уровней), методы диагностики качества внутренних слоев многослойных тонкопленочных структурыб) оригинальные методы и приборы неразрушающей и бесконтактной СВЧ диагностики качества внутренних слоев и границ раздела в тонкопленочных структурах, в том числе в структурах, предназначенных для изготовления интегральных схем, малошумящих GaAs полевых транзисторов, полевых транзисторов на основе гетероструктур с двумерным электронным газомв) методы неразрушающего измерения порога эффекта обратного управления, его величины в тонкопленочных структурахг) метод неразрушающего измерения подвижности и профиля подвижности в тонкопленочных структурах.

Приборы (профилометр, спектрометр глубоких уровней, неразрушающий измеритель-анализатор границ раздела и буферных слоев «ГРАН») используются в течение ряда лет для входного контроля многослойных n±n-i структур, предназначенных для изготовления малошумящих полевых транзисторов и интегральных схем в НИИ «Сатурн», г. Киев, НИИ «Пульсар» г. Москва, ИРЭ г. Москва, НИИМВ, г. Зеленоград, НИИПП, г. Томск, НИИМЭ, г. Зеленоград, НИИМЭТ г. Калуга. Неразрушающий контроль структур способствовал улучшению качества полупроводниковых структур (прежде всего буферных слоев и границ раздела) на заводах ЭЛМА г. Зеленоград, НИИПП г. Томск и в ИФП СО РАН г. Новосибирск. Например, постоянная времени хранения электронов, захваченных на границе пленка-подложка и характеризующая качество буферного слой, возросла почти в 105 раз за десять лет и приблизилась к значениям постоянной времени лучших зарубежных структур.

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Контролируемое преобразование упруго напряженных плоских пленок полупроводниковых гетероструктур в нанооболочки молекулярных толщин, открывает новое направление нанотехнологии и ранее не известные возможности в управлении свойствами материалов, создании новых приборов и систем наномеханики, наноэлектроники.

2. Преобразование плоских напряженных структур в трехмерные осуществимо на молекулярном уровне, с молекулярной точностью в трех направлениях. Прецизионность формирования задается высокой точностью выращивания исходных гетероструктур с помощью молекулярно лучевой эпитаксии. Осуществимо контролируемое отсоединение от подложки полупроводниковых пленок монослойных толщин (до 2ML для InAs/GaAs) и их преобразование под действием напряжений несоответствия параметров решетки и в зависимости от заданных граничных условий в трехмерные оболочки: нанотрубки, спирали, вертикальные наностенки, радиальные сверхрешетки, наногофрированные полоски и системы.

3. Свойства полупроводниковых оболочек молекулярных толщин качественно отличаются от свойств исходных плоских пленок, связанных с подложкой. Новые квантовые, химические и механические свойства нанооболочек обусловлены локальными гигантскими деформациями в них, сильным квантованием в поперечном направлении, близко расположенными свободными поверхностями и поверхностными явлениями. Полупроводниковые оболочки молекулярных толщин обладают устойчивостью к окислению, подвижностью, гибкостью и способностью к сращиванию с другими слоями, к упругому взаимодействию и созданию динамических систем. Механические свойства оболочек толщиной меньше 5ML не описываются континуальной теорией упругости.

4. Электронный спектр в напряженных наногофрированных бипленках на основе InAs толщиной меньше 3 нм определяется квантовыми уровнями электронов Х-минимума, а потенциальные ямы в латеральных направлениях (глубиной до.

1 эВ) — расщеплением Х-минимума в результате гигантской изгибной деформации пленок. Такие глубокие потенциальные ямы обеспечивают локализацию волновой функции электрона. Упругая деформация играет определяющую роль и в формировании электронного спектра стенок многослойных InAs/GaAs нанотрубок и приводит к пространственному разделению электронов и дырок в стенках.

5. В свободных полупроводниковых нанопленках осуществим управляемый разрыв атомных связей вдоль плоскостей спайности с формированием нанощелей с атомно-гладкими стенками. В качестве движущей силы при формировании нанощелей может выступать упругая энергия напряженной пленки.

6. Сильные электрические поля в GaAs кардинально меняют процессы захвата носителей заряда на притягивающие и нейтральные глубокие безызлучательные центры. Сечения захвата электронов и дырок возрастают до 106 раз, а коэффициент температурной зависимости сечений захвата меняет знак, что противоречит общепринятой теории многофононного захвата, не учитывающей наличие вокруг центра потенциальных барьеров, вызванных статической деформацией окружающей решетки.

7. Дополнительная упругая деформация решетки вокруг глубоких центров в GaAs, возникающая при замене в глубоком центре атомов As на изовалентный атом Sb большего радиуса, приводит к изменению глубины залегания уровня и уменьшению сечения захвата электронов. Энергия ионизации центра, А изменяется на 0,1 эВ, а центра EL2 на 0,25 эВ. Упругая деформация решетки увеличивает в 103 раз вероятность вхождения атомов Sb в глубокие центры на место атомов As.

8. Использование внутренней упругой энергии в качестве движущей силы формирования и позиционирования нанообъектов, перспективно для создания атомно-размерных объектов на основе глубоких центров в монослойных нанооболочках соединений А3В5. Основанием для этого являются: а) разработанные способы контролируемого создания в оболочках гигантских локальных напряжений, взаимодействующих с упругими полями вокруг глубоких примесей, б) предложенный способ локального изготовления коррелированных контактов к обеим поверхностям оболочекв) обнаруженные сильные зависимости параметров и свойств глубоких центров от величин электрического поля, давления, состава твердого раствора и радиуса примесей.

9. Электрические характеристики внутренних слоев и границ раздела в многослойных оболочках и тонкопленочных приборных структурах (например, в n±n-i структурах) могут быть установлены с помощью оригинальных неразрушающих СВЧ-методов и приборов.

Апробация работы.

Результаты диссертационной работы были представлены в 11 приглашенных и более, чем в 20 устных докладах на международных конференциях и симпозиумах в России, Японии, Канаде, США, Германии, Израиле, Швейцарии, Франции, Англии, Белоруссии, а также более, чем в 60 стендовых докладах на:

Всесоюзном симпозиуме по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, 1975) — Всесоюзной конференции «Радиационные эффекты в твердых телах» (Ашхабад, окт., 1977) — Всесоюзном совещании по исследованию арсенида галлия (Томск, сент., 1978) — Всесоюзной конференции по физике соединений А3В5 (Ленинград, окт., 1978) — Всесоюзном совещании по глубоким уровням в полупроводниках (Ташкент, окт., 1980) — Всесоюзной конференции по физике полупроводников Кишинев, 1988,1 Всесоюзной конференции «Физические основы твердотельной электроники» (Ленинград, 1989) — Конференции по проблемам СВЧ электроники (Львов, 1989) — 3-ем Всесоюзном семинаре по электронным процессам в двумерных системах (Новосибирск, 1989) — Всесоюзном семинаре по горячим электронам в полупроводниковых структурах пониженной размерности (Звенигород 1990) — Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Киев, 1990) — 5-ой и 6-ой Международных конференциях по модулированным полупроводниковым структурам (Пара, 1991, Гармиш-Партенкирхен, 1993), 5-ой и 6-ой Международных конференциях по сверхрешеткам и микроструктурам (Берлин, 1990, Ксиан, 1992) — 1-ой и 2-ой Международных к онференциях по физике низкоразмерных структур (Черноголовка, 1993, Дубна, 1995) — Российской конференции «Микроэлектроника-94» (Звенигород, 1994) — 7 Международном симпозиме по пассивации (Технический университет, Клаусхаль, ФРГ, 1994), 8th Conference on Semi-insulating 111-V Materials, (Warsaw, Poland, 1994), Int. Symposium «Heterostructures in Sciense and Technology» (Wurzburg, Germany, 1995) — Eleven Int. Conference on the Electronic Properties of TwoDimentional Systems (Nottingham, UK, 1995) — Int. Conference «Micro-and Nano Engineering» (Aix-en-Provence, France, 1995) — 3rd International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», St.

Petersburg, Russia, 1995; 1996; 1997; 1999; 2000; 2001; 2003; 2004; 23r International Symposium on Compound Semiconductors, St.-Petersburg, Russia, 1996; 111 Всероссийская конференции по физике полупроводников Москва, 1997; Autumn School: «Advanced semiconductors: formation, propertiesand characterization nanoscale structures» (Halle, Germany, 1997) — Международной конференции DRIP — XII (Берлин,.

1997) — The 24th Int. Conference on the Physics of Semiconductors9 Jerusalem, Israel,.

1998) — Всесоюзной конференции Микрои Наноэлектроника-98, Звенигород 1998; 26 International Symposium on Compound Semiconductors, Berlin, Germany, 1999; 8th International Conference on Defects — Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, Narita, Japan, 1999; International Autumn School on New Techniques in Electron Microscopy for Material Science, Halle, Germany, 1999; XIII Международной конференции «Electronic Properties of two-dimensional systems», Оттава, Канада, 1999; XXVI Международном симпозиуме «Compound Semiconductors», Берлин, Германия, 1999; IV Российской конференции по физике полупроводников, Новосибирск, 1999; V Российской конференции по физике полупроводников, Нижний Новгород, 2001; Fourth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, 2002, Karuizawa, JapanSymposium «Nano and Giga Challenges in Microelectronics 2002; 2004; Fifth ISTC Scientific Advisory Committee Seminar, Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and biotechnology, St. Petersburg, Russia 27−29 May, 2002, Международная зимняя школа по физике полупроводников С-Петербург-Зеленогорск 2002; International Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices (Toulouse, France, 22−26 July 2002) — NANO-7, 7th international conference on nanometer scale science and technology, Malmo, Sweden 24−28 June, 2002; «Microand Nano-Engineering 2002» Lugano- 26th International Conference on the Physics of Semiconductors (29 July — 2.

August 2002, Edinburgh International Conference Centre (EICC), Scotland, UK) — 15th.

International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics (5−9 August.

2002, Clarendon Laboratory, Oxford, UKNATO-Advance Study Institute (ASI).

Nanoengineered Nanofibrous Materials", Antalya, Turkey, September 1−12, 2003; IEEE.

Nano 2003″ - San Francisco (USA), August 12−14, 2003; Autumn School on Materials th.

Science and Electron Microscopy, Berlin, Germany, September, 2003; 5 International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces (ESPS-NIS), Stuttgart, Germany, October 13−15, 2003; International Conference NANOMEETING-2003, May 20−23, 2003, Minsk, Belarus- 12th Euro-MBE Workshop, Bad Hofgastein, Austria, February 16−19, 2003; Proc. 12th International Conference on Methods of Aerophysical Research, Novosibirsk, 2004.

Были сделаны также приглашенные доклады в институтах Японии и Германии: Японии (ЫТТ и ATR), Германии: Майнц (Институт микромеханики), Фрайбург (Институт прикладной физики твердого тела).

Общий индекс цитирования работ превышает 600. За последние три года индекс цитирования работ возрос почти на 200. Часть результатов диссертации вошла в 4 обзора и монографию зарубежных аторов, а также в российские обзоры, монографии и учебники.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, 5 глав и заключения и списка литературы из 305 наименования. Она изложена на 368 страницах и содержит 96 рисунков.

Основные результаты и выводы.

1. Создано новое направление в области физики и технологии твердотельных наноструктур, содержанием которого является формирование и исследование нового класса трехмерных структур со строго контролируемыми размерами и формой, представляющих собой оболочки молекулярных толщин и системы на их основе. Созданные нанообъекты не могут быть получены другой известной технологией, обладают уникальными механическими, электронными, квантовыми свойствами и открывают новые возможности в конструировании материалов, приборов наномеханики, наноэлектроники и оптоволоконной техники.

2. Показано, что полупроводниковые плоские пленки монослойных толщин (до 2 монослоев для InGaAs) могут быть контролируемо отсоединены от подложки и преобразованы под действием собственных, внутренних упругих напряжений в микрои нанотрубки, спирали, кольца, периодичные наногофрированные пленки, нановолокна, а также другие замкнутые и открытые нанооболочки и регулярные массивы на их основе. Форма и размеры оболочек контролируемо задаются толщиной, внутренними напряжениями пленки и граничными условиями.

3. Предложены оригинальные методы формирования нанооболочек, основанные на упругих свойствах кристалла, высокой точности выращивания исходных напряженных структур, возможности удаления жертвенных слоев монослойных толщин. Эти методы совместимы с методами полупроводниковой микроэлектроники, их совокупность образует технологию, предназначенную для формирования элементной базы наномеханики и квантовой наноэлектроники. Разработанная технология продемонстрирована на примере изготовления новых наноструктур из полупроводниковых, металлических и диэлектрических пленок.

InGaAs/GaAs, InSbAs/InAs, InP/InAs, Si/GeSi, Si/GeSi/Si3N4/Cr, InAs, Au/Ti, Ta205/GaAs и т. д.). К настоящему времени сформированы цилиндрические нанооболочки из ряда материалов, в том числе из полупроводниковых пленок InGaAs/GaAs — трубки и спирали с минимальными диаметрами до 2 нм и 7 нм, соответственно, из пленок Si/GeSiтрубки и спирали с минимальными диаметрами, 10 нм и 65 нм, из металлических пленок Au/Tiтрубки с минимальным диаметром 40 нм. Созданы гибридные трубки металл-диэлектрикполупроводник, полупроводниковые и металлические микрои нанотрубки, волокна с длиной до 10 см и композиционные материалы на их основе.

4. Предложен новый подход к созданию регулярных двухмерных и трехмерных массивов квантовых проволок и квантовых точек на основе строго периодичных гофрированных пленок. Созданы InGaAs и SiGe гофрированные системы, расположенные между заданными слоями многослойных структур, и имеющие строго заданные амплитуду и период. Сформированы периодичные гофрированные InGaAs системы с периодом до 10 нм. Прецизионность таких систем обеспечивается высокой точностью выращивания исходных многослойных структур.

5. Разработана единственная к настоящему времени технология, позволяющая формировать полупроводниковые микрои напообъекты разнообразной формы с молекулярной точностью. Изготовлены: а) нанотрубки, с презиционными диаметром, толщиной стенок и длинойб) вертикальные наностенкив) прецизионные радиальные сверхрешеткиг) протяженные туннельные зазорыд) гофрированные полоски, с заданной толщиной, амплитудой, периодоме) спирали, у которых все поверхности атомно-гладкие, а диаметр и шаг точно заданныж) гофрированные системы, с точно заданными периодом и амплитудой.

6. Показано, что электронные, химические и механические свойства монослойных полупроводниковых оболочек качественно отличаются от свойств j/ плоских монослойных пленок, связанных с подложкой. Новые квантовые, химические и механические свойства нанооболочек обусловлены локальными гигантскими деформациями в них, сильным квантованием в поперечном направлении, близко расположенными свободными поверхностями и поверхностными явлениями. Механические свойства монослойных оболочек не описываются континуальной теорией упругости — у трубок сформированных из InGaAs/GaAs пленок толщиной 4ML, 3ML, 2ML диаметры меньше расчетных соответственно в 3, 4.5, и 5 раз. В монослойных полупроводниковых пленках возможен управляемый разрыв атомных связей вдоль плоскостей спайности с формированием нанометровых атомно-гладких ровных щелей. Упругой энергии полосок из напряженных пленок достаточно для разрыва атомных связей по краям полоски в процессе изгиба и сворачивания. Полупроводниковые оболочки молекулярных толщин устойчивы к окислению, гибки, способны упруго взаимодействовать друг с другом, сращиваться и создавать динамические системы.

7. Методами численного моделирования показано, что полупроводниковые ианооболочки обладают ярко выраженными квантовыми свойствами, не проявляющимися в других известных низкоразмерных объектах. В отличие от них, в напряженных InAs наногофрированных бипленках толщиной меньше 3 нм и с периодом порядка 40 нм, электронный спектр определяется квантовыми уровнями электронов Х-минимума, а потенциальные ямы в латеральных направлениях глубиной до 1 эВ — сдвигом и расщеплением Х-минимума в результате гигантской изгибной деформации пленок. Такой значительный потенциальный рельеф обеспечивает локализацию волновой функции электрона в отдельной потенциальной яме наногофрированной пленки.

В отличие от плоских пленок в стенках многослойных InAs/GaAs нанотрубок происходит пространственное разделение электронов и дырок. Этот эффект вызван гигантским изменением упругой деформации по толщине стенок, которая и определяет потенциальный рельеф.

8. Разработаны методы и приборы, позволяющие получать информацию об глубоких центрах и электрических свойствах внутренних слоев и границах раздела в тонкопленочных многослойных структурах и нанооболочках. Это новые методы и приборы емкостной спектроскопии глубоких уровней и неразрушающие СВЧ-методы и приборы Эффективность емкостных методов проиллюстрирована на примерах исследования свойств глубоких центров, а неразрушающих СВЧ-методов — на примере контроля арсенид галлиевых n±n-i структур и модулировано легированных гетероструктур, предназначенных для изготовления полевых транзисторов и интегральных схем.

9. Обнаружено, что сильные электрические поля в GaAs кардинально меняют процессы захвата носителей заряда на притягивающие и нейтральные глубокие безызлучательные центры. В сильных электрических полях сечения захвата электронов и дырок на центры не уменьшаются, как это следует из общепринятой теории безызлучательного многофононного захвата, а возрастают до 106 раз. Это явление объяснено наличием вокруг центров потенциальных барьеров, вызванных статической деформацией окружающей решетки. Разогрев в электрическом поле электронов и дырок позволяет им преодолевать эти барьеры и эффективно захватываться на центры. Данное явление лежит в основе обнаруженного сильнополевого переключения проводимости тонкопленочных n-i структур и разработанных методов иеразрушающей диагностики тонкопленочных структур.

10. Показано, что дополнительная упругая деформация решетки вокруг глубоких центров в GaAs, возникающая при замене в глубоком центре атомов As на изовалентный атом Sb большего радиуса, приводит к изменению глубины залегания уровня и уменьшению сечения захвата электронов. Взаимодействие полей сжатия решетки вокруг примеси Sb и полей растяжения вокруг дефектов типа вакансия увеличивает в 103 раз вероятность вхождения атомов Sb в дефект.

11. Показано, что использование внутренней упругой энергии в качестве движущей силы формирования и позиционирования нанообъектов, перспективно для создания атомно-размерных объектов на основе глубоких центров в монослойных нанооболочках соединений А3В5. Основанием для этого являются: разработанные способы контролируемого создания в оболочках гигантских локальных напряжений, взаимодействующих с упругими полями вокруг глубоких примесей, предложенный способ локального изготовления коррелированных контактов к обеим поверхностям оболочек, обнаруженные сильные зависимости параметров и свойств глубоких центров от величин электрического поля, давления, состава твердого раствора и радиуса примесей, а именно: а) гигантское (до 106 раз) возрастание сечений захвата электронов и дырок на глубокие центры в GaAs (эффективный диаметр взаимодействия (10 нм — 3 нм) сравним с толщиной свободных пленок и достижимыми размерами литографического рисунка) — б) сильнополевой эффект переключения проводимости в пленках GaAs, InP (проводимость меняется до 105 раз) — в) значительное (до 105 раз) возрастание сечений захвата электронов на глубокие центры в InGaAs при возрастании содержания In до 33%- г) сильная зависимость от деформации кристалла вероятности образования примесных центров и положения их уровней в запрещенной зоне.

Заключение

.

Данная работа была выполнена в Институте физики полупроводников СО РАН. Она начиналась в Лаборатории кинетических явлений в полупроводниках (зав. лаб. д.ф.-м.н., проф. А.Ф. Кравченко) и была продолжена в Лаборатории высокочастотных процессов в полупроводниках (зав. лаб. д.ф.-м.н. П.А. Бородовский), а с 1992 года в Лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур (зав. лаб. к.ф.-м.н. В.Я. Принц).

Автор искренне благодарен д.ф.-м.н. проф. А. Ф. Кравченко, д.ф.-м.н. П. А. Бородовскому, член-корр. РАН И. Г. Неизвестному, член-корр. РАН А. В. Чаплику за поддержку и интерес к работе на всех этапах ее выполнения.

Автор благодарен своим ученикам — молодым сотрудникам Лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур ИФП СО РАН: с.н.с. к.ф.-м.н. В. А. Селезневу, н.с. С. В. Голоду, с.н.с. к.ф.-м.н А. Б. Воробьеву, н.с. к.ф.-м.н А. В. Чеховскому, м.н.с. А. В. Принцу и м.н.с. А. В. Копылову совместная работа с которыми привела к формированию нового направления нанотехнологии, а также, с.н.с. к.ф.-м.н. В. А. Самойлову и с.н.с. С. Н. Речкунову, совместная работа с которыми привела к созданию комплекса емкостных и неразрушающих СВЧ приборов для исследования и диагностики многослойных тонкопленочных структур, в том числе, предназначенных для изготовления полевых транзисторов и интегральных схем.

Автор также благодарен в.н.с. к.ф.-м.н. А. К. Гутаковскому за исследование нанотрубок на высокоразрешающем электронном микроскопе, с.н.с. к.ф.-м.н. В. В. Преображенскому, к.ф.-м.н. Б. Р. Семягину, зав. лаб. к.ф. -м.н. А. И. Торопову за предоставление высококачественных эпитаксиальных гетероструктур, с.н.с. к. ф,-м.н. В. М. Осадчему и многим другим сотрудникам ИФП СО РАН за помощь, в процессе выполнения работы.

Личный вклад автора.

Исследования, результаты которых представлены в диссертации, выполнены по инициативе и под руководством автора или лично автором. Идеи, постановка задач и интерпретация результатов принадлежат автору диссертации. Практически все статьи по теме диссертации написаны автором после обсуждения с соавторами.

Показать весь текст

Список литературы

  1. К., Уильяме Р. С. и Аливиеатос П. Нанотехнология в ближайшем десятилетии, прогноз направления исследований. Перевод с англ. под редакцией А. В. Хачояна, Р. А. Андриевского, -Москва: «Мир», 2002.
  2. Moriarty P. Nanostructured materials.- Rep. Prog. Phys., 2001, 64, p.297−381.
  3. Handbook of Nanostructured Materials and Nanotechnology, Academic Press, San Diego-Tokio, 2000, l, p.327−360.
  4. Handbook of Nanoscience, engineering, and technology, ed. W. A. Goddard, D. W. Brenner, S.E.Lyshevski, G.j. Iafrate, 2003, by CRC Press LLC.
  5. Compano R. Technology Roadmap for Nanoelectronics, European Communities, 2001, Belgium.
  6. A.B. Углеродные нанотрубки. -УФН, 1997, т. 167, № 9, с.945−97.
  7. Bernholc J., Brenner D., Buongiorno M. Nardelli, Meunier V. and Roland C.- Annu. Rev. Mater. Res., 2002, 32, p.347−375.
  8. Saito Y., Tsuji N., Minamino Y., Ueji R. A new and simple process to obtain nanostructured bulk low-carbon steel with superior mechanical property.- Scripta Materialia, 2002, 46, p. 305−310.
  9. Ajayan P. M., Chem.Rev., 1990, 99, p. 1787−1799.
  10. Rueckes Т., Kim K., Joselevich E., Tseng G.Y., Cheung C., Lieber C. Carbon Nanotube-Based Nonvolatile Random Access Memory for Molecular Computing.- Science, 2000, 289, p. 94−97.
  11. No"tzel R., Ledentsov N.N., Da’weritz L., Hohenstein M., and Ploog K. Semiconductor quantum-wire structures directly grown on high-index surfaces. Phys. Rev. B, 1992, 45, p.3507.
  12. Feynman R.P. There’s Plenty of Room at the Botton, 1959, http: Avww.zyvex.com/nanoteeh/feynman.html.
  13. Landauer R., IBM J.Res.Dev., 1957, 1, p.223- R. Landauer, Phil.Mag., 1970, 21, p. 863.
  14. Л.Б., ФТТ, 1962, т.4 с. 2265- Esaki L., Tsu R. — IBM J. Res. Dev., 1970, v.14, p.61.
  15. K.K. -Microelektronikz, 1987, 16, p. 195- K.K.Likharev, Physics and possible applications of single-electron devices, Future Electron Dev. J. 1995, v.6, p. 5−14.
  16. Prinz V.Ya., Seleznev V.A., and Gutakovsky A.K. Self-formed InGaAs/GaAs Nanotubes: Concept, Fabrication, Properties. -The Physics of Semiconductors, 1999, Wold Scientific ISBN: 981−02−4030−9 (CD).
  17. Prinz V.Ya., Seleznev V.A., Gutakovsky A.K., Chehovskiy A.V., Preobrazenskii V.V., Putyato M.A., and Gavrilova T.A. Free-standing and overgrown InGaAs/GaAs nanotubes, nanohelices and their arrays. -PhysicaE, 2000, v. 6, (1−4), p. 828−831.
  18. Prinz V.Ya., Seleznev V.A., Samoylov V.A., and Gutakovsky A.K., Nanoscale engineering using controllable formation of ultra-thin cracks in heterostructures, Microelectronic Engineering, 1996, 30, p. 439−442.
  19. Prinz V.Ya., Griitzmacher D., Beyer A., David C., Ketterer В., and Deccard E. A new technique for fabricating three-dimensional micro- and nanostructures of various shapes. Nanotechnology, 2001, 12, p. 399−402.
  20. Prinz V. Ya., Chehovskiy A. V., Preobrazenskii V. V., Semyagin B. R. and Gutakovsky A. K. A technique for fabricating InGaAs/GaAs nanotubes of precisely controlled length. -Nanotechnology, 2002, 13, p.231−233.
  21. Golod S. V., V. Prinz Ya., Mashanov V. I., and Gutakovsky A. K. Fabrication of conducting GeSi/Si micro-and nanotubes and helical microcoils. Sem. Sci. Techn., 2001, v 16, p. 181−185.
  22. Vorob’ev A. B. and Prinz V. Ya. Directional rolling of strained heterofilms. Semicond. Sci. Technol., 2002, v.17, p. 614−616.
  23. A.B., В Селезнев A., Принц В. Я. Микроигла в интегральном исполнении и способ ее изготовления, Патент № 2 179 458, опубл. 2002, бюл. № 5.
  24. Timoshenko S., and Gere J.M. Theory of Elastic Stability. New-York: McGraw-Hill, 1961, ch. 9.
  25. Timoshenko S., and Woinowsky-Krieger S. Theory of Plates and Shells. McGraw-Hill, New York, 1959.26.0садчий B.M., Принц В. Я. Разделение носителей заряда в свернутых гетероструктурах. Письма в ЖЭТФ, 2000, т.72, в.6, с.451−456.
  26. V Prinz. Ya., Golod S. V., Mashanov V. I., and Gutakovsky A. K. Free-standing conductive GeSi/Si helical microcoils, micro- and nanotubes. Inst. Phys. Conf. Ser., 2000, v. 166, p. 203−206.
  27. Prinz V.Ya., A Vorob’ev.B., and Seleznev V.A. Three-dimensional structuring using self-rolling of strained InGaAs/GaAs films. Compound Semiconductors, 2001, Inst. Phys. Conf. Ser., 2002, 170, Ch 4, pp. 319−323.
  28. Prinz V.Ya. A new concept in fabricating building blocks for nanoelectronic and nanomechanic devices. Microelectronic Engineering, 2003, 69 (2−4), pp. 466−475.
  29. В.Я. Трехмерные самоформирующиеся наноструктуры на основе свободных напряженных гетеропленок. Известия вузов «Физика», 2003, 46(6), с. 35−43.
  30. Prinz V.Ya. Properties of semiconductor nanotubes and nanoshells fabricated on (111), (110) GaAs, Si and on vicinal (001) GaAs substrates. -Physica E, 2004, v. 24 p. 260 268.
  31. Prinz V.Ya. Precise semiconductor nanotubes and nanocorrugated quantum systems. -Physica E, 2004, v. 24, pp.54−62.
  32. Prinz V.Ya., and Vyun V.A. Phys. Rev. (направлена в печать).
  33. Prinz V.Ya., and Prinz A.V. -Science (направлена в печать).
  34. Nastaushev Yu.V., Prinz V.Ya., and Svitasheva S.N. A technique for fabricating Au/Timicro- and nanotubes. Nanotechnology, 2005, 16, p. 908−912. Патент Российской
  35. Федерации RU 2 238 239 Способ создания нанотрубок. Ю. В. Настаушев, ВЛ. Принц, опубл. 2004, Бюл. № 29.
  36. Vorob’ev A.B., Prinz V.Ya., Toropov A.I., and Yukecheva Yu.S. 3Workshop on Electron Deices and Materiels, Proceedings EDM 2002, p.64−67.
  37. Vorob’ev A.B., Prinz V.Ya., Yukecheva Ju.S., and Toropov A.I. Magnetotransport properties of two-dimension electron gas on cylindrical surface. -Physica E, 2004, v. 24 p. 171−176.
  38. Prinz A.V., Prinz V. Ya, and Seleznev V.A. Semiconductor micro- and nanoneedles for microinjections and ink-jet printing. -Microelectronic Engineering, 2003, 67−68, p.782−788.
  39. Vorob’ev A.B., Prinz V.Ya., Preobrazhenskii V.V., and Semyagin B.R. Free-standing InAs/InGaAs microtubes and microspirals on InAs (100). Jpn. J. Appl. Phys, 2003, 42, Part 2 (1A/B), p. L7-L9.
  40. Seleznev V.A., Yamaguchi H., Hirayama Y., and Prinz V. Single-Turn GaAs/InAs Nanotubes Fabricated Using the Supercritical C02 Drying Technique. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, No.7AL791 — L794.
  41. Chehovskiy A.V., and Prinz V.Ya. Application of supercritical fluids for fabrication of free-standing nanoobjects, in Proc. 11th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology». St. Petersburg, Russia, 2003, p.292−293.
  42. Chehovskiy A.V. and Prinz V.Ya. Application of supercritical fluids for fabrication of free-standing nanoobjects. International Journal ofNanoscience, 2004, v. 3, 1&2 1−8.
  43. Golod S.V., Prinz V.Ya., Wagli P., Zhang L., Kirfel O., Deckhardt E., Glaus F., David C. and Griitzmacher D. Free-Standing SiGe/Si/Cr and SiGe/Si/SixNy/Cr Microtubes. -Appl. Phys. Lett., 2004, 84, No. 17, p. 3391−3393.
  44. В.Я., Селезнев В. А., Чеховский А. В. Самоформирующиеся полупроводниковые микро- и нанотрубки. Микросистемная техника, 2003, № 6, с.10−16.
  45. Zhang L., Griitzmacher D., Golod S.V., Prinz V.Ya., and Deckardt E. Free-standing Si/SiGe micro- and nano-objects. Physica E, 2004,23, p. 280−285.
  46. Prinz V.Ya. New ultra-precise semiconductor and metal nanostructures: tubes, shells and their ordered arrays. IEEE Trans on Nanotechnol. 2003 Third IEEE Conference on Nanotechnology Proceedings, IEEE, New Jersey, USA, p. 199−204
  47. Golod S.V., Prinz V.Ya., and Mashanov V.I. Microneedles directionally rolled from strained SiGe/Si bifilms on (110) Si substrates. Thin Solid Films, 2005.
  48. Golod S.V., Griitzmacher D., David C., Deckardt E., Kirfel O., Mentese S., and Ketterer B. Fabrication of SiGe/Si/Cr bent cantilevers based on self-rolling of epitaxial films. -Microelectronic Engineering, 2003, 67−68, p. 595−601.
  49. Prinz A.V., and Prinz V.Ya. Application of semiconductor micro- and nanotubes in biology. -Surface Science, 2003, 911, p. 532−535.
  50. Патент Российской Федерации № 2 207 576, Датчик термоанемометра, А. Н. Шиплюк, В. А. Селезнев, В. М. Анискин. Зарегистрирован 27.06.2003.
  51. Заявка на изобретение Нановолокна. 2003, Принц А. В., Принц В.Я.
  52. Prinz V.Ya. New precise nanostructures: semiconductor shells and their well ordered arrays, in: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, editor V.E.Borisenko, S.V. Gaponenko and V.S.Gurin, World Scientific, 2003, p.471−474.
  53. Kopilov A.V., and Prinz V.Ya. (to be published).
  54. Vorob’ev A.B., Prinz V.Ya., Yukecheva Yu. S., Toropov A.I. Magnetotransport properties of two-dimensional electron gas on cylindrical surface. Physica E, 2004, 23, p.171−176.
  55. Prinz V.Ya., Seleznev V.A., Gutakovsky A.K., Toropov A.I., Aliev V.S. Rolled InAs/GaAs/Ta205 heterofilms containing InAs quantum dots. 2004, (to be published).
  56. Prinz V.Ya., Seleznev V.A., Gutakovsky A.K., Toropov A.I., Aliev V.S. RolledL
  57. As/GaAs/Ta205 heterofilms containing InAs quantum dots Proceedings of 11 International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», St. Petersburg, Russia, June 23−28,2003, p. 327.
  58. P.А., Принц В. Я., Селективный травитель, заявка на изобретение.
  59. Tsui Y.C., and Clyne T.W. An analitical model for predicting residual stresses in progressivily deposited coatings.- Thin Solid Films., 1997, 306, p.23.
  60. Tredgold R.H. Rep.Prog.Phys., 1987, 50, p. 1609−1656.
  61. Franceschetti A., and Zunger A. Appl. Phys. Lett., 1996, v. 68, N 24 p.3455.
  62. Magarill L.I., Romanov D.A., and Chaplik A.V. Low-dimensional electrons in curvilinear nanostructures. Usp. Phys. Nauk, 2000, 170, No. 3, p. 325−327.
  63. Magarill L.I., Romanov D.A., and Chaplik A.V. Ballistic transport and spin-orbitinteraction of two-dimensional electrons on cylindrical surface. JETP, 1998, v.86, p.771−779.
  64. Magarill L.I., Chaplik A.V. Influence of spin-orbit interaction of two-dimensional electrons on the magnetization of nanotubes JETP, 1999, v.88, p.815−818.
  65. Entin M.V., Magarill L.I. Spin-orbit interaction of electrons on a curved surface. Phys. Rev. B, 2001, v.64, p.85 330−1 — 85 330−5.
  66. Entin M.V., Magarill L.I. Electrons in a twisted quantum wire. Phys. Rev. B, 2002, v.66, p. 205 308−1 -205 308−5.
  67. Magarill L.I., Entin M.V. Electrons in a curved quantum wire. JETP, 2003, v.96, p. 766−774. Vurgaftman I., J Meyer.R., and Ram-Mohan L.R. Applied physics review. -J.Appl.Phys., 2001, v.89, p.5815−5875.
  68. Schmidt.G., and Eberl K. Nature, 2001, v.410, р.168+ correction: Nature, 2001, v.412, p.42.
  69. Schmidt O. G., Deneke C., Manz Y.M. and Muller C. Semiconductor tubes, rods and rings of nanometer and micrometer dimension.- Physica E, 2002, 13, p. 969−973.
  70. Schmidt O.G., and Jin-Phillipp N.Y. Free-standing SiGe-based nanopipelines on Si (001) substrates. Appl. Phys. Lett., 2001, 78, p.3310−3312.
  71. Schmidt O. G, Deneke C., Schmarje N., MulleC. r, and Jin-Phillipp N.Y. Materials -Science and Engineering C, 2002, v. 19, p.393−396.
  72. Vaccaro P.O., Kubota K., and Aida T. Appl. Phys. Lett., 2001, v.78, p.2852−2854.
  73. Kubota K., Vaccaro P.O., Ohtani N., Hirose Y., Hosoda M., and Aida T. Photoluminescence of GaAs/AlGaAs micro-tubes contsining uniaxially strained quantum wells. Physica E, 2002, 13, p.313−316.
  74. Hosoda M., Kishimoto Y., M Sato., Nashima S., Kubota K., Saravanan S., Vaccaro P.O., Aida Т., and Ohtani N. Quantum-well microtube constructed from a freestanding thin quantum-well layer. Appl. Phys. Lett., 2003, v.83, n.6, p.1017−1019.
  75. Kubota К., T Fleischmann., S Saravanan., Vaccaro P.O., and Aida T. Self-assembly of microstage using micro-orifami technique on GaAs.- Jpn. J. Appl. Phys., 2003, v.42, p. 4079−4083.
  76. Mendach S., Schumacher O., Heyn Ch., Schnull, and Hansen W. Transport on curved two-dimensional electro gases in InGaAs-Tubes and Coils, Fifth International Workshop on ESPS-NIS Stuttgart, Germany, 2003, p.20.
  77. Kleiner A. Chiral spin currents and quantum Hall effect in nanotubes. Phys.Rev.B., 2003, 67, p.155 311.
  78. Г. С., Волков B.JI., Ивановская B.B., Ивановский А. Л. Нанотрубки и родственные наноструктуры оксидов металлов. Екатеринбург: УрО РАН, 2005.
  79. Lorke A., Bohm S., Wegscheider W. Curved two-dimensional electron gases. -Superlattices and microatructures, 2003, 33 (5−6), p. 347−356.
  80. Takagaki Y., Sun Y.J., Brandt O., et al. Strain relaxation in AIN/GaN bilayer films grown on gamma-LiA102(100) for nanoelectromechanical systems.- Appl. Phys. Lett., 2004, 84 (23), p. 4756−4758.
  81. Nikishkov G.P., Khmyrova I., Ryzhii V. Finite element analysis of self-positioning microstructures and nanostructures. Nanotechnology, 2003, 14 (7), p. 820−823.
  82. Schumacher О., Mendach S., Welsch H., et al. Lithographically defined metal-semiconductor-hybrid nanoscrolls. -Appl. Phys. Lett., 2005, 86 (14), Art. No. 143 109.
  83. Deneke C., Schmidt O.G. Real-time formation, accurate positioning, and fluid filling of single rolled-up nanotubes. -Appl. Phys. Lett., 2004, 85 (14), p. 2914−2916.
  84. Zhang L., Golod S.V., Deckardt E., et al. Free-standing Si/SiGe micro- and nanoobjects, Physica E. 2004, 23 (3−4), p. 280−284.
  85. Magarill L.I., Entin M.V. Electrons in a curvilinear quantum wire. JETP, 2003, 96 (4), p. 766−774.
  86. Ivanovskii A.L. Non-carbon nanotubes: Synthesis and simulation. Uspekhi khimii, 2002,71 (3), p. 203−224.
  87. Ivanova EA, Morozov N. F. An approach to the experimental determination of the bending stiffness of nanosize shells. Doklady physics, 2005, 50 (2), p. 83−87.
  88. E.A., Кривцов A.M., Морозов Н. Ф., Фирсова А. Д. Учет моментпого взаимодействия при расчете изгибной жесткости наноструктур. Доклады Академии наук. 2003, 391, N 6, с.764−768.
  89. Е.А., Кривцов A.M., Морозов Н. Ф. Особенности расчета изгибной жесткости нанокристаллов. -Доклады Академии наук. 2002, 385(4), с. 494−496.
  90. Vedernikov A.I., Chaplik A.V. Vibration modes and electron-phonon interaction in semiconductor nanotubes. -Semiconductors, 2004, 38 (11), p. 1316−1322.
  91. Voncken M.M.A.J., Schermer J.J., Bauhuis G.J., et al. Strain-accelerated HF etching of AlAs for epitaxial lift-off. -J. Physics C, 2004, 16 (21), p. 3585−3596.
  92. Fleischmann Т., Kubota K., Vaccaro P.O., et al. Self-assembling GaAs mirror with electrostatic actuation using micro-origami. -Physica E, 2004, 24 (1−2), p. 78−81.
  93. Ocampo J.M.Z., Vaccaro P.O., Kubota K., et al. Characterization of GaAs-based micro-origami mirrors by optical actuation. Microelectronic engineering, 2004, 73−4, p. 429-. 434.
  94. Vedernikov A.I., Govorov A.O., Chaplik A.V. Plasma oscillations in nanotubes and the Aharonov-Bohm effect for plasmons. JETP, 2001. 93 (4), p. 853−859.
  95. Shevchenko S.N. and Kolesnichenko Yu.A. Conductance of the elliptically shaped quantum wire, -JETP, 2001, 92, p.811−815.
  96. Deneke C., Jin-Phillipp N.Y., Loa I, et al. Radial superlattices and single nanoreactors. -Appl. Phys. Lett., 2004, 84 (22), p. 4475−4477.
  97. Deneke C., Muller C., Jin-Phillipp N.Y., et al. Diameter scalability of rolled-up In (Ga)As/GaAs nanotubes. -Semiconductor science and technology, 2002, 17(12), p.1278−1281.
  98. Shein I.R., Ivanovskaya V.V., Medvedeva N.I. et al. Electronic properties of new Ca (AlxSil-x)(2) and Sr (GaxSil-x)(2) superconductors in crystalline and nanotubular states. JETP Letters, 2002, 76 (3), p. 189−193.
  99. Kibis O.V., Parfitt D.G.W., Portnoi M.E. Superlattice properties of carbon nanotubes in a transverse electric field. Phys. Rev. B, 2005, 71 (3), Art. No. 35 411.
  100. Chen H.C., Liao K.F., Lee S.W., et al. Self-forming silicide/SiGe-based tube structure on Si (001) substrates. Thin solid films, 2004,469−70, p. 483−486.
  101. Deneke C., Schmidt O.G. Lithographic positioning, areal density increase and fluid transport in rolled-up nanotubes. Physica E. 2004, 23 (3−4), p. 269−273.
  102. Belov V.V., Dobrokhotov S.Y., Sinitsyn S.O., et al. Quasiclassical approximation and the Maslov canonical operator for nonrelativistic equations of quantum mechanics in nanotubes. Doklady mathematics, 2003, 68 (3), p. 460−465.
  103. Yang W.Y., Xie Z.P., Ma J.T., et al. Polygonal single-crystal aluminum borate microtubes. Journal of the american ceramic society. 2005, 88 (2), p. 485−487.
  104. Tokuda Т., Sakano Y., Mori D., et al. Fabrication and current-drive of SiGe/Si 'Micro-origami' epitaxial MEMS device on SOI substrate. Electronics letters, 2004, 40 (21), p. 1333−1334.
  105. Glassmaker N.J., Hui C.Y. Elastica solution for a nanotube formed by self-adhesion of a folded thin film. J. Appl. Phys., 2004, 96 (6), p. 3429−3434.
  106. Mendach S., Schumacher О., Heyn C., et al. Preparation of curved two-dimensional electron systems in InGaAs/GaAs-microtubes. Physica E. 2004, 23 (3−4), p. 274−279.
  107. Remskar M., Inorganic nanotubes. -Adv. Mat., 2004, 16 (17), p. 1497−1504.
  108. Liu Y., Dong H., Liu M.L. Well-aligned «nano-box-beams» of Sn02. Adv. Mat., 2004, 16 (4), p. 353.
  109. Bulaev D.V., Geyler V.A., Margulis V.A., Effect of surface curvature on magnetic moment and persistent currents in two-dimensional quantum rings and dots. Phys. Rev. B, 2004, 69 (19): Art. No. 195 313.
  110. Zhou T.Y., Xin X.Q. Room temperature solid-state reaction-a convenient novel route to nanotubes of zinc sulfide. Nanotechnology, 2004, 15 (5), p. 534−536.
  111. Chaplik A.V., Blick R.H. On geometric potentials in quantum-electromechanical circuits. New journal of physics, 2004, 6, Art. No. 33.
  112. Bulaev D.V., Margulis V.A. Magnetic moment of an electron gas on the surface of constant negative curvature. European physical journal B, 2003, 36 (2), p. 183−186.
  113. Magarill LI, Entin M.V. Optical and photoelectric properties of helical quantum wires. JETP Letters, 2003, 78 (4), p. 213−217.
  114. Vorob’ev A, Vaccaro P, Kubota K, et al. SiGe/Si microtubes fabricated on a silicon-on-insulator substrate Journal of physics d-applied physics, 2003, 36 (17), pp. L67-L69.
  115. Bulaev D.V., Geyler V.A., Margulis V.A. Quantum Hall effect on the Lobachevsky plane. Physica B. 2003, 337 (1−4), p. 180−185.
  116. Wang B.L., Chen Q., Wang R.H., et al. Synthesis and characterization of K2Ti60i3nanowires. Chem. Phys. Lett., 2003, 376 (5−6), p. 726−731.
  117. Vorob’ev A., Vaccaro P., Kubota K., et al. Array of micromachined components fabricated using «micro-origami» method. -Jap. J. Appl. Phys. Lett., part 1-regular papers short notes & review papers. 2003,42 (6B), p. 4024−4026.
  118. Golod S.V., Grutzmacher D., David C., et al. Fabrication of SiGe/Si/Cr bent cantilevers based on self-rolling of epitaxial films. Microelectronic engineering. 2003, 67−8, p. 595−601.
  119. Korenblum В., Rashba E.I. Classical properties of low-dimensional conductors: Giant capacitance and non-ohmic potential drop. Phys. Rev. Lett., 2002, 89 (9): Art. No. 96 803.
  120. Vayssieres L, Keis K, Hagfeldt A. et al. Three-dimensional array of highly oriented crystalline ZnO microtubes. Chem. Mat., 2001, 13 (12), p. 4395.
  121. Schmidt O.C., Schmarje N., Deneke C., et al. Three-dimensional nano-objects evolving from a two-dimensional layer technology. -Adv. Mat., 2001, 13 (10), p. 756 759.
  122. Nikishkov G.P. Curvature estimation for multilayer hinged structures with initial strains. J. Appl. Phys., 2003, 94 (8), p. 5333−5336.
  123. Schmidt O.G., Deneke С., Kiravittaya S., et al. Self-assembled nanoholes, lateral quantum-dot molecules, and rolled-up nanotubes. IEEE Journal of selected topics in quantum electronics, 2002, 8 (5), p. 1025−1034.
  124. Zhang L., Deckhardt E., Weber A., Schonenberger C. and Griitzmacher D. Controllable fabrication of SiGe/Si and SiGe/Si/Cr helical nanobelts. Nanotechnology, 2005, 16(6), p. 655−663.
  125. Mendach S., Kipp Т., Welsch H., Heyn Ch. and Hansen W., Interlocking mechanism for the fabrication of closed single-walled semiconductor microtubes. Semicond. Sci. Technol. 2005,20, p. 402−405.
  126. А.И., Чаплик A.B. Двумерные электроны в спирально свернутых квантовых ямах. ЖЭТФ, 2000, т. 117, вып.2. с.449−451.
  127. А.И., Чаплик А. В., Колебательные моды и элекгронно-фононное взаимодействие в полупроводниковых нанотрубках, ФТП, 2004,38(11).
  128. Handbook of Nanoscience, engineering, and technology, ed. Goddard W. A., Ill Brenner D. W., Lyshevski S.E., Iafrate G.j., 2003, by CRC Press LLC.
  129. H.H., Устинов B.M., Щукин B.A., Копьев П. С., Алферов Ж. И., Д. Бимберг, Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. Обзор. Физика и техника полупроводников, 1998, т.32, № 4, с. 385−410.
  130. Notzel R., Ledentsov N.N., Daweritz L., Hohenstein M., Ploog K. Direct synthesis of corrugated superlattices on non-(100)-oriented surfaces. Phys.Rev.Lett., 1991, v. 67, p. 3812−3815,
  131. Notzel R., Ledentsov N.N., Daweritz L., Ploog K., Hohenstein M. Semiconductor quantum-wire structures directly grown on high-index surfaces Phys. Rev. B, 1992, v. 45, № 7, p. 3507−3515
  132. В.Я., Панаев И. А., Преображенский В. В., Семягин Б. Р., Высокотемпературная анизотропия проводимости сверхрешеток GaAs квантовых проволок, выращенных на фасетированных поверхностях 311 А, Письма ЖЭТФ, 1994, т.60, N3, с.209−212.
  133. Panaev I.A., Prinz V.Ya., Vorob’ev A.B., Preobrazhenskii V.V., Semyagin B.R. Transport properties of AlAs/GaAs multilayer structures grown on (311)A GaAs substrates. Inst. Phys. Conf. Ser., 1997, v. 155, p. 113−116.
  134. Vorob’ev A.B., Gutakovsky A.K., Prinz V.Ya., Preobrazhenskii V.V., Putyato M.A. Interface corrugation in GaAs/AlAs (311)A superlattices. Appl. Phys. Lett., 2000, v. 77, № 19, p. 2976−2978.
  135. Vorob’ev A.B., Gutakovsky A.K., Prinz V.Ya. Cleavage of thin films for X-HREM study of interface quality in heterostructures. J. Cryst. Growth, 2000, v. 210, p. 182 186.
  136. Vorob’ev A.B., Gutakovsky A.K., Prinz V.Ya., Preobrazhenskii V.V., Semyagin B.R. Comparative X-HREM study of (311)A and (100) GaAs/AlAs superlattices. Inst. Phys. Conf. Ser., 2000, v. 166, p. 165−168.
  137. Shchukin V. and Bimberg D., Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surfaces, Rev. of Modern Physics, 1999, v.71(4).
  138. Shchukin V., Borovkov A., Kop’ev P., Theiry of quantum-wire formation on corrugated surfaces. Phys. Rev. B, 1995, v.51(24), p. 17 767−17 779.
  139. .И. Двойные гетероструктуры: концепция и применения в физике, электронике и технологии (Нобелевские лекции по физике 2000) нобелевская лекция,
  140. Vurgaftman I. and Meyer J., Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys J. Appl. Phys., 2001, v. 89(11), p.5815−5873.
  141. Brunner K., Si/Ge nanostructures. Rep. Prog. Phys., 2002, 65, p.27−72.
  142. Herman M.A., Richter W., Sitter H. Epitaxy. Physical orinciples and technical implementation. Spriger. Verlag Berlin Heidelberg New York, 2004, p. 522.
  143. Vurgaftman I., and Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. Band parameters III-V compound semiconductors and their alloys. J. Appl. Physics, 2001, 89(11), p. 58 155 873.
  144. Херман Мю Полупроводниковые сверхрешетки. Перевод с англ. Шика А., -Москва: «Мир», 1989, 238 с.
  145. Milun М., Pervan P., Woodruff D. Quantum well structures in thin metal films: simple model physics in reality?-Rep. Prog. Phys., 2002, 65, p. 99−141.
  146. Prinz V. Ya., Properties of semiconductor nanotubes and nanoshells fabricated on (111), (110) GaAs, Si and on vicinal (001) GaAs substrates. Physica E, 2004, 23, pp. 260−268.
  147. Prinz V.Ya. Precise semiconductor nanotubes and nanocorrugated quantum systems. Physica E, 2004,24, pp. 54−62.
  148. В.Я., Самоформирующиеся прецизионныне 3D наноструктуры для будущих приборов наноэлектроники и наномеханики. в сборнике Нанотехнологии в полупроводниковой электронике, под ред. чл.-кор. А. Л. Асеева, изд. СО РАН Новосибирск, 2004. с. 85−120.
  149. Zhang S.B., Yeh C.Y., Zunger A. Electronic structure of semiconductor quantum films. -Phys.Rev. B, 1993,48(15), p. l 1204−11 219.
  150. Williamson A.J., Zunger A. InAs quantum dots: Predicted electronic structure of free-standing versus GaAs-embedded structures. Phys.Rev. B, 1999, 59(24), p. 1 581 915 824.
  151. Franceschetti A., Zunger A. Free-standing versus AlAs-embedded GaAs quantum dots, wires, and films: The emergence of zero-confinement state. Appl.Phys.Lett., 1996, 68(24), p. 3455−3457.
  152. Kim J., Wang L.W., Zunger A. Prediction of charge separation in GaAs/AlAs cylindrical nanostructures. Phys.Rev. B, 1997, 56(24), pp. R15541-R15544.
  153. Williamson A.J., Zunger A., Canning A. Prediction of strain-induced conduction-band minimum in embedded quantum dots. Phys.Rev. B, 1998, 57(8), p. R4253-R4256.
  154. Williamson A.J., Franceschetti A., Fu H., Wang L.W., Zunger A. Indirect band gaps in quantum dots made from direct-gap bulk materials. J.Electron. Mater., 1999, 28(5), p.414−425.
  155. Fritsche R., Wisotzki E., Islam A.B.M.O., Thissen A., Klein A., Jaegermann W., Electronic passivation of Si (111) by Ga-Se half-sheet termination. Appl. Phys. Lett., 2002, 80 (8), p. 1388−1390.
  156. Wilks S.P., Teng K. S, Dunstan P.R., Williams R.H., The passivation of atomic scale defects present on III-V semiconductor laser facets: an STM/STS investigation. -Appl. Surf. Scien., 2002, 190, p. 467−474.
  157. Preisler E.J., Strittmatter R.P., McGill T.C., Hill C.J., Nitridation of epitaxially grown 6.1 A semiconductors studied by X-ray photoelectron spectroscopy. Appl. Surf, Scien., 2004, 222, p. 6−12.
  158. Berkovits V.L., Ulin V.P., Losurdo M., Capezzuto p., Bruno G., Perna G., Capozzi V., Wet chemical nitridation of GaAs (100) by hydrazine solution for surface passivation. Appl. Phys. Lett., 2002, 80 (20), p. 3739−3741.
  159. Augelli V., Ligonzo Т., Minafra A., Schiavulli L., Capozzi V., Perna G., Ambrico M., Losurdo M., Optical and electrical characterization of n-GaAs surfaces passivated by N2-H2 plasma. J. of Luminescence, 2003, 102−103, p. 519−524.
  160. Anantathanasarn S., Hasegawa H., Photoluminescence and capacitance-voltage characterization of GaAs surfaces passivated by an ultrathin GaN interface control layer. Appl. Surf. Scien., 2002, 190, p. 343−347.
  161. Anantathanasarn S., Ootomo S., Hashizume Т., Hasegawa H., Surfaces passivation of GaAs by ultra-thin cubic GaN layer. -Appl. Surf. Scien., 2002, 159−160, pp. 456−461.
  162. McGinley C., Borchert H., Talapin D. V., Adam S., Lobo A., de Castro A. R. В., Haase M., Weller H., and Moller Т., Core-level photoemission study of the InAs/CdSe nanocrystalline system. -Phys. Rev. B, 2004, 69, p. 45 301.
  163. Borchert H., Talapin D. V., McGinley C., Adam S., Lobo A., de Castro A. R. В., Moller Т., Weller H., High resolution photoemission study of CdSe and CdSe/ZnS core-shell nanocrystals. -The Journal of Chemical Physics, 2003, 19(3), p. 1800−1807.
  164. Lu W., Schmidt W.G., Bernhole J., Cycloaddition reaction versus dimmer cleavage at the Si (001):C5H8 interface. -Phys. Rev. B, 2003, 68, p. 115 327.
  165. Sun J., Seo D., O’Brien W., Himpsel F., Ellis A., Chemical bonding electronic properties of SeS2-treated GaAs (100). -J. Appl. Phys., 1999, 85(2). p. 969−977.
  166. Bryant G. Theory for quantum-dot quantum wells: Pair correlation and internal quantum confinement in nanoheterostructures, -Phys. Rev. B, 52(24), p. R16997-R17000.
  167. Cordero S., Carson P., Estabrook R., Strouse G. and Buratto S. Photo-Activated Luminescence of CdSe quantum dot monolayers, -J. Phys. Chem. B, 2000, 104, p. 12 317−12 142.
  168. Nirmal M. and Brus 1., Luminescence photophysics in semiconductor nanocrystals, -Acc. Chem. Res. 1999, 32, p. 407−414.
  169. Micic O., Curtis C., Jones K., J. Sprague and A. Nozik, Synthesis and characterization of InP quantum dots, -J.Phys.Chem. 1994, 98, p.4966−4969.
  170. Green M. and O’Brien P. Recent advances in the preparation of semiconductors as isolated nanometric particles: new routes to quantum dots, -Chem. Commun. 1999, p. 2235−2241.
  171. С., Органический синтез коллоидных квантовых точек. Окно в Микро Мир, 2002, № 4, с. 18.
  172. Chen S., Huang К., Stearns J., Alkanethiolate-Protected palladium nanoparticles, -Chem. Mater. 2000, v. 12 (2) p.540−547.
  173. Alivisatos A. Perspecives on the physical chemistry of semiconductor nanocrystals, -J. Phys. Chem. 1996, v.100(31), p.13 226−13 239.
  174. Prinz V.Ya., Seleznev V.A., Gutakovsky A.K., Novel technique for fabrication one-and two-dimensional systems, -Surface Science i, 361/362, 1996, p. 886−889 ,
  175. Pan E. Elastic and piezoelectric fields in substrates GaAs (001) and GaAs (111) due to a buried quantum dot. J. Appl. Phys. 2002, 91(10), p. 6379.
  176. Kroemer H., Heterostructures tomorrow: from Physics to moore’s law, Compound Semiconductor, -Inst. Phys. Conf. Ser., 2000, 166(1), p. 1−11.
  177. Landau L. D., and Lifshitz E. M., Theory of Elasticity (Pergamon, Oxford, 1986).
  178. Audoly В., Stability of Straight Delamination Blisters, -Phys. Rev. Lett., 1999, 83(20), p.4124−4127.
  179. Gille G., Rau В., Buckling instability and adhesion of carbon layers, -Thin Solid Film, 1984, 120, p.109−121.
  180. Yu H., Kim C., Sanday S., Buckle Formation in vacuum-deposited thin films, -Thin Solid Film, 1991,196, p.229−233.
  181. Brandt O., Ploog K., Bierwolf R., and Hohenstein M. Breakdown of continuum elasticity theory in the limit of monatomic films. Physical Review Letters, 1992, 68, p.1339.
  182. Woicik J., Pellegrino J., Southworth S., Shaw P., Karlin В., Bouldin C., Miyano K., Accommodation of strain in ultrathin InAs/GaAs films, -Phys. Rev. B, 1995, 52(4), p. R2281-R2284.
  183. Hybertsen M. S., Role of interface strain in a lattice-matched heterostructure. Phys. Rev. Lett. 1990,64, p. 555.
  184. Van de Walle C.G. Band lineups and deformation potentials in the model-solid theory. -Phys.Rev. B, 1989, 39(3), pp. 1871−1883.
  185. Uchida K., Takagi S. Carrier scattering induced by thickness fluctuation of silicon-on-insulator film in ultrathin-body metal-oxide-semiconductor field-effect transistors, -Appl. Phys. Lett., 2003, 82(17), p. 2916−2918.
  186. Barker J., Introduction to quantum transport in electron waveguides. Granular nanoelectronics ed. By D. Ferry J. Barker C. Jacoboni NATO ASI Series B: Physics, 1990, p. 251.
  187. Creci G., Weber G., Electron and hole states in V-groove quantum wires: an effective potential calculation, -Semicond. Sci. Technol., 1999, 14, pp. 690−694.
  188. Gorelik L. Y., Isacsson A., Voinova M. V., Kasemo В., Shekhter R. I., and Jonson M. Shuttle Mechanism for Charge Transfer in Coulomb Blockade Nanostructures. -Phys. Rev. Lett. 1998, 80, p. 4526529.
  189. Blick R. H., Erbe A., Percini L. at all. Nanostructured silicon for studying fundamental aspects of nanomechanics. J. Phys. Cond. Mat. 2002,14, p. R905-R945.
  190. А.Ф., Принц В .Я. Исследование глубоких центров в арсениде галлия методом емкостной спектроскопии. -Известия ВУЗов, Физика, 1980, № 1 с. 53−63.
  191. О.М., Принц В .Я., Скок Э. М. Прибор для автоматического измерения профиля концентрации мелких уровней. -ПТЭ, 1979, № 4, с.258−261.
  192. А.с. 573 782 (СССР). Способ контроля полупроводниковых материалов и устройство для его осуществления./ В. Я. Принц, О. М. Орлов, Э. М. Скок. Опубл. в Б.И., 1977, N35.
  193. А.с. 710 007 (СССР). Способ измерения распределения носителей заряда в полупроводниках./ О. М. Орлов, В. Я. Принц, Э. М. Скок. Опубл. в БИ., 1980, N 2.
  194. В. Я., Булатецкий К. Г. Спектроскопия глубоких примесных уровней компенсационным методом ПТЭ, 1979, № 4, с. 255.
  195. А.с. 843 642 (СССР). Способ контроля глубоких уровней в полупроводниках и устройство для его реализации. В. Я. Принц, О. М. Орлов. Опубл. в БИ., 1982, N 12.
  196. В.А., Принц В. Я. Емкостный спектрометр глубоких уровней. ПТЭ, 1985, в. 5, с. 178.
  197. С.Н., Принц В. Я. Низкочастотный емкостной спектрометр глубоких, уровней в полупроводниках ПТЭ, 1986, N. 5, с. 182−185.
  198. В. Я., Самойлов В. А. О контроле емкостными методами эпитаксиальных структур GaAs, предназначенных для изготовления ИС и ПТШ. -Микроэлектроника, 1989, т. 18, в.5, с. 416- 420.
  199. В.Я., Речкунов С. Н. Выявление неоднородности встроенного заряда в МДП-структурах на основе арсенида индия при измерении профиля легирования. -Микроэлектроника, 1990, т. 19, в. 3 с. 252−257.
  200. А.с. 805 873 (СССР). Способ контроля ловушек неосновных носителей заряда в полупроводниках. В. Я. Принц. Опубл. в БИ., № 30, 1983.
  201. Патент 2 006 984 «Способ отбраковки полупроводниковых структур на полуизолирующих подложках по степени проявления эффекта обратного управления» В. Я. Принц. Опубл. в Б.И., 1994, № 2.
  202. Патент 2 094 908 «Неразрушающий способ контроля качества многослойных полупроводниковых структур на полуизолирующих подложках», В. Я. Принц, Опубл. вБ.И., 1997, № 30.
  203. В.Я. Способ неразрущающей характеризации полупроводниковых слоев на полуизолирующих подложках по эффекту обратного управления, Патент России, опубл.1993, N 4 819 845.
  204. Патент 2 097 872 «Неразрушающий способ определения подвижности носителей заряда в полупроводниковых структурах на полуизолирующих подложках и устройство для его осуществления» В. Я. Принц, И. А. Панаев опубл. в Б.И. 1997, № 33.
  205. Panaev I.A., Prinz V.Ya., Nondestructive and contactless microwave methods for profiling mobility in active layers of multilayer structures grown on semiinsulating substrates. -Materials Science and Engineering, 1997, B44 p. 130−133.
  206. C.B., Принц В. Я., Сильнополевое заполнение глубоких уровней в гетероструктурных полевых транзисторах с модулированным легированием (AlGaAs/GaAs). ФТП, 1992, т.26, в.12, с.2133−2136.
  207. Lang D. V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors. J. Appl. Phys., 1974, v.45, № 7, p. 3023.
  208. Lang D. V. Fast capacitance transient apparatus: Application to ZnO and О centers in GaP p-n junctions.-J. Appl. Phys., 1974, v.45, № 7, p. 3014.
  209. Miller G.L., Lang D.V., Kimerling L.C. Capacitance transient spectroscopy. Ann. Rev. Mater. Sci., 1977, p. 377.
  210. Miller G.L., Ramizer J.V. and Robinson D. A. H. Correlation method for semiconductor transient signal measurement. J. Appl. Phys., 1975, v.46, № 6, p. 2638.
  211. Breitenstein О. A Capasitence Meter of High Absolute Sensitivity Suitable for Scaning DLTS Aplication. Phys. Stat. Sol. (a) 1982, v.71, p. 159.
  212. Johnson N. M. Measurement of deep levels in hydrogenated amorphous silicon by transient voltage spectroscopy. Appl. Phys. Lett., 1983, v. 42, № 11, p. 981.
  213. Johnson N. M., Bartelink D.J., Gold R.B., Gibbons J. P. Constant capacitance of defect density in semiconductors J. Appl. Phys., 1979, v. 50, № 7, p. 4828.
  214. Misrashi S. Peaker A.R. Hamilton B. A high sensitivity bridge for measurement of deep states in semiconductors. J. Phys. E: Sci. Inst, v.13, 1980, p.1055−1060.
  215. DeJule R. Y., Haase M. A., Ruby D.S., Stillman G. E. Constant capacitance DLTS circuit for measuring high purity semiconductors. Solid-State Electronics, 1985, v.28, No 6, p. 639.
  216. В.Я., Бобылев Б. А. О влиянии сильного электрического поля на захват электронов безызлучательными центрами в GaAs.- ФТП, 1980, т.12(9), с. 19 391 941.
  217. Prinz V.Ya., Rechkunov S.N., Influence of a strong electric field on the carrier capture by nonradiative deep-level centers in GaAs, -Phys. Stat. Sol. (b), 1983, v. H8(l), p.159−166.
  218. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Под ред. Д. В. Ди Лоренцо и Д. Д. Канделуола.-М.:Радио и связь (1988), с.33−35, 95. г-
  219. Е.В., Гальвано-магнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь (1990), с.152−160.
  220. W.Jantz et al., Appl. Phys. A (1988) 45, p.225−232.
  221. Schenkel Т., Persand A., and Park S.J., Solid state quantum computer development in silicon with ion implantation. -J. Appl. Phys., 2003, v. 94, N 11, p.7017−7024.
  222. Henry C.H., Lang D.V. Nonradiative capture and recombination by multiphonon emission in GaAs and GaP.- Phys.Rev. B, 1977, 15, 989.
  223. Kimerling L.- Solid St. Electron. 1978,21, p. 1391.
  224. Ю.Б., Принц В. Я., Хайри Е. Х. Энергетический спектр глубоких уровней в GaAs легированном Sb. В кн.: Тез. докл, II Всес. совещание по глубоким уровням в полупроводниках, Ташкент, 1980, ч. I, с. 73.-74.
  225. Принц В.Я.,. Хайри Е. Х, Самойлов В. А., Болховитянов Ю. Б. Глубокий уровень вводимый в GaAs легированием изовалентной примесью Sb. — ФТП, 1986, т. 20, в. 8, с. 1392−1395.
  226. Е.В., Рытова Н. С., Мильвидский М. Г., Ганина Н. В. Электрические свойства арсенида галлия, легированного изовалентными примесями. (GaAs:Sb, GaAa: In). ФТП, 1981, т. 15, в. 11, с. 2141−2146.
  227. .В., Мильвидскнй М. Г., Особенности дефектообразования в полупроводниках при изовалентном легировании. ФТП, 1983, т. 17, в. И с. 2022−2024.
  228. А.Н., Оптические переходы в полупроводниковых твердых растворах. -ФТП, 1977, т. 11, в. 3, с. 425−455.
  229. В.К., Фистуль В. И., Изоэлектронные примеси в полупроводниках. Состояние проблемы. ФТП, 1984, т. 18, в.8, с. 1345−1362.
  230. Ю.Ф., Ганина Н. В., Чалдышев В. В. Фотолюминисценция твердых растворов GaAsi.xSbx (0<х<0,01). ФТП, 1981, т. 15, в. 9, с. 1849−1852.
  231. Ю.Ф., Ганина Н. В., Мильвидскнй М. Г., Чалдышев В. В., Шмарцев Ю. В. Фотолюминисценция твердых растворов GaAsi.xSbx и Gai. xInxAs (х<0,01).-ФТП, 1983, т. 17, в. 1, с. 108−114.
  232. В.К., Петухов А. Г., Соловьева Е. В. Резонансный уровень сурьмы в арсениде галлия. ФТП, 1981, т. 15, в. 4, с. 768−771.
  233. В.Б., Фистуль В. И. Изовалентное легирование соединений A3Br -Электронная техника. Материалы, 1984, в. 9 (194), с. 42−49.
  234. Kalukhov V.A. and Chikichev S.I. The Influence of Isoelectronic Impurities on Intrinsic Deep Levels in Liquid Phase Epitaxial Gallium Arsenide. Phys. St. Sol. (a), 1985, v. 88, p. K59.
  235. Yakusheva N.A., Prinz V.Ya., Bolkhovityanov Yu.B. Discovery of Electron Traps in LPE GaAs Grown from a Bismuth Melt. Phys. St. Sol. (a.), 1986, v. 95, p. K43-K46.
  236. B.A., Якушева H.A., Принц В. Я. Влияние изовалентной примеси Sb на образование электрически активных дефектов в GaAs. IX Всесоюзная конференция по физике полупроводников. Киев, 1990.
  237. В.А., Принц В. Я., Якушева Н. А. Влияние изовалентной примеси Sb на образование электрически активных дефектов в GaAs. ФТП, 1994, т.28, в.9, с. 1617.
  238. A., Martin G. М., Mircea A. Hole traps in bulk and epitaxial GaAs crystals. Electron. Lett., 1977, 13(22), p. 666−667.
  239. Cavallini A., Polenta L. Mott barrier behavior by enhanced donorlike level neutralization in semi-insulating GaAs Schottky diodes. -Phys. Rev. B, 2004, 70 (7), Art. No. 75 208.
  240. Ling C.C., Fung S., Beling C.D., et al. A study of the electric field transient at the Au/semi-insulating GaAs contact under an alternating current square-pulse bias. -J. Phys. Cond. Mat. 2002, 14 (49), p.13 705−13 715.
  241. Neumann A. Slow domains in semi-insulating GaAs. -J. Appl. Phys., 2001, 90 (1), p.1−26.
  242. Isler M., Liebig D. Enhanced multiphonon capture of hot electrons by deep centers with strong lattice coupling: A Monte Carlo study of InP: Fe. -Phys. Rev. B, 2000, 61 (11), p.7483−7488.
  243. Vittone E., Fizzotti F., Mirri K., et al., IBIC analysis of gallium arsenide Schottky diodes. -Nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1999, 158 (1−4), p. 470−475.
  244. Quintanilla L., Pinacho R., Enriquez L., et al. Electrical characterization of He-ion implantation-induced deep levels in p (+)n InP junctions.- J. Appl. Phys., 1999, 86 (9), p. 4855−4860.
  245. Kohne L., Dadgar A., Bimberg D., et al. Osmium related deep levels in indium phosphide. -Physica status solidi a-applied research, 1999, 171 (2), pp. 521−537.
  246. Yonenaga I., Werner M., Bartsch M., et al. Recombination-enhanced dislocation motion in SiGe and Ge. -Physica status solidi a-applied research 1999, 171 (1), p. 35−40.
  247. Bonilla L.L., Hernando P.J., Kindelan M., et al. Determination of EL2 capture and emission coefficients in semi-insulating n-GaAs. Appl. Phys. Lett., 1999, 74 (7), p. 988−990.
  248. Nava F., Vanni P., Canali C., et al. Analysis of uniformity of as prepared and irradiated SI GaAs radiation detectors. -IEEE transactions on nuclear science, 1998, 45 (3), p. 609−616.
  249. Berwick K., Brozel M.R. Breakdown effects in semi-insulating gallium arsenide -Evidence for electric field enhanced hole capture. -Institute of physics conference series, 1998, 160, p. 123−128.
  250. Cola A., Reggiani L., Vasanelli L. An extended drift-diffusion model of semi-insulating n-GaAs Schottky-barrier diodes. -Semiconductor science and technology, 1997, 12(11), p. 1358−1364.
  251. Dadgar A., Engelhardt R., Kuttler M., et al. Capacitance transient study of the deep Fe acceptor in indium phosphide.- Phys. Rev. B, 1997, 56 (16), p. 10 241−10 248.
  252. Hu Y.F., Ling С.С., Beling C.D., et al. Saturated electric field effect at semi-insulating GaAs-metal junctions studied with a low energy positron beam.- J. Appl. Phys., 1997, 82 (8), p. 3891−3899.
  253. McGregor D.S., Hermon H. Room-temperature compound semiconductor radiation detectors. -Nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment 1997, 395 (1), p. 101−124.
  254. Luo Y.L., Chen T.P., Fung S., et al. Reverse I-V characteristics of Au/semi-insulating GaAs (lOO). -Solid state communications, 1997, 101 (9), p. 715−720.
  255. Sturman B.I., Aguilar M., AgulloLopez F. Analysis of space-charge wave effects in GaAs: EL2. -Phys. Rev. B, 1996, (19), p. 13 737−13 743.
  256. Piazza F., Christianen P.C.M., Maan J.C. Electric field dependent EL2 capture coefficient in semi-insulating GaAs obtained from propagating high field domains. -Appl. Phys. Lett., 1996, 69 (13), p. 1909−1911.
  257. Yamashita A. Capacitance-voltage hysteresis of an electrolyte-GaAs Schottky contact associated with field-enhanced trapping of hot electrons. -Sol.-St. El. 1996, 39 (9), p. 1269−1275.
  258. Castaldini A., Cavallini A., Delpapa C., et al. Bias dependence of the depletion layer width in semiinsulating gaas by charge collection scanning microscopy. -Scanning microscopy, 1994, 8 (4), p. 969−978.
  259. Delaye P, Sugg B. Photorefractive effect in gaas at low-temperature influence of the metastable state of the EL2 deffect. -Optical materials, 1995,4 (2−3), p. 256−261.
  260. Delaye P, Sugg B. Temperature enhancement of the photorefractive effect in gaas due to the metastable state of the el2 defect. Phys. Rev. B, 1994. 50 (23), p. 1 697 316 984.
  261. McGregor D.S., Rojeski R.A., Knoll G.F., et al. Evidence for field enhanced electron-capture by el2 centers in semiinsulating gaas and the effect on gaas radiation detectors.- J. Appl. Phys., 1994, 75 (12), p. 7910−7915.
  262. Turki K., Picoli G., Viallet J.E. Behavior of inpfe under high-electric-field. J. Appl. Phys., 1993, 73 (12), p. 8340−8348.
  263. Lee J.C., Strojwas A.J., Schlesinger Т.Е., et al. Electrical isolation design rule for GaAs integrated-circuits fabricated on semi-insulating substrates. IEEE transactions on electron devices, 1991, 38 (3), p. 447−454.
  264. Berwick K., Brozel M.R., Buttar C.M., et al. Assessment of SI GaAs particle detectors. Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1997, 44 (1−3), p. 330−333.
  265. Ю.В., «О причинах сильной полевой зависимости сечений захвата электронов на глубокие примесные уровни в полупроводнике с разноэнергетическими долинами зоны проводимости». Физика и техника полупроводников, 1982, т.16, в.11, с.2033−2035.
  266. Goto Н., Adachi Y., and Ikoma Т., Carrier capture by multiphonon emission at extrinsic deep centers induced by self-trapping in GaAs. J. Appl. Phys., 1983, v.54, p.1909−1923.
  267. В .Я., Кулагин С. А. Майор В.И. Зависимость параметров остаточных глубоких уровней в n- InGaAs от состава. ФТП, 1987, т. 12, с. 2130 .
  268. А.Ф., Принц В .Я. Зависимость энергетического спектра уровней, вводимых облучением электронами в GaAsi.xP и AlxGai. xAs, от состава. ФТП, 1978 т.12, с. 1612−1614.
  269. Zeman B.J., Kristofic J., Prinz V. Ya, Rechkunov S.N. Deep levels in GaAsi. xP under high hydrostatic pressure Crystal Properties and Preparation, 1989, (19−20), p. 29−32.
  270. В.Я., Бородовский П. А., Булдыгин А. Ф., Сильнополевой эффект переключения проводимости эпитаксиальных слоев GaAs и InP на полуизолирующих подложках. ФТП, 1987, т.8, с. 1517.
  271. Патент 1 463 083 (Россия). Матричный фотоприемник./ В. Я. Принц. -в Б.И., № 14, 1995.
  272. Патент 1 306 407 (Россия). Полупроводниковый прибор. /В.Я.Принц, П. А. Бородовский, А. Ф. Булдыгин. Опубл. в Б.И., № 11, 1995.
  273. Morenza J. L., Esteve D., Sol. St. Electron, 1978, 21, p. 239−746.
  274. Hess K., Morkoc H., Shichijo H. Streetman B.G., Negative differential resistance through real-space electron transfer. Appl. Phys. Lett. 1979, 35(6), p. 469−471.
  275. Lin L., Pisano A., Silicon-processed microneedles // Journal of Microelectromechanical Systems. V.8, 1999, p.78−84.
  276. Il-Seok Son, Lai A., Hubbard В., Olsen Т., A multifunctional silicon-based microscale surgical system, Sensors and Actuators A, 2001, 91, p. 357−362.
  277. Mailly F. et al., Anemometer with hot platinum thin film, Sensors and Actuators A, 2001,94, p. 32−38.
  278. Fedorov A.V., Shiplyuk A.N., Maslov A.A., Burov E.V., and Malmuth N., Stabilization of a hypersonic boundary layer using an ultrasonically absorptive coating. J. Fluid Mech., 2003, 479, p. 99−124.
  279. Hinze J.O., Turbulence an introduction to its mechanism and theory. New York McGraw-Hill book company, Inc., 1959, 680.
  280. Goser K., Glosekotter P., Dienstuhl J., Nanoelectronics and nanosystems, Springer-Verlag Berlin Heidelberg New York, 2004
  281. Prinz V.Ya., Yamaguchi H. at al., J. J. Appl. Phys., 2005.
  282. Prinz V.Ya., V Seleznev.A., and Gutakovsky A.K., Application of controllable crack formation for nanoelectronic device elements fabrication, Inst. Phys. Conf. Ser., 1996, 155, p. 49−54.
  283. Yamazaki K., Yamaguchi Т., and Namatsu H., Three-Dimensional Nanofabrication with 10-nm Resolution. Jpn. J. Appl. Phys., 2004, Vol. 43, p. LI 111.
  284. A.M., Цымбал Е. Ю., Протопопов В. В., Предельные возможности капиллярных рентгеновских оптических систем. Труды ФТИАН том 4, Москва «Наука» 1992, отв. редактор JI.В.Беликов, с. 30−41.
  285. B.B., Киральные электромагнитные объекты. Соросовский образовательный журнал, 1998, № 2, с. 109−114.
  286. Pendry J. A chiral route to negative refraction. Science, 2004, 306(19), p. 1353−1355.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!