Метод и средства контроля за нестационарными процессами, происходящими на поверхности твердых веществ в среде активных газов
![Диссертация: Метод и средства контроля за нестационарными процессами, происходящими на поверхности твердых веществ в среде активных газов](https://gugn.ru/work/2502291/cover.png)
Изучение процессов, протекающих на границе твердого тела и газа, способствует развитию технологии приборов современной микроэлектроники. Это связано с тем, что именно эти процессы определяют наиболее существенные технологические процедуры, такие как ориентированное выращивание пленок, легирование, получение резко неоднородных структур, в частности МОП-структур. Особое значение это приобретает… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Современные методы исследования веществ и требования к устройствам контроля за процессами, происходящими на границе твердых веществ и активных газов
- 1. 1. Спектроскопические методы контроля за элементным составом и структурой поверхности твердых веществ
- 1. 1. 1. Дифракция медленных электронов
- 1. 1. 2. Электронная спектроскопия
- 1. 1. 3. Масс-спектроскопия
- 1. 1. 4. Сканирующая туннельная микроскопия
- 1. 2. Явления, использующиеся при динамических методах контроля поверхностных процессов
- 1. 2. 1. Адсорбция
- 1. 2. 2. Радикалорекомбинационная люминесценция
- 1. 2. 3. Динамический эффект гетерогенной химической реакции
- 1. 3. Постановка задачи
- 1. 1. Спектроскопические методы контроля за элементным составом и структурой поверхности твердых веществ
- Глава 2. Контроль за нестационарными процессами на границе твердых веществ и активных газов
- 2. 1. Метод контроля
- 2. 2. Установка для контроля за нестационарными и релаксационными процессами на границе твердых веществ и активных газов, ее элементы и их взаимодействие
- Глава 3. Регистрация динамического эффекта гетерогенных химических реакций
- 3. 1. Метод измерения динамического эффекта реакций на основе регистрации малых перемещений
- 3. 1. 1. Реализация метода
- 3. 1. 2. Погрешность измерений
- 3. 2. Метод измерения динамического эффекта реакций на основе системы магнитного подвеса
- 3. 2. 1. Математическая модель системы измерения
- 3. 2. 2. Анализ математической модели весов с магнитной подвеской численными методами
- 3. 2. 3. Реализация автоматизированной системы измерений быстроменяющихся малых сил
- 3. 2. 4. Погрешность измерений
- 3. 1. Метод измерения динамического эффекта реакций на основе регистрации малых перемещений
- 4. 1. Объекты и методика проведения контроля
- 4. 2. Контроль за процессами, происходящими на поверхности твердых веществ, помещенных в среду диссоциированного водорода
Метод и средства контроля за нестационарными процессами, происходящими на поверхности твердых веществ в среде активных газов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Гетерогенные химические реакции, протекающие на границе твердых тел и газов, используют в различных отраслях промышленности, на их основе могут быть созданы высокоэффективные, ресурсосберегающие и малоотходные технологии. Применение гетерогенного катализа позволило синтезировать все соединения азота, необходимые для химической промышленности и производства минеральных удобрений. Процессы гетерогенного катализа нашли широкое применение в нефтехимической промышленности для крекинга нефти, синтеза полимеров, красителей, фармацевтических препаратов и т. д. Важной областью применения гетерогенных химических реакций является также обезвреживание выбросов промышленных предприятий и транспорта.
Процессы, протекающие на поверхности твердых тел в среде активных газов, трудно отнести к сфере интересов какой-либо одной области наук. Их изучают в рамках физической химии, физики полупроводников, физической электроники, гетерогенного катализа, физики плазмы. Эти процессы представляют интерес не только с исследовательской точки зрения, но и с точки зрения практического применения возникающих явлений.
Изучение процессов, протекающих на границе твердого тела и газа, способствует развитию технологии приборов современной микроэлектроники. Это связано с тем, что именно эти процессы определяют наиболее существенные технологические процедуры, такие как ориентированное выращивание пленок, легирование, получение резко неоднородных структур, в частности МОП-структур. Особое значение это приобретает в последнее время, в связи с переходом на субмикронные технологии в производстве кристаллов интегральных схем высокой степени интеграции.
Существует много различных способов исследования как самих процессов, протекающих на границе твердых тел и газов, так и поверхности твердых веществ в отдельности. Большую группу составляют методы, основанные на регистрации явлений, сопровождающих взаимодействие атомов и молекул газа с поверхностью. Эти явления сложны и многообразны, многие недостаточно изучены. Процессы адсорбции и десорбции, поверхностная диффузия молекул, возникающие при протекании гетерогенных химических реакций, и сопутствующие явления: люминесценция, эмиссия электронов, ионов, нейтралей и заряженных частиц, недавно открытый динамический эффект, дают информацию о химическом составе, структуре, химической активности поверхности и кинетике протекающих реакций.
Регистрация этих и других явлений служит эффективным средством изучения процессов, происходящих на границе твердых тел и активных газов, что способствует решению научных и технологических задач в области получения веществ с заданными свойствами, выращивания тонких пленок, технологии микроэлектронных приборов и многих других.
Известные методы диагностики поверхности твердых веществ и исследования процессов, протекающих на ней, по своим характеристикам относятся к различным областям применения. Большинство из них имеют низкое временное разрешение или сопровождаются разрушением объекта исследования и поэтому не пригодны для непрерывного безынерционного контроля за состоянием поверхности. По этим же причинам, часто из-за высокой стоимости и сложности реализации они не нашли применения в системах автоматического управления технологическими установками.
К настоящему времени накоплен значительный объем экспериментальных данных, полученных при исследовании взаимодействия активных газов с поверхностью полупроводников. Это работы по изучению радикалореком-бинационной люминесценции (РРЛ) кристаллофосфоров, эмиссии заряженных частиц за счет энергии, выделяющейся при протекании поверхностных химических реакций, динамического эффекта гетерогенных реакций (ДЭР) и другие.
Динамический эффект реакции находится в прямо пропорциональной зависимости со скоростью реакции. Он проявляется как дополнительная сила давления на поверхность твердого тела, помещенного в активную газовую среду, вызванная изменением плотности потока импульса отдачи в связи с химическими превращениями на поверхности катализатора и изменением величины импульса молекул газовой смеси при их столкновении с поверхностью.
Однако большинство экспериментальных данных получено в стационарных или квазистационарных условиях. Публикации, посвященные изучению нестационарных явлений в случае средних и больших давлений газов, практически отсутствуют. В литературе мало работ, описывающих комплексные измерения, идея которых заключается в одновременной регистрации нескольких физических величин, характеризующих изучаемый процесс.
Целью работы является разработка метода и технических средств контроля нестационарных процессов на границе твердых веществ и активных газов и их применение для контроля за взаимодействием активных газов с поверхностью твердых веществ.
Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:
— разработать высокочувствительный способ регистрации быстроменяющихся малых сил для получения кинетических кривых ДЭР;
— разработать автоматизированные средства проведения контроля за процессами, протекающими на поверхности вещества, регистрации и обработки экспериментальных данных;
— выполнить испытание разработанного метода и соответствующих технических средств в экспериментах по контролю за нестационарными процессами, происходящими на поверхности твердых веществ в среде активных газов.
Научная новизна.
Разработан метод, предназначенный для контроля за нестационарными процессами, протекающими на поверхности твердых веществ в среде активных газов, заключающийся в одновременной регистрации кинетики адсорбции реагирующих на поверхности веществ и скорости гетерогенной химической реакции по величине ДЭР.
Разработаны два способа (на основе весов с кварцевой спиралью и емкостным датчиком малых перемещений и на основе системы магнитной подвески) и соответствующие технические средства автоматической регистрации быстроменяющихся малых сил, предназначенные для регистрации величины ДЭР.
Разработанный метод контроля и созданные технические средства апробированы при контроле за нестационарными процессами на поверхности твердых веществ (№, Си, 7п8-Си), помещенных в среду диссоциированных кислорода и водорода.
Достоверность полученных результатов.
Созданные технические средства измерений выполнены на базе серийно изготовляемых интегральных схем аналого-цифрового и цифро-аналогового преобразования с гарантированными техническими характеристиками. Особое внимание при проведении экспериментов уделялось защите средств измерений от воздействия электромагнитных полей. С целью оценки времени установления стационарного потока активных частиц, модуляция которого использовалась при изучении нестационарных поверхностных процессов, с помощью фотоумножителя регистрировалась кинетика зажигания и гашения газового высокочастотного разряда — источника активных частиц. Длительность возникающих при этом переходных процессов (0,1 с) совпала с длительностью разгорания РРЛ и длительностью установления квазистационарных значений ДЭР.
При проведении исследований величину ДЭР измеряли двумя независимыми способами: с помощью весов с кварцевой спиралью и емкостным датчиком малых перемещений и с помощью высокочувствительных весов с магнитным подвесом. Весы предварительно были откалиброваны. При этом получены одинаковые результаты. Погрешность измерений величины ДЭР не превышала 10%.
Объектами контроля служили вещества, состав которых был определен с точностью, не хуже 0,1%. Отсутствие примесей в используемых газах контролировали по спектру свечения ВЧ разряда в газе. С целью проверки экспериментальных данных производились «холостые» опыты. Подтверждением достаточно глубокой очистки поверхности образцов от адсорбционных загрязнений в условиях опытов и достоверности результатов служит получение воспроизводимых кинетических кривых адсорбции ДЭР ?(0 и интенсивности РРЛ 1(0. В ряде случаев результаты измерений согласуются с экспериментальными результатами, полученными другими авторами.
Практическая значимость.
Разработанные технические средства для регистрации быстроменяющихся малых сил могут найти широкое применение при экспериментальных исследованиях разнообразных физических и химических процессов. Использование разработанных средств в научных исследованиях имеет многообещающие перспективы и позволит решать приоритетные научные задачи.
Разработанный метод релаксационных измерений нашел применение при изучении механизмов гетерогенных химических реакций, протекающих на границе твердых тел и активных газов.
Разработанные способы регистрации малых сил могут найти применение в автоматизированных системах управления технологическими установками для выращивания тонких пленок, получения новых веществ с помощью каталитических химических реакций и т. д.
Реализация работы.
Разработанные метод контроля и соответствующие ему технические средства применены при изучении механизмов гетерогенных химических процессов в Орловском государственном техническом университетевнедрены в АО ОКБ «ПРОТОН» при проведении ОКР.
Защищаемые положения:
— метод контроля за нестационарными процессами, протекающими на границе твердых веществ и активных газов, заключающийся в одновременной регистрации кинетики адсорбции реагирующих веществ и кинетики динамического эффекта реакции;
— технические средства, предназначенные для регистрации динамического эффекта реакции, на основе подвеса с кварцевой спиралью и датчиком малых перемещений и на основе системы с магнитным подвесом с разрео шающей способностью до 2,5−10″ Н и постоянной времени порядка 0,1 с;
— вычислительный способ оценки характеристик линейных систем автоматического регулирования в частотной области, примененный для исследования и подбора рабочих параметров системы измерения ДЭР с магнитным подвесом по ее математической модели.
Структура и объем диссертации
Диссертация изложена на 126 страницах машинописного текста, иллюстрируется 48 рисунками и 2 таблицами, состоит из введения, четырех глав, заключения, списка использованных источников, включающего 71 наименование, и приложений.
Выводы.
Приготовление «чистой» поверхности образцов важно при контроле за нестационарными процессами, так как ДЭР и РРЛ явления чувствительные к состоянию поверхности твердого вещества. Подготовка поверхности исследуемых образцов обязательно включает стадию тренировки в атомно-молекулярной смеси газа. Выполнение данного условия обеспечивает получение воспроизводимых кинетических кривых адсорбции, ДЭР и РРЛ.
Наблюдаемым в опытах кинетическим кривым и Л/^) соответствует выполнение условия Jp> ИР, что означает протекание реакции по механизму (I) — (VI) (с участием предадсорбированных атомов). Таким образом, одновременный контроль процессов адсорбции и скорости гетерогенной химической реакции (по величине ДЭР) позволяет установить механизм реакции, а также получить информацию о каталитической и адсорбционной способности твердых веществ.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
.
1. Разработан метод контроля за нестационарными процессами, протекающими на границе твердых веществ и активных газов, заключающийся в одновременной регистрации кинетики адсорбции реагирующих веществ и кинетики динамического эффекта реакции.
2. Разработаны технические средства для регистрации динамического эффекта реакции, на основе подвеса с кварцевой спиралью и датчиком малых перемещений и на основе системы с магнитным подвесом с разрешаюо щей способностью до 2,5−10″ Н и постоянной времени порядка 0,1 с. Установлена идентичность (достоверность) результатов, полученных двумя способами измерений.
3. Предложен численный метод оценки характеристик линейных систем автоматического регулирования, основанный на представлении системы в виде совокупности виртуальных элементов, позволивший максимально приблизить модели к реальным объектам за счет учета всех значимых параметров отдельных элементов системы. Метод применен при разработке системы с магнитным подвесом для измерения быстроменяющихся малых сил.
4. Создана экспериментальная установка для контроля за нестационарными и релаксационными процессами, протекающими на границе твердых веществ и активных газов.
5. Предложенные метод и технические средства прошли апробирование: метод применен при контроле за нестационарными процессами, протекающими на поверхности твердых веществ Си, № и 2п8-Си, помещенных в среду диссоциированных на атомы водорода и кислорода. Установлена воспроизводимость полученных данных, их соответствие результатам независимых измерений и совпадение отдельных результатов с литературными данными.
Список литературы
- Зенгуил Э. Физика поверхности. М.: Мир, 1989. — 440 с.
- Харламов В. Ф. Рекомбинация атомов на поверхности тел и сопутствующие эффекты. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1994. — 207 с.
- Гранкин В. П. // Ж. прикл. спектроскопии. 1996. Т. 63. № 3. С. 444 451.
- Гранкин В. П., Тюрин Ю. И. // Кинетика и катализ. 1996. Т. 37. № 4. С. 608−612.
- Харламов В. Ф., Горбачев А. Ф., Клыков О. И. // Хим. физика. 1986. № 5. С. 708−710.
- Морисон С. Химическая физика поверхности твердого тела: Пер. с англ. А. Я. Шульмана под ред. Ф. Ф. Волькенштейна. М.: Мир, 1980.
- Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. — 564 с.
- Вилков Л. В. Физические методы исследования в химии. М.: Высшая школа, 1989.
- Барковский В. Ф., Горелик С. М., Городенцева Т. Б. Физико-химические методы анализа. М.: Высшая школа, 1972.
- Экспериментальные методы химической кинетики. / Под ред. Эмануэля Н. М., Кузьмина М. Г. // Изд-во Московского университета, 1985.
- Томас Дж. и др. Методы исследования катализаторов: Пер. с англ. / Под ред. Дж. Томаса., Р. Лемберта. М.: Мир, 1983. — 304 с.
- Эткинс П. Физическая химия: Пер. с англ. К. П. Бутина. М.: Мир, 1980. — 584 с.
- Роберте М., Макки Ч. Химия поверхности раздела металл-газ. М.: Мир, 1981.
- Жданов В. П. Скорость химической реакции. М.: Наука, 1986.
- Жданов В. П. Элементарные физико-химические процессы на поверхности. Новосибирск: Наука, 1988.
- Харламов В. Ф. // Журн. физ. химии. 1997. Т. 71. № 4. С. 678.
- Птушинский Ю. Г., Чуйков Б. А. Кинетика адсорбции газов на поверхности металлов // Поверхность. 1992. № 9. С. 5−26.
- Гранкин В. П., Гранкина Н. Д., Климов Ю. В., Стыров В. В. // Ж. прикл. спектроскопии. 1995. Т. 62. № 3. С. 210 214.
- Тюрин Ю. И., Гранкин В. П. // Хим. физика. 1982. № 11. С. 1529 1538.
- Горбачев А. Ф., Стыров В. В., Толмачев В. М., Тюрин Ю. И. // ЖЭТФ. 1986. Т. 91. С. 172- 189.
- Тюрин Ю. И. // Поверхность. 1986. № 9. С. 115 125.
- Харламов В. Ф. // Кинетика и катализ. 1979. Т. 20. № 4. С. 946 950.
- Волькенштейн Ф. Ф., Горбань А. Н., Соколов В. А. Радикалорекомби-национная люминесценция полупроводников. М.: наука, 1973. 399 с.
- Kharlamov V. F. // React. Kinet. Catal. Lett. 1987/ № 33. P. 43.
- Харламов В. Ф., Лисецкий В. Н. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. № 11. С. 58 60.
- Харламов В. Ф., Крутовский Е. П., Мосин Ю. В., Ануфриев К. М., Злоткин Е. А. Кинетика адсорбции и рекомбинации атомов водорода на поверхности твердых тел. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. № 5. С. 23 27.
- Воронков В. С., Сигуньков С. А. // ПТЭ. 1996. № 3. С.151−155.
- Луке Г. Экспериментальные методы в неорганической химии: Пер. с немец. Н. С. Афонского, Л. М. Михеевой под ред. В. И. Спицина, Л. Н. Комиссаровой. -М.: Мир, 1965.
- Харламов В. Ф. Эмиссия электронов и фотонов при взаимодействии диссоциированных газов с твердыми телами: Дис. канд. физ.-мат. наук. -Томск., 1976.- 177 с.
- Харламов В. Ф. Автореф. дис. докт. физ.-мат. наук. Новосибирск, 1990. -31 с.
- Новицкий П. В., Кноринг В. Г., Гутников B.C. Цифровые приборы с частотными датчиками. Л.: Энергия, 1970.
- Аш Ж. Датчики измерительных систем. В 2 кн. М.: Мир, 1992.
- Кацнельсон О. Г., Эделынтейн А. С. Автоматические измерительные приборы с магнитной подвеской. М.: Энергия, 1970.
- Бауманн Э. Измерение сил электрическими методами. М.: Мир, 1978.
- Глузман П. Л., Миловзоров В. П., Юдин В. В. Устройства на основе управляемых магнитных элементов. М.: Радио и связь, 1986. — 159 с.
- Амосов А. А., Дубинский Ю. А., Копченова Н. В. Вычислительные методы для инженеров: Учебное пособие. М.: Высш. шк., 1994. — 544 с.
- Дидук Г. А. Машинные методы исследования автоматических систем. -Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1983. 176 с.
- Зубов В. И. Математические методы исследования систем автоматического регулирования. Л.: Машиностроение, 1974. — 335 с.
- Куо Б. Теория и проектирование цифровых систем управления: Пер. с англ. М.: Машиностроение, 1986. — 448 с.
- Dorf Richard С. Modern Control Systems. / Richard С. Dorf. 5th ed. — New York: Addison-Wesley Publishing Company, 1990. — 603 p.
- Первозванский А. А. Курс теории автоматического управления: Учебное пособие. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1986. — 616 с.
- Загарий Г. И., Шубладзе А. М. Синтез систем управления на основе критерия максимальной устойчивости. М.: Энергоатомиздат, 1988. -99 с.
- Изерман Р. Цифровые системы управления: Пер. с англ. М.: Мир, 1984. — 541 с.
- Зайцев Г. Ф. Теория автоматического управления и регулирования. 2-е изд., перераб. и доп. — К.: Выща шк. Головное изд-во, 1989. — 431 с.
- Топчеев Ю. И. Атлас для проектирования систем автоматического регулирования. М.: Машиностроение, 1989. — 751 с.
- Задачи оптимизации и устойчивости в управляемых системах: Сб. науч. тр. / АН СССР, Урал, отд-ние. Свердловск: УрО АН СССР, 1990. -125 с.
- Болнокин В. Е., Чинаев П. И. Анализ и синтез систем автоматического управления на ЭВМ. Алгоритмы и программы: Справочник. М: Радио и связь, 1991. -256 с.
- Крутько П. Д., Максимов А. И., Скворцов Л. М. Алгоритмы и программы проектирования автоматических систем. М.: Радио и связь, 1988.-303 с.
- Шварце X., Хольцгрефе Г. В. Использование компьютеров в регулировании и управлении: Пер. с нем. А. П. Фомина. М.: Энергоатомиздат, 1990. — 173 с.
- Краус М., Кучбах Э., Вошни О.-Г. Сбор данных в управляющих вычислительных системах: Пер. с нем. М.: Мир, 1987. — 294 с.
- Пузырев В. А. Самонастраивающиеся микропроцессорные регуляторы. -М.: Энергоатомиздат, 1992.-215 с.
- Фритч В. Применение микропроцессоров в системах управления: Пер. с нем. М.: Мир, 1984. — 464 с.
- Бесекерский В. А., Изранцев В. В. Системы автоматического управления с микроЭВМ. М.: Наука. Гл. ред. Физ.-мат. лит., 1987.
- Микропроцессорные автоматические системы регулирования. Основы теории и элементы: Учебное пособие. / В. В. Солодовников, В. Г. Коньков, В. А. Суханов, О. В. Шевяков- Под ред. В. В. Солодовникова. -М.: Высш. шк., 1991.-255 с.
- Instrumentation. Reference and catalogue. National Instruments, 1999.
- Steven W. Smith. The Scientist and Engineer’s Guide to Digital Signal Processing / Second Edition San Diego, CA: California Technical Publishing.
- Digital Signal Processing Applications Using The ADSP-2100 Family / The Applications Engineering Staff of Analog Devices, DSP Division. Edited by Amy Mar. Englewood Cliffs, N.J.: Prentice-Hall.
- Щелкунов H. H., Дианов А. П. Микропроцессорные средства и системы. М.: Радио и связь, 1989. — 288 с.120
- Сташин В. В., Урусов А. В., Мологонцева О. Ф. Проектирование цифровых устройств на однокристальных микроконтроллерах. М.: Энергоатомиздат, 1990. -224 с.
- Измайлов Ш. JL, Харламов В. Ф. // Кинетика и катализ. 1982. Т. 23. № 5. С. 1179−1183.
- Харламов В. Ф. // Поверхность. 1990. № 11. С. 151−152.
- Харламов В. Ф. // Хим. физика. 1991. Т. 10. № 8. С. 1084.
- Харламов В. Ф. // Поверхность. 1993. № 11. С. 122−126.
- Харламов В.Ф., Ануфриев K.M. Рекомбинация предадсорбированных атомов кислорода на поверхности твердых тел. // Письма в ЖТФ. 1999, Т. 25, № 15, С. 27−32.