Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Электрофизические и оптоэлектронные свойства гетероструктур на основе a-Si: H и его сплавов

Диссертация: Электрофизические и оптоэлектронные свойства гетероструктур на основе a-Si: H и его сплавов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Установлено, что при высоких прямых смещениях омическое сопротивление, оказывающее влияние на ВАХ всех исследованных гетероструктур, обусловлено объемным сопротивлением слоя аморфного полупроводника. Смена механизмов переноса носителей заряда в a-SiC:H/c-Si с увеличением концентрации С от омической зависимости к току, ограниченному объемным зарядом, обусловлена изменением объемного сопротивления… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Современные представления о гетероструктурах на основе аморфных полупроводников
    • 1. 1. Приборы на основе аморфных полупроводников
      • 1. 1. 1. Тонкопленочный полевой транзистор
      • 1. 1. 2. Высоковольтный тонко пленочный полевой транзистор
      • 1. 1. 3. Датчики изображения
      • 1. 1. 4. Солнечные батареи
      • 1. 1. 5. Фотодетектор на основе a-Si:H и его сплавов
    • 1. 2. Энергетические диаграммы гетероструктур на основе кристаллических и аморфных полупроводников
      • 1. 2. 1. Модель энергетической диаграммы гетероструктуры на основе кристаллических полупроводников
      • 1. 2. 2. Особенности зонной диаграммы гетероструктур на основе аморфных полупроводников
        • 1. 2. 2. 1. Модели энергетических состояний в неупорядоченных полупроводниках
        • 1. 2. 2. 2. Модель энергетической диаграммы гетероструктуры аморфный/кристаллический полупроводник
    • 1. 3. Механизмы токопереноса в гетероструктурах на основе кристаллических и аморфных полупроводников
      • 1. 3. 1. Диффузионная модель
      • 1. 3. 2. Модель термической эмиссии
      • 1. 3. 3. Модели, описывающие механизм переноса носителей заряда с помощью туннелирования
        • 1. 3. 3. 1. Простейшие модели туннелирования
        • 1. 3. 3. 2. Модель многоступенчатого туннелирования с захватом и эмиссией носителей на ловушках
      • 1. 3. 4. Ток, обусловленный генерацией и рекомбинацией носителей в обедненном слое
      • 1. 3. 5. Ток, ограниченный объемным зарядом (ТООЗ)
      • 1. 3. 6. Эквивалентная электрическая схема гетероструктуры a- S i: Н (п-тип)/с- S
    • 1. 4. Выводы по главе 1
  • Глава 2. Технология получения и методики измерений электрофизических и оптоэлектронных свойств тонких пленок и гетероструктур на основе аморфных полупроводников
    • 2. 1. Технологии получения полупроводниковых аморфных пленок
    • 2. 2. Методы исследования электрофизических и оптоэлектронных свойств гетероструктур аморфный/кристаллический полупроводник
      • 2. 2. 1. Измерение температурных зависимостей вольт-амперных характеристик гетероструктур на основе a-Si:H и его сплавов
      • 2. 2. 2. Измерение спектральных зависимостей вольт-амперных характеристик гетероструктур на основе a-Si:H и его сплавов
    • 2. 3. Методы исследования состава и структуры пленок a-Si:H и сплавов на его основе
      • 2. 3. 1. Рентгеновский микрозондовый анализ
      • 2. 3. 2. Спектроскопия обратного рассеяния Резерфорда
      • 2. 3. 3. Вторичная ионная масс-спектроскопия (ВИМС)
      • 2. 3. 4. ИК — спектроскопия
      • 2. 3. 5. Электронный парамагнитный резонанс
    • 2. 4. Методы исследования оптических и электрофизических свойств пленок гидрогенезированного аморфного кремния и сплавов на его основе
      • 2. 4. 1. Определение положения уровня Ферми в a-Si:H и его сплавах
      • 2. 4. 2. Определение оптической ширины запрещенной зоны пленок a-Si:H и его сплавов по спектрам оптического пропускания
    • 2. 5. Методы определения энергетического распределения плотности состояний в щели по подвижности аморфного полупроводника
      • 2. 5. 1. Методика моделирования температурной зависимости фотопроводимости
      • 2. 5. 2. Моделирование спектральной зависимости коэффициента поглощения, измеренной по методу постоянного фототока
      • 2. 5. 3. Моделирование вольт-фарадных характеристик гетероструктур на основе a-Si:H и его сплавов
    • 2. 6. Выводы по главе 2
  • Глава 3. Исследование свойств гетероструктур на основе аморфного гидрогенизированного кремния и его сплавов
    • 3. 1. Гетероструктуры a-Si:H/c-S
      • 3. 1. 1. Температурные зависимости В АХ гетероструктур a-Si:H/c-S
        • 3. 1. 1. 1. Прямые ветви В АХ
        • 3. 1. 1. 2. Обратные ветви В АХ
      • 3. 1. 2. Спектральные характеристики гетероструктур a-Si:H/c-S
    • 3. 2. Гетер оструктуры a-Si:H (n-thn)/c-S
      • 3. 2. 1. Прямые ветви В АХ
      • 3. 2. 2. Обратные ветви ВАХ
    • 3. 3. Гетероструктуры a-SiC:H/c-S
      • 3. 3. 1. ВАХ гетероструктур a-SiC:H/c-S
        • 3. 3. 1. 1. Область прямых смещений
        • 3. 3. 1. 2. Область обратных смещений
      • 3. 3. 2. Спектральные характеристики гетероструктур a-SiC:H/c-S
    • 3. 4. Гетероструктуры a-SiGe:H/c-S
      • 3. 4. 1. ВАХ гетероструктур a-SiGe:H/c-S
        • 3. 4. 1. 1. Область прямых смещений
        • 3. 4. 1. 2. Обратные ветви ВАХ
      • 3. 4. 2. Спектральные характеристики гетероструктур a-SiGe:H/c-S
    • 3. 5. Выводы по главе 3
  • Глава 4. Исследование свойств пленок a-Si:H и его сплавов
    • 4. 1. Свойства пленок a-Si:H
      • 4. 1. 1. Анализ микроструктуры пленок a-Si:H по данным ИК-спектроскопии
      • 4. 1. 2. Оптические и электрофизические свойства a-Si:H
      • 4. 1. 3. Плотность состояний в a-Si:H и на границе раздела гетероструктуры a-Si:H/c-S
    • 4. 2. Свойства пленок a-Si:H (п-тип)
      • 4. 2. 1. Химический состав пленок a-Si:H (п-тип)
      • 4. 2. 2. Анализ микроструктуры пленок a-Si:H (n-thn) с помощью
  • ИК спектроскопии
    • 4. 2. 3. Оптические и электрофизические свойства пленок a-Si:Hn-THna
    • 4. 3. Свойства пленок a-SiC:H
    • 4. 3. 1. Химический состав пленок a-SiC:H
    • 4. 3. 2. Микроструктура тонких пленок сплава a-SiC:H
    • 4. 3. 3. Оптические и электрофизические свойства a-SiC:H
    • 4. 3. 4. Плотность состояний в a-SiC:H и на границе раздела гетероструктур a-SiC:H/c-S
    • 4. 4. Свойства пленок a-SiGe:H
    • 4. 4. 1. Состав пленок a-SiGe:H
    • 4. 4. 2. Микроструктура тонких пленок a-SiGe:H
    • 4. 4. 3. Оптические и электрофизические свойства a-SiGe:H
    • 4. 4. 4. Плотность состояний в щели по подвижности a-SiGe:H и на границе раздела гетероструктуры a-SiGe:H/c-S
    • 4. 5. Выводы по главе 4
  • Глава 5. Природа энергетических состояний и особенности токопереноса в гетероструктурах на основе a-Si:H и его сплавов
    • 5. 1. Природа энергетических состояний и особенности токопереноса в гетероструктурах a-Si:H/c-S
      • 5. 1. 1. Моделирование температурных зависимостей В АХ и особенности токопереноса при прямых смещениях для гетероструктур a-Si:H/c-S
      • 5. 1. 2. Моделирование температурных зависимостей ВАХ и особенности токопереноса при обратных смещениях для гетероструктур a-Si:H/c-S
    • 5. 2. Природа энергетических состояний и особенности токопереноса в гетероструктурах a-Si:H (n-thn)/c-S
      • 5. 2. 1. Моделирование температурных зависимостей и особенности токопереноса при прямых смещениях в гетероструктурах a-Si:H (n-THn)/c-S
      • 5. 2. 2. Моделирование температурных зависимостей и особенности токопереноса при обратных смещениях для гетероструктур a-Si:H (n-ran)/c-S
    • 5. 3. Природа энергетических состояний и особенности токопереноса в гетероструктурах a-SiC:H/c-S
      • 5. 3. 1. Моделирование температурных зависимостей и особенности токопереноса при прямых смещениях в гетероструктурах a-SiC:H/c-S
      • 5. 3. 2. Моделирование температурных зависимостей и особенности токопереноса при обратных смещениях в гетероструктурах a-SiC:H/c-S
    • 5. 4. Природа энергетических состояний и особенности токопереноса в гетероструктурах a-SiGe:H/c-S
      • 5. 4. 1. Моделирование температурных зависимостей и особенности токопереноса при прямых смещениях в гетероструктурах a-SiGe:H/c-S
      • 5. 4. 2. Моделирование температурных зависимостей и особенности токопереноса при обратных смещениях в гетероструктурах a-SiGe:H/c-S
    • 5. 5. Выводы по главе 5

Электрофизические и оптоэлектронные свойства гетероструктур на основе a-Si: H и его сплавов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В настоящее время неупорядоченные полупроводники, в частности, # аморфный гидрогенизированный кремний (a-Si:H) и сплавы на его основе находят широкое применение в технологии твердотельной электроники. Связано это, прежде всего, с уникальной совокупностью свойств этих материалов, изменяемых в широких пределах за счет варьирования технологических режимов осаждения, и возможности осаждения a-Si:H и его сплавов практически

6 2 на любую поверхность площадью до 10 см .

Поскольку технология формирования a-Si:H хорошо совместима с обычной кремниевой технологией производства интегральных схем, это явилось предпосылкой для создания приборов и устройств, совмещающих в себе ® аморфную и кристаллическую форму кремния. На сегодняшний день это, прежде всего, гетеропереходные биполярные транзисторы и пространственные активные матрицы на основе тонкопленочных полевых транзисторов для устройств ввода и вывода графической и видео информации, элементы солнечных батареи, датчики у-излучения, фотодатчики и мишени видиконов в трубках изображения.

Применение гетероструктур аморфный/кристаллический кремний (a-Si:H/c-Si) позволяет совместить высокую эффективность c-Si с низкой ® стоимостью получения a-Si:H. Однако практическая реализация приборов на их основе затруднена из-за того, что существует широкий набор параметров, чувствительных к технологии получения пленок a-Si:H (ширина щели подвижности, плотность состояний дефектов, изменение концентрации водорода и т. д.) и отсутствуют ясные представления о закономерностях формирования гетероструктур аморфный/кристаллический полупроводник.

Поскольку характеристики гетероструктур аморфный/кристаллический полупроводник во многом определяются особенностями переноса носителей в ^ них, изучение механизмов токопереноса в подобных гетероструктурах является важной научно-практической задачей. Ее решение способствует оптимизации технологии получения гетероструктур аморфный/кристаллический полупроводник и позволяет выявить закономерности формирования подобных гетероструктур. Кроме того, гетероструктуры аморфный/кристаллический полупроводник могут служить модельным объектом, изучение свойств которого будет способствовать выявлению закономерностей формирования более сложных для понимания гетероструктур аморфный/аморфный полупроводник. Таким образом, изучение особенностей механизмов переноса носителей заряда в гетероструктурах аморфны/кристаллический полупроводник является актуальной задачей твердотельной электроники.

Целью данной диссертационной работы являлось изучение механизмов переноса носителей заряда в гетероструктурах аморфный/кристаллический полупроводник, выявление взаимосвязи между технологическими параметрами получения аморфных полупроводников и электрофизическими свойствами гетероструктур a-Si:H/c-Si, a-Si:H (n-thn)/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si, и определение оптимальных технологических параметров для получения гетероструктур приборного качества.

Научная новизна

1) Впервые исследованы прямые и обратные ветви В АХ гетероструктур a-Si:H/c-Si, a-Si:H (n-thn)/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si в широком диапазоне смещений (от 0 до 15 В, для прямых ветвей и от 0 до -15 В для обратных ветвей ВАХ) и температур (от комнатной до 250 °С), сформированных по высокоскоростной технологии роста пленок a-Si:H и сплавов на его основе методом НЧ ПХО.

2) Показана взаимосвязь между особенностями переноса носителей заряда в гетероструктурах a-Si:H/c-Si, a-Si:H (n-thn)/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si при прямых и обратных смещениях и электрофизическими свойствами аморфных пленок a-Si:H, a-Si.H (n-thn), a-SiC:H и a-SiGe:H. Установлено, что токи утечки через гетеропереход при малых прямых смещениях контролируются состояниями на границе раздела гетероструктур a-Si:H/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si, расположенными вблизи уровня Ферми аморфного полупроводника, которые для a-Si:H и a-SiC:H обусловлены оборванными связями кремния, а для a-SiGe:H оборванными связями германия.

3) При малых прямых смещениях токоперенос в гетероструктурах a-SiGe:H/c-Si осуществляется за счет многоступенчатого туннелирования дырок из c-Si р-типа в a-SiGe:H до уровня дефектов, обусловленного оборванными связями Ge, где происходит их эмиссия в валентную зону аморфного сплава. При больших прямых смещениях ток ограничен пространственным зарядом, а его рост обеспечивается за счет термической активации захваченных электронов с уровней ловушек в верхней половине щели, обусловленных оборванными связями Si.

4) Установлено, что процессы генерации и рекомбинации, контролирующие перенос носителей заряда при высоких обратных смещениях в гетероструктурах a-Si:H/c-Si, a-Si:H (n-ran)/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si происходят в обедненной области аморфного полупроводника.

5) Исследованы спектральные характеристики гетероструктур a-Si:H/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si. Анализ квантовой эффективности фотопреобразования гетероструктур a-Si:H/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si показал, что изучаемые гетероструктуры имеют высоко качественную границу раздела. Показано, что пик фоточувствительности гетероструктур a-SiGe:H/c-Si можно сдвигать в ИК область за счет уменьшения ширины запрещенной зоны сплава a-SiGe:H.

Практическая значимость

1) Разработаны стенды для измерения температурных и спектральных зависимостей ВАХ, которые позволяют проводить измерения в широком диапазоне температур с высокой точностью: ошибка в измерении тока не превышает 2,5%, а напряжения — 2%.

2) Предложены эквивалентные электрические схемы гетероструктур a-Si:H/c-Si, a-Si:H (n-THn)/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si как для прямых, так и для обратных смещений, которые позволяют описать вольт-амперную характеристику в широком диапазоне смещений и температур измерения. Моделирование ВАХ изучаемых гетероструктур с помощью предоженных эквивалентных электрических схем позволило с высокой точностью определить параметры переноса носителей заряда и выявить закономерности формирования подобных гетероструктур. Полученные таким образом результаты позволяют прогнозировать характеристики приборов на основе гетероструктур аморфный/кристаллический полупроводник.

3) Комплексный анализ электрофизических и оптоэлектронных свойств пленок a-Si:H, a-Si:H (n-thn), a-SiC:H и a-SiGe:H и результатов моделирования ВАХ гетероструктур a-Si:H/c-Si, a-Si:H (n-thn)/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si с использованием разработанной методики моделирования ВАХ, в основе которой лежат предложенные ЭЭС, позволил оптимизировать технологию получения гетероструктур аморфный/кристаллический полупроводник на основе a-Si:H и его сплавов, полученных методом НЧ ПХО при повышенных скоростях роста. Определены технологические режимы осаждения, при которых формируются гетероструктуры a-Si:H/c-Si, a-Si:H (n-thn)/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si приборного качества.

4) Выводы и рекомендации, сделанные в диссертационной работе Мазурова А. В. в части исследования электрофизических свойств и оптимизации технологии формирования гетероструктур на основе аморфного гидрогенизированного кремния и его сплавов с германием и углеродом, использованы в серии НИР по созданию фоточувствительных структур и в учебном процессе МИЭТ (ТУ) в лекционном курсе и лабораторном практикуме по дисциплинам «Материалы электронной техники», «Полупроводниковые преобразователи энергии» и «Физика и химия полупроводников». Результаты работы могут быть использованы при создании элементов солнечных батарей и датчиков излучения на основе аморфного гидрогенизированного кремния и его сплавов с германием и углеродом.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Методика моделирования прямых и обратных ветвей ВАХ гетероструктур a-Si:H/c-Si, a-Si:H (n-THn)/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si с использованием эквивалентных электрических схем, позволяющих описать ВАХ в широком диапазоне температур и прикладываемых к гетероструктурам смещений, а также определить параметры переноса носителей заряда.

2. Механизмы переноса носителей заряда при прямых и обратных смещениях для гетероструктур a-Si:H/c-Si, a-Si:H (n-thn)/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si, сформированных при повышенных скоростях роста.

3. Взаимосвязь плотности состояний в щели по подвижности a-Si:H и сплавов на его основе и на границе раздела гетероструктуры аморфный/кристаллический полупроводник и механизмов переноса носителей заряда при прямых и обратных смещениях.

4. Формирование гетероструктур a-Si:H/c-Si, a-Si:II (n-tmn)/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si приборного качества в низкочастотной плазме (55кГц) тлеющего разряда при повышенных скоростях роста и низких температурах осаждения.

Апробация работы.

По результатам исследований были сделаны доклады на: Международной конференции студентов и аспирантов по фундаментальным наукам «Ломоносов-2000" — Межвузовской научно-технической конференции «Электроника и информатика» МИЭТ, Зеленоград 1999;2004 гг.- конференции «Полупроводники-99», Новосибирск, 1999 г.- Международной школе-конференции по физическим проблемам в материаловедении полупроводников, Черновцы, 1999 г.- XI Научно-технической конференции «Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления» (Датчик — 99). Гурзуф.- 17th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, International Congress Centre Munich, Germany.- International workshop on «Modern problems in the physics of surfaces and nanostructures» 2001 Yaroslavl.- Отчетной конференции по программе: Топливо и энергетика. 2001 г., Москва, МЭИ.- Всероссийской научно-технической дистанционной конференции «Электроника». Зеленоград, 2001 г.- SPIE’s 47-th Annual Meeting, 2002, Seattle.- Восьмой международной научно-технической конференции студентов и аспирантов. Радиоэлектроника, электротехника и энергетика. 2002 г. Москва. Мэй.- Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 2002 г, 2004 г.- Международная конференция по физике электронных материалов ФИЭМ-02, 2002 г. Калуга,

Россия.- IV Международная научно-техническая конференция, Москва МИЭТ, 2002 г.- International Conference «Microand nanoelectronics — 2003» (ICMNE-2003, Zvenigorod, Moscow district, 2003);

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 26 печатных работ, в том числе: 1 в журнале «Перспективные материалы», 3 работы в трудах зарубежных конференций, а также тезисы докладов на российских и международных конференциях.

Структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, основных результатов и выводов по работе, содержит 220 страниц машинописного текста, включая 41 таблиц, 143 рисунка и список литературы в количестве 134 наименований и приложения

Основные результаты и выводы.

1. Впервые получены и исследованы гетероструктуры a-Si:H/c-Si, a-Si:H (n-thn)/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si приборного качества, осажденные методом НЧ (55 кГц) ПХО при повышенных скоростях роста. Разработана методика измерений вольт-ампераных характеристик гетероструктур аморфный/кристаллический полупроводник при различных температурах и различных длинах волн падающего излучения. Разработанные стенды позволяют проводить измерения ВАХ в диапазоне температур от комнатной до 250 °C и в диапазоне длин волн падающего излучения от 500 до 1100 нм с высокой точностью: ошибка в измерении тока не превышает 2,5%, а напряжения — 2%.

2. Исследование свойств слоев a-Si:H и его сплавов позволило установить, что с ростом температуры осаждения от 100 до 275 °C наблюдается рост плотности состояний в нижней части щели по подвижности. При формировании слоев a-Si:H n-типа происходит кластерирование Si-H2 связей на внутренних поверхностях при содержании РН3 в газовой смеси менее 1,11%. С ростом концентрации РН3 этот процесс замедляется и практически полностью подавляется при максимальной концентрации РН3 (1,37%). Рост концентрации С в пленках a-SiC:H приводит к росту плотности состояний, при этом состояния вблизи уровня Ферми обусловлены оборванными связями Si.

Введение

Ge в a-Si:H приводит к замене Si-H связей на Ge-H. Установлено, что глубокие состояния в нижней части щели по подвижности a-SiGe:H обусловлены оборванными связями Ge, а в верхней половине — оборванными связями Si.

3. Предложены эквивалентные электрические схемы гетероструктур a-Si:H/c-Si, a-Si:H (n-THn)/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si, позволяющие описать прямые и обратные ветви ВАХ в широком диапазоне прямых (от 0 до 15 В) и обратных (от 0 до -15 В) смещений. На основе предложенных схем разработано программное обеспечение и реализована методика моделирования ВАХ, позволяющая определять параметры преобладающих механизмов переноса при прямых и обратных смещениях в исследуемых гетероструктурах аморфный/кристаллический полупроводник. Полученные уточненные значения параметров позволили выявить закономерности формирования гетероструктур a-Si:H/c-Si, a-Si:H (n-Tim)/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si.

4. Анализ спектральных характеристик гетероструктур a-Si:H/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si показал, что они имеют высокое качество границы раздела. Это может быть связано с пассивацией водородом оборванных связей в аморфных пленках и на границе раздела a-Si:H/c-Si, а также наличием ионной бомбардировки поверхности роста в НЧ разряде. Коротковолновый край поглощения квантовой эффективности фотопреобразования гетероструктур a-Si:H/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si определяется шириной запрещенной зоны аморфного полупроводника, а длинноволновый — межзонными оптическими переходами в узкозонном материале c-Si. Параметрами гетероструктур a-SiGe:H/c-Si можно управлять, сдвигая пик фоточувствительности в ИК область за счет уменьшения ширины запрещенной зоны сплава a-SiGe:H.

5. Анализ механизмов переноса носителей в гетероструктурах a-Si:H/c-Si, a-Si:H (n-THn)/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si показал, что при малых прямых смещениях многоступенчатое туннелирование дырок с захватом и эмиссией носителей заканчивается их эмиссией в валентную зону аморфного полупроводника. При этом уровень, с которого происходит эмиссия для гетероструктур a-Si:H/c-Si обусловлен нейтральными оборванными связями Si, а для a-SiGe:H/c-Si — дефектами типа оборванная связь Ge. Смена механизма переноса носителей заряда при малых прямых смещениях для гетероструктур a-SiC:H/c-Si с увеличением концентрации С в аморфной пленке от многоступенчатого туннелирования к омической зависимости объясняется ростом объемного сопротивления аморфного слоя и увеличением концентрации дефектов в a-SiC:H. Токи утечки через гетеропереход контролируются состояниями на границе раздела гетероструктур a-Si:H/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si, расположенными со стороны аморфного полупроводника вблизи уровня Ферми, которые для a-Si:H и a-SiC:H обусловлены оборванными связями Si, а для a-SiGe:H — оборванными связями Ge.

6. Установлено, что при высоких прямых смещениях омическое сопротивление, оказывающее влияние на ВАХ всех исследованных гетероструктур, обусловлено объемным сопротивлением слоя аморфного полупроводника. Смена механизмов переноса носителей заряда в a-SiC:H/c-Si с увеличением концентрации С от омической зависимости к току, ограниченному объемным зарядом, обусловлена изменением объемного сопротивления слоя а-SiC:H и плотности состояний в щели подвижности a-SiC:H. Термическая активация носителей заряда в зону проводимости аморфного полупроводника, для гетероструктур a-Si:H/c-Si происходит с энергетических уровней, обусловленных двукратно заряженной оборванной связью Si, для a-Si:H (n-thn)/c-Si этот уровень обусловлен появлением дефектов, связанных с легированием a-Si:H атомами фосфора, а для a-SiGe:H/c-Si обусловлен оборванными связями кремния.

7. Установлено, что увеличение плотности состояний в запрещенной зоне a-Si:H и a-SiGe:H увеличивает вероятность возникновения в гетероструктурах a-Si:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si при малом обратном смещении многоступенчатого туннелирования с захватом и эмиссией носителей заряда на ловушках. Токи утечки в гетероструктурах a-SiC:H/c-Si при малых обратных смещениях определяются энергетическими состояниями со стороны a-SiC:H, расположенными вблизи уровня Ферми и обусловленными оборванными связями Si. Для гетероструктур a-SiGe:H/c-Si смена механизма переноса носителей заряда от многоступенчатого туннелирования к ТООЗ при малых обратных смещениях с увеличением концентрации GeH4 в газовой смеси связана с уменьшением ширины запрещенной зоны формируемого a-SiGe:H.

8. Установлено, что в области больших обратных смещений для гетероструктур a-Si:H (n-thn)/c-Si, сформированных при концентрации РН3 в газовой смеси более 1,22%, появляется механизм переноса носителей заряда, обусловленный процессами генерации и рекомбинации носителей заряда в обедненной области a-Si:H (n-tnn). Как и в случае прямых смещений смена механизмов переноса носителей заряда при обратных смещениях в a-SiC:H/c-Si с увеличением концентрации С в пленке обусловлена ростом объемного сопротивления слоя a-SiC:H и увеличением плотности состояний в щели подвижности a-SiC:H.

9. Установлено, что процессы генерации, контролирующие перенос носителей заряда при высоких обратных смещениях для гетероструктур a-Si:H/c-Si, a-Si:H (n-thn)/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si, происходят в обедненной области аморфного полупроводника. Определено сродство к электрону и коэффициент температурного изменения щели по подвижности для слоев a-Si:H, a-Si:H (n-thn), a-SiC:H и a-SiGe:H. Установлено, что на величину сродства к электрону влияет изменение плотности состояний на границе раздела гетероструктур a-Si:H/c-Si и в щели по подвижности a-Si:H.

10. Комплексный анализ свойств пленок a-Si:H и его сплавов, и гетероструктурах a-Si:H/c-Si, a-Si:H (n-thn)/c-Si, a-SiC:H/c-Si и a-SiGe:H/c-Si, сформированных в НЧ (55 кГц) плазме тлеющего разряда, позволил определить технологические режимы формирования гетероструктур приборного качества. Установлено, что гетероструктуры a-Si:H/c-Si приборного качества формируются при температуре подложки 225 °C. При этом ширина запрещенной зоны для a-Si:H равна 1,78 эВ, обеспечиваются максимальное значение фоточувствительности пленок (1,5 106) и минимальные значения плотности состояний на границе раздела гетероструктуры a-Si:H/c-Si (Nss=l, l Ю11 см" 2). Показано, что при температуре подложки, равной 200 °C, и концентрации РНз в смеси реакционных газов 1,22% формируются гетероструктуры a-Si:H (n-thn)/c-Si приборного качества. При этом Eg для a-Si:H п-типа составляет 1,73 эВ, уровень Ферми наиболее близко расположен к краю зоны проводимости (отстоит от нее на 0,34 эВ), наблюдаются высокие значения темновой проводимости (8 10″ 4 Ом" 1 см"). Установлено, что при Тп~320 С гетероструктуры a-SiC:H/c-Si приборного качества формируются при концентрации СН4 в смеси реакционных газов 20%. При этом плотность состояний на границе раздела гетероструктуры a-SiC:H/c-Si минимальна и

11 9 составляет 4,2 10 см". Оптимальной концентрацией GeH4 в смеси реакционных газов при ТП=225°С для получения гетероструктур a-SiGe:H/c-Si приборного качества является 9,1%. В этом случае фоточувствительность пленки a-SiGe:H

4,9 104, ширина щели по подвижности — 1,64 эВ, плотность состояний на границе

11 2

раздела гетероструктуры a-SiGe:H/c-Si равна 1,5 10 см" .

Показать весь текст

Список литературы

  1. Paul.W., Anderson D.A., Sol. Energy Mat., 5, 229 (1981)
  2. Fritshe H., Sol. Energy Mat., 3, 447 (1980)
  3. У., Ле Комбер П. Фундаментальные и прикладные исследования материала приготовляемого в тлеющем разряде// В кн.: Физика гидрогенизированного аморфного кремния.- М.: Мир, 1987. Вып.1. С. 85−155.
  4. М. Bohm. State Tehnology, 1983, v.31, p.125−131.
  5. P. F. Bloser, S. D. Hunter, G. O. Depaola, and F. Longo arXiv: astro-ph/30 833. vl. 19 Aug 2003.
  6. E. Pincik 1, H. Kobayashi, J. Mullerova, K. Gmucova, M. Jergel, R. Brunner, M. Zeman, M. Zahoran acta physica slovaca 2003 vol. 53 No. 4, p. 267 -278
  7. Matthias Hillebrand, Frank Blecherl, Jurgen Sterzel, Markus Bohm Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 762 © 2003 Materials Research Society
  8. H. Gleskova, S. Wagner, Applied Surface Science 175−176, pp.12−16 (2001)
  9. A. M. Brockhoff, H. Meiling, F. H. P. M. Habraken, and R. E. I. Schropp, Proc.Electrochem. Soc. Thin Film Transistor Technologies IV, Boston (1998).
  10. Tuan H.C. Mat-Res.Sos. Symp. Proc., 1986, v. 70, p.651−656.15. «Неупрорядоченные полупроводники». Под. ред. А. А. Айвазова. Издательство МЭИ, Издательство «Высшая школа» М. 1995. 352 с.
  11. Sassaki С.A., Arasak А.Т., Carreno М.Р., Kamagawa A., Pereyra J. J of Non-Cryst. Solids, 1989, v. 115, p. 90−92.
  12. Д. Карлсон, К. Вронски. «Солнечные батареи из аморфного кремния». В кн. Аморфные полупроводники / Под. ред. Бродски. М. Мир. 1982. с. 355−411.
  13. Аморфные полупроводники/ Под ред. М.Бродски.- М.: Мир, 1982. 419с.
  14. Аморфные и поликристаллические пленки / Под ред.Хейванга.- М.: Мир, 1987. 158с.
  15. D. Caputo, G. de Cesare, A. Nascetti, F. Palma, R. De Rosa, M. Tucci. 2nd World Conference on Photovoltaic Solar Energy Conversion. Proceedings of the International Conference held at Vienna, Austria 6−10 July 1998.
  16. K.Kumagai: Report of 31st Solar Energy Tech. Promotion Committee, New Sunshine Project HQ, MITI, (June, 1994) 83.
  17. Sawada Torn, Terada Norihiro, Tsuge Sadaji, Baba Toshiaki, Takahama Tsuyoshi, Wakisaka Kenichiro, Tsuda Shinya and Nakano Shoichi «High-efficiency a-Si/c-Si heterojunction solar cell», First WCPEC- Hawaii, Dec. 5−9, 1994, pp. 12 191 226.
  18. G. de Cesare, F. Irrera, M. Tucci. Mat. Res.Symp.Proc.Vol. 467 © 1997 Materials Research Society, pp 937−942
  19. R. L. Anderson. IBM J. Res. Dev. 4, 283 (1960)
  20. R. L. Anderson. Solid-State Electronics vol. 5, pp. 341−351.
  21. P.W. Anderson, Phys. Rev., vol. 109, № 5, (1958), pp.1492−1505.
  22. Cohen M.H., Fritzsche H., Ovshinsky S.R., Phys. Rev. Lett., vol. 22, № 20, (1969), pp.1065−1068.
  23. H. Matsuura, H. Okushi, «Electrical properties amorphous/crystalline semiconductor heterojunction» // in «Amorphous and microcrystalline silicon devices», ed. by J. Kanicki (Artech House, Boston, 1992), vol II, pp.517−561.
  24. Б.Л. Шарма, Р. К. Пурохит «Полупроводниковые гетеропереходы». М. Советское Радио. 1979. 226 с.
  25. А. Милне, Д. Фхойт «Гетеропереходы и переходы металл полупроводник». М. Мир. 1975. 432 с.
  26. S. Fonash, Solar Cell Device Physics, (Academic Press, New York, 1981).
  27. A.G. Ghynoweth, W.L. Feldmann, and R.A. Logan, Phys. Rev. 121,684 (1961).
  28. A.R. Riben and D.L. Feucht, Solid-State Electronics 9, (1966), pp. 10 551 065.
  29. A.R. Riben and D.L. Feucht, Int. J. Electron. 20, 583 (1966).
  30. W. Franz, Handb. Phys.17, 155 (1956).
  31. H. Matsuura, T. Okuno, H. Okushi, and K. Tanaka, J. Apll. Phys. 55(4). (1984), pp. 1012−1019.
  32. H. Matsuura. J. Apll. Phys. 64(4). (1988). pp. 1964−1973.
  33. H. Matsuura. IEEE Transactions on electron devices. Vol. 36 (12) pp. 29 082 914.
  34. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т, 1 с. 455.
  35. L. F. Marsal, J. Pallares, X. Correig, J. Calderer and R. Alcubilla. J. Appl. Phys., vol.79, No 11, 1996, pp. 8493−8497.
  36. L. F. Marsal, J. Pallares, X. Correig, A. Orpella, D. Bardes, and R. Alcubilla. J. Appl. Phys., vol.85, No 2, 1999, pp. 1216−1221.
  37. M. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973,416 с.
  38. A. Rose, Phys. Rev. 97, 1538 (1955).
  39. П. А. Иванов, О. И. Коньков, Е. И. Теруков. ФТП, 34 (5), 617 (2000)
  40. L. F. Marsal, J. Pallares, X. Correig and R. Alcubilla. Semicond. Sci. Technol. 11 (1996). pp.1209−1213.
  41. A.A. Айвазов, Б. Г. Будагян. Электронная промышленность. 1995 № 4−5 .С.65−67.
  42. Б.Г.Будагян, А. А. Шерченков, А. Е. Бердников, В. Д. Черномордик. Микроэлектроника. 2000. Т.29. № 6. С.442−448.
  43. B.G.Budaguan, A.A.Aivazov, M.N.Meytin, A.G.Radosel'sky. «The perspectives of high-rate low frequency a-Si:H films deposition: solar cell application and stability control». Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1998. vol.485, pp.297−302.
  44. B.G. Budaguan, A.A. Aivazov, A. Yu Sazonov, A. A. Popov, and A. E. Berdnikov. «High-rate deposition of a-Si:H films in 55 kHz glow discharge: growth mechanisms and film structure». // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1997. vol. 467. pp. 585−590.
  45. Ю.Н. Коркишко, А. Г. Борисов, Н. Г. Никитина, JI.C. Суханова, В. З. Петрова, «Методы исследования состава и структуры материалов электронной техники», часть 1, М. МГИЭТ (ТУ). 1997. 256 с.
  46. JI. Фелдман, Д. Майер. «Основы анализа поверхности тонких пленок». М.: Мир. 1989. 344 с.
  47. N., Schroeder В., Geiger J. «Vibrational spectroscopy of hydrogenated evaporated amorphous silicon films» // J. Non-Cryst. Solids. 1983. vol.58, pp.153−163.
  48. Дж., Петрич M. «Структурные неоднородности в аморфных гидрированных полупроводниках приборного качества». В кн.: «Аморфный кремний и родственные материалы» / Под. ред. Х.Фрицше. М.: Мир. 1991. С. 1339.
  49. А., Блини Б. «Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов». T.l. М.: Мир. 1972. 651 С.
  50. М., Бигельсен Д. «Микроскопическая структура дефектов в a-Si:H и родственных материалах» В кн.: Аморфный кремний и родственные материалы. Под ред. X. Фрицше. М: Мир. 1991. С.257−289.
  51. A., Tsujimura Y., Kumeda М., Shimizu Т. «Properties of hydrogenated amorphous Si-N prepared by various methods» // Jpn. Journ. Appl. Phys. 1985. Vol.24, pp. 1394−1398.
  52. M. «On the structure of dangling bond defects in silicon». // Z. Phys. Chem. 1987. vol. 151. pp. 211−222.
  53. Б.Г. Будагян «Особенности структуры и физические свойства неупорядоченных полупроводников». Учебное пособие. М: Миэт. 1994. С. 95.
  54. Н. Мотг, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. 662 с.
  55. JI. Лей Фотоэмиссия и оптические свойства// В кн.: Физика гидрогенизированного аморфного кремния. М.: Мир, 1988. Вып. 2. С. 86−216.
  56. D.S.Shen and S. Wagner, J. Appl. Phys. 78, 278 (1995).
  57. M. Шур. Физика полупроводниковых приборов. T. l М.: Мир, 1992. 480с.
  58. К.В. Шалимова. «Физика полупроводников». М.: Энергоиздат. 1985. 391 с.
  59. М., Kocka J., Stuchlik J., Kozisek Z., Stika О., Triska A. «Density of states in undoped and doped glow discharge a-Si:H» // Solar Energy Mater., vol 8, (1983), pp. 411−423.
  60. Й., Ванечек M., Триска А. «Энергия и плотность состояний в щели подвижности a-Si:H» // В кн: Аморфный кремний и родственные материалы. Под ред. X. Фрицше. М: Мир. 1991. С.189−222.
  61. А.Г. Казанский. «Неравновесные фотоэлектрические процессы в аморфном гидрированном кремнии» // Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 1992. Москва. 461 с.
  62. G. Sasaki, S. Fujita, A. Sasaki «Gap-states measurement of chemically vapour-deposited amorphous silicon: High-frequency capacitance-voltage method», J. Appl. Phys. 53 (2), 1982, pp. 1013−1017.
  63. D. К. Sharma, К. L. Narasimhan «Analisis of high-frequency capacitance of amorphous silicon-crystalline silicon heterojunctions», Phil. Mag. B, 63 (1991), pp. 543−550.
  64. A.B. Бирюков. «Электрофизические свойства и природа локализованных состояний в гетеропереходах на основе a-Si:H и его сплавов» // Диссертация на соискание ученой степени кндидата технических наук. 2000. Москва. 174 с.
  65. Б.Г. Будагян, А. А. Айвазов. «Физико-химические основы базовой технологии получения аморфного гидрогенизированного кремния». М. МГИЭТ (ТУ). 1996. 60 с.
  66. Н. Mimura, Y. Hatanaka. Japanese Journal of Applied Physics., 24(5), L355, (1985).
  67. A. J. Harris, R.S. Walker, and R. Sneddon. J.Appl.Phys.51 (8), August 1980.
  68. Ю.Н. Николаев, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков. Фоточувствительность гетероконтактов a-Si:H/n-InSe. ФТП, т. 34, вып. 6, 2000. С. 704−706.
  69. Ю.Н. Николаев, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков. Фотоэлектрические явления в гетероструктурах a-Si:H/p-CuInSe2. ФТП, т. 34, вып. 6, 2000. С. 685−687.
  70. Ю.Н. Николаев, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков. Поляризационная фоточувствительность гетеропереходов a-Si:H/c-Si. ФТП, т. 34, вып. 7, 2000. С. 818−821.
  71. Ю.Н. Николаев, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков. Фотовольтаический эффект в гетероструктурах a-Si:H/n-InSe. ФТП, т. 34, вып. 9, 2000. С. 1105−1108.
  72. A.A., Будагян Б. Г., Мазуров A.B. «Влияние содержания углерода на механизмы токопереноса в гетероструктурах a-SiC:H/c-Si» Тезисы докладов. IV Международная научно-техническая конференция, МИЭТ, 19−21 ноября 2002 г. С. 308.
  73. А.В. Электрофизические свойства гетероструктур a-SiGe:H/c-Si. Тезисы докладов Всероссийской научно-технической дистанционной конференции «Электроника». Зеленоград, 19−30 ноября 2001 г. С. 43.
  74. А. А. Шерченков, Б. Г. Будагян, А. В. Мазуров «Влияние концентрации германия на свойства гетероструктур a-SiGe:H/ c-Si «Журнал «Перспетивные материалы 2003 г., № 3».С. 24−30.
  75. J. Bullot, M. P. Schmidt. Phys. Status Solidi В 143 (1987) 345.
  76. H. Wieder, M. Cardona, C. R. Guarnieri. Phys. Status Solidi В 92 (1979) 99.
  77. Brodsky M.H., Cardona Manuel, Cuomo J.J. Infrared and Raman spectra of the silicon-hydrogen bonds in amorphous silicon prepared by glow discharge and sputtering. Phys. Rev. В, T. 16, № 8, 1977. C. 3556−3571.
  78. Langford A.A., Fleet M.L., Nelson B.P., Lanford W.A., Maley N. Infrared absorption strength and hydrogen content of hydrogenated amorphous silicon. Phys. Rev. В, T. 45, № 23, 1992, pp. 13 367−13 377.
  79. Furukawa Shoji, Matsumoto Nobuo. Estimation methods for localized-state distribution profiles in undoped and phosphorous-doped a-Si:H. Phys. Rev. В, T. 27, № 8, 1983. C. 4955−4960.
  80. Pollard W.B., Lucovsky G. Phonons in polysilane alloys. Phys. Rev. B, 1982, T. 26,№ 6.C. 3172−3180.
  81. Freeman E.C. and Paul William. Infrared vibrational spectra of rf-sputtered hydrogenated amorphous silicon. Phys. Rev. В T. 18, № 8, 1978, pp. 4288−4300.
  82. Ouwens J. Daey, Schropp R.E.I. Hydrogen microstructure in hydrogen amorphous silicon. Phys. Rev. В, T. 54, № 24, 1996, pp. 17 759−17 762.
  83. Lucovsky G., Nemanich R.J., Knights J.C. Structural interpretation of the vibrational spectra of a-Si:H alloys. Phys. Rev. В, T. 19, № 4, 1979, pp. 2064−2073.
  84. Shanks M., Fang C.J., Ley L., Cardona M., Demond F.J., Kalbitzer S. Infrared spectrum and structure of hydrogenated amorphous silicon. Phys. Stat. Solidi (В), T. 100, № 1, 1980, pp. 43−56.
  85. E. Morgado, Phyl. Mag. В 63, 529 (1991).
  86. К. Зеегер. «Физика полупроводников». М.: Мир. 1977. 616 с.
  87. Е. N. Economou, D.A. Papacostantopoulos. Phys. Rev. B14, 620 (1976)
  88. D.A. Papacostantopoulos, E. N. Economou. Phys. Rev. B24, 7233 (1976)
  89. W.E. Pickett, D.A. Papacostantopoulos, E. N. Economou. Phys. Rev. B28, 2232 (1983).
  90. K.F. Feenstra et al., 12nd World Conference and Exibition on Photovoltaics Solar Energy Conversion, 6−10 July, 1998, paper No VD1.19
  91. M. Shanks, C. J. Fang, L. Ley, M. Cardona, F. J. Demond, S. Kalbitzer, Phys. Stat. Solidi B, vol. 100 1 (1980)43−56.
  92. Morimoto, T. Miura, M. Kumeda, T. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys. vol. 21, (1982), L.2.
  93. R.S. Sussmann, R. Ogden, «Photoluminescence and optical properties of plasma deposited amorphous Sij. xCx alloys», Phil. Mag. B, vol 44 (1981), p. 137.
  94. T. Fuji, M. Yoshimoto, T. Fuyuki, H. Matsunami, Jap. J. Appl. Phys. 36 (1997), p. 289.
  95. Matsuda, Y. Yamaoka, S. Wolf, M. Koyama, Y. Imanishi, H. Kataoka, H. Matsuura, K. Tanaka, J. Appl. Phys. 60 (1986), p. 4025.
  96. A. Desalvo, F. Giorgis, C.F. Pirn, and E. Trecco, P. Rava, R. Galloni, R. Rizzoli, and C.Summonte. J. Appl. Phys. 81 (12), 15 June 1997.
  97. I.Solomon, L.R.Tessler. Very high-gap tetrahedrally coordinated amorphous silicon-carbon alloys. MRS Proc., 1994, Vol. 336, pp.505−510.
  98. S. J. Jones, Y. Chen, D. L. Williamson, R. Zedlitz, G. Bauer. Microstructural transition and degraded opto-electronic properties in amorphous SiGe: H alloys. Appl. Phys. Lett., 1993, vol. 62, #25, pp. 3267−3269.
  99. B. G. Budaguan, A. A. Sherchenkov, A. E. Berdnikov, J. W. Metselaar, A. A. Aivazov. The properties of a-SiC:H and a-SiGe:H films deposited by 55 kHz PECVD. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 557, 1999, pp. 43−48.
  100. Yu-Pin Chou and Si-Chen Lee. J. Appl. Phys., 83 (8), 4111 (1998).
  101. P.Wickboldt, D. Pang, W. Paul, J.H.Chen, F. Zhong, C.-C.Chen, J.D.Cohen, D.L.Williamson. High performance glow discharge a-Si (.xGex:H of large x. J. Appl. Phys., 1997, Vol. 81, No 9, pp.6252−6267.
  102. MacKenzie K.D., Eggert J.R., Leopold D.J., Y.M. Li, Lin Y.M., Paul W. «Structural, electrical and optical properties of a-Sii.xGex:H and an infrared electronic band structure», Phys. Rew. B, vol. 31 (1985), pp. 2198−2212.
  103. Dong N.V., Dank Т.Н., Leny J.Y., J. Appl. Phys., vol. 52 (1981), p. 338.
  104. А. Основы теории фотопроводимости.-М.: Мир 1966.-192 с.
  105. Р. Срит, Д. Бегельсон. Спектроскопия локализованных состояний// В кн.: Физика гидрогенизированного аморфного кремния. М.: Мир, 1988 г., вып. 2 С. 247−328.
  106. Аморфный кремний и родственные материалы, под ред. X. Фрицше. // М. Мир, 1991, 544 с.
  107. P. Viktorovitch, G. Moddell, W. Paul. In: Tetrahedrally Bonded Amorphous Semiconductors (R.A. Street, D.K. Biegelsen, D.K. Knights, eds.) 1981, p. 186.
  108. A.B. Мазуров «Электрофизические свойства гетероструктур a-SiC:H/c-Si» Тезисы докладов, Одиннадцатоя всеросийская межвузовскаянаучно-техническая конференция студентов и аспирантов (Зеленоград, 21−23 апреля 2004 г.). С. 51.
  109. Справочник «Физические величины». Под редакцией И. С. Григорьева, Е. 3. Мейлихова. 1991 г. С. 1231.
  110. А.В., Шевченко М. В. «Моделирование вольт-амперных характеристик гетероструктур a-SiGe:H/c-Si» Тезисы докладов, Десятая всеросийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов (Зеленоград, 23,24 апреля 2003 г.). С. 63.
  111. B.G.Budaguan, A.A.Sherchenkov. Near-infrared tunable response photoetectors based on amorphous/crystalline silicon heterostructures prepared by the r.f. magnetron sputtering technique. // Thin Solid Films. 1997. Vol. 299. P. 173−177.
  112. J.P.Kleider, C. Longeaud, P. Roca i Cabarrocas, P. St'ahel, P.Sladek. Low defect density a-SiGe:H alloys for Solar cells. Proc. 2nd WCPSEC, Vienna, 1998, Vol.1, pp. 838−841.
  113. А. А., Будагян Б. Г., Мазуров А. В. «Механизмы токопереноса и свойства гетероструктур a-SiC:H/c-Si» Сборник трудов IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» Санкт-Петербург 5−7 июля 2004 г. С.57−58.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!