Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Динамика структурно-фазовых переходов на поверхности кремния при импульсном световом облучении

Диссертация: Динамика структурно-фазовых переходов на поверхности кремния при импульсном световом облучении
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

С учетом вышеизложенного, настоящая диссертационная работа посвящена более глубокому и детальному изучению влияния различных режимов обработки полупроводников на особенности проявления анизотропного локального плавления, исследованию динамики процесса анизотропного локального плавления в монокристаллических и имплантированных полупроводниках. Это позволит ответить на дискуссионный вопрос… Читать ещё >

Содержание

  • ОСНОВНЫЕ СОКРАЩЕНИЯ И УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ, ИСПОЛЬЗОВАННЫЕ В РАБОТЕ
  • ГЛАВА I. ИМПУЛЬСНОЕ СВЕТОВОЕ ОБЛУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
    • 1. 1. Локальное анизотропное плавление полупроводников. И
    • 1. 2. О природе центров зарождения локальной жидкой фазы на поверхности полупроводников при импульсном световом облучении
    • 1. 3. О микрорельефе локальных областей плавления
    • 1. 4. Процессы рекристаллизации кремния
      • 1. 4. 1. Твердофазный эпитаксиальный рост кремния
      • 1. 4. 2. Основные закономерности ТФЭ- и СТФЭ-роста
      • 1. 4. 3. Сравнительный анализ моделей ТФЭ- и СТФЭ-роста
    • 1. 5. Выводы к Главе 1
  • ГЛАВА II. ТЕХНИКА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Методика исследования эффекта локального анизотропного плавления.36 2.1.1. Образцы и техника импульсного светового облучения
      • 2. 1. 2. Техника и методика исследования динамики зарождения и роста ЛОП
    • 2. 2. Методика для исследований степени дефектности гидрогенизированного кремния
    • 2. 3. Методика бесконтактного исследования динамики рекристаллизации и локального плавления поверхности имплантированных полупроводников
      • 2. 3. 1. Установка для исследования динамики структурно-фазовых переходов при импульсной световой обработке
      • 2. 3. 2. Основополагающие моменты оригинальной дифракционной методики исследования динамики рекристаллизации и локального плавления имплантированного кремния
      • 2. 3. 3. Обработка экспериментальных данных
      • 2. 3. 3. Предложения по развитию методов исследования структурно-фазовых переходов имплантированных полупроводников
      • 2. 3. 4. Программа управления установкой
    • 2. 4. Выводы к Главе II
  • ГЛАВА III. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ ПРОЦЕССОВ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ И ЛОКАЛЬНОГО ПЛАВЛЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ИМПЛАНТИРОВАННОГО КРЕМНИЯ
    • 3. 1. Апробация методики для исследований динамики рекристаллизации и локального плавления имплантированного кремния
    • 3. 2. In-situ исследования процессов рекристаллизации имплантированного кремния при импульсном световом облучении
    • 3. 3. Исследование электрофизических параметров мелкозалегающих р-п переходов, сформированных имплантацией и ИСО
    • 3. 4. Исследования особенностей электрической активации имплантированной примеси при двухстадийном ИСО
    • 3. 5. Выводы к Главе III
  • ГЛАВА IV. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ИМПУЛЬСНОГО СВЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ
    • 4. 1. Результаты и обсуждения
    • 4. 2. Выводы к Главе IV
  • ГЛАВА V. ИССЛЕДОВАНИЕ СТЕПЕНИ ДЕФЕКТНОСТИ ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ПОДСЧЁТА ЛОКАЛЬНЫХ ОБЛАСТЕЙ ПЛАВЛЕНИЯ ПОСЛЕ ИМПУЛЬСНОГО СВЕТОВОГО ОБЛУЧЕНИЯ
    • 5. 1. Экспериментальные результаты
      • 5. 1. 1. Исследование поверхности образцов Si с помощью атомно-силового микроскопа до и после обработки в потоке АВ
      • 5. 1. 2. Исследование поверхности образцов Si после импульсной световой обработки в режиме образования ЛОП
    • 5. 2. Обсуждение экспериментальных результатов
    • 5. 3. Выводы к Главе V

Динамика структурно-фазовых переходов на поверхности кремния при импульсном световом облучении (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Одной из важнейших проблем при создании сверхбольших интегральных схем является формирование мелкозалегающих р-п-переходов [1,2]. Ионная имплантация, основанная на внедрении в твердое тело ускоренных в электростатическом поле ионизованных атомов и молекул, является одним из основных методов введения примеси в полупроводниковые материалы при изготовлении приборов микроэлектроники [3,4]. В процессе замедления имплантированных ионов в полупроводнике образуются радиационные дефекты. Поэтому технологический цикл изготовления изделий полупроводниковой микроэлектроники включает в себя высокотемпературный отжиг, используемый для устранения радиационных дефектов и электрической активации примеси, введенной ионной имплантацией [1,5−12]. Диапазон длительностей термообработок, используемых в настоящее время, изменяется от наносекунд до десятков минут, а температуры — от сотен градусов Цельсия до температуры плавления полупроводника.

В настоящее время в промышленности вместо традиционного термического широко используется импульсный световой отжиг (ИСО), хотя многие физические аспекты протекающих при этом процессов изучены недостаточно [13−18].

В настоящее время мы уже обладаем многочисленными публикациями по использованию для отжига ионнолегированных слоев импульсного светового облучения в режиме теплового баланса [11,12,19−25], но до сих пор нет достаточных данных о динамике протекания такого важного процесса, как твердофазная эпитаксиальная рекристаллизация имплантированных слоев полупроводника во время светового облучения.

В последнее время заметный интерес также вызывает эффект анизотропного локального плавления поверхности монокристаллических и имплантированных полупроводников, который при определенных режимах сопутствует процессу импульсного светового облучения (ИСО). Суть этого интересного физического эффекта заключается в том, что при однородном облучении поверхности и определенных для каждого полупроводника сочетаниях параметров импульса светового излучения, на исходной идеально гладкой поверхности полупроводника образуются локальные области плавления, разделенные участками нерасплавившегося материала [26−37].

Интерес к эффекту обусловлен следующим. Во-первых, изучение механизма и основных закономерностей локального плавления позволяет получить ценную физическую информацию о свойствах полупроводника и процессах, протекающих в образце во время и после действия мощного импульса света. Во-вторых, эти исследования непосредственно связаны с решением важной прикладной проблемы — оптимизацией режимов импульсного светового отжига ионно-легированных слоев (ИЛС), импульсной твердофазной диффузии из поверхностного слоя, а также рекристаллизации аморфных и поликристаллических слоев на изолирующей подложке.

Несмотря на довольно большое количество статей, к моменту начала данной работы не было полной ясности в понимании физического механизма возникновения этого важного эффекта и его основных закономерностей даже в монокристаллах, не говоря уже об ИЛС.

С учетом вышеизложенного, настоящая диссертационная работа посвящена более глубокому и детальному изучению влияния различных режимов обработки полупроводников на особенности проявления анизотропного локального плавления, исследованию динамики процесса анизотропного локального плавления в монокристаллических и имплантированных полупроводниках. Это позволит ответить на дискуссионный вопрос о доминирующем физическом механизме, лежащем в основе эффекта анизотропного локального плавления при импульсном световом облучении полупроводников и тем самым целенаправленно управлять этим эффектом.

Данные этих исследований особенно необходимы при разработке физических основ новых технологических процессов в производстве интегральных схем и других приборов микрои оптоэлектроники.

Диссертационная работа посвящена также и изучению динамики процессов рекристаллизации во время импульсного светового облучения с применением эффекта анизотропного локального плавления.

Исследования динамики структурных и фазовых переходов на поверхности полупроводников проводились с использованием разработанной нами оригинальной дифракционной методики, основанной на регистрации in situ сигнала дифракции зондирующего излучения на специальных периодических структурах.

Основной целыо диссертационной работы являлось исследование динамики структурных и фазовых переходов на поверхности монокристаллических и имплантированных полупроводников при воздействии мощных импульсов света различной длительности и плотности мощности излучения.

В основные задачи диссертационной работы входило следующее.

— Проведение аналитического литературного обзора по проблемам импульсной световой обработке полупроводников как до, так и после проведения ионной имплантации.

— Разработка и анализ возможностей бесконтактной дифракционной методики для исследования динамики процессов рекристаллизации и локального плавления на поверхности имплантированных полупроводников.

— Обсуждение экспериментальных результатов исследований динамики структурных и фазовых переходов на поверхности имплантированных полупроводников при воздействии мощных импульсов некогерентного света различной длительности и плотности мощности излучения.

— Экспериментальные исследования с применением эффекта анизотропного локального плавления динамики образования локальных областей плавления на поверхности монокристаллического кремния под действием мощного импульсного светового облучения.

— Экспериментальные исследования влияния обработки в интенсивном потоке атомарного водорода на степень дефектности приповерхностных слоев монокристаллического кремния.

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения.

Основные результаты и выводы.

1) Разработана и апробирована оригинальная дифракционная методика для исследования динамики процессов рекристаллизации и локального плавления на поверхности имплантированных полупроводников при импульсном световом облучении.

Данная методика кроме научной значимости имеет и практическую, она может быть использована в изготовлении промышленных установок для отжига имплантированных полупроводников «с обратной связью», где процесс отжига будет контролироваться не по температуре, а по мере достижения полупроводником заданных параметров.

2) Изучена динамика процессов твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации и локального анизотропного плавления поверхности имплантированного кремния.

Определены важнейшие характеристики фазовых переходов для различных длительностей:

• Время полной твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации поверхности имплантированных полупроводников в зависимости от типа ионов, дозы, энергии имплантации и длительностей светового облучения.

• Начало зарождения локальной жидкой фазы и длительности существования расплава.

При этом выявлены следующие закономерности:

• Время полной рекристаллизации трекр и время появления локальной жидкой фазы обратно пропорциональны мощности облучения.

• Время полной рекристаллизации увеличивается с увеличением энергии имплантации (Еии), причём трекр ~ .

3) Проведена скоростная микросъёмка зарождения и роста локальных областей плавления на поверхности монокристаллического кремния непосредственно в процессе облучения световыми импульсами с различными длительностями.

При этом получены in situ зависимости средних размеров и плотности (количества на единицу площади) локальных областей плавления от времени в течение светового импульса.

Для всех длительностей импульса зависимости плотности и средних размеров ЛОП имеют одинаковый характер, т. е. наблюдаются следующие стадии динамики плотности ЛОП: быстрый рост от 0 (в момент зарождения) до максимальной величины, выход на плато. Этот результат свидетельствует о перегреве полупроводника в твердой фазе относительно равновесной температуры плавления в процессе облучения световым импульсом как доминирующем механизме эффекта локального анизотропного плавления.

4) Показано, что при импульсном световом воздействии образцов кремния и последующий анализ картины локального плавления может служить эффективным инструментом контроля количества дефектов привносимых обработкой в атомарном водороде.

При этом установлено следующее:

• Режим обработки в атомарном водороде с экспозиционной дозой менее 2.7−1017 см" 2 не приводит к изменению количества дефектов в кремнии, и.

18 2 наоборот, режим с экспозиционной дозой более 3.6−10 см" существенно увеличивает концентрацию дефектов.

• Причиной роста количества дефектов может быть взаимодействие атомарного водорода с поверхностью кремния.

БЛАГОДАРНОСТИ.

В заключение выражаю искреннюю благодарность своему научному руководителю кандидату физико-математических наук, заведующему лаборатории Методы Медицинской Физики Я. В. Фаттахову за постановку задачи и внимательное руководство работой и большую помощь при ее выполнении.

Выражаю глубокую признательность кандидату физико-математических наук, старшему научному сотруднику М. Ф. Галяутдинову за помощь в осуществлении работы, ценные советы и замечания.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Распределение дефектов по глубине в имплантированном бором кремнии /К.С.Соловьев, А. Д. Поваляев, А. М. Грошиков и др. //Изд. Воронежского ГУ. -1983. С.70−73.
  2. Технология СБИС /Под. Ред. С. Зи в 2-х томах, т.1, М.: «Мир», 1986, 408 с.
  3. , Дж. Ионное легирование полупроводников /Дж.Мейер, Л. Эриксон, Дж.Дэвис. -М.: «Мир». 1973. — 296 с.
  4. , X. Ионная имплантация /Х.Риссел, И.Руге. -М.: «Наука», 1983, 360 с.
  5. , Ю.Ф. Введение в конструирование элементов СБИС ЯО.Ф. Адамов, В. В. Баринов. М.:МГИЭТ (ТУ). — 1996. — 146с.
  6. , Ю.Ф. Конструктивные элементы сверхбыстродействующих биполярных БИС /Ю.Ф.Адамов //Зарубежная электронная техника. 1983. -№ 11. -С.182.
  7. , B.C. Некоторые физические аспекты ионной имплантации /В.С.Вавилов //Успехи физических наук. 1985. — Т.145. — Вып.2. -С. 329−346
  8. , К.А. Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике /К.А.Валиев, А. В. Раков. М.: Радио и связь. -1984. — 352 с.
  9. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов /А.В.Двуреченский, Г. А. Качурин, Е. В. Нидаев и др. М., Наука, 1982. 13 с.
  10. , И.П. Основы микроэлектроники /И.П.Степаненко. М.: Сов. радио.-2004. -488 с.
  11. Физические основы быстрой термообработки. Геттерирование, отжиг ионнолегированных слоев, БТО в технологии СБИС /В.М.Анищик, В. А. Горушко, В. А. Пилипенко и др. Минске.: БГУ, 2000. 150 с.
  12. Физические основы быстрой термообработки. Температурные поля и конструктивные особенности оборудования /В.М.Анищик, В. А. Горушко,
  13. B.А.Пилипенко и др. Минске.: БГУ, 2000. 136 с.
  14. , И.И. Проектирование цифровых микросхем на элементах инжекционной логики /И.И.Шагурин, К. О. Петросянц. М.: Радио и связь. -1984.-232 с.
  15. Annealing of isolated amorphous zones in silicon /S.E.Donnelly, R.C.Birtcher, V.M.Vishnyakov and G. Carter //Appl. Phys. Lett. 2003. -V. 82. P.1860−1862.
  16. , Т.К. //Phil. Mag. Lett. 1989. V.59. — P. 223.
  17. Crystallization of amorphous-Si films by flash lamp annealing /B.Pecz, L. Dobos, D. Panknin e.a. //Applied Surface Science. -2005. V.242. -P.185−191.
  18. Физические свойства плёнок Sn02, обработанных некогерентным импульсным излучением /С.И.Рембеза, Е. С. Рембеза, Т. В. Свистова, О. И. Борсякова //Физика и техника полупроводников. 2006. — Т.40. — Вып.1.1. C.57−60.
  19. Grossman H.-J., Feldman L.C.//Phys. Rev. 1985. V. B32. — P.6.
  20. Hwang. Boron diffusion in strained Si: A first-principles study /Li Lin, Taras
  21. Kirichenko, Sanjay К. Banerjee, and Gyeong S. //J. Appl. Phys. 2004. — V.96. -P. 5543.
  22. Lo, K.Y. Study on the rapid thermal annealing process of low-energy arsenic and phosphorous ion-implanted silicon by reflective second harmonic generation /K.Y.Lo //J. Phys. D.: Appl. Phys. 2005. -V. 38. -P.3926−3933.
  23. Meyer, J.R. Optical heating in semiconductors: Laser damage in Ge, Si, InSb, and GaAs /J.R.Meyer, M.R.Kruer, and F.J.Bartoli //J. Appl. Phys. 1980. -V.51. -№ 10.-P.5513−5522.
  24. Starkov, V.V. Amorphisation and solid phase epitaxial regrowth of the silicon overlayer in SIMOX structures /V.V.Starkov, P.L.F.Hemment, A.F.Vyatkin //Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1991. -V. 55. -P. 701−704.
  25. Анизотропное локальное плавление монокристаллического и имплантированного кремния импульсами некогерентного света /Я.В.Фаттахов, И. Б. Хайбуллин, Р. М. Баязитов и др. //Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. № 11. С. 61 — 69.
  26. , P.M. Зарождение жидкой фазы при импульсном нагреве монокристаллического кремния /Р.М.Баязитов //Сб. Физика экстремальных состояний вещества (Фортов В.Е. и др., ред). Черноголовка: ИПХФ РАН. -2004. -С. 145−147.
  27. , С.И. Анизотропное локальное плавление на дефектах структуры кремния /С.И.Верходанов, Н. Н. Герасименко, А. М. Мясников //Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. -№ 5. -С. 69−73.
  28. , Н.Н. Анизотропное локальное плавление на поверхности кремния /Н.Н.Герасименко, А. В. Двуреченский, С. И. Романов, Л. С. Смирнов //Физика полупроводников 1973. Т.7. — С. 2195.
  29. , М.В. Фрактальное распределение локальных областей плавления на поверхности полупроводников, подвергнутых импульсным фотонным воздействиям /М.В.Захаров //Тезисы молодёжной Республиканской конференции. Казань. 2001. — С.37.
  30. , Н.И. Исследование механизма формирования профиля поверхности при локальном плавлении поверхностного слоя /Н.И.Каргин, В. М. Якушев, А. В. Якушев //Вестник СевКавГТУ. Серия «Физико-химическая». 2004. — № 1 (8). -С. 6−14.
  31. , А.И. Влияние механической обработки на анизотропное плавление пластин кремния, имплантированных ионами бора /А.И.Плотников, С. И. Рембеза, В. А. Логинов //Физика и химия обработки материалов. -1991. № 2. — С.122−125.
  32. , Я.В. Структура и электрофизические параметры ионно-лигированных слоев Si и GaAs: Дис. канд. физ.-мат. наук/Я.В.Фаттахов- Каз. физ.-тех. ин-т. -Казань, 1990. -216стр.
  33. Heinig, K.-H. Effects of local melting on semiconductor surfaces /К.-H.Heinig //Proc. 1st Internat. Conf. On Energy Pulse Modification of Semiconductors and Related Materials. Pt 1. Dresden: Zentralinstitut fur Kernforshung. 1985. — P. 265−279.
  34. , В.П. Формирование регулярных структур на поверхности кремния под действием миллисекундного импульса неодимового лазера /В.П.Вейко, Я. А. Имас, М. Н. Либенсон и др. // Изв. АН СССР, сер. Физ. -1985. Т.49, № 6. — С.1236−1239.
  35. , В.И. Лазерно-индуцированные неустойчивости рельефа поверхности и изменение отражательной и поглощательной способности конденсированных сред /В.И.Емельянов, В. Н. Семиногов //Итоги науки и техники. Т.1.М., изд. ВИНИТА, 1988, с. 118−178.
  36. , В.И. Образование периодических структур дефектов на поверхности полупроводников при импульсном лазерном облучении /В.И.Емельянов, П. К. Кашкаров, Н. Г. Чеченин, Т. Дитрих //Физика твердого тела 1988. — Т. ЗО, вып. 8. — №.2259−2263.
  37. Плавление полупроводников при быстром однородным нагревеоптическим излучением /Я.В.Фаттахов, Р. М. Баязитов, И. Б. Хайбуллин и др. //Известия АН. Сер. Физическая. -1995. -Т.59. -№ 12. -С.136−142.
  38. Формирование периодических структур на поверхности полупроводников под действием лазерного излучения /С.Г.Кияк, А. Ю. Бончик, В. В. Гафийчук и др. //Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1998. -Т.52. -№ 11.-С. 2276−2281.
  39. EmePyanov, V.I. Generation-Diffusion-Deformational Instabilities and Formation of Order Defect Structures on Surfaces of Solids under the Action of Strong Laser Beam /V.I.EmePyanov //Laser Physics. 1992. — V.2, -№ 4. — P.389−466.
  40. Melting phenomena and pulsed-laser annealing in semiconductors /J.Narayan, J. Fletcher, C.W.White, and W.H.Christie //J. Appl. Phys. 1981. -V. 52. -P. 7121.
  41. Moeglin, J.P., Gautier В., Lacroix F., Joeckle R. Intern. Conf. «LASERS'97″. Proceedings. New Orleans, — 1997. -Ed. by V.J. Corcoran and T.A. Goldman. STS PRESS. McLEAN, VA., — 1998. — 435.
  42. Spatial melt instabilities in radiatively melted crystalline silicon /G.K.Celler, Mc.D.Robinson, L.E.Trimble, D.J.Lishner //Appl. Phys. Lett. 1983. — V.43. — № 9.- P.868−871.
  43. Usenko, A. Y. Localized melting induced by rapid annealing correlated with the space distribution of A type microdefects in silicon Czhochralski grown wafers /A.Y.Usenko //J. Materials Science: Materials in Electronics. — 1993. — V.4.- P.89−92.
  44. Von Almen, M. Anisotropic melting and epitaxial regrow of laser-irradiated silicon /М. Von Almen, W. Luthy, and K. Affolter //Applied Physics Letters. -1978.-V.33.P 824−825.
  45. Алгоритм имитации отжига //http://ru.wikipedia.org Материал из
  46. Википедии свободной энциклопедии.
  47. Епанешников, A.M. Delphi 5. Язык Object Pascal /А.М.Епанешников,
  48. B.А.Епанешников. М.: „Диалог-МИФИ“, 2000. -370 с.
  49. О механизме формирования локального расплава на поверхности монокристаллических полупроводников при мощном световом облучении /Я.В.Фаттахов, М. Ф. Галяутдинов, Т. Н. Львова, И. Б. Хайбуллин //Квантовая электроникаю 2000. — Т.30. -№ 7. — С. 597−600.
  50. , Е.Б. Перегрев твердых тел при плавлении /Е.Б.Яковлев //Известия АН СССР. Серия физическая. 1989. — Т.53. — № 3. -С591−594.
  51. Динамика роста и механизм образования лазерно-индуцированного упорядоченного рельефа поверхности кремния под действием поляризованного излучения /О.П.Гашков, М. Н. Либенсон, В. С. Макин и др. //Журнал технической физики. 1997. — Т.67. — № 4. -С.113−116.
  52. , В.В. Исследование твердофазной эпитаксии тонких плёнок кремния: Дис. канд. физ.-мат. наук/В.В.Коробцова. Харьков, 1987. 180 с.
  53. , Д.И., Менделева Ю. А. Механическая модель аморфизации при ионном облучении /Д.И.Тетельбаум, Ю. А. Менделева //ФТТ. 2004. -Т.46. — Вып. 11.-С.1960−1964.
  54. Linnros, J. Proportionality between ion-beam-induced epitaxial regrowth in silicon and nuclear energy deposition /J.Linnros, G. Hollmen, B. Svenson //Phys. Rev. 1985. V. B32. — P. 2770−2777.
  55. Linros, J. Ion-beam-induced epitaxial regrowth of amorphous layers in silicon on sapphire /J.Linros, G. Holmen, B. Svenson //Phys. Rev. 1984. V. B30. — P. 3629−3638.
  56. Molecular-dynamics simulations of epitaxial crystal growth from the melt. II. Si (lll) /W.D.Luedtke, Uzi Landman, M.W.Ribarsky, R.N.Barnett, and
  57. C.L.Cleveland //Phys. Rev. -1988. V. В 37. -P. 4647 — 4655.
  58. , А.Ф. Твердофазный эпитаксиальный рост кремния /А.Ф.Вяткин //Поверхность. Физика, химия, механика. 1991. — № 4. — С. 5−26.
  59. , И.А. Кинетика роста поврехности аморфных слоев при облучении кремния легкими ионами низких энергий /И.А.Аброян, В. С. Беляков, А. И. Титов //Поверхность. 1989. № 4. С. 84−93.
  60. , Г. А. О температурной зависимости критической дозы аморфизации кремния при ионной имплантации /Г.А.Гусаков, А. П. Новиков, В. М. Анищик //Физика и техника полупроводников. 1994. -Т. 28. — Вып. 9. -С. 1672−1678.
  61. Calorimetric studies of crystallization and relaxation of amorphous Si and Ge prepared by ion implantation /E.P.Donovan, F. Spaepen, D. Turnbull, J.M.Poate, D.C.Jacobson //J. Appl. Phys. 1985. V. 57. — P. 1795.
  62. Direct observation of laser-induced solid-phase epitaxial crystallization at the cw laser-annealing /G.L.Olson, S.A.Kokorowski, R.A.McFarlane, L.D.Hess //Appl. Phys. Lett. 1980. V. 37. — P. 1019.
  63. Substrate-orientation dependence of the epitaxial regrowth rate from Si-implanted amorphous Si /C.Csepregi, E.F.Kennedy, J.W.Wager, T.W.Sigmon //J. Appl. Phys. 1978. V. 49. — P.3906.
  64. , А.И. Кинетика роста поверхностных аморфных слоев при облучении кремния легкими ионами низких энергий /А.И.Титов, А. Ю. Азаров, В. С. Беляков //Физика и техника полупроводников. 2003. — т. 37. — вып. 3. с. 358−364.
  65. Материалы и технологии XXI века», Казань, 26−27 апреля 2005 г. -2005. С. 44.
  66. Parker, М.А. Lattice images of defect-free silicon on sapphire prepared by ion implantation/M.A.Parker, R. Sinclair, T. Sigmon //Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1985.-V.37.-P.211.
  67. Structural characterization of an Sb delta-doping layer in silicon /W.E.J.Slijkerman, P.M.Zagwijn, J.F. van der Veen e.a. //Appl. Phys. Lett. 1989. -V. 55(10).-P. 963.
  68. Van Gorkum, A.A. Growth and characterization of atomic layer doping structures in Si /A.A.Van Gorkum., K. Nakagaws, Y. Shiraki //Japan. J. Appl. Phys. 1988.-V. 26.-P. 1933.
  69. Lin, W.T. Localized epitaxial growth of MoSi2 on silicon /W.T.Lin, L.J.Ghen //J. Appl. Phys. 1986. V. 59. — P. 1518.
  70. Damage calculation and measurement for GaAs amorphized by Si implantation /W.G.Opyd, J.S.Gibbons, J.C.Bravman, M.A.Parker //Appl. Phys. Lett. 1986.-V. 49 (15).-P. 974.
  71. De Jong, T. Solid phase epitaxy of silicon on gallium phosphide /T.De Jong, F.M.Saris, Y. Tamminga, J. Haisma //Appl. Phys. Lett. 1984. V. 44 (4). — P. 445.
  72. Iyer, S.S. Summary Abstract: Epitaxy of monolayer silicon films studied by optical second-harmonic generation /S.S.Iyer, T.F.Heinz, M.T.Loy //J. Vac. Sci. and Technol. 1987. V. B5(3). — P. 709.
  73. Growth and equilibrium structures in the epitaxy of Si on Si (001) /Y.-W.Mo, В.S.Swartzentruber, R. Kariotis, M.B.Webb, M.G.Lagally //Phys. Rev. Lett. 1989. -V. 63(21).-P. 2393.
  74. Jorke, H. Kinetics of ordered growth of Si on Si (100) at low temperatures /H.Jorke, H.-J.Herzog, H. Kebbel //Phys. Rev. B. 1989. V. 40(3). — P. 2005.
  75. , В.Г. Твердофазная эпитаксия аморфных пленок Si, напыленных на Si(lOO) /В.Г.Заводинский, А. В. Зотов, В. В. Коробцов //Поверхность. 1983. № 10. С. 129.
  76. Reordering of amorphous layers of Si implanted with 3IP, 75As, and NB ions /L.Csepregi, E.F.Kennedy, T.J.Galaugher, J.W.Mayer, T.W.Sigmon //J. Appl. Phys. 1977.-V. 48.-P. 4234.
  77. Suni I., Goltz G., Grimaldi M. G., Nicolet M.-A., Leu S.S. Compensating impurity effect on epitaxial regrowth rate of amorphized Si// Appl. Phys. Lett. 1982.-V. 40 (3).-P. 269.
  78. Licoppe, C. Impurity-induced enhancement of the growth rate of amorphized silicon during solid-phase epitaxy: A free-carrier effect /C.Licoppe, Y.I.Nissim //J. Appl. Phys. 1986. V. 59. — P. 432.
  79. Свойства самоорганизованных SiGe-наноструктур, полученных методом ионной имплантации /Ю.Н.Пархоменко, А. И. Белогорохов, Н. Н. Герасименко и др. //Физика и техника полупроводников. 2004. -Т. 38. — Вып. 5. — С.593−598.
  80. Effect of pressure on the solid phase epitaxial regrowth rate of Si /E.Nygren, M.J.Aziz, D. Turnbull e.a. //Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47. — P. 232.
  81. Direct observation of laser-induced solid-phase epitaxial crystallization by time-resolved optical reflectivity /G.L.Olson, J.A.Roth, E. Nygren, A.P.Pogang, J.S.Williams //Mat. Res. Symp. 1987. V. 74. P. 109.
  82. Olson, G.L. Investigation of solid-phase epitaxial crystallization at the cw laser-annealing by time-resolved optical reflectivity /G.L.Olson, J.A.Roth //Mat. Sci. Rep. 1988. № 3. P. 3.
  83. Bean, J.C. Evidence for void interconnection in evaporated amorphous silicon from epitaxial crystallization measurements /J.C.Bean, J.M.Poate //Appl. Phys. Lett. 1980.-V.36.-P. 59.
  84. Dependence of grain size on the substrate temperature of Si and Ge films prepared by evaporation under ultrahigh vacuum /R.Tsu, J. Gonzalez-Hernandez, S.S.Chao, D. Martin //Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. — P.647.
  85. Priolo F., Soinella C., La Ferla A., Rimini E., Ferla G. //Appl. Surf. Sci. 1989. -V.43.-P.178.
  86. Srivastava, D. Anisotropic spread of surface dimer openings in the initial stages of the epitaxial growth of Si on Si{ 100} /D.Srivastava, B.J.Garrison, D.W.Brener //Phys. Rev. Lett. 1989. V.63. — P.302.
  87. Narayan, J. Interface structures during solid-phase-epitaxial growth in ion implanted semiconductors and a crystallization model /J.Narayan //J. Appl. Phys. 1982.-V. 53.-P. 8607.
  88. Narayan, J. Solid-phase-epitaxial growth and formation of metastable alloys in ion implanted silicon /J.Narayan, O.W.Holland, B.R.Appleton //J. Vac. Sci. and Technol. 1983. V. В 1(4). — P. 871.
  89. Chen, X. Effect of the chemical nature of transition-metal substrates on chemical-vapor deposition of diamond /X.Chen and J. Narayan //J. Appl. Phys. -1993.-V.74.-P.4168.
  90. Excimer laser annealing of ion-implanted silicon/J.Narayan, O.W.Holland, C.W.White, and R.T.Young //J. Appl. Phys. 1984. -V.55. -P. 1125.
  91. Fathy, D. Formation of ion beam mixed silicides on Si (100) at elevated substrate temperatures /D.Fathy, O.W.Holland, and J. Narayan //J. Appl. Phys. -1985.-V.58.-P. 297.
  92. Formation of silicides by rapid thermal annealing over polycrystalline silicon /J.Narayan, T.A.Stephenson, T. Brat, D. Fathy, and S.J.Pennycook //J. Appl.1. Phys.- 1986.-V.60.-P.631.
  93. Holland, О. W. Characteristics of rapid thermal annealing in ion-implanted silicon/O.W.Holland, J. Narayan, D. Fathy, and S.R.Wilson. //J. Appl. Phys. -1986.-V.59.-P. 905.
  94. Jagannadham, K. Modification of dopant profiles due to surface and interface interactions: Applications to semiconductor materials /K.Jagannadham and J. Narayan //J. Appl. Phys. -1987. -V.61. -P. 985.
  95. McMarr, P. J. Spectroscopic ellipsometry: A new tool for nondestructive depth profiling and characterization of interfaces/P.J.McMarr, K. Vedam, and J. Narayan //J. Appl. Phys. -1986. -V.59. -P.694.
  96. Narayan, J. Domain epitaxy: A unified paradigm for thin film growth /J.Narayan and Larson В. C. //J. Appl. Phys. 2003. -V. 93. — P. 278.
  97. Narayan, J. Formation of misfit dislocations in thin film heterostructures /J.Narayan and S. Oktyabrsky //J. Appl. Phys. 2002. — V. 92. — P. 7122.
  98. Narayan, J. Interface instability and cell formation in ion-implanted and laser-annealed silicon /J.Narayan //J. Appl. Phys. 1981. — V.52. — P. 1289.
  99. Pulsed excimer (KrF) laser melting of amorphous and crystalline silicon layers /J.Narayan, C.W.White, MJ. Aziz, B. Stritzker, and A. Walthuis //J. Appl. Phys.-1985.-V.57. P.564.
  100. Rapid thermal and pulsed laser annealing of boron fluoride-implanted silicon /J.Narayan, O.W.Holland, W.H.Christie, and J.J.Wortman //J. Appl. Phys. -1985.-V.57.-P.2709.
  101. Tsvetanka Zheleva. Epitaxial growth in large-lattice-mismatch systems /Tsvetanka Zheleva, K. Jagannadham, and J. Narayan //J. Appl. Phys. -1994. -V.75. -P.860.
  102. Suni I., Goltz G., Nicolet M.-H., Lau S.S. //Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1982,-V. 10.-P. 175.
  103. Williams, J.S. Role of Electronic Processes in Epitaxial Recrystallization of Amorphous Semiconductors /J.S.Williams, R.G.Elliman //Phys. Rev. Lett. 1983. -V. 51.-P. 1069.
  104. , А.Ю. Накопление структурных нарушений в кремнии при облучении кластерными ионами PFn+ средних энергий /А.Ю.Азаров, А. И. Титов //Физика и техника полупроводников. -2007. -Т.41. вып. 1. -С. 712.
  105. , А.Ф. Генерация и накопление дислокаций на поверхности кремния при воздействии импульсно-периодического излучения YAG:Nd лазера /А.Ф.Банишев, В. С. Голубев, А. Ю. Кремнев //Журнал технической физики. 2001. -Т.71. -Вып.8. — С.33−38.
  106. , С.В. Термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в полупроводниках /С.В.Булярский, В. В. Светухин, П. Е. Львов //Физика и техника полупроводников. 2000. — Т.34. — Вып. 4. -С.385−388.
  107. , Н.Н. Наноразмерные структуры в имплантированных полупроводниках /Н.Н.Герасименко // Российский Химический Журнал. -2002. -Т. XLVI. -№ 5. -С. 30−41.
  108. Van Vechten, J.A. Entropy of ionization and temperature variation of ionization levels of defects in semiconductors /J.A. Van Vechten, L.D.Thuomond //Phys. Rev. B. 1976. V. 14. — P. 3539−3550.
  109. Holland, O.W. Interaction ofMeV ions with pre-existing damage in Si: Anew ion beam annealing mechanism /O.W.Holland //Appl. Phys Lett. 1989. V. 54. — P. 320.
  110. Ion-beam-induced epitaxy and interfacial segregation of Au in amorphous silicon /R.G.Elliman, D.C.Jacobson, J. Linnros, J.M.Poate //Appl. Phys. Lett. 1987. -V.51 (5).-P. 314.
  111. Linnros, J. Dose rate dependence and time constant of the ion-beam-induced crystallization mechanism in silicon /J.Linnros, G. Holmen //J. Appl. Phys. 1987. -V. 62. P.4737.
  112. Dominant Influence of Beam-Induced Interface Rearrangement on Solid-Phase Epitaxial Crystallization of Amorphous Silicon /J.S.Williams, R.G.Elliman, W.L.Brown, T.E.Seidel //Phys. Rev. Lett. 1985. V. 55. — P. 1482.
  113. , M. 0. Microstructure and electrical resistivity of Cu and Сизве thin films on Sil-xGex alloy layers /M.O.Aboelfotoh, M.A.Borek, and J. Narayan //J. Appl. Phys. 2000. -V. 87. -P. 365.
  114. Jackson C. A.//J. Mater. Res. 1988. № 3. P. 1218.
  115. Jeng, S. J. Hydrogen plasma induced defects in silicon /S.J.Jeng, G.S.Oehrlein, G.J.Scilla //Appl. Phys. Lett. 1988. 53(18). P. 1735 — 1737.
  116. Buravlyov A.V., Italyantsev A.G., Krasnobayev Z. Ya., Mordkovich V.N., Vyatkin A.F.//Nucl. Instr. and Meth. 1989. V. B39. — P. 366.
  117. Dan, T. Lateral solid phase epitaxy of amorphous Si films by selective surface doping method of P atoms /T.Dan, H. Ishiwara, S. Furukawa //Appl. Phys. Lett. 1988.-V. 53(26).-P. 2626.
  118. Effect of annealing on the optical properties of ion-implanted Ge /Кои-Wei Wang, William G. Spitzer, Graham K. Hubler, and Edward P. Donovan. //J. Appl. Phys. -1985.-V.57.-P. 2739.
  119. Effects of pulsed ruby-laser annealing on As and Sb implanted silicon /C.W.White, P. P. Pronko, S.R.Wilson e.a. //J. Appl. Phys. 1979. -V.50.1. P. 3261.
  120. Electrostatic measurement of plasma plume characteristics in pulsed laser evaporated carbon/R.M.Mayo, J.W.Newman, A. Sharma e.a. //J. Appl. Phys. -1999.-V. 86.-P. 2865.
  121. In situ investigation of phase transition о f implahted silicon at powerful light irradiation /Ya.V.Fattakhov, M.F.Galyautdinov, T.N.L'vova, I.B.Khaibullin //Vacuum. -2001. -V. 63. -№ 4. -P. 649−655.
  122. Influence of 160, 12C, 14N, and noble gases on the crystallization of amorphous Si layers/E.F.Kennedy, L. Csepregi, J.W.Mayer, T.W.Sigmon //J. Appl. Phys. 1977. V.48. — P. 4241.
  123. Interfacial roughening during solid phase epitaxy: Interaction of dopant, stress, and anisotropy effects/William Barvosa-Carter, Michael J. Aziz, A.-V. Phan e.a. //J. Appl. Phys. 2004. — V.96. — P. 5462.
  124. Cleaning and Passivation of the Si (100) surface by low temperature remote hydrogen plasma treatment for Si epitaxy/T.Hsu, B. Anthony, R. Qian and at. //Journal of Electronic Materials 1991. 20(3). P. 279 — 287.
  125. , Г. С. Оптика /Г.С.Ландсберг. M.: Наука, 1976. 928 с.
  126. , О.Г. Корпускулярно-фотонная технология /О.Г.Вендик, Ю. Н. Горин, В. Ф. Попов. М.: Высш. шк., 1984. 320 с.
  127. , М.Ф. Исследование процессов рекристаллизации ионно-легированных полупроводников: Дис. канд. физ.-мат. наук /М.Ф.Галяутдинов- Каз. физ.-тех. ин-т. -Казань, 1977. 150 с.
  128. Реализация алгоритма поиска сигнала заданной формы на фоне шумов /А.А.Логинов, О. А. Морозов, Е. М. Сорохтин, М. М. Сорохтин //Вестник Нижегородского университета. Серия физика твердого тела. Нижний Новгород.-2005.-Вып. 1(8).-С. 141−145.
  129. , В.П. От теории к практике. Вейвлеты /В.П.Дьяконов. М.: СОЛОН-Р, 2002. 440 с.
  130. Чуй, К. Введение в вейвлеты /К.Чуи. М.: «Мир», 2001. 416 с.
  131. Fomitcev, Max. An introduction to wavelets and wavelet transforms /Max.Fomitcev //Электронный математический и медико-биологический журнал. 1998,-Т.З.-Вып. 1.-С. 5−19.
  132. Investigation of the dynamics of recrystallization and melting of the surface of implantd silicon at rapid thermal processing /Ya.V.Fattakhov,
  133. M.F.Galyautdinov, T.N.L'vova, M.V.Zakharov, I.B.Khaibullin //Proceedings of the SPIE, Bellingham, USA. -2004. -V. 5401. P. 104−109.
  134. Ishizaka A., Shiraki Y. Low Temperature Surface Cleaning of Silicon and Its Application to Silicon MBE // Surf. Sci. 1986. V. 174. — P. 671.
  135. Johnson, В. C. Kinetics of arsenic-enhanced solid phase epitaxy in silicon /B.C.Johnson and J.C.McCallum //J. Appl. Phys. 2004. -V. 95. — P. 4427.
  136. Johnson, В. C. Modeling the effect of hydrogen infiltration on the asymmetry in arsenic-enhanced solid phase epitaxy in silicon /B.C.Johnson and J.C.McCallum //J. Appl. Phys. 2004. -V.96. -P. 2381.
  137. Luedtke, W.D. Molecular-dynamics studies of the growth modes and structure of amorphous silicon films via atom deposition /W.D.Luedtke, U. Laudman //Phys. Rev. 1989. V. 40. — P. 11 733−11 746.
  138. Metastable boron active concentrations in Si using flash assisted solid phase epitaxy /S.H.Jain, P.B.Griffin, J.D.Plummer and at. //J. Appl. Phys. 2004. -V.96. -P.7357.
  139. Narayan, J. Rapid thermal annealing of ion-implanted semiconductors/J.Narayan, and O.W.Holland //J. Appl. Phys. 1984. -V.56. -P. 2913.145.
  140. Nonequilibrium segregation and trapping phenomena during ion-induced crystallization of amorphous Si //Phys. Rev. Lett. -1988. -V. 60. P. 1322−1325.
  141. O. W. Holland, B. R. Appleton, and J. Narayan. Ion implantation damage and annealing in germanium // J. Appl. Phys. 1983. -V.54. — P. 2295.
  142. Optical emission study of ablation plasma plume in the preparation of diamond-like carbon films by KrF excimer laser/Y.Yamagata, A. Sharma, J. Narayan e.a. //J. Appl. Phys. 1999. -V. 86. -P.4154.
  143. Optical studies during pulsed C02 laser irradiation of ion-implantedsilicon/R.B James, J. Narayan, R.F.Wood and at. //J. Appl. Phys. -1985. -V.57. -P. 4727.
  144. Pennycook, S. J. Formation of partially coherent antimony precipitates in ion implanted thermally annealed silicon /S.J.Pennycook, J. Narayan, and O.W.Holland //J. Appl. Phys. 1983. -V.54. -P.6875.
  145. Pennycook, S. J. Point defect trapping in solid-phase epitaxially grown silicon-antimony alloys /S.J.Pennycook, J. Narayan, and O.W.Holland //J. Appl. Phys.- 1984.-V.55.-P.837.
  146. Phase transformation and impurity redistribution during pulsed laser irradiation of amorphous silicon layers /J.Narayan, C.W.White, O.W.Holland, and M.J.Aziz //J. Appl. Phys. 1984. — V. 56. P. 1821.
  147. Priolo F., Soinella C., La Ferla A., Rimini E., Ferla G. //Appl. Surf. Sci. 1989.-V.43.-P.178.
  148. Ravindra, N. M. Optical properties of amorphous silicon and silicon dioxide /N.M.Ravindra and J. Narayan //J. Appl. Phys. 1986. -V.60. -P.l 139.
  149. Ruffell, S. Electrical characterization of 5 keV phosphorous implants in silicon /S.Ruffell, P.J.Simpson, and I.V.Mitchell //J. Appl. Phys. 2005. V. 98. -P. 13 713.
  150. Ruffell, S. Solid-phase epitaxial regrowth of amorphous layers in Si (100) created by low-energy, high-fluence phosphorus implantation /S.Ruffell, I.V.Mitchell, and P.J.Simpson //J. Appl. Phys. 2005. -V.98. -P. 83 522.
  151. Smith, H.J. Scanned electron beam annealing of arsenic-implanted silicon /Н.J.Smith, E. Ligeon, and A. Bontemps //Appl. Phys. Lett. 1980. — V. 37. -№ 11. -P. 1036−1037.
  152. The role of point defects generated in the crystalline region in ion beam induced epitaxial crystallization of silicon /A.I.Titov, V.S.Belyakov, P. Cardwell, G. Farrell //Radiation Effects and Defects in Solids. 1996. — № 139. — P. 189−195.
  153. UV laser incorporation of dopants into silicon: Comparison of two processes /Е. P. Fogarassy, D.H.Lowndes, J. Narayan, and C.W.White //J. Appl. Phys. 1985. -V.58.-P.2167.
  154. , Д.И. Физические проблемы и инженерия дефектов при ионной имплантации кремния (состояние проблемы) /Д.И.Тетельбаум //Тезисы I Всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». 2006. — С. 10.
  155. , А.И. Твердофазная кристаллизация индивидуальных разупорядоченных нанообластей /А.И.Титов //Тезисы докладов VII Всероссийского семинара «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Нижний Новгород, 26−29 октября. 2004. — С. 29.
  156. , С.Ю. Плавление полупроводников под действием импульсного лазерного излучения /С.Ю.Карпов, Ю. В. Ковальчук, Ю.В.Погорельский
  157. ФТП. -1986. Т.20, вып. 11. — С. 1945−1969.
  158. , Ю.В. Капиллярные явления в процессах роста и плавления кристаллов / Ю. В. Найдич, В. М. Перевертайло, Н. Ф. Григоренко. Киев: Наукова Думка. — 1983. — 100 с.
  159. , В.Г. Влияние гидрогенизации на свойства контактов металл -GaAs с барьером Шоттки /В.Г.Божков, В. А. Кагадей, Н. А. Торхов //Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32, № 11, С. 1343 — 1348.
  160. , В.А. Влияние гидрогенизации на фотопроводимость ионно-легированных структур арсенида галлия /В.А.Кагадей, Ю. В. Лиленко, Д. И. Проскуровский, Л. С. Широкова //Письма в ЖТФ, 2000. — Т. 26. — Вып. 7.-С. 1−7.
  161. Направленное изменение шероховатости поверхности Si и границы раздела Si Si02 /И.А.Айзенберг, И. Р. Москвина, С. В. Носенко и др. //Поверхность. Физика, химия, механика. — 1990. — № 11. С. 96 — 100.
  162. Влияние гидрогенизации на пробивное напряжение стока транзисторов на основе ионно-легированных структур арсенида галлия/ В. А. Кагадей, Е. В. Нефедцев, Д. И. Проскуровский и др. // Письма в ЖТФ. 2003. — Т. 29. -Вып. 1.-С. 27−35.
  163. , Я.В. Плавление полупроводников при быстром однородном нагреве оптическим излучением /Я.В.Фаттахов, Р. М. Баязитов, М. Ф. Галяутдинов и др. //Известия Академии Наук. Серия физическая. 1995. — Т59. -№ 12. — С. 136−142.
  164. Effect of substrate temperature and ion incident energy on silicon surfacecleaning using a hydrogen plasma exited by electron cyclotron resonance /K.Nakashima, M. Ishii, T. Hayakawa, I. Tajima //J. Appl. Phys. 1993. 74(11). P. 6936 — 6940.
  165. Kagadei, V. A. Use of a new type of atomic hydrogen source for cleaning and hydrogenation of compound semiconductive materials /V.A.Kagadei, D.I.Proskurovsky //J. Vac. Sci. Technol. A. 1998. — 16(4).
  166. Short time electron cyclotron resonance hydrogenation of polycrystalline silicon thin-film transistor structure /R.A.Ditizio, G. Liu, S. J. Fonash, B.-C.Hseih and D.W.Greve //Appl. Phys. Lett. 1990. 56(12). P. 1140 — 1142.
  167. Surface roughness and defect morphology in electron cyclotron resonance hydrogen plasma cleaned (100) silicon at low temperatures /Ki-Hyun Hwang, Euijoon Yoon, Ki-Woong Whang, Jeong Yong Lee //Appl. Phys. Lett. 1995. 67(24). P. 3590−3592.
  168. Sasaki, K. Etching action by atomic hydrogen and low temperature silicon epitaxial growth on ECR plasma CVD /K.Sasaki, H. Tomoda, and T. Takada //Vacuum. 1998.51(4). P. 537−541.
  169. Mayers, S. M. Hydrogen interaction with defects in crystalline solids /S.M.Mayers, M.I.Baskes, H.K.Birnbaum //Reviews of Modern Physics. 1992. 64(2). P.559−617.
  170. Morphology of Si (100) surface exposed to a remote H plasma /J.S.Montgomery, T.P.Schneider, R.J.Carter, J.P.Barnak //Appl. Phys. Lett. 1995. 67(15). P. 2194−2196.
  171. Физические процессы в облученных полупроводниках /Под ред. JI.C. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977.-256 с.
  172. Characterization of thin, doped silicon single crystals by x-ray diffraction /Stefan Joksch, Walter Graeff, Peter Zaumseil e.a. //J. Appl. Phys. -1992.-V.72.-P. 54.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!