Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия
![Диссертация: Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия](https://gugn.ru/work/2956740/cover.png)
По своей структуре диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. В первой главе рассмотрены основные теоретические и экспериментальные результаты исследования края основной полосы поглощения и влияния на поглощение ряда факторов, в частности, электрического, магнитного и скрещенных полей и экситонных состояний. Во второй главе описаны методики создания структур с р-п-переходом. Описана… Читать ещё >
Содержание
- Глава I. Влияние электрического и магнитного полей на поглощение света в полупроводниках. Фоточувствительность р-п-переходов
- I. I. Край основной полосы поглощения полупроводников и его изменение в электрическом поле. П
- 1. 2. Энергетические состояния в магнитном поле и магнитооптическое поглощение
- 1. 3. Теоретические выражения для фоточувствительности электронно-дырочных переходов
- I. I. Край основной полосы поглощения полупроводников и его изменение в электрическом поле. П
- 2. 1. Методика изготовления р-п-переходов
- 2. 2. Методика измерений спектральных и вольтфарэдных характеристик р-п-переходов
- 2. 3. Получение и измерение магнитных полей
- 2. 4. Методика измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда
- 2. 5. Определение диффузионных длин неосновных носителей заряда. Исследование влияния магнитного поля на диффузионные длины электронов и дырок
- 3. 1. Методика определения коэффициента поглощения в области энергии tiw <
- 3. 2. Методика определения коэффициента поглощения в области энергии Ъ^г,
- 3. 3. Экспериментальные результаты по определению коэффициента поглощения
- 3. 4. Экспериментальные результаты определения коэффициента поглощения света в 1и Sg р-п-структурах в магнитном поле. Ю
- 4. 1. Образцы для исследования
- 4. 2. Экспериментальное исследование влияния электрического поля на фоточувствительность IhSE п±р--перехрдов
- 4. 3. Сравнение экспериментальных результатов с теоретическими расчетами и литературными данными
- 5. 1. Постановка задачи
- 5. 1. 1. Условия проведения эксперимента
- 5. 1. 2. Образцы для исследования
- 5. 1. 3. Требования к геометрии р-п-структур
- 5. 2. Экспериментальные осцилляционные спектры фототока в магнитном поле
- 5. 3. Изменение магнитооптического спектра фототока при изменении обратного смещения на р-п-переходе
Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Растущие потребности народного хозяйства в новой технике стимулируют интенсивное развитие полупроводниковой электроники, микроэлектроники, оптоэлектроники. Для успешного решения задач, стоящих перед полупроводниковой техникой, необходимо совершенствовать технологию получения высококачественных полупроводниковых материалов и всесторонне изучать их свойства.
Исследование фотоэлектрических явлений в полупроводниках, во-первых, служит мощным источником получения важной научной информации об их зонной структуре, энергетическом положении примесных уровней, поведении неосновных носителей заряда, о влиянии электрических и магнитных полей, в том числе квантующих, на свойства изучаемых материалов и во-вторых, представляет большой практический интерес для непосредственного использования этих явлений в чувствительных малоинерционных приемниках электромагнитного излучения.
В качестве объектов исследования в настоящей работе выбраны структуры с р-п-переходом на основе энтимонида индия — замечательного полупроводника группы А^В^.
Сравнительно узкая ширина запрещенной зоны (~0,23 эВ при.
Г о.
78К), высокая подвижность (до 10 см /В.с) и малые времена жизни (Г = 10~бь И" 11) носителей заряда делают этот материал чрезвычайно подходящим для изготовления высокочувствительных быстродействующих приемников инфракрасного излучения спектрального диапазона 2,0 5,5 мкм, высокочувствительных датчиков магнитного поля на основе эффекта Холла и магнетосопротивления, приборов криогенной электроники (для температур 78 ь ЦК) и оптоэлектроники.
Благодаря развитию технологии в настоящее время успешно выращиваются достаточно совершенные и чистые монокристаллы антимони-да индия сравнительно большого диаметра и длины, что делает этот материал модельным для исследования свойств прямозонных полупроводников.
Несмотря не то, что после предсказания и обнаружения (1952г.) полупроводниковых свойств антимонида индия Н. А. Горюновой [94] и АЛ*.Регелем [951 с сотрудниками этот материал интенсивно исследуется в СССР и за рубежом и его свойствам посвящено большое количество работ (см., например, обзоры [101]), интерес исследователей к этому полупроводнику не ослабевает. Активно исследуются, в частностиэкситоны [97,98,138], магнитопоглощение [96, 97,138J, глубокие примеси в ангимониде индия [99, 100].
В большей части известных публикаций исследуется антимонид индия в виде однородного материала. В тоже время особенней интерес представляет изучение свойств антимонида индия в реальных структурах с р-п-переходами, которые в процессе изготовления неизбежно подвергаются термическим, механическим и другим воздействиям. Эти воздействия и само наличие р-п-перехода в кристалле могут влиять, в частности, на времена жизни и диффузионные длины носителей заряда, на спектры коэффициента поглощения и для правильного понимания фотоэлектрических процессов в различных приборах необходимо изучение фотоэлектрических свойств антимонида индия в реальных структурах. Необходимость в таких исследованиях продиктована расширяющейся потребностью в полупроводниковых фотоэлектрических и оптоэлектронных устройствах различного назначения, а также определена возможностями разработки фотоэлектри.
— б ческих методов изучения и контроля свойств полупроводниковых материалов и приборов.
Таким образом, исследование фотоэлектрических явлений в структурах с р-п-переходом на базе антимонида индия представляет собой актуальную задачу как с научной, так и с практической точек зрения.
Настоящая диссертационная работа является составной частью научно-исследовательской работы, выполняемой на кафедре физики ЛЭТИ им. В. И. Ульянова /Ленина/.
Целью работы являлось комплексное исследование структур с р-п-переходом с целью дальнейшего расширения и углубления представлений о характере физических процессов, протекающих в них при воздействии световых потоков, электрического и магнитного полей, а также, получения из таких исследований данных о зонных параметрах полупроводника, примесных уровнях, диффузионных длинах неосновных носителей заряда.
Научная новизна работы состоит в следующем:
— впервые исследованы осциллирующие спектры фототока р-п-пе-реходов в антимониде индия в квантующих магнитных полях, показана возможность изучения с их помощью оптических переходов между подзонами Ландау;
— установлено, что основные осцилляционные максимумы фототока обусловлены теми же оптическими переходами, которые обнаруживаются в осцилляционных спектрах магнитопоглощения монокристалла антимонида индия;
— установлено, что дополнительные максимумы, обнаруживаемые в осцилляционных спектрах фототока, обусловлены оптическими переходами, связанными с присутствием электрического поля р-п-пе-рехода;
— впервые исследовано влияние электрического поля р-п-переходов в антимониде индия на спектры фоготока вблизи фундаментального края;
— в спектрах приращения фототока в электрическом поле обнаружены максимумы при энергиях фотонов 226, 221,6, 219 мэВ, отстоящие от края запрещенной зоны на ~ 4: ~8, -10,3 мэВ. Наблюдаемые максимумы связаны с примесным фотоактивным поглощением;
— определены спектральные зависимости коэффициента поглощения света структур с резким несимметричным р-п-переходом как в отсутствии магнитного поля, так и в магнитных полях до 3 Тл;
— в компенсированном антимониде индия р-типа обнаружены явления «возгорания» коэффициента поглощения с включением и увеличением магнитного поля и «гашения» при дальнейшем увеличении поля;
— определены диффузионные длины неосновных носителей заряда в пи рIи S S в магнитных полях до 3 Тл. Установлено, что относительное изменение диффузионных длин дырок и электронов в слабых и средних магнитных полях подчиняются зависимости ^-l/4^, п = 1,25, jn — подвижность неосновных носителей заряда. Аналогичной зависимости подчиняется и относительное изменение фототока в максимуме спектра фототока для глубоко залегающего р±п-перехода.
Практическая ценность работы заключается в следующем:
— разработаны методики определения коэффициента поглощения в области энергии и titпо спектрам фототока короткого замыкания р-п-перехода;
— разработана методика определения спектральной зависимости коэффициента собирания неосновных носителей заряда структур с р-п-переходом;
— предложен принципиально новый метод изучения эффектов, связанных с. оптическими переходами между подзонами Ландау, преимущества которого перед обычной техникой поглощения или отражения включают высокое отношение сигнал/шум и простоту эксперимента;
— предложена методика определения подвижностей неосновных носителей заряда;
— измерены диффузионные длины неосновных носителей заряда и в ри в пв магнитных полях, что позволяет учитывать на практике изменение эффективной области собирания носителей заряда приборов с р-п-переходом.
Результаты исследований используются на кафедре физики ЛЭТИ им. В. И. Ульянова /Ленина/ в дальнейших исследованиях структур с р-п-переходом. Кроме того, предложенный в нашей работе фотоэлектрический метод наблюдения осцилляционных эффектов, связанных с оптическими переходами между подзонами Ландау, был успешно использован в физическом отделении университета г. Оттавы (Канада) для исследования осцилляционных спектров структур на базе Inp [82]. В работе канадских авторов — П. Рошона и И. Фортэна — имеется ссылка на нашу публикацию [81] с признанием достоинств описанной в ней методики.
Совокупность представленных в диссертации экспериментальных данных позволяет сформулировать следующие научные положения, выносимые на защиту;
1. Электрическое поле слоя объемного заряда в InS g р-п-пе-реходах увеличивает фототок в области края фундаментального поглощения за счет увеличения коэффициента поглощения света в электрическом поле при энергиях tiuj< .
2. В р-п-переходах вблизи края фундаментального поглощения возникает фототок, обусловленный примесным поглощениемпри этом чем сильнее электрическое поле в слое объемного заряда, тем сильнее фотоактивное примесное поглощение.
3. Осцилляции фототока In .SB р-п-переходов в квантующих магнитных полях обусловлены осцилляциями коэффициента поглощенияпри этом, увеличение электрического поля в слое объемного заряда уменьшает глубину осцилляций в результате уменьшения интенсивности разрешенных оптических переходов и увеличения интенсивности запрещенных оптических переходов в отсутствии электрического поля.
Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались в научно-исследовательском институте прикладной физики (Москва, 1983 г.), Л<�КГИ им. А. Ф. Иоффе (Ленинград, 1984 г.), на научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава ЛЭТИ им. В. И. Ульянова /Ленина/ (Ленинград, IS73-I983 гг.).
По своей структуре диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. В первой главе рассмотрены основные теоретические и экспериментальные результаты исследования края основной полосы поглощения и влияния на поглощение ряда факторов, в частности, электрического, магнитного и скрещенных полей и экситонных состояний. Во второй главе описаны методики создания структур с р-п-переходом. Описана методика эксперимента. Приведены результаты измерения диффузионных длин электронов и дырок как в отсутствии магнитного поля, так и магнитых полях до 3 Тл. Третья глава посвящена исследованиям оптических свойств антимонида индия с помощью структур с р-п-переходом, а также, влияния магнитного поля на оптические свойства антимонида индия. Четвертая глава посвящена исследованию влияния электрического поля р-п-переходов на спектры фототока вблизи фундаментального края. В пятой главе приведены результаты исследования влияния магнитного поля на спектры фототока.
Основные результаты работы сводятся к следующему: I. Исследовано поведение неосновных носителей заряда в антимониде индия:
1.1. Проведены исследования концентрационной и температурной зависимостей диффузионной длины электронов. Установлено, что диффузионная длина электронов подчиняется зависимости =А р~п, Lh в мкм, р в м" 3, А = 5,85.10^, п = 0,265. Установлено, что в интервале температур 90-I20K диффузионная длина электронов меняется слабо (на 20−30^), при дальнейшем росте температуры до I60K она увеличивается в 2−3 раза по сравнению со своим значением при 90К.
1.2. Определены диффузионные длины неосновных носителей заряда в пи рв магнитных полях до 3 Тл. Установлено, что относительное изменение диффузионных длин дырок и электронов в слабых и средних магнитных полях подчиняется зависимости — = и ' 1 '(jtife3, п = 1,25, Jt — подвижность неосновных носителей заряда.
Аналогичной зависимости подчиняется и относительное изменение фототока в максимуме спектра фототока короткого замыкания для глубоко залегающего р±п-перехода.
1.3. Предложена методики определения подвижности неосновных носителей заряда.
1.4. Определены подвижности неосновных носителей заряда коэффициенты диффузии и времена жизни из спектральных измерений фототока короткого замыкания.
П. Исследованы спектры коэффициента поглощения в р-п-структурах:
ПЛ. Разработаны и реализованы методики определения спектральной зависимости коэффициента поглощения в структурах с резким несимметричным р-п-переходом в области энергий W ^ и о г dg.
П. 2. Определены спектральные зависимости коэффициента поглощения в р-п-структурах в интервале энергий 217290 мэВ как без магнитного поля, так и в магнитных полях до 3 Тл.
П.З. В компенсированном антимониде индия р-типа обнаружены явления «возгорания» и «гашения» коэффициента поглощения в магнитном поле.
П. 4. Обнаружена инверсия спектральных осцилляций фототока короткого замыкания.
Ш. Исследовано электропоглощение в антимониде индия:
1H.I. Обнаружено увеличение фоточувствительности п±р-пере-ходов при обратном смещении перехода в области края собственного поглощения.
Ш. 2. Обнаружено качественное согласие спектра электропоглощения и характера его изменения от электрического поля в области «Й^ * с предсказаниями одноэлектронной теории эффекта Франца-Келдыша. Экспериментально наблюдаемая величина электропоглощения значительно превышает расчетную.
Ш. З. Обнаружены максимумы приращения фототока при энергиях фотонов 226, 221,6, 219 мэВ, отстоящие от края запрещенной зоны на ~10,3 мэВ. Наблюдаемые максимумы связаны с примесным фотоактивным поглощением.
Ш. 4. Показано, что изменение фототока при обратном смещении в области энергий t>w ¦> ?ej обусловлено изменением толщины слоя объемного заряда.
1У. Исследовано магнитопоглощение в антимониде индия:
1У.1. Предложен и реализован новый метод исследования межзонных магнитооптических переходов, преимущества которого перед обычной техникрй поглощения или отражения включают простоту эксперимента и высокое отношение сигнал/шум,.
1У.2. Установлено, что основные осцилляционные максимумы фототока обусловлены теми же оптическими переходами, которые обнаруживаются в осцилляционных спектрах магнитопоглощения монокристалла антимонида индия.
II.Ъ. Установлено, что дополнительные максимумы, обнаруживаемые в осцилляционных спектрах фототока, обусловлены оптическими переходами, связанными с присутствием электрического поля р-п-перехода .
1У.4. Определены из экспериментальных спектров фототока в магнитных полях ширина запрещенной зоны, эффективные массы элект^ рона, легкой дырки и g — фактор: — f230±0,5) мэВ, m* = = (0,0145 ± 0,0005) Мо,ре. =(0,016 ± 0,0004)то, J=-(48±2).
Результаты выполненной работы показывают, что исследование р-п-структур позволяет получить сведения о физических явлениях, происходящих в таких структурах, анализ которых дает сведения о свойствах самих полупроводников, на основе которых изготовлены исследуемые р-п-структуры. Исследование р-п-структур позволяет получить комплексную, полную информацию о свойствах базовой области р-п-пеоеходов экспериментально сравнительно более просто.
Полученные в диссертации данные позволяют осуществить постановку дальнейших исследований. Например, провести исследования при других более низких температурах, чем температуры жидкого азота, уделить большее внимание р±п-структурам, учитывая практический интерес к их использованию.
Основные материалы работы изложены в следующих печатных работах:
1. Белов Н. А., Ким Рван Дё, Косогов О. В., Марамзина М.А.
О спектральных осцилляциях вентильной фото-ЭДС в антимониде индия в квантующих магнитных полях. — Ш1, 1973, т.7, в. II, с. 2179.
2. Граммаков А. Г., Ким Гван Дё, Косогов О. В., Марамзина М. А. Спектр фотоответа редиффузнойного р-п-перехода в магнитном поле. — Известия ВУЗов, сер." Физика", 1975, № 5, с. 97.
3. Косогов О. В., Ким Гван Дё, Марамзина М. А. О подвижности и диффузионной длине электронов в дырочном антимониде индия. -Известия ВУЗов, сер." Физика", 1976, № 5, с, 46.
4. Гуткин А. А., Ким Гван Дё, Косогов О. В., Марамзина М. А. Спектральное распределение фототока п±р-переходов вблизи длинноволнового края основной полосы поглощения. — <ЙГП, 1980, т. 14, в.2, с. 282.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
.
Список литературы
- Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. -М.: «ИЛ», 1961.
- Смит Р. Полупроводники. -М.: «ИЛ», 1962.
- Джонсон Е. Поглощение вблизи края фундаментальной полосы. -В кн.: Оптические свойства полупроводников (полупроводниковые соединения типа /Под ред. Р. Уиллардсона и А.Вира. М.: «Мир», 1970.
- Блатт Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах. -М.: «Мир», 197I.
- Elliott R.I. Intensity of Optical Absorption by exciton. -Phys.Rev., у.108, 1956, p.1030.
- Келдыш Л.В. О влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов. -ЖЭТФ, 1958, т.34, C. II38.
- Franz W. Influence of an electric field on an optical absorption edge.- Zs. Naturforsch, 1958, v. I3a, p.484.
- Batra I.P. Electroabsorption below the Band G-ap. J. Phys. Soc. Japan, 1969, v.26, p. I4I9.
- Tharmalingam K. Optical absorption in the presence of a uniform field. Phys.Eev., 1963, v.130, p.2204.
- Callaway J. Optical absorption in an electric field. Phys. Eev., 1964, v. I34, p. A998.
- Лавдау Л.Д. и Лифщиц E.M. Квантовая механика.-M.:"Наука", 1963.
- Wannier G-. Wave functions and effective Hamiltonian for Bloch Electrons in an Electric-Field. Phys.Rev., I960, v.117,p.432.
- Aspnes D.E. Electric-Field Effects on Optical Absorption near Thresh-olds in Solids. Phys.Rev., 1966, v.147, p.554.
- Кардона M. Модуляционная спектроскопия. -M.: «Мир», 1972.
- Франц В. Туннельные явления в твердых телах.-М.: «Мир», 1973.
- Вавилов B.C., Брицын К. И. Влияние сильного электрического поля на поглощение света кремнием. -ФТТ, I960, т.2, с. 1937.
- Вавилов B.C., Брицын К. И. Влияние электрического поля высокой частоты на край основной полосы оптического поглощения кремнием. -ФТТ, 1961, т. З, с. 2497.
- Frova A., Handler P. Franz-Keldysh Effect in the Space-Charge Region of Germanium p-n Junction. -Phys.Rev., 1965, v.137, P. AI857.
- Frova A., Handler P. Direct Observation of Fhonons in Silicon Ъу Electric-Field-Modulated Optical Absorption. Phys.Rev., Lett., 1965, v.14, p.178.
- Frova A., Handler P., Germano F.A., Aspnes D.E. Electro-absorption Effects at the Band Edge of Silicon and Germanium.-Phys.Rev., 1966, v.142, p.575.
- Yacobe Y. Bulk Measurement of the Franz-Keldsh Effect in Si.-Phys.Rev., 1966, v.142, p.445.
- Handler P. Optical Properties of Space-Charge Regions. -Phys.Rev., 1965, v.137, p. AI862.
- Hamakawa Y., Germano F.A., Handler P. Interband Electro-Optical Properties of Germanium. -Phys.Rev., 1968, v.167, p.703.
- Aspnes D.E. Electric Fields Effects on the Dielectric Constant of Solids. Phys.Rev., 1967, v.153, p.972.
- Aspnes D.E., Handler P., Blossey D.F. Interband Dielectric Properties of Solids in an Electric Field. -Phys.Rev., 1968, V. I66, p.921.
- Aspnes D.S., Frova A. Ge-Agueous-Electrolyte Interface: Electrical Properties and Electroreflectanse at the Fundamental Direct Threshold. Phys.Rev., 1970, v. B2, p.1037.
- Чаликян Г. А., Субшиев В. К., Кишан П. Эффект Франца-Келдыша в фосфиде галлия. -ФТТ, 1968, т.10, с. 442.
- Gasakov 0., Nasledov D.N., Slobodchikov S.V. Franz-Keldysh Effect on Indirect Transitions in GaP. -Phys.Stat.Sol., 1969, v.35, p.139.
- Гуткин А.А. Фотоэлектрические явления и поглощения света в структурах с потенциальншл барьером на основе полупроводников, А В . Диссертация на соискание ученой степени доктора физ.-мат.наук. -Л.: ФТИ АН СССР, 1977.
- Penchina C.M., Frova A., Handler P. Franz-Keldysh Effect in GaAs p-n Junstion. -Bull.Am.Phys.Soc., 1964, v. 9, p.714.
- Михайлова М.П., Наоледов Д. Н., Слободчиков С. В. Сдвиг спектральной фоточувствительности р-п-переходов InAs в электрическом поле. -ФТТ, 1965, т.7, о.1272.
- Lambert L.M. Optical Absorption in an Electric Field in Semi-Insulating Gallium-Arsenide. -J.Phys.Chem.Solids, 1965, v.26, p.1409.
- French B.T. Effect of a Uniform Electric Field Upon the Optical Absorption of Semi-Insulating Gallium Arsenide. -Phys. Rev., 1968, v.174, p.991.
- Кушев Д.Б., Соколов В. И., Субашиев В. К. Электропоглощение арсенида галия. -ФТТ, 1971, т.13, о.2965.
- Landau L.D. Paramagnetism of metals. -Z.Physik, I930, v.64,p.629.
- Peierls R.E. Theory of the Absorption Spectra of Solid Bodies.-Ann.D.Physik, 1932, v.32, p.905.
- Зейтц Ф. Современная физика твердого тела. -М-Л.:ГИИТЛ, 1949.
- Самойлович А.Г., Коренблит JI.Л. Квантовая теория кинетических явлений в полупроводниках. -ЖТФ, 1957, т.27, с. 2673.
- Luttinger J.M. Quantum Theore of Cyclotron Resonanse in Conductors- General Theory. -Phys.Ееv., 1956, v.102, p.1030.
- Presselhaus G., Kip A.F., Kittel C. Cyclmtron Resonanse of Electrons and Holes in Silicon and Germanium Crystals. -Phys.Rev., 1955, v.98, p.368.
- Цвдильковский И.М. Зонная структура полупроводников. -М.: «Наука», 1978.
- Г росс Е.Ф., Захарченя Б. П., Павинский П. П. Диамагнитные уровни экситона и циклотронный резонанс. -ЖТФ, 1957, т.27, с. 2177.
- Zwerdling S., Lax В. Oscillatory Magneto-Absorption of the Direct Transition in Germanium. -Phys.Rev., 1957, v. I06,p.5l.
- Burshtein eE., Picus G.S. Interband Magneto-Optic Effects in Semiconductors. -Phys.Rev., 1957, v.105, p. II23.
- Zwerdling S., Roth L.M., Lax B. Direct Transition Exciton and Fine Structure of the Magneto-Absorption Spectrum in Germanium. -Phys.Rev., 1958, v.109, p.2207.
- Burshtein E., Picus G.S., Wallis В., Blatt P. Zeeman-Type Magneto-Optical Studies of Interband Transition in Semiconductors. -Phys.Rev., 1959, v.113, p.15.
- Zwerdling S., Lax В., Roth L.M., Button K.J. Exciton and Magneto-Absorption of the Direct and Indirect Transitions in Germanium. -Phys.Rev., 1959, v.114, p.80.
- Lax В., Nishina Y. Theory of Interband Earaday Rotation in Semiconductors. -Phys.Rev.Lett., I96l, v.6, p.464.
- Mitchell D.L., Wallis R.E. Interband Faraday Rotation in Germanium. -Phys.Rev., 1963, v. I31, p.1965.
- Aggarwal R.L. Oacillatory Magnetopiezoreflection for the Lirect Optical Transition from the Splitoff Valence Band to Conduction Band in InSb. -Bull.Am.Phys.Soc., 1967, v.12, p.100.
- Grovs S.H., Pidgion C.R., Eeinleib J. Infrared Magnetoelectro-reflectance in Ge, GaSb and InSb. -Phys.Rev.^ett., 1966, v. I7., p.643.
- Zwerdling S., Kleiner W.H., Therault J.P. Oscillatory Magneto-absorption in InSb Under High Resolution. -J.Appl.Phys.Suppl., I96I, v.32, p.2118.
- Pidgion C.R., Brown R.N. Interband Magneto-Absorption and Ea-raday Rotation in InSb. -Phys.Rev., 1966, v.146, p.575.
- Pidgeon C.R., Mitchell D.L., Brown R.N. Interband Magneto-absorption in InAs and InSb. -Phys.Rev., 1967, v.154, p.737.
- Zwerdling S., Lax В., Button K.J., Roth M. Oscillatory Magne-toabsorption in GaAs. -J.Phys. Chem.Sol., 1959, v.9, p.320.-х
- Piller Н., Zaeschar G. Edge Shift and me in GaSb as a Function of Fermi Level. -Bull.Am.Phys.Soc., 1963, v.8, p.245.
- Hobden M.V. The Raman cpectrum of Gallium Phosphide. -Phys. Rev.Lett., 1965, v.16, p.1077.
- Vrehen Q.H.F. Crossfield Magnetoabsorption in Gallium Arsenide. -Bull.Am.Phys.Soc., 1965, v.10, p.534.
- Galeener F.L., Wright G.B., Krag W.E., Quist T.M., Zeiger H.J. Evidense for the role of donor states in GaAs electroluminescence. ~Phys.Kev.Lett., 1963, v.10, p.472.
- Mitchell D.L., Palik E.D., Jensen J.D., Schoolar R.B., Zemel J. Interband Magnetоoptical Absorption in Epitaxial РЪТе. -Bull.Am.Phys.Soc., 1964, v.9, p.292.
- Palik E.D., Mitchell D.b., 2emel J.IT. Magneto-Optical Studies of the Band Structure of PbS.--Phys.Rev., 1964, v.135, p. A763.
- Hopfild J.J., Thomas E.G. Fine Structur and Magneto-Optical Effects in Exciton Spectrum of CdS. -Phys.Rev., 1961, v.122,p.35.
- Wheeler R.G., Dimmock J.O. Exciton Structure and Zeeman Effects in Cadmium Selenide. -Phys.Rev., 1962, v.125, p.1805.
- Miklosz J.C., Wheeler R.G. Exciton Structure and Magneto-Optical Effects in ZnS. Phys.Rev., 1967, v.153, p.913.
- Halpern J. Oscillatory Magnetoabsorption of the Direct Transition in the Layer Compound GaSe at I.5K. -Bull.Am. Phys. Soc., 1966, v. II, p.206.
- Keyes R.J., Zwerdling S., Kolm H.H., Lax B. Infrared Cyclotron Resonance in Bi, InSb With High Pulsed Magnetic Fields. -Phys.Rev., 1956, v.104, p.1804.
- Roth L.M., Lax В., Zwerdling S. Theory of Optical Magneto-Absorption Effects in Semiconductors. -Phys.Rev., 1959, v. II®, p.90.
- Коровин Л.И., Харитонов E.B. Эффект Фарадея в сильном магнитном поле в кристаллах в области края собственного поглощения.-ФТТ, 1962, т.4, с. 2806.
- Kolodzie^czak J., Lax В., Nishina Y. Semiclassical Dispersion Theory of Interband Magneto-Optical Effects. -Phys.Rev., 1962, v. I28, p.2655.
- Коровин Л.И., Харитонов E.B. Теория формы линий мевдузонного магнитооптического поглощения в случае упругого рассеяния.-ФТТ, 1965, т.7, с.2162- К теории междузонного магнитооптичес-поглощения в случае рассеяния на примесях. ФТТ, 1966, т.8, с. 181.
- Аронов А.Г. Осцилляция коэффициента поглощения света в скрещенных электрическом и магнитном полях.-ФТТ, 1963, т.15,с.552.
- Elliott R. J, Loudon R. Thenrry of fine structure on the absorption edge in semiconductors. -J.Phys.Chem.Sol., 1959, v.8,p.382.
- Hasegawa H., Howard R.E. Optical absorpion spectrum of hydro-genic atoms in a strong magnetic field. -J.Phys.Chem.Solids, 1961, v.2I, p.179.
- Edwards P.P., Lazazzera V.J. Exciton and Magneto-Optical Effect in Strained and Unstrained Germanium. -Phys.Rev., I960, v.120, p.420.
- Буляница Д.С., Павинский П. П. О сплошном спектре поглощения света в кристалле в магнитном поле.-Вестник ЛГУ, серия физики и химии, 1965, т.22, с. 75.
- Жилич А.Г., Монозон Б. С. Квазиклассическое рассмотрение спектра водородоподобной системы в сильном магнитном поле.1. ФТТ, 1966, т.8, с. 3559.
- Johnson E.I. Observation of Exciton Pine Structure in the Interband Magnetoabsorption of InSb and Ge. -Phys.Rev.^ett., 1967, v. I9, p.352.
- Сейсян P.П. Осцилляции магнито-поглощения и экситоны в кристаллах германия. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат.наук. -Л.: ФТИ АН СССР, 1968.
- Efros A1.L., Kanskaya L.M., Kokhanovskii S.I., Seisyan R.P. Diamagnetic Excitons and the Indium Antimonide Energy Band Parametrs. -Phys.Stat.Sol.(b), 1982, v.114, p.373.
- Белов Н.А., Ким Г.Д., Косогов О. В., Марамзина М. А. О спектральных осцилляциях вентильной фото-ЭДС в антимониде индия в квантующих магнитных полях. -ФТП, 1973, т.7, с. 2179.
- Rochon P., Fortin Е. Photovoltaic effect and interband magneto-optical transitions in InP. -Phys.Rev.B, 1975, v.12,p.5803.
- Rochon P., Fortin E. Photovoltaic spectra and magneto-optical transitions in InSb. -Phys.Rev.B, 1977, v.15, p. 2025.
- Cummerov R.L. Photovoltaic Effect in p-n Junction. -Phys.Rev., 1954, v.95, p.16.
- Рывкин G.M. К вопросу о механизме действия германиевых фотодиодов. -ЖТФ, 1955, т.25, с. 21.
- БирГ.Л., Пикус Г. Е. Влияние поверхностной рекомбинации на коэффициент полезного действия фотоэлемента с р-д-переходом.-ЖТФ, 1857, т.27, с. 467.
- Мойжес Б.Я. К теории фотоэлементов с р-п-переходом. -ФТТ, I960, т.2, с. 221.
- Субашиев В.К. Вентильный фотоэффект на р-п-переходе произвольной функции генерации. ч&ТТ, 1961, т. З, с. 3571.
- Равич Ю.И. К теории фотоэлемента с неоднородным передним слоем и сильным полем в нем. -Радиотехника и электроника, 1962, т.7, с. 1002.
- Субашиев В.К., Равич Ю. И. К теории вентильного фотоэффекта на р-п-переходе. -Phys.Stat.Sol., 1962, v.2,р.1043.
- Burstein Е. Anomalous Optical Absorption Limit in InSb. -Phys.Rev., 1954, v.93, p.632.
- Косогов О.В., Марамзина М. А. Фотодиоды с фильтрующим п-слоем.-ФТП, 1969, т. З, C7I736.
- Косогов О.В., Ким Г.Д., Марамзина М. А. О подвижности и диффузионной длине электронов в дырочном антимониде индия. -Известия ВУЗов, серия «Физика», 1976, Ж5, с. 46.
- Горюнова Н.А., Обухов А. П. Серое олово-Электронный полупроводник. Материалы 7-го Совещания по свойствам полупроводников (Киев, 1950). -Известия АН СССР, сер. Физическая, 1952, т.16,в.2, с. 139.
- Блюм А.Н., Мокровский Н. П., Регель А. Р. Изучение электропроводности полупроводников и интерметаллических соединений в твердом и жидком состояниях. Известия АН СССР, серия физическая, 1952, т.16, в.2, с. 139.
- Менушенков, А. Л, и др. Спектральные осцилляции поглощения деформированного п—1пБЪ в квантующем магнитном поле. -ФТП, 1979, т.13, с. 1319.
- Канская Л.М., Кохановский С. И., Сейсян Р. П., Эфрос Ал.А. Диамагнитные экситоны и параметры энергетических зон кристаллов сурьмянистого ицция. -ФТП, 1982, т.16, с. 2037.
- Каменев Ю.Е., Парфентьев Р. В., Эфрос Ал.А, Язева Т. В. Дискретная структура диамагнитного экситона в осцилляциях фотомагнитного эффекта и проводимости в inSb в квантующих магнитных полях. -ФТП, 1984, т.18, с. 206.
- Заитов Ф.А. О природе глубоких акцепторов в 1пБЪ . -ФТП, 1981, т.15, с. 1230.
- Даргис А.Ю. и др. О глубокой примес и хрома в п- inSb ФТП, 1980, т.14, с. 455.
- Ю1. Маделунг 0. Физика полупроводниковых соединений элементов 3 и 5 групп. М.: «Мир», 1967.
- Хилсум К., Роуз-Инс А. Полупроводники типа А3 В? -М.: «ИД», 1963.
- Материалы, используемые в полупроводниковых приборах. /Под ред. Хогарта К. -М.: «Мир», 1968.
- Ю4. Полупроводниковые соединения А3В5. /Под ред. Виллардсона Р. -М.: «Металлургия», 1967.
- Ю5. Амброзяк А. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов. -М.: «Сов. радио», 1970.
- Ю6. Галаванов В. В., Зияханов У., Наследов Д. Н. Вольтамперные характеристики р-п-переходов на базе р- InSb. -ФТП, 1964, т.9, с.1416- Прямая ветвь вольтамперной характеристики р-п-переходов на базе антимонида инлия р-типа. -ФГП, 1962, т. II, с. 2039.
- Ю7. Александров А. Н., Никитин В. А. О выборе нормалей и методах градуировки призменных инфракрасных спектрометров. -УФН, 1955, t. lyi, в.1.
- Галаванов В.В., Картузова И. А., Наследоа Д. Н. Измерение длины диффузионного смещения неравновесных носителей в InSb . -ФТТ, 1961, т. З, с. 2973.
- Ю9. Наследов Д. Н., Сметанникова Ю. С. Температурная зависимость времени жизни носителей тока в сурьмянистом ицции. -ФТТ, 1962, т.4, с. 181.
- НО. Kurnick S.W., Zitter R.N. Photoconductire and Photoslectro-magnetic Effects in InSb. -J.Appl.Phys., 1956, v.27, p.278.
- Wertheim G-.E. Crrier Lifetime in Indium Antimonide. Phys, Rev., 1956, v.104, p.662.
- Zitter R., Strauss A., Attard A. Recombination Processes in p-Type Indium Antimonide. -Phys.Rev., 1959, v.115, p.266.
- ИЗ. Марамзина М. А. Исследование сурьмянистоиндиевых фотодиодов. Диссертация на соискание ученой степени кадцдцата физ.-мат.наук. -JI.: ЛЭТИ, 1968.
- Ohamura Y., Wakatuki М. Ionization energies and their pressure dependence of Cu and Ag in InSb. -J.Phys. Soc. Japan, 1966, v.2I, p.2431.
- H5. Гуткин А. А., Ким г. Д., Косогов О. В., Марамзина М. А. Спектральное распределение фототока InSb л±р-переходов вблизи длинноволнового края основной полосы поглощения. -ФТП, 1980, т.14, с. 282.
- Wright G.B., Lax В. Magnetoreflection experiments in inter-metallics. -J.Appl.Phys.Suppl., 1961, v.32, p.2II3.
- Баранский П.И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Справочник-полупроводниковая оптоэлектроника.-Киев:"Наукова думка", 1975.
- Gobeli G.W., Fan H.Y. Infrared Absorption in Semiconductors.-Report on Progress in Physics, 1956, v.29, p.107.
- Валяшко Е.Г., Карин Германн. Температурная зависимость собственного поглощения в слаболегированном р- InSb. -ФТП, 1968, т.2, с. 1297.
- Касенманлы Ф.П., Мальцев Ю. В., Наследов Д. Н., Уханов Ю. И., Филипченко А. С. Магнитооптические исследования зоны проводимости InSb .-ФТТ, 1966, т.8, с. 1176.
- Gobeli G.W., Pan H.I. Infrared Absorption and Valence Band in Indium Antimonide. -Phys.Rev., I960, v.119, p.6l3.
- Шалимова K.B. Физика полупроводников. -M.:"Энергия", 1071.
- Большаков Л.П., Наурызбаев А., Филипченко А. С. Структуры потолка валентной зоны антимонвда иддия.-ФТП, 1980, т.14,с.1712.
- Годияк Г. В., Лозовик Ю. Е., Обрехт М. С. Биэкситон в сильном магнитном поле. -ФТТ, 1983, т.25, в.4.
- Dow J.D., Redfield D. Electroabsorption in Semiconductors: The Excitonic Absorption Edge. -Phys.Rev., 1970, v. Bl, p.3358.
- Меркулов И. A., lie рель В. И., Материалы 6-ой зимней школы по физике полупроводников.-Л.:ФТИ АН СССР, 1974, с. 220.
- Виноградов B.C. Теория поглощения света в постояном электрическом поле примесным центром с глубоким уровнем. -ФТТ, 1971, т.13, с. 3265.
- Мосс Т., Барелл Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектро-ника. -М.: «Мир», 1976.
- Penchina С.М. Phonon-Assisted Optical Absorption in an Electric Eield. -Phys.Rev., 1965, v.138, p. A924.
- Brugiel J.C., Braunn H.J. Electroabsorption by Substitutional Copper Impurities in GaAs. -J.Appl.Phys., 1969, v.40,p.2583.
- Brugiel J.C. Electric-Eield- Induced Infrared Absorption in GaAs p-n Junctions. -App1.Phys.Lett., 1966, v.9, p.389.
- Мурзин B.H., Демешина A.M., Умаров A.M. Длинноволновые инфракрасные спектры InSb р-типа. -ФТП, 1969, т. З, с. 434.
- Johnson E.J., Ean H.Y. Inpurity and Exciton Effects on the Infrared Absorption Edge of 3−5 Compounds. -Phys.Rev., 1965, v. I39, P. AI99I.
- Lax В., Mavroides J.G., Zeiger H.J., Eeyes R.J. Cyclotron Resonance in InSb at High Magnetic Eields. Phys.Rev., 1961, v. I22, p.31.
- Галаванов В.В., Новак И. И., Шевчук Д. С. Температурная зависимость спектра собственного поглощения чистого inSb р-типа. -ФТП, 1971, т.5, 0.2365.
- Зенченко В.П., Синявский Э. П. Механизм поглощения светао св собственных полупроводниках типа А°В . -ФТТ, 1973, т.15, в. З, с. 918.
- Asnin V.M., Rogachev A.A. Exciton Absorption in Doped Germanium. -Phys.Stat.Sol., 1967, v.20, p.755.
- Канская JI.M., Кохановский С. И., Сейсян Р. П., Эфрос Ал.Л. Экситон Ванье-Мотта на краю поглощения кристаллов сурьмянистого индия и его квазиодномерное состояние в сильном магнитном поле. -ФТП, 1981, т.13, с. 1854.
- Johnson E.J., Dickey D.H. Infrad Cyclotron Resonance and Related Experiments in the Conduction Band of InSb. -Phys.Rev., 1970, v. BI, p.2676.
- Александров А.С., Быковский Ю. А., Елесин В. Ф., Кулямзин А. П., Менушенков А. П., Протасов Е. А., Черемных П.А. Фотоэлектрическая спектроскопия антимондца идция в магнитных полях до
- Тл. -Известия АН СССР, сер. физическая, 1978, т.42, с. 1242.