Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Влияние заряда дислокаций и внешнего электромагнитного воздействия УФ диапазона на пластичность и зарождение трещин в ионных кристаллах

Диссертация: Влияние заряда дислокаций и внешнего электромагнитного воздействия УФ диапазона на пластичность и зарождение трещин в ионных кристаллах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Физика конденсированного состояния — фундаментальная наука о механических, оптических, магнитных, тепловых, электрических свойствах, а также о строении, структуре твердых тел и происходящих в них явлениях. Одним из направлений в области физики конденсированного состояния является исследование дефектной структуры кристалла и роли дефектов в формировании физических свойств кристалла, в частности… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА
    • 1. 1. Виды деформаций кристаллических структур
      • 1. 1. 1. Двойникование
      • 1. 1. 2. Упругое двойникование
      • 1. 1. 3. Скольжение
      • 1. 1. 4. Сбросообразование
      • 1. 1. 5. Диффузионные и бездиффузионные механизмы деформации
    • 1. 2. Разрушение
      • 1. 2. 1. Разрушение кристаллических материалов
      • 1. 2. 2. Зарождение трещин
      • 1. 2. 3. Тепловые флуктуации
      • 1. 2. 4. Скорости распространения трещин
      • 1. 2. 5. Управление ростом трещины
    • 1. 3. Влияние ионизирующего излучения на структуру и свойства кристаллов
      • 1. 3. 1. Ультрафиолетовое (УФ) излучение
        • 1. 3. 1. 1. Исследование воздействия ультрафиолетового излучения на материалы с различным видом кристаллической связи
      • 1. 3. 2. Рентгеновское излучение
        • 1. 3. 2. 1. Воздействие рентгеновского излучения на кристаллы с различным типом связей
      • 1. 3. 3. Воздействие у-излучения на кристаллы с различным типом связи
    • 1. 4. Радиационные дефекты
      • 1. 4. 1. Влияние радиационных дефектов на деформацию и разрушение кристаллов
    • 1. 5. Заряд на дислокациях
    • 1. 6. Цель и задачи исследования
  • ГЛАВА 2. ЗАРОЖДЕНИЕ ТРЕЩИН ПРИ УПРУГОМ ДВОЙНИКОВАНИИ
    • 2. 1. Состояние вопроса
    • 2. 2. Методика проведения эксперимента
    • 2. 3. Экспериментальное исследование процессов зарождения микротрещин при упругом двойниковании
    • 2. 4. Определение распределения плотности дислокаций в границе двойника
    • 2. 5. Распределение напряжений вдоль двойника
    • 2. 6. Дислокационные модели двойниковых границ
    • 2. 7. Распределение напряжений вдоль границы упругого двойника
    • 2. 8. Обсуждение результатов
    • 2. 9. Выводы
  • ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЗАРЯДА ДИСЛОКАЦИЙ НА ЗАРОЖДЕНИЕ ТРЕЩИН В НЕМЕТАЛЛИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛАХ
    • 3. 1. Скопления заряженных дислокаций в кристаллах
    • 3. 2. Модель Зинера-Стро (плоское скопление дислокаций)
    • 3. 3. Пересекающиеся скопления заряженных дислокаций
      • 3. 3. 1. Термоактивированное зарождение трещин в пересекающихся скоплениях заряженных дислокаций
    • 3. 4. Соотношение механической и электрической прочностей кристаллов
    • 3. 5. Выводы
  • ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ УФ ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПЛАСТИЧНОСТЬ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ
    • 4. 1. Воздействие УФ излучения на вещество
    • 4. 2. Методика эксперимента
    • 4. 3. Влияние УФ излучения на релаксационный рост упругого двойника в исландском шпате
    • 4. 4. Влияние УФ излучения на деформацию сжатием кристаллов LiF,
  • NaCl
    • 4. 5. Влияние УФ излучения на величину пробегов индивидуальных краевых и винтовых дислокаций, генерируемых воздействием индентора Виккерса
    • 4. 6. Стимулирование процессов восстановления сплошности в ЩГК воздействием УФ излучения
    • 4. 7. Обсуждение экспериментальных результатов
    • 4. 8. Выводы

Влияние заряда дислокаций и внешнего электромагнитного воздействия УФ диапазона на пластичность и зарождение трещин в ионных кристаллах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Физика конденсированного состояния — фундаментальная наука о механических, оптических, магнитных, тепловых, электрических свойствах, а также о строении, структуре твердых тел и происходящих в них явлениях. Одним из направлений в области физики конденсированного состояния является исследование дефектной структуры кристалла и роли дефектов в формировании физических свойств кристалла, в частности, механических. Вместе с тем, роль физики конденсированного состояния не сводится только к изучению дефектов, их влияния на свойства и срок службы материалов. Определенный интерес вызывают задачи, связанные с возможностью частичного удаления из кристалла дефектов, а также реанимирования сплошности участков с разорванными связями.

Структурные неоднородности типа скоплений дислокаций, деформационных двойников, трещин являются концентраторами достаточно высоких напряжений в кристаллах. Распределение напряжений около таких дефектов с учетом плоскостей и направлений их развития определяет во многом пути эволюции дефектной структуры и долговечность материала в целом [1,2].

К настоящему времени накоплен большой объем экспериментальных данных и определен ряд характерных закономерностей, предшествующих образованию разрушения в различных материалах. Несмотря на значительный интерес к проблеме зарождения трещин, количество обобщающих работ, посвященных этой теме, относительно невелико. В них не учитывается (в прямом виде) влияние, как внешних факторов (температура, радиация, электромагнитное воздействие, давление и др.) на срабатывание тех или иных механизмов зарождения трещин, так и особенностей самих дефектов, например, заряд дислокаций, величина напряженности электрических полей, создаваемых такими дефектами, не сопоставляются величины электрической и механической прочностей.

Определение условий и факторов, стимулирующих или наоборот блокирующих процесс зарождения микротрещин, представляет не только научный, но и практический интерес для ряда ионных кристаллов, а также кристаллов типа А2В6. Воздействие на эти кристаллы ионизирующего излучения сопровождается образованием радиационных дефектов, изменяющих механические свойства кристалла в целом и, как следствие, влияющих на процессы трещинообразования.

Особый интерес представляет взаимосвязь двойникования с разрушением, что имеет принципиально важное значение, т. к. механические двойники представляют определенную опасность с точки зрения зарождения микротрещин, связанную с высокой концентрацией напряжений на них [3,4].

До настоящего времени двойникование является одним из видов деформации, в объяснении которой существует ряд неопределенностей и, следовательно, еще не выработаны четкие критерии и не определены условия возникновения трещин, в частности, при «упругом» двойниковании.

Исследование закономерностей процесса разрушения и условий его протекания с учетом воздействия внешних факторов и особенностей дефектов должно привести не только к разработке более совершенных критериев зарождения разрушения, но и к возможности более эффективно воздействовать на сам процесс разрушения.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Впервые экспериментально определен термоактивированный характер зарождения микротрещин на границе упругого двойника в кристаллах исландского шпата. Найдена энергия активации процесса образования разрушения, составившая 0,22 эВ, что сопоставимо с энергией активации, полученной в аналитических расчетах;

2. Аналитически установлена немонотонная зависимость величины растягивающих напряжений вдоль некогерентной границы упругого двойника, положение максимума на которой определяет область зарождения трещины, что подтверждается экспериментом;

3. Показано, что попарное расположение дислокаций в границах упругого двойника энергетически не выгодно. Последовательное расположение дислокаций в границах двойника позволяет моделировать его ступенчатым скоплением двойникующих дислокаций, что является допустимым в силу несоизмеримости расстояний между дислокациями в сравнение с межплоскостным расстоянием. Полученные при этом условия зарождения трещин могут быть использованы для различных двойникующихся материалов;

4. Установлено, что учет электростатического взаимодействия заряженных дислокаций скопления приводит к увеличению критических скалывающих напряжений зарождения трещины, зависящих от соотношения упругих и электрических констант и пропорциональных квадрату линейной плотности заряда дислокаций. Впервые показано, что эффект упрочнения может достигать 100−200%;

5. Впервые оценена напряженность электрического поля в вершине плоского скопления краевых заряженных дислокаций и сопоставлена с механической прочностью. Установлено, что в щелочногалоидных кристаллах механическое разрушение предшествует электрическому пробою, а в соединениях типа, А В величины электрической и механической прочностей сопоставимы;

6. Впервые показано, что воздействие электромагнитного излучения УФ диапазона изменяет условия движения двойникующих дислокаций, что проявляется в более интенсивном релаксационном росте упругого двойника в кристаллах исландского шпата, а также в увеличении пробегов дислокаций в щелочногалоидных кристаллах;

7. Предложен механизм, способствующий преодолению дислокациями в ионных кристаллах стопоров, основанный на взаимодействии дислокации с низкоэнергетическими экситонами, образующимися при воздействии УФ и рентгеновского излучения.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Результаты по определению термоактивированного характера зарож-®дения микротрещин на границе упругого двойника в кристаллах исландского шпата.

2. Результаты анализа напряженного состояния материала вдоль границы упругого двойника в кристаллах исландского шпата, позволяющие определять не только участок зарождения трещины, но и объяснить причины ее докритического подрастания.

3. Модель двойниковой границы, представленной ступенчатым скоплением двойникующих дислокаций, позволяющую адекватно оценивать напряженное состояние в вершинах ступенчатых скоплений и формулировать ф критерии зарождения трещин.

4. Результаты анализа скоплений заряженных дислокаций, показывающие, что увеличение критических скалывающих напряжений при зарождении.

9 трещин зависит от соотношения упругих и электрических констант кристалла и пропорционально квадрату линейной плотности заряда.

5. Результаты сопоставления электрической и механической прочностей для щелочногалоидных кристаллов и для соединений типа А2В6.

6. Экспериментальные результаты по влиянию электромагнитного излучения УФ диапазона на движение дислокаций в ионных кристаллах (скользящих в щелочногалоидных кристаллах и двойникующих в исландском шпате).

7. Воздействие малых доз ионизирующего излучения на ионные крит сталлы, приводящее к увеличению длины пробегов дислокаций в щелочногалоидных кристаллах и увеличению релаксационного подрастания упругого двойника в кристаллах исландского шпата, основанное на взаимодействии дислокаций с низкоэнергетическими экситонами и механизм, способствующий преодолению стопоров дислокациями.

Практическое значение работы.

1. Полученные в работе экспериментальные результаты по влиянию УФ излучения на пластичность ионных кристаллов могут быть использованы при разработке теорий прочности и пластичности для материалов, работающих при воздействии ионизирующего излучения, а также при оптимизации режимов эксплуатации радиационно-нагруженных изделий.

2. Контроль электрической активности кристаллов с заряженными дислокациями позволит бесконтактными, неразрушающими методами определять места локализации деформации с целью последующего предотвращения зарождения разрушения или электрического пробоя.

3. Установленный термоактивированный характер зарождения трещин в кристаллах исландского шпата позволит оценивать вероятность зарождения трещин в изделиях оптики при тех или иных режимах эксплуатации, связанных с механическим нагружением.

4. Рассмотренные дислокационные модели двойниковых границ и найденные критерии зарождения разрушения позволяют прогнозировать возможность зарождения трещин в различных механически двойникующихся материалах.

Основные результаты диссертации опубликованы в 9 статьях и 18 тезисах докладов: Г111−113,115−117,140−160].

Работа поддержана Российским Фондом Фундаментальных исследований (гранты № 02−01−1 173 и № 05−01−759) и грантом поддержки научно-исследовательской работы аспирантов вузов (№ А04−2.9−1161).

Апробация работы.

Результаты исследований докладывались на международной конференции EPS-12 (Hungary, Budapest 2002), на III Международной конференции «Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений» (Тамбов 2003), на VIII Международном семинаре «Структурные основы модификации материалов методами нетрадиционных технологий» (Обнинск 2005), на второй Международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века», посвященная памяти М. П. Шаскольской (Москва 2003), на XV Международной конференции «Физика прочности и пластичности материалов» (Тольятти 2003), на четвертой Международной конференции молодых ученых и студентов «Актуальные проблемы современной науки» (Самара 2003), на III Международной конференции «Фазовые превращения и прочность кристаллов» (Черноголовка 2004) на «XV Петербургских чтениях по проблемам прочности» (Санкт — Петербург 2005), на конференции «Структурные основы модификации материалов методами нетрадиционных технологий» (MHT-VIII) (Обнинск 2005), на научных конференциях преподавателей и сотрудников ТамбГУ (2002;2005).

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов по работе и списка цитируемой литературы из 160 наименований. Работа содержит 135 страниц текста, включая 53 рисунка и 2 таблицы.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ.

1. Экспериментально установлено, что зарождение микротрещин на границе свободного упругого двойника носит термоактивированный характер. Определено значение энергии активации зарождения микротрещины, составившее 0,22 эВ, что хорошо кореллирует с величиной энергии активации, определенной аналитически при моделировании границы двойника ступенчатым скоплением двойникующих дислокаций.

2. Аналитически показано, что трещина зарождается на границе двойника в области максимальной плотности дислокаций и вскрывается в плоскости спайности практически совпадающей с плоскостью максимальных растягивающих напряжений, положение которой обусловлено немонотонным изменением плотности дислокаций в границе двойника, что показано расчетом и подтверждается экспериментально. Показано также, что дислокациям в соседних границах двойника энергетически выгодно последовательное расположение в отличие от попарного, в связи с чем моделирование границы двойника ступенчатым скоплением дислокаций является оправданным и с достаточной степенью точности отражающим реальное распределение напряжений, создаваемых в кристалле свободным упругим двойником.

3. Учет электростатического взаимодействия заряженных дислокаций приводит к более жесткому условию образования зародышевой микротрещины в вершине плоского скопления краевых дислокаций. Возрастание критических скалывающих напряжений зарождения трещины (или увеличение числа дислокаций в скоплении) зависит от соотношения упругих и электрических констант кристалла и пропорционально квадрату линейной плотности заряда дислокаций. В области предельных плотностей заряда эффект упрочнения может достигать 100−200%. Оценена напряженность электрического поля в вершине плоского скопления заряженных дислокаций при критических скалывающих напряжениях. Установлено, что в ЩГК механическое разрушение предшествует электрическому пробою, а в соединениях типа А2 В6 величины электрической и механической прочностей сопоставимы.

4. Аналитически рассчитана энергия активации зарождения микротрещины для модели пересекающихся скоплений дислокаций в зависимости от угла между плоскостями скольжения (60°-180°), числа дислокаций в скоплениях и их электрического заряда (углы 90° и 120°). Определены критические расстояния между головными дислокациями, начиная с которых слияние дислокаций может осуществляться за счет термических флуктуаций и, соответствующие им значения внешних касательных напряжений.

5. Экспериментально установлено неравноценное релаксационное подрастание статического «упругого» двойника в ионных кристаллах исландского шпата при воздействии постоянной нагрузки и совместном воздействии постоянной нагрузки и УФ облучения, обусловленное изменением условий движения двойникующих дислокаций, в частности, за счет более легкого преодоления стопоров.

6. Установлено, что в щелочно-галоидных кристаллах величины пробегов лидирующих дислокаций, генерированных индентором Виккер-са, имеют максимум при небольших временах нагружения и одновременного УФ облучения. По мере увеличения выдержки воздействия на кристалл, фиксируемые величины пробегов уменьшаются и становятся сопоставимыми с величинами пробегов, дислокаций при нагружении без облучения. Наблюдаемый максимум наиболее выражен для краевых дислокаций как по величине, так и по степени его локализации.

7. Предложен механизм, способствующий преодолению дислокациями в ионных кристаллах стопоров, в основе которого лежит взаимодействие дислокаций с низкоэнергетическими экситонами, образующимися в кристаллах при воздействии УФ и рентгеновского излучения.

Возможность действия предложенного механизма подтверждается люминесценцией кристаллов при воздействии как УФ (ЩГК), так и рентгеновского (исландский шпат) излучения.

Автор считает своим приятным долгом выразить благодарность научному руководителю доктору физико-математических наук, профессору Федорову Виктору Александровичу за предложенную тему научных изысканий и создание благоприятного микроклимата, способствующего плодотворной работе. Автор также благодарен проф. Тялину Ю. И., доц. Плужниковой Т. Н., старшему преподавателю Чиванову А. В. и сотрудникам кафедры общей физики Тамбовского государственного университета им. Г. Р. Державина за полезные советы и всестороннюю помощь при выполнении диссертационных исследований.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.М. Физика разрушения. М.: Металлургия, 1970. — 376 с.
  2. В.М., Федоров В. А., Кижнер М. М. Взаимодействие трещин с двойниковыми прослойками в кристаллах исландского шпата. // Кристаллография.- 1976. Т. 21. — № 2. — С. 345 — 350.
  3. Hull D. Twinning and fracture of single crystals of 3% silicon iron // Acta metallurgical 1960. T. 8. — № 1. — С. 11 -15.
  4. В.П. О некоторых особенностях двойникования монокристаллов // Физика металлов и металловедение.- 1967. Т. 24. — № 4, С. 744 — 753.
  5. И.В. Курс общей физики. М.: Наука, 1970. — Т. 1. — 512 с.
  6. А.А., Тяпунина Н. А., Зименкова Г. М., Бушуева Г. В. Физика кристаллов с дефектами. М.: Изд. МГУ, 1986. — 240 с.
  7. В.М., Федоров В. А., Кижнер М. М., Фридман Я. Н. Взаимо-дейст-вие трещин с некоторыми дефектами в кристаллах кальцита // Труды МИХМа.- 1972. Вып. 44. — С. 24 — 34.
  8. Классен Неклюдова М. В. Механическое двойникование кристаллов. -М.: Изд. АНСССР, 1960. — 261 с.
  9. Н.Н., Чучман Т. Н. Обзор современных теории хладноломкости. Исследования по жаропрочным сплавам. М.: Изд-во АН СССР, 1957.-№ 2.-С. 9−34.
  10. Е.М. По поводу двойникования и хрупкости // ЖТФ. 1939. Т. 96.-Вып. 8.-С. 745−747.
  11. Э.С., Якутович М. В. Влияние двойникования на хрупкое разрушение кристаллов цинка // ЖТФ. 1950. — Т. 20. — Вып. 4. -С. 420 — 423.
  12. С. Методы прямого наблюдения дислокаций. М.: Изд. Мир, 1968.-440 с.
  13. Р.И. Образование упругих двойников при двойниковании кальцита и натронной селитры // ДАН СССР. 1938. — Т. 21. — № 5. -С. 233 — 235.
  14. A.M. Дислокации в теории упругости. Киев. Наукова думка, 1978.-220 с.
  15. Классен-Неклюдова М.В., Урусовская А. А. Влияние неоднородного напряжения состояния на механизм пластической деформации галоге-нидов таллия и цезия // Кристаллография. 1956. — Т. 1. — Вып. 4. -С. 410−418.
  16. Классен-Неклюдова М.В., Томиловский Г. Е., Чернышева М. А. О процессе формирования сбросов // Кристаллография. I960.- Т. 8. — Вып 4.-С. 349−357.
  17. Gilman J. Mechanism of ortho kink-band formation in compressed zinc monocrystals // J. Metals. 1954. — Vol. 6.- Sec. 2. — № 5. — P. 621−629.
  18. E.B. Телегина И. В., Плавник Г. М. О структуре полос сброса некоторых ионных кристаллов // Кристаллография 1956. — Т. 1. -Вып. 4.-С. 419−424.
  19. Е. В. Телегина И.В. О механизме образования полос сброса // ДАН СССР. 1957. — Т. 116. — № 4. — С. 605 — 608.
  20. Классен-Неклюдова М.В., Урусовская А. А. Исследования строения полос сброса в кристаллах галогенидов таллия. Кристаллография, 1956. Т. 1. — Вып. 5. — С. 564 — 571.
  21. Г. В., Бездиффузионные (мартенситные) превращения в сплавах // ЖТФ. 1948. — Т. 18. — С. 999 — 1025.
  22. Г. В. Общие закономерности фазовых превращений в эвтек-тоидных сплавах // Изв. АН. СССР. Сер. химическая. 1936. — № 2. -С. 271 -280.
  23. А.В. Основы практической прочности кристаллов. М.: Наука, 1974.-341 с.
  24. В.И. Физическая природа разрушения металлов. М.: Металлургия, 1984. — 275 с.
  25. Л.И. Физические основы прочности и пластичности. Изд-во Московского университета, 1968. 538 с.
  26. Дж. Дж. Механические свойства ионных кристаллов // Успехи физических наук. 1969. — Т. 80. — № 3. — С. 455 — 503.
  27. Р. Пластическая деформация металлов. Пер. с англ. Под ред. доктора физ.-мат. наук Б. Я. Любова, М.: Мир, 1972. 408 с.
  28. Г. П. Механика хрупкого разрушения. М.: Наука, 1974. -640 с.
  29. Ч., Томсон Р. Физика твердого тела. М.: Мир, 1969. — 558 с.
  30. Ч. Введение в физику твердого тела. М: Наука, 1978. — 791 с.
  31. В.И., Ханнанов Ш. Х. Пересекающиеся скопления краевых дислокаций // ФТТ. 1970. — Т. 12. — № 3. — С. 856 — 859.
  32. Ш. Х. О распределении дислокаций в пересекающихся скоплениях кристаллах кубической симметрии // ФММ. 1978. — Т. 46. -№ 1. — С. 30−34.
  33. В.И. Физическая природа разрушения металлов. М.: Металлургия, 1984. 275 с.
  34. В.Н. К вопросу об условиях возникновения и развития трещин в кристаллах // ФТТ. 1960. — Т. 11. — № 6. — С. 1082 — 1088.
  35. В.И., Хананнов Ш. Х. Зарождение трещин на встречных дислокационных скоплениях // Проблемы прочности. 1973. — № 5. -С. 62 — 66.
  36. А.В., Проскура А. В. Диффузионное образование микротрещин // Вестник Тамб. ГУ. 1998. — Т. 3. — № 3. — С. 256 — 258.
  37. В.М., Рувинский М. А., Курганская JI.A., Шегай В. В., Фомин И. М. Образование трещин на фронте разрушения по спайности // ФТТ.- 1986. Т. 28. — №. 7. — С. 2210 — 2213.
  38. JI.B., Голдберг М. Ш. Исследование некоторых причин образования дислокационных трещин в ионных кристаллах // Диэлектрики.- 1971. -№. 1. С. 21 — 24.
  39. .И., Ярошевич В. Д. Современное представление о зарождении трещин // Физическая природа хрупкого разрушения металлов. -1965.-С. 6−21.
  40. B.JI. О критериях разрушения в дислокационных теориях прочности // ФТТ. 1961. — Т. 3. — № 7. — С. 2071 — 2079.
  41. В., Бетехтин В. И. Образование микротрещин при деформации NaCl // ФТТ. 1973. — Т. 15. — №. 4. — С. 1235 — 1237.
  42. М.Х., Инденбом В. Л. Взаимодействие дислокаций на малых расстояниях и зарождение трещин // ФТТ. 1974. — № 9. -С. 2678 — 2687.
  43. В.И., Орлов А. Н. Энергия активации зарождения микротрещины в голове скопления дислокаций // ФТТ. 1969. — Т. 11. -№.2.-С. 370−378.
  44. В.И. Вычисление энергии активации образования микротрещины // ФТТ. 1970. — Т. 12. — №. 6. — С. 1593 — 1596.
  45. В.И. Зависимость энергии активации процесса разрушения от напряжения // ФТТ. 1972. — Т. 14. — № 8. — С. 2274 — 2281.
  46. В. И. Физическая теория пластичности и прочности. JI.: ЛПИ, 1975.-Ч.П.-152 с.
  47. А. Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М.: Высш. шк., 1983.- 114 с.
  48. В. А. Роль деформации в процессе разрушения твердых тел. В книге «Проблемы прочности и пластичности твердых тел». JL: Наука, 1979.-С. 10−26.
  49. В. В. О необходимом и достаточном критерии хрупкой прочности // Прикладная математика и механика. 1969. — Т. 33. — № 2. -С. 212−222.
  50. М.П. Кристаллография. М.: Высшая школа, 1976. -391с.
  51. В. Р., Слуцкер А. И., Томашевский Э. Е. Кинетическая природа прочности твердых тел. М.: Наука, 1974. — 560 с.
  52. Maksimov I.L. Thermomechanical fracture instability and stick-slip crack propagation // Appl. Phys. Lett. 1989. — V. 55. — № 1. — P. 42 — 47.
  53. В. M. К вопросу о связи скорости распространения трещины с величиной пластической деформации // Физика металлов и металловедение. 1966. — Т. 21. — № 3. — С. 461 — 463.
  54. В., Гилман Дж. Скорость передвижения, плотность дислокаций и пластическая деформация кристаллов фтористого лития // Успехи физических наук. 1960. — Т. LXX. — № 3. — С. 489 — 514.
  55. А.Н. Сборник «Атомный механизм разрушения» Металлургиз-дат, 1963. 138 с.
  56. Roberts D.K., Wells А.А. Growth kinetics of cracks // Engineering. 1957. -V. 178.-P. 820−824.
  57. Gilman J.J., Khudsen С., Walsh W.P. Cleavage cracks and dislocations in LiF crystals // Journal of Applied Physics. 1958. — V. 29. — № 4. -P. 601 — 607.
  58. H. H. Динамическая прочность и хрупкость металлов. Киев: Наукова думка, 1981. 704 с.
  59. В.М. Физические основы торможения разрушения. М.: Металлургия, 1977. — 360 с.
  60. В.Р. К вопросу о кинетике роста трещин в процессе разрушения твердых тел // ЖТФ. 1956. — Т. 26. — С. 359 — 369.
  61. А.Д. Лекции по квантовой физике. М.: Высшая школа, 1991.-383 с.
  62. Ю.И., Моргунов Р. Б., Бадылевич М. В., Шмурак С. З. Оптическое гашение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl // ФТТ. 1997. — Т.39. — № 8. — С.1389 — 1391.
  63. Я.Ф., Велигура Л. И., Остроухова О. А. Влияние ультрафиолетового облучения на люминесценцию и оптические свойства плёнок ZnS:Mn // Физика и техника полупроводников. 1998. — Т.32. — № 5. -С.549 — 553.
  64. М.Г., Ахвледиани З. Г. Образование стабилизированных F2 -центров в окрашенных кристаллах LiF под действием внешних полей // ФТТ. 1998. — Т.40. -№ 11.- С. 2044 — 2050.
  65. М.Г., Ахвледиани З. Г. Калабегишвили Т.Л., Квачадзе В. Г., Саралидзе З. К. Релаксационные процессы в окрашенных кристаллах LiF после совместного воздействия УФ излучения и ударной волны // ФТТ. 2000. — Т.42. — № 10. — С. 1794 — 1799.
  66. Р.В., Лущик А. В., Малышева А. Ф., Тийслер Э. С. Электронно-микроскопическое обнаружение и оптическое исследование продуктовраспада экситонов в кристаллах КВг // ФТТ. 1972. — Т. 14. — № 1. -С.117 -122.
  67. B.C., Сюрдо А. И., Шарафутдинов Ф. Ф. Термолюминесценция анионодефектного корунда при ультрафиолетовом лазерном и рентгеновском облучении // ЖТФ. 1997. — Т.67. — № 7. — С. 72 — 76.
  68. В.Н., Никитин С. Е., Климов В. А., Чудновский Ф. А., Козырев С. В., Лещев Д. В. Фотохромный эффект в кластерных системах оксидов молибдена // ФТТ. 1999. — Т. 41. — № 7. — С. 1323 — 1328.
  69. И.С., Шибко А. Н. Влияние длины волны ультрафиолетового облучения на свойства контакта цирконий-кремний // ЖТФ. 2001. -Т. 71.-№ 9.-С. 45−48.
  70. .Р., Сморгонская Э. А., Коробков М. П., Иванов-Омский В.И. Проявление молекулярного водорода в ультрафиолетовых спектрах алмазоподобного углерода // Письма в ЖТФ. 1997. — Т. 23. -С. 19 — 24.
  71. Таблицы физических величин. Справочник / Под ред. Кикоина И. К. М.: Атомиздат, 1976. 1008 с.
  72. Г. С. Оптика. М.: Наука, 1976. 928 с.
  73. П.А. Радиационные и люминесцентные процессы в ионных кристаллах: Учебное пособие к спецкурсу. Хабаровск: Хабаровский гос. пед. ин-т, 1985. С. 40 — 47.
  74. С.С. Сцинтилляционные характеристики тонкослойных детекторов рентгеновского излучения, изготовленных на основе кристаллов йодистого кальция // ЖТФ. 1998. — Т. 68 — № 8. — С. 87 — 90.
  75. В.А., Орешко А. П. Зеркальное отражение рентгеновских лучей в условиях резко асимметричной некомпланарной дифракции в кристалле с аморфной пленкой // ФТТ. 2001. — Т. 43. — № 5. -С. 906 — 912.
  76. А.И. Вклад дислокационных ядер в рассеяние рентгеновских лучей кристаллами с дислокациями // ФТТ. 2001. — Т. 43. — № 5. -С. 818−821.
  77. А.Г., Пиршин И. В., Хмельницкий Р. А., Гиппиус А. А. Дисперсионные характеристики алмаза в жестком рентгеновском диапазоне длин волн // ФТТ. 2001. — Т. 43. — № 4. — С. 619 — 626.
  78. В.Д., Лисюк Ю. В. Радиационно-индуцированная проводимость щелочно-галоидных кристаллов в сильных электрических полях при рентгено- и фотовозбуждении // ЖТФ. 2000. — Т. 70. — № 9. -С. 44−49.
  79. Физика. Большой энциклопедический словарь / Гл. ред. A.M. Прохоров.- 4-е изд.- М.: Большая Российская энциклопедия, 1998. 944 с.
  80. Г. Е. Действие у излучения на микротвердость легированных щелочно-галоидных кристаллов // ФТТ. — 1992. — Т. 34. — № 1. -С. 331 -332.о .
  81. М.Г., Квачадзе В. Г., Саралидзе З.К. F -центры в напряженных кристаллах LiF // ФТТ. 1987. — Т. 29. — № 1. — С. 39 — 43.
  82. Н.А., Спитковский И. М., Струк Я. А. Особенности деформационной электризации g облученных кристаллов хлористого натрия // ФТТ. — 1985. — Т. 27. — № 2. — С. 573 — 576.
  83. А.Х., Хоконов М. Х. Излучение одиночных гамма квантов электронами с энергиями в сотни GeV в ориентированных кристаллах // ЖТФ. — 1998. — Т. 68. — № 9. — С. 37−41.
  84. .И., Орлова Т. С., Самойлова Т. В. Эволюция дислокационной структуры при деформировании у облученных кристаллов LiF // ФТТ. — 1997. — Т. 39. — № 6. — С. 1072 — 1075.
  85. .И. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов. Л.: 1981.-253 с.
  86. Т.С., Смирнов Б. И. Влияние пластической деформации на концентрацию центра окраски в облученных кристаллах LiF и КС1 // ФТТ. 1986. — Т.28. — № 5. — С. 1533 — 1534.
  87. И.П., Яковлев В. Ю. Создание центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах при импульсном радиационном воздействии // ФТТ. 1990. — Т. 32. — № 2. — С. 384 — 390.
  88. С.З. Дислокационная спектроскопия кристаллов // ФТТ. -1999. Т. 41. — № 12. — С. 2139 — 2146.
  89. Т.М., Волнянский М.Д, Волнянский Д. М., Щетинкин B.C. Центры окраски в кристаллах молибдата свинца // ФТТ. 2003. — Т. 45. -№. 2.-С. 235−237.
  90. И.А., Пензина Э. Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск, 1977. 208 с.
  91. Л.А., Гречкина Т. В., Корепанов В. И., Лисицын В. М. Корот-коживущие первичные радиационные дефекты в кристалле LiF // ФТТ. -2001.-Т. 43.-№ 9.
  92. А.Л., Арефьев К. П., Александров Е. И. Влияние радиационных эффектов на оптическую прочность щелочногалоидных кристаллов // ФТТ. 1985. — Т. 27. — № 11. — С. 3217 — 3221.
  93. А., Йыги Х.Р.-В., Лущик А. Ч. Гомогенное и гетерогенное распределение радиационных дефектов в кристаллах КС1 // ФТТ. -1987. Т. 29. — №. 5. — С. 1356 — 1363.
  94. А.В. Роль радиационных точечных и линейных дефектов в механическом упрочнении кристаллов типа NaCl. // ФТТ. 1985. — Т. 27. -№. 11.-С. 3254−3256.
  95. Н.В., Красильников В. В., Неклюдов И. М., Пархоменко А. А. Кинетика дислокационных ансамблей в деформируемых облученных материалах // Письма в ЖТФ. 1997. — Т. 23. — № 18. — С. 51 — 54.
  96. Н.В., Красильников В. В., Неклюдов Н. В., Пархоменко А. А. Кинетика дислокационных ансамблей в деформируемых облученных материалах // ФТТ. 1998. — Т. 40. — № 9. -С. 1631 — 1634.
  97. Ч.Б., Гиндина Р. И., Маарос А. А., Плоом Л. А., Лущик А. Ч., Пунг Л. А., Пыллусаар Ю. В., Соовик X. А. Радиационное создание ка-тионных дефектов в кристаллах КС1 // ФТТ.- 1977. Т. 19. — № 12. — С. 3625−3629.
  98. Bassani F., Thomson R. Association Energy of Vacancies and Impurities with Edge Dislocations in NaCl // Phys. Rev. -1956. -Vol. 102, N 5. -P. 1264−1279.
  99. Brantley W.A., Bauer Ch.L. The Gtometry of Charged Dislocanions in the NaCl Structure // Phys. stat. sol. 1966. — Vol. 18. — № 1. — P. 465−478.
  100. В.И., Галусташвили M.B., Паперно И. М. О кинетике формирования заряда на дислокациях в процессе пластической деформации кристалла // Кристаллография. 1975. — Т. 20. — № 6. -С.1113−1116.
  101. Kataoka Т., Colombo L., Li J.C.M. Dislocation charged in Ca -doped KC1. Effect of impurity concentration and temperature // Phil. Mag. (A). 1984. -Vol. 4. — № 3. — P. 409−423.
  102. Whitworth R.W. Charged dislocation in ionic crystals // Adv. Phys. -1975. Vol. 24. — № 2. — P. 203−304.
  103. Whitworth R.W. The sweep-up model on charged dislocations in ionic crystals // Phil. Mag. (A). 1985. — Vol. 51, N 3. — P. 857−863.
  104. А.А. Электрические эффекты, связанные с пластической деформацией ионных кристаллов // УФН. 1968. — Т. 96, N 1. -С. 39−60.
  105. Ю.А., Петренко В. Ф. Движение заряженных дислокаций в полупроводниках // Проблемы прочности и пластичности твердых тел. -Л.: Наука, 1979. С. 118−128.
  106. Н.А., Белозерова Э. П. Заряженные дислокации и свойства щелочногалоидных кристаллов // УФН. 1988. — Т. 156. — Вып. 4. -С. 683−717.
  107. Huddart A., Whitworth R.W. Measurement of the Charge Acguired by Dislocations in NaCl Crystals of known Purity // Phil. Mag. 1973. -Vol. 27.-№ l.-P. 107−119.
  108. A.H., Смирнов Б. И. Влияние примеси на электропластический эффект в щелочно-галоидных кристаллах // ФТТ. 1983. — Т. 25, № 5.-С. 1523−1525.
  109. В.А., Тялин Ю. И. О зарождении трещин на гра-ницах двойников в кальците // Кристаллография. 1981. — Т. 26. — № 4. -С. 775−781.
  110. В.А., Тялин Ю. И., Тялина В. А., Плужникова Т. Н. Чемеркина М.В. О зарождении трещин на границе свободного упругого двойника в кальците// Известия АН. Серия физическая. 2004. — Т. 68. -№ ю. — С. 1484−1487.
  111. Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972. — 600 с.
  112. Zener С. A Theoretical Criterion for the Initiation of Slip Bands // Phys. Rev. 1946. — Vol. 69. — P. 128−129.
  113. Eshelby J.D., Frank F.C., Nabarro F.R.N. The Equilibrium of Linear Arrays of Dislocations // Phil. Mag. 1951. — V. 42. — № 327. -P. 351−364.
  114. Kataoka Т., Colombo L., Li J.C.M. Dislocation charged in Ca -doped KC1. Effect of impurity concentration and temperature // Phil. Mag. (A). 1984. -Vol. 4. — № 3. — P. 409−423.
  115. В.И., Ханнанов Ш. Х. Взаимодействие дислокационного скопления с дислокационной трещиной // ФТТ. 1969. — Т. 11- № 6. -С. 1667−1676.
  116. Sierra J., Cabrera J.M. Influence of Colour Centres on the Dislocations Charge in Alkali Halides // Phys. stat. sol. (a). 1975. -Vol. 27. — P. K43-K45.
  117. В.И., Хаиианов Ш. Х. Дискретно-континуальное рассмотрение дислокационных скоплений // Физ. металлов и металловед. -1969. Т. 27, № 6. — С. 969−975.
  118. Cottrell А.Н. Theory of Brittle Fracture in Steel and similar metals // Trans. Met. Soc. AIME. 1958. — Vol. 212. — № 2. — P. 192 — 203.
  119. Kear B.H., Taylor A., Prattt P.L. Some dislocations interaction in simple ionic srystals // Phil. Mag. -1950. -Vol. 4, N 41. P. 665−672.
  120. П.П., Бережкова Г. В. Дислокационные реакции в кристаллах окиси магния // Изв. АН СССР. Сер. Физ. -1983. -Т. 47, № 6. -С.1133−1135.
  121. Keh A.S., Li J.C.M., Chou Y.T. Crack due to the piling-up of dislocation on two intersecting slip planes in MgO crystals // Acta. Met. -1959. -Vol. 7. -P. 694−696.
  122. Chou Y.T., Whitmore R.W. Single and double pile-up of dislocations in MgO crystals // J. Appl. Phys. 1961. — V. 32, № 10. — P. 1920 — 1927.
  123. Vladimirov V.I. The criterion for dislocation crack nucleation // Int. J. Fracture. -1975. Vol. 11. — P. 359−361.
  124. A.A., Воробьев Г. А. Электрический пробой и разрушение твердых диэлектриков. М.: Высшая школа, 1966. 224 с.
  125. Chandra В.Р., Sahu R.B. Dielectric breakdown during mechanical deformation of solids // Cryst. Res. and Technol. -1983. -Vol. 18. № 10. -P. 1319−1324.
  126. А.И. Упрочнение металлов под воздействием УФ-излучения // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. — № 23. — С. 14−18.
  127. Н.А., Сейсян Р. П. Моделирование фотохимических превращений и фотопотемнения пленок фоторезисторов под действиемимпульсного вакуумного ультрафиолетового излучения // Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 34. — Вып. 7. — С. 857−860.
  128. В.П., Жеков В. И., Мурина Т. М., Нагли JI.E., Прохоров A.M. Свечение фотоионизации из возбужденного состояния некоторых рту-теподобных ионов в щелочно-галоидных кристаллах // Квантовая электроника. 1982. Т. 9. — № 7. — С. 1466−1469.
  129. П.Г., Данилов В. П., Жеков В. И., Мурина Т. М., Прохоров A.M. Образование центров окраски в кристаллах КС1−1п и NaCl-In под действием интенсивного УФ лазерного излучения // ФТТ. 1981.-Т. 23. -№ 6. С. 1829- 1831.
  130. В.П., Мурина Т. М., Прохоров A.M. Циклическая фотоин-жекция электронов и дырок примесными центрами в щелочно-галоидных кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1997. Т. 83. — № 3-С. 388−392.
  131. Н.И., Зилпимиани Д. О., Манжгаладзе П. В., Похотелов О. А. Влияние ультрафиолетового излучения на процессы трещинообразования ионных кристаллов // ФТТ. -1987.- Т. 29- №.2-С. 581−583.
  132. Plushnikova T.N., Chivanov A.V., Chemerkina M.V. Behaviour of dislocations at the cracks tip cleavage from exposure to the electromagnetic radiation // EPS-12: General Conference 'Trends in Physics". Budapest, Poster Session 2. P. 67.
  133. М.В., Швецова Е. А. Восстановление сплошности ионных кристаллов при воздействии ультрафиолетового излучения // ВНКСФ 9, Сборник тезисов. Красноярск. 2003. — 4.1. — С. 224 — 226.
  134. В.А., Плужникова Т. Н., Тялин Ю. И. Залечивание трещин, остановившихся при несимметричном сколе в щелочно-галоидных кристаллах и кальците // ФТТ. 2000. — Т. 42. — № 4. — С. 685 — 687.
  135. Victor A. Feodorov, Tatjana N. Plushnicova, Andrei V. Chivanov, Margarita V. Chemerkina Continuity restitution and coloration of alcali- halide crystals // Proceedings of SPAS. St Petersburg. 2004. C. 23 — 24.
  136. Ю.И., Тялина B.A., В. А. Федоров, Чемеркина М.В., А. А. Бутяч. ¦гин Залечивание трещин в щелочно-галоидных кристаллах // ФТТ. -2004. Т. 46. — В. 9. — С. 1614 -1617.
  137. В.А., Плужникова Т. Н., Чиванов А. В., Карыев Л. Г., Чемеркина М. В., Тялин Ю. И. Оценка качества залечивания микротрещин в ЩГК// Сборник тезисов XV Международной конференции «Физика прочности и пластичности материалов». Тольятти. 2003. — С. 1−36.
  138. Упругий двойник можно получить, действуя на кристалл сосредоточенной нагрузкой, передаваемой поверхности кристалла через сферический индентор (стальной шарик 0−1,5 мм.) рис. 1.2.
  139. Рис. 1.2. Упругий двойник в кальците, возникающий при приложении сосредоточенной нагрузки. В отраженном свете видны интерференционные полосы равной толщины (направление приложения нагрузки указано стрелкой).
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!