Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Исследование электрических и электролюминесцентных характеристик гетероструктур на основе нитрида галлия

Диссертация: Исследование электрических и электролюминесцентных характеристик гетероструктур на основе нитрида галлия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Достоверность результатов: Достоверность полученных результатов достигнута проведением измерений по апробированным методикам на автоматизированных информационных комплексах, укомплектованных новой аттестованной измерительной аппаратурой, согласием экспериментальных результатов и теоретических моделей, развитых в ходе работы, согласием основных результатов, полученных в работе, с данными других… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОСОБЕННОСТИ ИЗЛУЧАЮЩИХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ GaN И ЕГО ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)
    • 1. 1. Характеристики исходных материалов, гетероструктуры
    • 1. 2. Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов с квантовыми ямами
    • 1. 3. Электрические характеристики (ВАХ, ВФХ) СД
    • 1. 4. Изменения люминесцентных электрических свойств СД при длительной работе
    • 1. 5. Рекомбинация в гетероструктурах на основе GaN
    • 1. 6. Электрические поля в гетероструктурах на основе GaN
  • ГЛАВА 2. МОДЕЛИ РЕКОМБИНАЦИИ В НЕОДНОРОДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
    • 2. 1. Кинетические коэффициенты генерационно-рекомбинационных процессов
    • 2. 2. Обобщенная модель рекомбинации в неоднородных полупроводниковых структурах
    • 2. 3. Модель туннельной рекомбинации в квантоворазмерных структурах
    • 2. 4. Расчет вероятности туннелирования через барьер на границе с квантовой ямой
    • 2. 5. Анализ вольт-амерных характеристик туннельно-рекомбинационных токов в структурах с квантовыми ямами
  • Выводы к главе 2
  • ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ И МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
  • AlGaN/InGaN/GaN
    • 3. 1. Определение концентрационного профиля легирующей примеси по ВФХ.44 3.2. Измерение вольт-амперных характеристик
    • 3. 3. Основные параметры, характеризующие процесс токопереноса. 3.4. Моделирование параметров В АХ светодиодов с квантовой ямой при малых напряжениях прямого смещения
    • 3. 5. Оценка степени неоднородности материала. Определение дисперсии
    • 3. 6. Спектры электролюминесценции и фотоЭДС
    • 3. 7. Аппроксимация экспериментального спектра ЭЛ
    • 3. 8. Определение ширины запрещенной зоны поглощающего материала по спектру фотоЭДС
  • Выводы к главе 3
  • ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И СПЕКТРАЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ InGaN/SiC
    • 4. 1. Исследование емкостных характеристик
    • 4. 2. Исследование температурных зависимостей ВАХ. Определение преобладающего механизма токопереноса
    • 4. 3. Определение высоты потенциального барьера
    • 4. 4. Определение вероятности туннелирования
    • 4. 5. Определение высоты и ширины барьера по процентному отклонению тока f от ВАХ при низкой температуре
    • 4. 6. Определение типа проводимости в исследуемой структуре
    • 4. 7. Изучение времени жизни
    • 4. 8. Исследование подвижности
    • 4. 9. Исследование спектров электролюминесценции
    • 4. 10. Определение концентрации примеси в более легированной области структуры
    • 4. 11. Исследование времени релаксации и поперечной подвижности в структуре
    • I. nGaN/SiC
  • Выводы к главе 4
  • ВЫВОДЫ ПО ДИССЕРТАЦИИ
  • СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Исследование электрических и электролюминесцентных характеристик гетероструктур на основе нитрида галлия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

Излучающие гетероструктуры с квантовыми ямами (КЯ), изготовленные на основе полупроводников типа AmBv, в последнее время являются предметом интенсивного исследования. Повышенный интерес к ним вызван возможностью создания высокоэффективных сверхъярких светодиодов (СД) и инжекционных лазеров, а также улучшением параметров лазеров и полевых транзисторов, по сравнению со структурами, использующими р-п переходы. Кроме того, в приборах с КЯ проявляются эффекты размерного квантования, возможность управления пиками электролюминесценции за счёт варьирования толщинами слоев. Это новое направление в оптике полупроводников, и изучение процессов, имеющих место в таких гетероструктурах, является интересной и актуальной задачей.

В последние годы получили широкое распространение СД на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN, InGaN/SiC которые активно используются в СВЧ — системах и приборах, работающих в экстремальных ситуациях. Налажен их промышленный выпуск, непрерывно расширяются области применения. Излучающие гетероструктуры из нитрида галлия и твердых растворов на его основе являются наиболее перспективными источниками спонтанного и когерентного излучений в коротковолновой и в ультрафиолетовой областях спектра. В структурах с модулированным легированием достигают высокой подвижности в диапазоне малых напряжений, что позволяет уменьшить паразитное сопротивление и понизить напряжение насыщения вольт-амперных характеристик транзистора.

Несмотря на то, что подобные структуры созданы и получили уже широкое распространение не только в технике, но и в быту, полностью физика всех процессов, происходящих в них, еще не исследована и представляет большой интерес, как с точки зрения науки, так и с позиций улучшения потребительских свойств.

В связи с этим, представленная диссертационная работа является актуальной, так как в ней предложена физическая модель туннельной рекомбинации в квантоворазмерных структурах, которая позволила описать явления в исследуемых структурах AlGaN/InGaN/GaN и InGaN/SiC.

Цель работы:

Разработка модели туннельной рекомбинации для гетероструктур с КЯ и определение основных механизмов токопереноса в гетроструктурах на основе GaN. Исследование особенностей электрических и электролюминесцентных характеристик изучаемых структур.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Предложена модель для туннельно-рекомбинационного тока в КЯ. Из общего выражения получаются частные: ток, ограниченный туннелированиемток, ограниченный скоростью рекомбинации в КЯ.

2. Разработана методика, позволяющая оценить степень легирования структуры на основе исследования ее вольт-амперных (ВАХ) и вольт-фарадных (ВФХ) характеристик.

3. Проведено экспериментальное исследование электрических и электролюминесцентных характеристик структур AlGaN/InGaN/GaN и InGaN/SiC.

Научная новизна:

1. Получено выражение для туннельно-рекомбинационного тока в КЯ, включающее в себя как частные случаи: ток, ограниченный туннелированиемток, ограниченный скоростью рекомбинации.

2. Установлено, что в неоднородных структурах AlGaN/InGaN/GaN и InGaN/SiC преобладает туннельный механизм переноса тока. ВАХ исследуемых структур описываются моделью, предложенной в данной работе.

3. На основании исследования подвижности и времени жизни показано, что в области азотных температур рассеяние носителей заряда в гетероструктуре InGaN/SiC преимущественно происходит на акустических (АК) фононах, в области комнатных температур преобладающим становится механизм взаимодействия с полярными оптическими (ПО) фононами. Смена механизмов рассеяния происходит в диапазоне 120 -160 К.

Практическая значимость:

1. Предложена методика, позволяющая определять концентрацию легирующей примеси в пи р-областях на основе исследования емкостных и вольт-амперных характеристик.

2. Определен характер зависимости подвижности и времени жизни структуры InGaN/SiC от прикладываемого напряжения и температуры.

3. Показано, что температурное гашение ЭЛ в структуре InGaN/SiC происходит за счет безызлучательной рекомбинации с участием уровней 0,03 и 0,06 эВ.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Разработана модель туннельно-рекомбинационного тока в структурах с КЯ, на основании которой можно описать ВАХ исследуемых структур;

2. Параметр модели у, полученный из эксперимента, позволяет определять концентрацию носителей в более легированной области гетероструктуры;

3. Определяющим механизмом токопереноса в гетероструктурах AlGaN/InGaN/GaN и InGaN/SiC является туннелирование;

4. Особенности спектров ЭЛ в области комнатных температур связаны с рассеянием носителей на ПО фононах, что подтверждается расчетами. Безызлучательная рекомбинация в структуре InGaN/SiC происходит с участием уровней с энергиями 0,03 и 0,06 эВ и вызывает температурное гашение ЭЛ;

5. Из комплексного анализа емкостных и вольт-амперных характеристик можно определить ряд важных параметров структур с КЯ, таких как высота потенциального барьера, подвижность, время жизни носителей, степень легирования.

Апробация работы: По материалам диссертации были представлены тезисы и доклады на следующие конференции: Международная конференция «Оптика полупроводников», (г.Ульяновск, 2000), Международная конференция «Оптика, оптоэлектроника и технологии», (г.Ульяновск, 2001, 2002, 2003), Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (г. Санкт-Петербург, 2002, 2004), IX Международная конференция «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (г. Кемерово, 2004).

Достоверность результатов: Достоверность полученных результатов достигнута проведением измерений по апробированным методикам на автоматизированных информационных комплексах, укомплектованных новой аттестованной измерительной аппаратурой, согласием экспериментальных результатов и теоретических моделей, развитых в ходе работы, согласием основных результатов, полученных в работе, с данными других исследователей.

Личное участие автора. В диссертационной работе изложены результаты полученные как лично автором, так и в соавторстве. Все экспериментальные результаты работы, расчеты и обработка результатов получены и выполнены автором самостоятельно. Научным руководителем оказана помощь в интерпретации некоторых экспериментов и разработке модели.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 10 печатных работ, в том числе 6 статей и 4 тезисов докладов, опубликованных в сборниках трудов конференций.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы. Диссертация изложена на 118 листах, содержит 49 рисунков, 2 таблицы, список литературы из 99 наименований.

ВЫВОДЫ ПО ДИССЕРТАЦИИ:

1. Разработана модель для описания туннельно-рекомбинационного тока в структурах с КЯ. Показано, что предложенная модель хорошо согласуется с экспериментальными результатами.

2. Установлено, что в структурах AlGaN/InGaN/GaN и InGaN/SiC основной механизм токопереноса при прямом смещении — туннелирование с участием прыжковой проводимости. Предложена методика, позволяющая оценить степень легирования структуры на основе исследования ВАХ и ВФХ. Концентрации примеси в более и менее легированных областях.

1 о 1 1 ^ 1 гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN имеют порядок 10 см" и 10 см", в гетероструктуре InGaN/SiC — 1017 см" 3 и 1015 см" 3, соответственно.

3. Анализ спектра ЭЛ гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN показал, что КЯ характеризуется эффективной шириной запрещенной зоны Еэфе = 3 эВиз спектра фотоЭДС определена ширина запрещенной зоны поглощающего материала (GaN) Eg = 3.2 эВ.

4. Обнаружены центры безызлучательной рекомбинации с энергиями 0,03 эВ и 0,06 эВ, ответственные за температурное гашение ЭЛ в структуре InGaN/SiC.

5. На основе исследования' подвижности и времени жизни показано, что в области азотных температур рассеяние носителей заряда в гетероструктуре InGaN/SiC происходит на АК фононах, в области комнатных температур преобладающим становится механизм взаимодействия с ПО фононами. Смена механизмов рассеяния происходит при 120 — 160 К. Особенности спектров ЭЛ в области комнатных температур связаны с рассеянием носителей на ПО фононах.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.Э. Светодиоды на основе гетероструктур из нитрида галлия и его твердых растворов // Светотехника, 1996, вып. 5/6, с. 2−7
  2. Н.Б., Иванов A.M., Савкина Н. С. и др. Применение SiC-триодных структур как детекторов ядерных частиц // ФТП, 2002, т.36, вып. З, с. 375 378-
  3. О. Физика полупроводниковых соединений элементов Ш и V групп. М.: Мир, 1967. — 478с.
  4. Н.М., Глебов Б. А., Чарыков Н. А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоиздат, 1990. — 576 с.
  5. Nakamura S., Senoh М., Nagahama S., etc. InGaN/GaN/AlGaN based LEDs and laser diodes // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, Gl. l, 1999.- 17 c.
  6. B.M., Долгинов Л. М., Третьяков Ф. Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, 1975. — 328 с.
  7. А.Н., Маняхин Ф. И. Эффективные светодиоды на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN // МЭТ, 1998, № 1, с. 57−63
  8. Ю.Н., Востоков Н. В., Гапонова Д. М. и др. Влияние параметров сапфировых подложек на кристаллическое качество слоев GaN // ФТП, 2005, т. 39, вып. 1, с.5−7
  9. В.В., Заварин Е. Е., Бесюлькин А. И. и др. Гетероструктуры AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений // ФТП, 2004, т. 38, вып. 11, с. 1364−1367
  10. М.Г., Шубина Т.В.,.Жмерик В. Н и др. Фононная люминесценция экситонов в слоях GaN, выращенных методами молекулярно-пучковой и хлорид-гидридной газофазной эпитаксии // ФТП, 2003, т. 37, вып. 5 с. 552−556
  11. Е. L. Piner, F. G. Mcintosh, N. A. El-Masry, etc. Growth and Properties of InGaN and AlInGaN Thin Films on (0001) Sapphire // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 1996,43
  12. Chichibu S.F., Sota Т., Wada K., etc. Spectroscopic studies in InGaN quantum wells.// MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.7, 1999. 14 c.
  13. Chiu S.-Y., Anwar A.F.M., Wo S. Base transit time in abrupt GaN/InGaN/AlGaN HBTs // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G6.7, 1999−6 c.
  14. Д.С., Сизов B.C., Заварин E.E. и др. Исследование статистики носителей в светодиодных структурах InGaN / GaN // ФТП, 2005, т. 39, вып. 4, с. 492−496
  15. Takeshi Uenoyama Optical gain spectra in InGaN/GaN quantum wells with the compositional fluctuations // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.9, 1999.-6 c.
  16. Andreev A.D., O’Reilly E.P. Theory of the gain caracteristics of InGaN/AlGaN QD lasers //MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G6.45, 1999.-6 c.
  17. Hofstetter D., Thornton R.L., Romano L.T., etc. Characterization of InGaN/GaN- based multi-quantum well distributed feedback lasers // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.2, 1999−6 c.
  18. Wetzel C., Nitta S., Takeuchi Т., etc. On the bandstructure in InGaN/GaN heterostructures strain, band gap and piezoelectric effect // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 31, 1998. — 10 c.
  19. Pophristic M., Long F.H., Train C., Ferguson I. Time-resolved spectroscopy of InGaN // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W11.58, 1999.-6 c.
  20. Morckoc H., Cingolani R., Lambrecht W., etc. Material properties of GaN in the context of electron devices // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G1.2, 1999.-9 c.
  21. Bonfinilio A., Lomascolo M., Traetta G., etc. The influence of internal electricfield on the emission energy of GaN/AlGaN MQWs // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G5.2, 1999.- 6 c.
  22. Shur M.S., Bykhovsky A.D., Gaska R. Pyrjelectric and piezoelectric properties of GaN- based materials // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.2, 1999.12 c.
  23. Monemar В., Bergman J.P., Daflors J., etc. Mechanism for radiative recombination in InO.15GaO.85N/GaN MQW structures // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.5, 1999. -6 c.
  24. Przhevalskii T.I.N, Karpov S. Yu., Makarov Yu.N. Temperature distribution in InGaN MQW LEDs under operations // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 30, 1998.-6 c.
  25. B.E., Мамакин C.C., Юнович А. Э. Влияние сапфировой подложки на спектры излучения светодиодов из нитрида галлия // Письма в ЖТФ, 1999, т.25, вып. 13. с. 68−72
  26. Sakharov A.V., Lundin W.V., Usikov A., etc. Heterostructure for UV LEDs based on thick AlGaN layers // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 28, 1998. -4 c.
  27. К.Г., Кудряшов B.E., Туркин A.H., Юнович А. Э. Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе многослойных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами // ФТП, 1997, т.31, № 9, с.1055−1058
  28. В.Е., Туркин А. Н., Маняхин Ф. И. и др. Люминесцентные и электрические свойства светодиодов InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами // ФТП, 1999, т. ЗЗ, вып.4, с. 445−450
  29. А.Н., Маняхин Ф. И., Юнович А. Э. и др. Люминесценция р-п-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при ударной ионизации // ФТП, 1998, 32, № 1, с.63−67
  30. К.Г., Кудряшов В. Е., Туркин А.Н и др. Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами
  31. ФТП, 1997, 31, № 11, с.1304−1309
  32. А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В. Е и др. Изменения люминесцентных электрических свойств светодиодов из гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе // ФТП, 1999, т. З, вып.2, с.224−232
  33. В.Е., Туркин А. Н., Юнович А. Э. и др. Взаимосвязь изменения распределения концентрации заряженных центров и характеристик светодиодных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при длительном протекании прямого тока // МЭТ, 1998, № 3, с.60−64
  34. Suski Т., P. Perlin, Н. Teisseyre etc. Mechanism of yellow luminescence in GaN // Applied Physics Letters 67(15), 1995, 2188
  35. B.E., Маняхин Ф. И., Юнович А.Э и др. Спектры и квантовый выход излучения светодиодов с квантовыми ямами на основе гетероструктур из GaN — зависимость от тока и напряжения // ФТП, 2001, том 35, вып. 7, с.861−868
  36. B.C., Четверикова И. Ф., Чукичев М, В,. Центры с глубокими уровнями в полупроводниках. Тр. межд. конф. -Ульяновск, 1997, с. 114.
  37. А.Э. Дивакансии азота возможная причина желтой полосы в спектрах люминесценции нитрида галлия // ФТП, 1998, т. 32, вып. 10, с. 11 811 183
  38. Н.И., Zhirnov Е.А., Ефремов А. А. и др. Туннельно-рекомбинационные токи и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов // ФТП, 2005, т. 39, вып. 5, с. 627−632
  39. С.С., Юнович А. Э., Ваттана А. Б., Маняхин Ф. И. Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе гетеропереходов InGaN/GaN с модулированно-легированными квантовыми ямами // ФТП, 2003, т. 37, вып. 9, с.1131−1137
  40. Ponce F.A., Bour D.P. Nitride-Based Semiconductors for Blue and Green Light-Emitting Devices //Nature. 1997. Vol. 386. p. 351−359
  41. Egava Т., Ishikava H., Jimbo Т., Umeno M. Polarized reflectance spectroscopyand spectroscopic ellipsometry determination of the optical anisotropy of GaN on sapphire // MRS Symp. Proc., 1997,449, 1191
  42. Osinski M., Perlin P., Eliseev P.G. Degradation mechanisms in AlGaN/InGaN/GaN light sources //MRS Symp. Proc., 1997,449, 179
  43. Nakamura S., Senoh M., Isava N. High-Brightness InGaN Blue, Green and Yellow Light-Emitting Diodes with Quantum Well Structures // Jpn. J. Appl. Phys., 1995, 34, pt. 2, L1332
  44. Yunovich A.E., Kudryashov V.E., Mamakin S.S., etc. Electroluminescence Properties of InGaN/AlGaN/GaN Light Emitting Diodes with Multiple Quantum Wells //Phys. St. Sol. (a), 1999, 176 (1), 125
  45. Gardner N., Kocot C., Goetz W., etc. Microstructure of InGaN quantum wells // 4th Int. Conf. on Nitride Semicond. (Denver, July, 2001) Book of Abstract, p. 38, PM B6.1
  46. Lefebre P., Allegre J., Gil В., etc. Observation of long-lived oblique excitons in GaN-AlGaN multiple quantum wells // Phys. Rev. B, 1999, 59 (15) 363, p. 1 024 610 250
  47. Bernardini F., Fiorentini V. Macroscopic polarization and band offsets at nitride heterojunctions // Phys. Rev. B, 1998, 57 (16), p. R9427-R9430
  48. C.H., Разжувалов A.H. Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGal-xN (0001) // ФТП, 2003, т. 37, вып. 4, с.'450−455
  49. С.И. Квантово-размерный эффект Штарка в квазинульмерных полупроводниковых структурах //ФТП, 2000, т.34, в.9, с. 1120−1124
  50. Chichibu S.F., DenBaars S. P, Wada К., etc. Emission mechanisms of bulk GaN and InGaN quantum wells prepared by lateral epitaxial overgrowth // Mater. Sci. Eng. 59, 1999, 298
  51. Hangleiter A., Im IS., Kollmer H., etc. Piezoelectric Field Effect on Optical Properties of GaN/GalnN/AlGaN Quantum Wells // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 1999,4S11, G6.20
  52. Н.С., Евстигнеева Е. А., Лакалин А. В. Исследование ВАХ и спектров электролюминесценции светодиодов с квантовой ямой, изготовленных на основе GaN // Известия ВУЗов, сер. Электроника, № 3, 2002, с.48−56
  53. Н.С., Евстигнеева Е.А, Лакалин А. В. Исследование вольт-амперных характеристик светодиодов, изготовленных на основе GaN с квантовой ямой // Ученые записки УлГУ, Сер.Физ., 2001, вып. 2(11), с.31−40
  54. Н.С., Евстигнеева Е.А, Лакалин А. В., Романова Н. В. Неоднородности в структурах на основе GaN // Ученые записки УлГУ, Сер.Физ., 2003, вып. 1
  55. Е.А. Исследование температурных зависимостей вольт-амперных характеристик светодиодов, изготовленных на основе GaN с квантовыми ямами // Труды молодых ученых УлГУ, 2001, с. 19−20
  56. Н.С., Дуванова Н.В, Евстигнеева Е. А., Потанахина Л. Н Исследование туннелирования в гетероструктуре на основе нитрида галлия // Труды V международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», Ульяновск, 2003 г., с.75
  57. Н.С., Дуванова Н. В., Логинова Е. А. Спектры люминесценции и электрические характеристики структуры InGaN/SiC // Ученые записки УлГУ, Сер.Физ., 2004, вып. 1(16), с.3−6
  58. Н.С., Дуванова Н. В., Логинова Е. А. Исследование времени релаксации и поперечной подвижности в структуре InGaN/SiC // Ученые записки УлГУ, Сер.Физ., 2004, вып. 1(16), с.26−29
  59. Н.С., Дуванова Н. В., Логинова Е. А. Структуры InGaN/SiC с модулированным легированием // Ученые записки УлГУ, Сер.Физ., 2004, вып. 1(16), с.30−39
  60. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990−688 с.
  61. Зи С. Физика полупроводниковых приборов / В 2-х томах М.: Мир, 1984 -456 с.
  62. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. -М.: Мир, 1977. -С. 562.
  63. ., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. М.: Мир, 1978.-304 с.
  64. Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических полупроводниках. М.:Мир, 1982. — 662с.
  65. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах./ В 2-х томах. М.: Мир, 1984−219 с.
  66. Ladsberg Р.Т., Browke D.C. A level spectrum versus a single level in recombination // Semicond. Sci. Technol. 1988. p. 193 201
  67. C.B., Грушко H.C., Лакалин A.B.Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам р-п-перехода // ФТП, 1998, т. 32, вып. 10, с. 1193−1196
  68. С.В., Воробьев М. О., Грушко Н. С., Лакалин А. В. Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней в GaP-светодиодах // ФТП, 1999, т. 33, вып. 6, с.723−726
  69. С.В., Грушко Н. С., Сомов А. И., Лакалин А. В. Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора // ФТП, 1997, т. 31, вып. 9, с. 1146−1150
  70. А.Э., Ормонт А. Б. //ЖЭТФ, т.51, 1966, в.5(11), с.1292−1305.
  71. Д.И. Основы квантовой механики. М.: Наука, 1983, — 664 с.
  72. С.В., Грушко Н. С. Генерационно рекомбинационные процессы в активных элементах. — М.: Изд-во Моск. Ун-та, 1995.- 399 с.
  73. JI.C., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л. :Наука, 1981. — 120с.
  74. В.И. Сильнолегированные полупроводники. М.: Наука, 1967 -320 с.
  75. Я. Экспериментальные методы в фотохимии и фотофизике. В 2-х томах. Т1. М.: Мир, 1985. 608 с.
  76. С. И. Методы измерения основных параметров полупроводников: Учебн. пособие. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1989. — 224 с.
  77. Л.С. Ёмкостные методы исследования полупроводников -Л.: Наука, 1972.- 102с.
  78. В. И. Введение в физику полупроводников. М.: Высш.шк., 1975. — 296 с.
  79. Д.А., Грушко Н. С. Поверхностно-барьерные диоды Шоттки на основе кремния //Микроэлектроника, 2002, т.31, № 2, с. 142−146
  80. С.В., Грушко Н. С. Обобщённая модель рекомбинации в неоднородных полупроводниковых структурах //ЖЭТФ, 2000, т.118, вып.5(11), с.1222−1229.
  81. Шур М. С. Физика полупроводниковых приборов М.: Мир, 1992, т.2 — 974 с.
  82. Под ред. Майссела Л, Глэнга Р. Технология тонких плёнок. Справочник. -М.: Советское радио. 1977. 767с.
  83. С.В., Ионычев В. К., Кузьмин В. В. Туннельная рекомбинация в кремниевых лавинных диодах // ФТП, 2003, т.37, вып.1, с. 117−120
  84. Н.С. Материалы микроэлектронки: Методические указания к лабораторным работам. Ульяновск, 1994
  85. .И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников М.: Наука, 1979. — 416 с.
  86. Н.С., Лакалин А. В., Семёнова О. А. Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе GaN // Учёные записки УлГУ. Серия физическая. 2001, вып.2(11), с.41−44.
  87. Ю., Мануэль Кардона. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит, 2002. — 559с.
  88. Р., Фьюэр М., Ту Ч. Селективно-легированный гетероструктурный транзистор: материалы, приборы и схемы // Арсенид галлия в микроэлектронике. М: Мир, 1988. — 552с.
  89. С.И. Расчёт низкополевой подвижности квазидвумерных электронов сверхрешётк4и GaAs/A10/36Ga0/64As в области температур 77К // ФТП, 2002, т.36, вып.7, с.861−868
  90. А.И., Дрига Ю. А., Гупе Е.Г.и др. Сверхизлучение в квантовых гетероструктурах // ФТП, 2003, т.37, вып.6, с.706 710
  91. А.Н. Оптическая и квантовая электроника. М.: Высшая школа, 2001.-571с.
  92. В.Г., Галиев Г. Б., Пожела Ю. и др. Подвижность электронов в квантовой яме AlGaAs /GaAs/AlGaAs //ФТП, 2002, т36, № 6, стр.713−717
  93. С.Ю. Оценки параметров нитридов элементов третьей группы BN, A1N, GaN и InN // ФТП, 2002, т.36, вып.1, с.45−48
  94. Ю., Пожела К., Юцене В. Подвижность и рассеяние электронов на полярных оптических фононах в гетероструктурных квантовых ямах //ФТП, 2000, т.34, вып.9, с.1053−1057
  95. Pozela К. Electron nonelastik scattering by confined and interface polar opticalphonons in modulation-doped AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well // ФТП, 2001, t.35, вып.11, c.1361−1364
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!