Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Исследование тонких магнитных пленок, полученных высокодозной имплантацией ионов железа в кремний

Диссертация: Исследование тонких магнитных пленок, полученных высокодозной имплантацией ионов железа в кремний
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

ТМП Fe-Si, полученные методом МЛЭ проявляют схожие магнитные свойства. ТМП, полученные методом ИЛС, отличаются тем, что для них ферромагнетизм при комнатной температуре наблюдается, начиная со среднего атомного процента Fe около 15%, что ставит задачу выяснения его природы. Ферромагнетизм может быть объяснен существованием отдельных кластеров (преципитатов) с высоким локальным содержанием железа… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. КТУРА И ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СИЛИЦИДОВ ЖЕЛЕЗА
    • 1. 1. Структурные особенности бинарной системы железо-кремний
    • 1. 2. Мессбауэровские исследования силицидов железа
    • 1. 3. Фазовый состав ионно-синтезированных пленок Fe-S
    • 1. 4. Магнитные свойства тонкопленочных силицидов железа
  • ГЛАВА 2. ТЕХНИКА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Многоуровневая мессбауэровская спектроскопия
      • 2. 1. 1. Селекция по глубине с использованием пропорционального детектора
      • 2. 1. 2. Возможность улучшения статистического качества интегральных спектров
    • 2. 2. Обработка мессбауэровских спектров
      • 2. 2. 1. Аппроксимация спектров и оценка ошибок параметров на основе Байесового подхода
      • 2. 2. 2. Аппроксимация спектров с помощью функций Войта
    • 2. 3. Автодинный метод измерения магнитной восприимчивости
    • 2. 4. Объекты исследования
  • ГЛАВА 3. МЕССБАУЭРОВСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ИОННО СИНТЕЗИРОВАННЫХ ПЛЕНОК ЖЕЛЕЗО-КРЕМНИЙ
    • 3. 1. Интегральный по толщине пленки фазовый анализ
    • 3. 2. Селективный по глубине пленки фазовый анализ
  • ГЛАВА 4. ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНОЙ ВОСПРИИМЧИВОСТИ
    • 4. 1. Угловые зависимости восприимчивости
    • 4. 2. Полевые зависимости восприимчивости
  • ГЛАВА 5. ПРИМЕНЕНИЕ ТЕОРИИ МИКРОМАГНЕТИЗМА К ОПИСАНИЮ МАГНИТНЫХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ЖЕЛЕЗО-КРЕМНИЙ
    • 5. 1. Связь измеряемой в автодинном методе величины с магнитными характеристиками пленок
    • 5. 2. Численное моделирование зависимостей восприимчивости

Исследование тонких магнитных пленок, полученных высокодозной имплантацией ионов железа в кремний (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Бинарная система железо-кремний, в зависимости от компонентного состава, условий получения и обработки, проявляет широкий спектр физических свойств. Это практически важное качество объясняется многообразием возможных фазовых состояний системы [1]. Исследование сплавов железа с кремнием ведется с начала XX века [2] и стимулируется практически важной областью их применения в электротехнике.

В качестве отдельного направления за последние 20−30 лет сформировались исследования по тонким пленкам железо-кремний. Интерес к тонким пленкам объясняется рядом причин. Первая и доминирующая по числу публикаций за последние 10 лет причина — свойства фазы p-FeSI2, прямозонного полупроводника с шириной запрещенной зоны 0.85 эВ. Устойчивость p-FeSI2 в широком диапазоне температур и технологичность кремния делает перспективным разработку инфракрасных (ИК) излучателей [3] на основе кремния, способных заменить существующие РЖ-излучатели на основе InP (фосфида индия). Практическая реализация этих перспектив требует развития технологии получения качественных тонких пленок |3-FeSI2 на монокристалле кремния.

Вторая — в тонкой (<1мкм) пленке, полученной на монокристаллическом кремнии различными методами, реализуются фазы, не существующие при нормальных условиях в виде отдельного массивного кристалла, например, у-FeSÍ-2. Свойства тонких пленок, содержащих метастабильные фазы, в настоящее время мало изучены, и здесь можно ожидать появления новых интересных результатов.

Третья — магнитные свойства пленок. На основе магнитных фаз Fe-Si, например, Fe3Si, возможно создание нового класса устройств магнитной памяти. Одно из принципиальных решений, позволяющих на порядки увеличить плотность магнитной записи, состоит в использовании в качестве носителя информации обменно-несвязанных магнитных наночастиц вместо границ между доменами. Самоформирование наночастиц при ИЛС и МЛЭ делает возможным применение ТМП, полученных этими методами, в таких устройствах «нанопамяти» и требует изучения механизмов роста наночастиц и исследования их магнитных свойств.

Ферромагнитная фаза Fe3Si обладает металлическим типом проводимости. На границе между n-Si и пленкой Fe3Si образуется барьер Шоттки, обладающий поляризующими свойствами для электронов проводимости, т. е. такой переход Шоттки может найти применение в зарождающейся области микроэлектроники — спинтронике [4]. Кроме того, такой переход может быть использован для создания магнитных датчиков [5].

Ферромагнитные ТМП, полученные МЛЭ и ИЛС на монокристаллической кремниевой подложке (111) проявляют неожиданную магнитную симметриюодноосную анизотропию [6,7]. Выяснение природы этой анизотропии важно с точки зрения физики магнитных явлений.

Четвертая причина — при толщинах пленок в десятки и сотни нанометров для кристаллов проявляются эффекты размера, что пересекается с исследованиями по наноматериалам и нанотехнологиям [8−9]. Наночастицы (о механизмах самоформирования наночастиц см. [8]), формирующиеся при МЛЭ и ИЛС непосредственно относятся к области нанотехнологий [10]. Свойства квантовых точек, полученных МЛЭ на монокристаллическом кремнии уже нашли применение в создании высокочувствительных ИК-приемников, повышении КПД кремниевых солнечных батарей, создании каскадных лазеров.

Легкость интеграции методов синтеза слоев железо-кремний в развитую кремниевую технологию микроэлектроники является дополнительным стимулом в изучении тонких пленок Fe-Si.

Перечисленные причины показывают актуальность данной работы. Исследования по тонким пленкам железо-кремний при высоком атомном проценте кремния весьма обширны. Только мессбауэровские исследования представлены в обзоре [11]. В этом направлении исследований остаются нерешенные задачи, например, интерпретация мессбауэровских спектров эпитаксиальной фазы y-FeSI2. Высокое содержание кремния, применение термической и радиационной постобработки пленок, высокая энергия имплантируемых ионов в методе ИИ — все это имеет конечной целью получение p-FeSI2. При этом в меньшей мере оказываются изученными тонкие пленки железо-кремний включающие макроскопически ферромагнитные фазы — фазы с высоким содержанием железа (например, Fe3Si). Термообработка и мезотаксиальный режим роста пленок, в случае ИЛС, приводят к распаду.

1*7 О зародышей фазы Без Si и до доз 7×10 ион/см ферромагнитных свойств у мезотаксиальных пленок Fe-Si не наблюдается. Тогда как имплантация при комнатной температуре, хотя и сопровождается образованием большого количества дефектов, приводит к появлению магнитных свойств уже с дозы 2×1017 ион/см2.

Объектами исследования, полученными ИЛС при комнатной температуре и проявляющими макроскопические магнитные свойства и анизотропию этих свойств в плоскости пленки [6,12] обоснована научная новизна работы.

ТМП Fe-Si, полученные методом МЛЭ проявляют схожие магнитные свойства [7,13,14]. ТМП, полученные методом ИЛС, отличаются тем, что для них ферромагнетизм при комнатной температуре наблюдается, начиная со среднего атомного процента Fe около 15%, что ставит задачу выяснения его природы. Ферромагнетизм может быть объяснен существованием отдельных кластеров (преципитатов) с высоким локальным содержанием железа, а также свойствами дефектов (W'-центров), соответствующие неспаренные электроны которых могут играть роль центров обменного взаимодействия [15], аналогично атомам железа. Отдельная задача — выяснение природы магнитной анизотропии.

Высокая концентрация дефектов, значительно превышающая дозу аморфизации, которая сопровождает получение ТМП Fe-Si методом ИЛС, может сыграть важную роль в формировании свойств таких пленок. Например, недавняя публикация в Nature [16], предлагает неординарное решение проблемы создания прямозонного полупроводника на основе кремния и, возможно, определит новое направление работ в этой области. Группой ученых университета Surrey (Англия) был создан кремниевый светодиод ИК диапазона без участия фазы f3-FeSI2. Излучающий р-n переход был изготовлен имплантацией ионов бора в n-Si. Основная идея этой работы состоит в том, что дефекты кристаллической решетки кремния локально изменяют его зонную структуру и делают его прямозонным. Хотя ясного понимания механизмов этого превращения нет, авторам удалось подбором режима термообработки, исключающего полный отжиг дефектов, добиться КПД светодиода на уровне 0.1%. Термообработка в данном случае использовалась для диффузии и слияния дефектов с целью образования полостей достаточно больших размеров. Такой подход показывает высокую значимость исследований структур с большой концентрацией дефектов [17]. В этом отношении методы ИЛС и ионной обработки, с помощью которых можно управлять образованием дефектов, играют ключевую роль. Аморфные полупроводники на основе Fe-Si также представляют большой практический интерес [18,19].

Целью работы было исследование структурных и магнитных свойств тонких пленок, полученных высокодозной имплантацией ионов железа в монокристалл кремния, находящийся при комнатной температуре. При выполнении работы решались следующие задачи:

• Развитие методики селективных по глубине мессбауэровских исследований на электронах конверсии с использованием пропорционального детектора.

• Разработка и реализация методов анализа экспериментальных данных, получаемых в автодинном методе измерения магнитной восприимчивости тонких пленок [20].

• Проведение селективных по глубине мессбауэровских исследований тонких магнитных пленок, полученных высокодозной имплантацией ионов железа в кремний. Анализ влияния режимов синтеза пленок на их структуру и фазовый состав.

• Измерения магнитной восприимчивости тонких пленок железо-кремний автодинным методом. Определение численных характеристик и вида одноосной анизотропии.

Структурно диссертация состоит из пяти глав. В первой главе приводится ф краткий литературный обзор по системе Fe-Si, в частности, по исследованиям структурных и магнитных свойств тонкопленочных железо-силицидных пленок. Во второй главе описываются использованные экспериментальные методы — МСКЭ и автодинный метод измерения магнитной восприимчивости. Подробно изложена методика многоуровневой мессбауэровской спектроскопии (ММС), разработанная при непосредственном участии автора диссертации. Отдельный раздел второй главы посвящен математическим методам интерпретации мессбауэровских спектров и оригинальной методике оценки ^ ошибок определяемых параметров, основанной на теореме Байеса. Для автодинного метода показана связь измеряемой величины с магнитными характеристиками образца. В третьей главе содержатся результаты фазового и структурного анализа пленок на основе данных МСКЭ и СГМСКЭ для ТМП Fe-Si. В четвертой главе приведены экспериментальные результаты для измерений магнитной восприимчивости, на основании которых строится модель невзаимодействующих однодоменных магнитных частиц. Результаты численного эксперимента с использованием этой модели представлены в пятой ф главе.

В конце диссертации сформулированы основные выводы по работе.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах.

6],[12],[54],[77],[100−104].

Показать весь текст

Список литературы

  1. О. Диаграммы состояния двойных систем на основе железа / О. Кубашевски — М: Металлургия — 1985 — 184с.
  2. D. Leong, М. Harry, К.J. Reeson, К.Р. Homewood A silicon/iron-disilicidelight-emitting diode operating at a wavelength of 1.5 Jim // Nature 1997 -V.387-P.686−688.
  3. R. Jansen The spin-valve transistor: a review and outlook // J. Phys. D: Appl. Phys. 2003. — V.36. — P. R289-R308.
  4. P. Muret, I. АН, M. Brunei Semiconducting iron silicide thin films on silicon (111) with large Hall mobility and low residual electron concentration // Semicond. Sci. Technol. 1998- V.13.-P.1170−1179.
  5. Н.Г. Ивойлов, B.A. Чистяков, Д. М. Хрипунов, E.H. Дулов В. Ю. Петухов,
  6. М.И. Ибрагимова Ферромагнитные свойства кластеров Fe-Si, полученных имплантацией ионов железа в кремний // Известия РАН, серия физическая 1999 — Т.63. N7 — С.1435−1439.
  7. М. Cougo dos Santos, J. Geshev, D.K. Silva, J.E. Shmidt, L.G. Pereira, R. Hubler, P. Allongue Strong dependence of Fe thin-film magnetic anisotropy on the Si (lll) substrate preparation // J. of Appl. Phys. 2003. — V94, N3. -P.1490−1494.
  8. М.Г. Мильвидский, В. В. Чалдышев Наноразмерные кластеры вполупроводниках новый подход к формированию свойств материалов // ФТП — 1998 — Т.32, N5 — С.513−522.
  9. I. Levchenko, М. Korobov, М. Romanov, М. Keidar Ion current distribution an a substrate during nanostructure formation // J. Phys. D: Appl. Phys. 2004. -V.37. -P.1690-R1695.
  10. А.И. Нанокристаллические материалы / А. И. Гусев, А. А. Ремпель -М. :Физматлит, 2001. 224 с.
  11. J. Desimoni, F.H. Sanchez Overview of the Mossbauer results obtained on silicon-rich iron silicide epitaxial phases on Si // Hyp.Int. 1999 — V.122. -P.277−307.
  12. А.Ф. Хохлов, П. В. Павлов Ферромагнетизм кремния, обусловленный радиационными дефектами // Письма в ЖЭТФ 1976 — Т.24, вып.4 -С.238−240.
  13. Wai Lek Ng, М.А. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, and K.P. Homewood An effective room temperature silicon-based light-emitting diode //Nature 2001 — V.410 P.192−194.
  14. Э.А. Штейнман, В. И. Вдовин, A.H. Изотов, Ю. Н. Пархоменко, А. Ф. Борун Фотолюминисценция и структурные дефекты слоев кремния, имплантированных ионами железа // ФТТ 2004 — Т.46, вып.1 — С.26−30.
  15. М. Milosavljevic, G. Shao, N. Bibic, C.N. McKinty, С. Jeynes, K.P. Homewood Amorphous iron disilicide: A promishing semiconductor // Appl. Phys. Lett. -2001. V.79, N10 — P.1438−1440.
  16. J.H. Je, H.K. Kim, D.Y. Noh Amorphous, silicide and crystalline Fe filmsgrown on Si (OOl) by radio-freqency magnetron sputtering // J. of Mat. Res. -1999. V.14, N4 — P.1658−1663.
  17. Н.Г. Ивойлов, Д. М. Хрипунов, B.A. Чистяков Измеритель частотной, полевой и температурной зависимостей магнитной восприимчивости тонкопленочных образцов // ПТЭ 1997 — V.40 N4 Р. 146−149.
  18. S.J. Clark, Н.М. Al-Allak, S. Brand, R.A. Abram Structure and electronic properties of FeSi2 // Phys. Rev. В 1998 — V.58. — P.10 389−10 393.
  19. L. Yangchun, S. Liling, C. Limin, Zh. Jianhua, W. Haiyan, N. Yun, G. Zhenshan, W. Wenkui Growth of bulk single crystals P-FeSi2 by chemical vapour deposition // Sci. in China (ser. G) 2003. — V.46 N1 — P.47−51.
  20. H. Reuther, G. Behr, A. Teresiak Determination of the hyperfine parameters of a-FeSi2 by angle dependent Mossbauer spectroscopy on single crystal // J. Phys: Condensed Matter (letter to editor) 2001 — V. l3. — P. L225-L229.
  21. E.P. Elsukov, G.N. Konygin, V.A. Barinov, E.V. Voronina Local atomic environment parameters and magnetic properties of disordered crystalline and amorphous iron-silicon alloys // J. Phys: Condensed Matter 1992 — V.4. -P.7597−7606.
  22. J. Desimoni, F.H. Sanchez Epitaxial gamma-iron silicide grown on single crystal Si. Asummary of Mossbauer results // Hyp.Int. 1998 — V. l 13. — P.403−410.
  23. M. Fanciulli, G. Weyer, H. von Kanel, N. Onda Conversion electron mossbauer spectroscopy study of iron silicide films grown by MBE // Phys. Scripta 1994 — V.59. — P. 16−20.
  24. В.И. Николаев, A.M. Шипилин, И. Н. Захарова Об оценке размеров наночастиц с помощью эффекта Мессбауэра // ФТТ 2001 — Т.43. вып.8 -С.1455−1457.
  25. Г. Н. Мессбауэровская спектроскопия как метод исследования поверхности / Г. Н. Белозерский М. гЭнергоатомиздат, 1990. — 352 с.
  26. Ю.Ф. Электронная ЯГР-спектроскопия: Учеб. пособие /
  27. Ю.Ф. Бабикова, П. Л. Грузин, Ю. В. Петрикин М.:МИФИ, 1985. — 80 с.
  28. R.I. Khaibullin, V.A. Zhikharev, Yu.N. Osin, E.P. Zheglov, I.B. Khaibullin, B.Z. Rameev, B. Aktas // Structural and magnetic properties of iron and cobalt implanted silicone polymers // Nucl. Instr. and Meth. В 2000 — V.166−167. -P.897−902.
  29. X.D. Ma, Y.H. Liu, L.M. Mei Study of the coupling of interlayers in compositionally modulated FeSi/Si amorphous films by conversion electron Mossbauer spectroscopy // J. Phys: Condensed Matter 1991 — V.3. — P.7139−7144.
  30. B.B. Мессбауэровские метода анализа атомной и магнитной структуры сплавов / В. В. Овчинников М.:Физматлит, 2002. — 256 с.
  31. I. Vavra, J. Bydzovsky, P. Svec, M. Harvanka, J. Derer Structural, electrical and magnetic properties of Fe/Si and Fe/FeSi multilayers // Acta Phys. Slovaca -1998. V.43 N6 — P.743−746.
  32. B.D. Sawicka, J.A. Sawicki, J. Stanek, T. Tyliszczak, J. Kowalski Temperature dependent conversion electron Mossbauer measurements of 57Fe implanted in silicon and germanium // Phys. Stat. Sol.(a) 1979 — V.56. — P.451−456.
  33. J. Sawicki, B. Sawicka, J. Stanek, J. Kowalski Mossbauer study of heat treated 57Fe implanted silicon // Phys. Stat. Sol.(b) 1976 — V.77. — K1-K4.
  34. B.D. Sawicka, J.A. Sawicki Evidence of the electric quadrupole coupling of 57Fe implanted in silicon // Phys. Letters A 1977 — V.64. — P.311−312.
  35. M. Dobler, H. Reuther, M. Betzl, M. Mader, W. Moller Investigations of ion implanted iron silicide layers after annealing and irradiation // Nucl. Instr. and Meth. В 1996 — V. l 17. — P. l 17−122.
  36. M. Dobler, H. Reuther CEMS study of iron disilicide formation by ironimplantation into silicon // Nucl. Instr. and Meth. В 1999 — V. l55. — P.468−478.
  37. F.H. Sanchez, M.B. Fernandez van Raap, J. Desimoni Structural composition dependence of amorphous silicon-iron prepared by ion implantation and by coevaporation: A Mossbauer study // Phys. Rev. Letters В 1991 — V.44. -P.4290−4295.
  38. S. Kruijer, W. Keune, M. Dobler, H. Reuther Depth analysis of phase formation in Si after high-dose Fe ion implantation by depth-selective conversion electron Mossbauer spectroscopy // Appl. Phys. Lett. 1997 — V.70 No.20 — P.2696−2698.
  39. M. Dobler, H. Reuther, W. Moller Microdisperse iron silicide structures produced by implantation of iron ions in silicon // Hyp. Int. 1998 — V. l 12(¼) -P.185−188.
  40. M. Walterfang, S. Kruijer, M. Dobler, H. Reuther, W. Keune Phase analysis in a-Fe after high-dose Si ion implantation by depth-selective conversion-electron Mossbauer spectroscopy (DCEMS) // Hyp. Int. 2000 — V. 126 — P.219−222.
  41. C.B. Магнетизм / C.B. Вонсовский M.: Наука, 1971. — 1032 с.
  42. В.Ю. Петухов, И. Б. Хайбуллин, М. М. Зарипов, Р. А. Манапов Магнитные свойства кремния, имплантированного ионами железа // ФТТ 1984 — Т.26 — С.1392−1397.
  43. В.Ю. Радиационная физика твердого тела: Учебно-методическое пособие / В. Ю. Петухов, М. И. Ибрагимова, И. А. Файзрахманов, Г. Г. Гумаров Казань, 1998 — 108 с.
  44. В.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках / В. В. Емцев, Т. В. Машовец М.:Радио и связь, 1981. — 248 с.
  45. Г. Г. Ионно-лучевой синтез силицидов металлов подгруппы железа в кремнии / Г. Г. Гумаров- Казанский Физико-Технический Институт Казань, 2001 — 220 с.
  46. Н. Busse, J. Kandler, В. Eltester, К. Wendelt, G.R. Castro, J.J. Hinarejos, P. Segovia, J. Chrost, E.G. Michel, R. Miranda Metastable iron silicide phase stabilized by surface segregation on Fe3Si (100) // Surface Science 1997 -V.381. — P.133−141.
  47. H.J. Kim, D.Y. Noh, J.H. Je, Y. Hwu Evolution of the surface morphology during Fe/Si (l 11) and Fe/Si (001) heteroepitaxy // Phys. Rev. B. 1999. — V.59, N7 — P.4650−4653.
  48. D. Sander, A. Enders, J. Kirschner Stress evolution during the growth of ultrathin layers of iron and iron silicide on Si (l 11) // Appl. Phys. Lett. 1995. -V.67,N13 -P.1833−1835.
  49. Y. Takagi, A. Nishimura, A. Nagashima, J. Yoshino Formation of iron silicide nanodots on Si (l 1 II Surface Science 2002 — V.514. — P.167−171.
  50. Н.Г. Ивойлов, E.H. Дулов, Д. М. Хрипунов, B.A. Чистяков Многоуровневая мессбауэровская спектроскопия // Известия РАН, серия физическая 2001 — Т.65. N7 — С. 1068−1072.ещ
  51. D. Liljequist, М. Ismail Depth-selective Fe conversion-electron Mossbauer spectroscopy. I. Theory-improved accuracy, angular effects // Phys. Rev. В -1985 V.31. -P.4131−4136.
  52. D. Liljequist, M. Ismail Depth-selective 57Fe conversion-electron Mossbauer spectroscopy. II. Experimental test-angular effects, accuracy // Phys. Rev. В -1985-V.31.-P.4137−4142.
  53. D. Liljequist Escape probability of low-energy electrons emitted in a heterogeneous solid source, and depth distribution analysis in conversion electron Mossbauer spectroscopy // Nucl. Instr. and Meth. В 2001 — V.174. -P.351−360.
  54. D. Liljequist Escape probability of low energy electrons and positrons emittedin random direction beneath a plane solid surface // Nucl. Instr. and Meth. В -1998-V.142. -P.295−307.
  55. J.M. Fernandez-Varea, D. Liljequist, S. Csillag, R. Raty, F. Salvat Monte Carlo simulation of 0.1−100 keV electron and positron transport in solids using optical data and partial wave method // Nucl. Instr. and Meth. В 1996 — V.108. -P.35−50.
  56. L.V. Spencer, J. Coyne Theory of the deep penetration of electrons and charged particles // Phys. Rev. 1962 — V.128, N5 — P.2230−2238.
  57. F. Salvat, J. Parellada Theory of conversion electron Mossbauer spectroscopy (CEMS) //Nucl. Instr. and Meth. В 1984 — V.l. — P.70−84.
  58. J.A. Sawicki, B.D. Sawicka Experimental techniques for conversion electron Mossbauer spectroscopy // Hyp. Int. 1983 — V. l3. — P. l99−219.
  59. E.V. Voronina, N. V. Ershov, A.L. Ageev, Yu.A. Baranov Regular algorithm for the solution of the inverse problem in Mossbauer spectroscopy // Phys. Stat. Sol.(b) 1990 — V.160. — P.625−634.
  60. B.C. Мессбауэровкская спектроскопия локально неоднородных систем / B.C. Русаков Алматы, 2000. — 431 с.
  61. А. Мессбауэровская спектроскопия замороженных растворов / Ред. А. Вертеша, Д. Надя М.:Мир, 1998.-398 с.
  62. Ю.П. Математические методы интерпретации эксперимента: Учеб. пособие для вузов / Ю. П. Пытьев М.: Высшая школа, 1989. — 351 с.
  63. Н.Г. Ивойлов, Е. С. Романов, Е. Р. Акст, P.M. Баязитов Конверсионная мессбауэровская спектроскопия тонких магнитных пленок // Парамагнитный резонанс: Сб. ст. Казань, 1992. — С.89−151.
  64. Lixin Dou, R.J.W Hodgson, D.G. Rancourt Bayesian inference theory applied tohyperfine parameter distribution extraction in Mossbauer spectroscopy // Nucl. Instr. and Meth. В 1995 — V. 100. — P.511−518.
  65. J. Odeurs, G.R. Hoy, Caroline L’Abbe Enhanced resolution in Mossbauer spectroscopy // J. Phys: Condensed Matter 2000 — V.12. — P.637−642.
  66. Rudolf L. Mossbauer The discovery of the Mossbauer effect // Hyp.Int. 2000 -V.126-P.1−12.
  67. R. Giovanelli, A. Orefice Physical discussion of the Mossbauer effect // Physica В 2000 — V.293. — P. 155−163
  68. A.B. Степанов Полуклассический подход к описанию ядерного гамма-резонанса в кристаллах // УФН 2000 — Т. 170 N1 — С.83−91.
  69. Г. Эффект Мессбауэра / Г. Фраунфельдер М.:Атомиздат, 1964.- 140 с.
  70. P.M. Квантовая теория магнетизма / P.M. Уайт М.:Мир, 1972. -306 с.
  71. Д. Статистика для физиков / Д. Худсон М.:Мир, 1967. — 243 с.
  72. Е.Н., Хрипунов Д. М. Метод максимального правдоподобия в задаче аппроксимации мессбауэровских спектров // Тезисы IX международной конференции «Мессбауэровская спектроскопия и ее применения» Екатеринбург 2004. — С.197.
  73. С.М. Метод Монте-Карло и смежные вопросы / С. М. Ермаков -М.:Наука, 1971 -328 с.
  74. V.A. Muravsky, S.A. Tolstov, A.L. Kholmetskii Comparison of the least squares and the maximum likelihood estimators for gamma-spectrometry // Nucl. Instr. and Meth. В 1998 — V.145. — P.573−577.
  75. Paulo A. de Souza Jr. Advanced in Mossbauer data analysis // Hyp. Int. 1998. -V. 113. -P.383−390.
  76. K. Lagarec, D.G. Rancourt Extended Voigt-based analytic lineshape method for determining N-dimensional correlated hyperfine parameter distribution in Mossbauer spectroscopy // Nucl. Instr. and Meth. В 1997 — V.129. — P.266
  77. D. Guenzburger, D.E. Ellis, Z. Zeng First-principles calculations of mossbauer hyperfine parameters for solids and large molecules // Hyp. Int. 1998 — V. l 13. — P.25−36.
  78. F. Neese Prediction and interpretation of the 57Fe isomer shift in Mossbauer spectra by density functional theory // Inorganica Chimica Acta 2002 — V.337. -P. 181−192.
  79. D.C. Price Empirical lineshape for computer fitting of spectral data // Aust. J. Phys.- 1981 V.34. -P.51−56.
  80. T. Ida, M. Ando, H. Toraya Extended pseudo-Voigt function for approximating the Voigt profile // J. of Appl. Cryst. 2000 — V.33. — P.1311−1316.
  81. B.M. Основы численных методов: Учебник для вузов / В. М. Вержбицкий М.: Высш. шк., 2002 — 840с.
  82. Н.С. Численные методы / Н. С. Бахвалов, Н. П. Жидков, Г. М. Кобельков М.: Физматлит: Лаборатория Базовых Знаний, 2002 — 632 с.
  83. G.A. Muller, R. Gupta, К.-Р. Lieb, P. Schaaf Determination of spin distribution in ion-beam magnetic textured iron films by magnetic orientation Mossbauer spectroscopy // Appl. Phys. Lett. 2003. — V.82, N1 — P.73−75.
  84. P. Schaaf, A. Muller, E. Carpene, M. Kahle Thin films made fast and modified fast // Hyp. Int. 2002 — V.144/145. — P. l 29−139.
  85. J. Qin, T. Gu, X. Bian A study on the medium range order in molten Fe3Si and FeSi alloys // J. Phys.: Cond. Matt. 2004. — V. l6 — P.4753−4760.
  86. B.-D. Choi, D.K. Schroder, S. Koveshnikov, S. Mahajan Latent iron in silicon // Jpn J. Appl. Phys. 2001. — V.40 — P. L915-L.917.
  87. В.Г. Казаков Тонкие магнитные пленки // Соросовский Образовательный Журнал 1997 -N1 — С.107−114.
  88. Е.И. Кондорский Микромагнетизм и перемагничивание квазиоднодоменных частиц // Известия АН СССР 1978 — Т.42, N8 -С.1638−1645.
  89. Ю.П. Калмыков, C.B. Титов К расчету продольной восприимчивости суперпарамагнитных частиц // ФТТ 2003 — Т.45 вып.11 — С.2037−2042.
  90. J. Fidler, Т. Schrefl Micromagnetic modeling the current state of art // J. Phys. D: Appl. Phys. — 2000. — V.33. — P. R135-R136.
  91. П.В. Харитонский Магнитостатическое взаимодействие суперпарамагнитных частиц, рассеянных в тонком слое // ФТТ 1997 -Т.39. N1 — С. 185−186.
  92. В.И. Береснев, Б. Н. Филиппов, Л. Г. Корзунин Влияние магнитной анизотропии на подвижность доменных границ в тонких магнитных пленках // Письма в ЖТФ 1998 — Т.24, N2 — С.42−46.
  93. Л.И. Антонов, A.C. Жукарев, П. А. Поляков, Д. Г. Скачков Поле вектора намагниченности одноосной ферромагнитной пленки // ЖТФ 2004 — Т. 74 вып. З — С.83−84.
  94. K.M. Хёрд Многообразие видов магнитного упорядочения в твердых телах // УФН 1984 — Т. 142 вып.2 — С. ЗЗ 1−355.
  95. E.H., Ивойлов Н. Г., Хрипунов Д. М., Чистяков В. А. Многоуровневая мессбауэровская спектроскопия // Тезисы международной конференции «Эффект Мессбауэра: магнетизм, материаловедение, гамма оптика» Казань 2000. — С.95.
  96. E.H., Ивойлов Н. Г., Хрипунов Д. М. Исследования тонких магнитных пленок, полученных высокодозной имплантацией ионов железа в кремний // Тезисы международной конференции «Мессбауэровская спектроскопия и ее применения» Санкт-Петербург -2002.-С.21.
  97. E.H. Хрипунов Д. М. Исследования тонких магнитных пленок, полученных имплантацией ионов железа в кремний // Тезисы IV научно-практической конференции молодых ученых и специалистов РТ 2001. -Казань 2001, С. 29.
  98. E.H., Хрипунов Д. М. О возможности повышения качествамессбауэровских спектров // Тезисы IX международной конференции «Мессбауэровская спектроскопия и ее применения» Екатеринбург 2004. — С.196.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!