Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Исследование рекомбинационных процессов в микродисперсных галогенидах серебра методом СВЧ-фотопроводимости

Диссертация: Исследование рекомбинационных процессов в микродисперсных галогенидах серебра методом СВЧ-фотопроводимости
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В работе впервые для микрокристаллов галогенидов серебра наиболее прямыми методами проведены исследования электрон-ионных процессов, приводящих к образованию кластеров металла при фотолизе. Получены новые экспериментальные данные по временам жизни и подвижностям электронов в галогенидах серебра, впервые получены величины констант скоростей рекомбинации свободных электронов и дырок в бромиде… Читать ещё >

Содержание

  • Актуальность работы
  • Цель работы
  • Основные защищаемые положения
  • Научная новизна работы
  • Практическая ценность работы
  • Личный вклад автора
  • Основные публикации автора по теме диссертации
  • Структура диссертации
  • 1. Свойства и элементарные реакции заряженных частиц в галогенидах серебра. (Обзор литературы)
    • 1. 1. Галогениды серебра — основа галогенсеребряного фотографического процесса
      • 1. 1. 1. Фотолиз галогенидов серебра, «первичные» и «вторичные» процессы
      • 1. 1. 2. Основные механизмы формирования «скрытого изображения». История вопроса
    • 1. 2. Исследования ранних стадий формирования кластеров при вакуумном осаждении атомов Ag и Аи на AgBr
      • 1. 2. 1. Гетерогенная нуклеация, формирование кластеров
      • 1. 2. 2. Визуализация малых кластеров. Экспериментальные подходы
      • 1. 2. 3. Критический зародыш. Минимальный проявляемый центр
    • 1. 3. Захват электрона «центром чувствительности» в эмульсионных микрокристаллах
      • 1. 3. 1. Задача о «достижении границы»
      • 1. 3. 2. Блуждающая частица в неограниченном пространстве
      • 1. 3. 3. Необходимые ограничения модели последовательного концентрирования
      • 1. 3. 4. Ограниченное пространство. Кинетика необратимого захвата электрона на поверхности
      • 1. 3. 5. Конечная скорость захвата электрона, поверхностными ловушками
    • 1. 4. Перенос электронов и дырок в галогенидах серебра
      • 1. 4. 1. Микроскопическая подвижность электронов
      • 1. 4. 2. Дрейфовая подвижность электронов. Ранние данные
      • 1. 4. 3. Перенос дырок
    • 1. 5. «Свободный» и «захваченный» электрон в элементарных реакциях
      • 1. 5. 1. Реакция захвата электрона
      • 1. 5. 2. Электрон-дырочная рекомбинация
      • 1. 5. 3. Электрон-ионная рекомбинация

Исследование рекомбинационных процессов в микродисперсных галогенидах серебра методом СВЧ-фотопроводимости (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Работа* посвящена исследованию закономерностей физикохимических процессов с участием заряженных частиц, генерированных светом в микродисперсных галогенидах серебраЛ Основное внимание уделено рекомбинационным процессам: рекомбинации свободных электронов и дырок, рекомбинации свободных дырок с локализованными электронами, рекомбинации межузельных ионов серебра с локализованными электронами.

Актуальность работы.

Исследованию элементарных реакций ионов и электронов, инициированных светом и радиационным воздействием на вещество, посвящено большое число работ. Однако галогениды серебра, свойства которых, определили развитие современных фотографических материалов, с точки зрения исследований элементарных реакций все еще остаются малоизученными. К началу работы (конец 80-х годов) значительный по объему, но качественного характера, экспериментальный материал был накоплен в основном для системы сложного.

Издание подготовлено в пакете МлкТех с оболочкой ¥-!пЕс1^ (любезно предоставленной авторами для написания диссертационной работы) с использованием кириллических шрифтов семейства ЬН.

Результаты, включенные в работу были получены при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (коды проектов: 93−03−18 031, 96−03−33 977, 99−03−32 397) и Международного научного фонда Дж. Сороса (гранты: ША000 и ША300). химического состава и структуры, — эмульсионные микрокристаллы, где его трудно интерпретировать [1]. Кроме того основная часть данных была получена «сенситометрическими» («фотографическими») методами, способными следить лишь за стабильными образованиями, и поэтому многие промежуточные стадии процессов ускользнули от внимания исследователей.

В противоположность этому, для «идеальной» модельной системы — особочистых микродисперсных галогенидов серебра, данные по начальным стадиям формирования Ag^-кластеров практически отсутствовали [2]. Основное число исследований радиационно-химиче-ских и фотохимических превращений, ведущих к образованию кластеров в таких средах, было выполнено стационарными и квазистационарными методами (с временами регистрации сравнимыми или большими характеристических времен элементарных реакций, — например, методы электронной микроскопии эмульсий). Применение такого подхода к исследованию элементарных реакций весьма ограничено. Опубликованных работ, в которых содержались бы количественные данные по элементарным процессам, ответственным за формирование «скрытого фотографического изображения», кластера серебра, в микрокристаллах фотографических эмульсий, трудно было насчитать более десяти.

Уникальные свойства такой «высокоорганизованной» системы как эмульсионный микрокристалл (МК) галогенсеребряной фотографической эмульсии [1] (взвесь в желатине микрокристаллов с размерами порядка одного микрона) вызывали многочисленные дискуссии о возможности использования в качестве параметров данных, полученных для больших монои плавленных кристаллов*, при описании например, материалы международных форумов по фотографическим системам регистрации информации: Варна-1980 (Болгария), Тбилиси-1984 (СССР), Кельн-1986 (Германия) и др. закономерностей формирования скрытого изображения (кластеров серебра) в микросистемах [3, Ь].

Таким образом, несмотря на 160-ти летний юбилей галогенсереб-ряного фотографического процесса, его детальный физикохимический механизм остается нераскрытым. И до настоящего времени не выяснено, нельзя ли применить принципы «организации» системы, заложенные в эмульсионном микрокристалле, в других областях науки и техники.

Цель работы.

Цель настоящей работы заключалась в том, чтобы, используя модельные системы, разработать подходы к исследованию элементарных реакций в микродисперсных системах, получить количественные данные по кинетике процессов, отвественных за ранние стадии формирования кластеров серебра при воздействии света. Предполагалось, что основное внимание должно быть уделено исследованию рекомбинационных процессов, отвественных за снижение фотографической чувствительности галогенсеребряных материалов.

Основные защищаемые положения.

Защищаемые положения диссертационой работы изложены в выводах заключительного раздела. Основные из них следующие.

1. Разработаны подходы к исследованию элементарных реакций с участием заряженных частиц в микродисперсных галогенидах серебра, основанные на малом дрейфовом смещении зарядов при измерениях фотопроводимости и фотодиэлектрического эффекта в 8 мм — и 3 см — диапазонах частот.

2. Показано, что дрейфовые подвижности электронов в микродисперсных галогенидах серебра близки к подвижностям электрона в больших кристаллах (монокристаллах). Это дает основание использовать данные, полученные при исследованиях модельных систем (специально очищенные порошки, плавленные кристаллы, напыленные слои), для анализа механизма процессов формирования кластеров металлов в эмульсионных микрокристалах.

3. Измерены константы скорости рекомбинации свободных электронов и дырок в бромиде 1 • 10−11см3с-1) и хлориде серебра.

2 • 10−12см3с-1). На основании их величин показано, что электрическое поле гетеропереходов AgBr/AgCl, AgBr/AgI не может в рамках механизма разделения свободных электронов и свободных дырок эффективно влиять на образования скрытого фотографического изображения в эмульсионных микрокристаллах.

4. Показано, что скорость реакции рекомбинации свободных дырок с локализованными на поверхности микрокристалла электронами ограничена «медленной» диффузией дырок к поверхности микрокристалла.

5. Получены временные характеристики реакции захваченного электрона с межузельным ионом в напыленных слоях и порошках бромида серебра. Оценено время жизни атома серебра ~ 10~4с.

Научная новизна работы.

В работе впервые для микрокристаллов галогенидов серебра наиболее прямыми методами проведены исследования электрон-ионных процессов, приводящих к образованию кластеров металла при фотолизе. Получены новые экспериментальные данные по временам жизни и подвижностям электронов в галогенидах серебра, впервые получены величины констант скоростей рекомбинации свободных электронов и дырок в бромиде и хлориде серебра. Впервые показано, что скорость реакции рекомбинации свободных дырок с локализованными электронами в бромиде серебра ограничена «медленной» диффузией дырок микрокристалла. Впервые получены временные характеристики реакции захваченного электрона с межузельным ионом в напыленных слоях и порошках бромида серебра.

Практическая ценность работы.

Установленные закономерности и предложенный подход к описанию кинетики процессов могут быть использованы широким кругом исследователей свойств различных микродисперсных систем.

Полученные экспериментальные данные, теоретические оценки и разработанные методы исследования элементарных процессов в га-логенидах серебра могут быть использованы при разработке новых фотографических галогенсеребряных материалов.

Личный вклад автора.

Настоящая работа выполнялась в лаборатории фотодинамических процессов (зав.лаб., д.ф.-м.н. Новиков Г. Ф.), отдел фотохимии Института проблем химической физики РАН, в Черноголовке. Исследования проводились в соответствии с планами работ лаборатории и общие направления исследований формулировались ее руководителем.

Все, включенные в диссертацию данные получены лично автором или при его непосредственном участии. Частично экспериментальные результаты данной работы были представлены руководителем Новиковым Г. Ф. в диссертации доктора ф.-м. наук [4, 5]. Данные по рекомбинации свободных дырок и локализованных электронов излагается впервые. Автором осуществлены разработка основной части экспериментальных методик и проведение всех экспериментов. Совместно с руководителем проведена разработка основных теоретических моделей, интерпретация экспериментальных результатов, формулировка основных выводов и научных положений.

Автор выражает свою особую признательность своему руководителю д.ф.-м.н. Новикову Геннадию Федоровичу, а также коллегам, оказавшим неоценимую помощь на различных этапах работы: Граб-чаку С.Ю., Сикоренко Н. П., Неманову С. Г., Моисеевой JI.C., Хенки-ной Т.В., Тихониной Н. А., Ковальчуку А. В., Чукалину А.В.

Основные публикации автора по теме диссертации.

Основные результаты работы опубликованы в следующих статьях:

1. Новиков Г. Ф., Рабенок Е. В., Голованов Б. И. Диффузионные ограничения в электрон-дырочной рекомбинации на поверхности микродисперсных галогенидов серебра. // Химическая физика. 2002 (принята в печать).

2. Голованов Б. И., Новиков Г. Ф. Определение дрейфовой подвижности электронов в микродисперсных AgBr and AgCl методом микроволновой фотопроводимости. // Журн. научн. и прикл. фотогр. 1998. Т. 43. JV® 1, С. 18. [B.I. Golovanov, G.F. Novikov. Drift mobility of electron in fine-grained AgBr and AgCl powders as measured by microwave photoconductivity. // Sci. Appl. Photo., 1998, V. 40(1), p.21.].

3. Новиков Г. Ф., Голованов Б. И., Чукалин А. В., Тихонина Н. А. Изучение вторичных электрон-ионных процессов в напыленных слоях и порошках бромида серебра методом двухлазерной микроволновой фотопроводимости. // Журн. научн. прикл. фотогр. -1997. — Т.42, N.4. — С.1−7.

4. Голованов Б. И., Ковальчук А. В., Новиков Г. Ф. Двухимпульсная методика измерений С.В.Ч.- фотопроводимости для исследований электрон-ионных процессов в полупроводниках. // Журн. научн. прикл. фотогр. — 1997. — Т.42, N.2. — С.34−38.

5. Новиков Г. Ф., Голованов Б. И., Тихонина Н. А. Константа скорости реакции рекомбинации свободных электронов и дырок в хлориде серебра. 295 К. // Известия академии наук, серия химическая. — 1996. — N.9. — С.2234−2236.

6. Голованов Б. И., Тихонина Н. А., Новиков Г. Ф. Изучение электрон-дырочной рекомбинации в хлориде серебра методом микроволновой фотопроводимости. 295 К. // Журн. научн. и прикл. фо-тогр. — 1996. — т.41, N.3. — С.56−58.

7. Новиков Г. Ф., Голованов Б. И., Алфимов М. В. Константа скорости электрон-дырочной рекомбинации в бромиде серебра. 295°К. // Химия высоких энергий. — 1995. — т.29., N.6, — С.429−434- High Energy Chemistry. — 1995. — V.29., No.6, — P.391−396.

8. Novikov G.F., Golovanov B.I. Rate constant of free electron-hole recombination reaction in powdered silver bromide. 295°K. //J. Imaging Sci. Technol. — 1995. — V.39., No.6, — P.520−524.

9. Б. И. Голованов, H.A. Тихонина, Г. Ф. Новиков. Аномальное увеличение времени жизни фотоэлектрона в порошкообразном AgBr при обработке тиосульфатом натрия. // Журн. научн. и прикл. фотогр. — 1995. — Т.40, N.3. — С.44−44.

10. G.F. Novikov, B.I. Golovanov. Free electron-hole recombination in powdered silver bromine as studied by microwave photoconductivity method. Preprint, P. 1−12. Publisher: Russia Academy of Sciences, Institute of Chemical Physics in Chernogolovka, 1993, March 1.

11. Голованов Б. И., Новиков Г. Ф., Алфимов М. В. Экспериментальное наблюдение рекомбинации свободных электронов и дырок в порошкообразном бромиде серебра (300°К). // Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1991. — Т.36, N.4. — С.335−338- Sci. Appl. Phot. Cinema. — 1991. — v. 36, No. 4. — P.605−607.

Результаты работы докладывались на следующих научных конгрессах, симпозиумах, конференциях:

1. Новиков Г. Ф., Голованов Б. И., Хенкина Т. В. Измерение дрейфовой подвижности электронов в порошкообразном бромиде серебра. 300°К. // Всесоюзный симпозиум «Фотохимические и фотофизические процессы в галогенидах серебра», 25−27 апреля 1991 г., Черноголовка. Тезисы докладов, с. 33.

2. Голованов Б. И., Новиков Г. Ф., Алфимов М. В. Экспериментальное наблюдение рекомбинации свободных электронов и дырок в порошкообразном бромиде серебра. // Там же, с. 34.

3. Golovanov B.I., Novikov G.F. The study of electron-hole recombination kinetics in powdered AgBr. // «The advancement of imaging science and technology». Proceeding of the International congress of photographic science. Beijing, China, 1990, p.644.

4. Рабенок E.B., Голованов Б. И., Тихонина H.A., Новиков Г. Ф. Диффузионные ограничения в электрон-дырочной рекомбинации на поверхности микродисперсных галогенидов серебра. // В сборнике «Новые материалы и технологии. Инновации XXI века» / Труды конференции «Научные исследования в наукоградах Московской области». 1−4 октября, 2001 г., Черноголовка. ИПХФ РАН, 2001, с. 110.

Структура диссертации.

Диссертация состоит из Введения, 6-ти глав, Выводов, библиографии и списков рисунков и таблиц. Объем диссертации — 156 страниц текста, включая 19 рисунков, 4 таблицы и библиографию из 176 наименований.

Выводы.

1. Разработан подход с исследованиям элементарных реакций с участием заряженных частиц в твердых микродисперсных полупроводниках. Подход основан на измерении изменений комплексной диэлектрической проницаемости особочистых веществ в диапазоне частот электрического поля 10−36 ГГц, вызванных действием света. Основа методик — измерения отраженной СВЧ-мощности от резонатора с образцом. Применение двухимпульсного возбуждения с регулируемой задержкой между импульсами позволило разделить первичные и вторичные процессы. Экспериментально продемонстрирована высокая эффективность подхода для исследования свойств и реакций заряженных частиц в микродисперсных системах и получения количественных данных о закономерностях начальных стадий формирования кластеров металлов при фотолизе. Чистота используемых веществ характеризуется временем жизни избыточного электрона вплоть до микросекунд.

2. Исследована кинетика процессов гибели свободного и захваченного электрона в микрокристаллах галогенидов серебра. Измерены дрейфовые подвижности электронов в порошках (2−5 мкм) AgBr и AgCl, оказавшиеся близкими к данным литературным для больших кристаллов и монокристаллов, но не согласующиеся с литературными данными для эмульсионных кристаллов.

3. Исследованы процессы рекомбинации свободных электронов и дырок в бромиде (константа скорости реакции ~ 1 • 10~псм3с-1) и хлориде серебра (константа скорости реакции ~ 2 • 10−12см3с-1).

4. Показано, что реакция рекомбинации свободных дырок с захваченными на поверхности микрокристаллов электронами ограничена диффузией дырок.

5. Исследованы вторичные элементарные реакцие в микродисперсных галогенидах серебра. Получены количественные данные по закономерностям реакции рекомбинации захваченных электронов и ме-жузельных ионов. Оценено время жизни атомов серебра в бромиде серебра (10~4с) при комнатной температуре.

6. Показано, что полученные на модельных галогенсеребряных системах сведения об элементарных процессах с участием заряженных частиц могут быть использованы при анализе физикохимического механизма формирования скрытого изображения в практически важных фотографических эмульсиях на основе галогенидов серебра.

6.3 Заключение.

Представлены результаты изучения временных характеристик вторичных электрон-ионных процессов в AgBr (напыленные слои и порошки) методом двухлазерной (с регулируемой временной задержкой между импульсами света) микроволновой фотопроводимости. При освещении образцов импульсами двух лазеров (Л = 337 нм и, А = 540 нм) фотоотклик на второй импульс возникает с задержкой ~ б мкс (напыленные слои) и ~ 3 мкс (порошки) относительно фотоотклика на первый импульс. Возникновение отклика на второй импульс связано в работе с рождением промежуточных продуктов фотолиза — кластеров серебра. Анализ показал, что в условиях проведенных экспериментов наиболее вероятными (среди принципиально возможных для наблюдения по С.В.Ч.-фотопроводимости промежуточных продуктов) являются «кластеры» минимального размераАд или Ад". Из экспериментальных данных оценено время жизни минимального кластера — 10−4с, оказавшееся близким для напыленных слоев и порошков. Полученное значение согласуется с литературными данными по временам жизни атомов Ад в бромиде серебра.

Показать весь текст

Список литературы

  1. К.В. Природа фотографической чувствительности. -М.: Наука, 1980. — 404 с.
  2. Ю.И. Кластеры и малые частицы. М.: Наука, 1986. -368 с.
  3. Г. Ф. Новиков. Начальные стадии фото- и радиационно- химических процессов в твердых средах. // Автореферат диссерт. докт. физ.-мат. наук, Черноголовка, 1997 г., 52 с.
  4. Г. Ф. Новиков. Начальные стадии фото- и радиационно- химических процессов в твердых средах. // Диссертация докт. физ.-мат. наук, Черноголовка, 1997 г., 531 с.
  5. П.В. (а) Физические процессы при образовании скрытого изображения. М.: Наука, 1972. — 399 е.- (Ь) там же: С. 133.
  6. Mott N.F., Gurney R.W. Electronic Processes in Ionic Crystals. -Oxford, 1948-
  7. H., Герни P. Электронные процессы в ионных кристаллах: Пер. а англ. М.: Ин. лит-ра, 1950. — 304 с.
  8. К.В. Химия фотографических эмульсий. М.: Наука, 1975. — 341 с.
  9. Миз К, Джеймс Т. Теория фотографического процесса: Пер. с англ. Л.: Химия, 1973. — 572 с.
  10. К.В., Кацман В. Д. Предельная светочувствительность и структурометрические характеристики галогенсеребряных фотографических материалов // Журн. научн. и прикл. фогр. и кинематогр. 1978. — Т.23, N.4. — С.302−316.
  11. Tani Т. Analysis of Factors Influencing Photographic Sensitivity. // J. Imag. Sci. 1985. — V.29, N.3. — P. 93−99.
  12. Tani T. and Takada S. Electrochemical and Photoelectric Properties of Silver Specks Formed during Reduction Sensitization on AgBr Emulsion Grains. // Photogr. Sci. and Engineer. 1982.- V.26, N.3. P. 111−118.
  13. Mitchell J.W. The Formation of the Latent Image in Photographic Emulsion Grains. // Photogr. Sci. Eng. 1981. — V.25, N.5. — P.170−188.
  14. Moisar E., Granzer F. Formation, Nature, and Action of Sensitivity Centers and Latent Image Specks. Part I: Chemical Sensitization- A Review. // Photogr. Sci. Eng. 1981. — V.25, N.2. — P.45−56.
  15. Moisar E., Granzer F. Formation, Nature, and Action of Sensitivity Centers and Latent Image Specks. Part II: Silver Nucleation, Fog, and the Relation Grain Size/Speed. // Photogr. Sei. Eng. 1982. — V.26, N.l. — P. l-14.
  16. Дж. Фотографическая чувствительность // Успехи физических наук. 1959. — Т.67, N.2. — С. 293−337.
  17. Дж. Фотографическая чувствительность // Успехи физических наук. 1959. — Т.67, N.3, — С.505−535.
  18. Mitchell J.W. The Stable Latent Image. // Photogr. Sei. Eng. -1978. V.22, N.l. — P. 1−5.
  19. Mitchell J.W. The concentration theory of latent image formation // Photogr. Sei. Eng. 1978. — V.22, N.5. — P.249−255.
  20. Mitchell J.W. Ionic and Covalent Configuratios in Silver Halide Systems. // Photogr. Sei. Eng. 1982. — V.26, N.6. — P.270−279.
  21. Mitchell J.W. The trapping of Elecrons in Crystals of Silver Halides. // Photogr. Sei. Eng. 1983. — V.27., N.3. — P.96−102
  22. Mitchell J.W. Quantitative Aspects of the Concentration Theorie of Latent Image Formation. //J. Photogr. Sei. Techn. Japan. -1985. V. 48. — P. 191−204.
  23. Hamilton J.F. Mathematical Modeling of Latent-Image Formation. // Photogr. Sei. Eng. 1974. — V.18, N.4. — P.371−378.
  24. Hamilton J.F. Physical Properties of Silver Halide Microcrystals. // Photogr. Sei. Eng. 1974. — V.18, N.5. — P.493−500.
  25. Hamilton J.F. Toward a Quantitative Latent-Image Theory. // Photogr. Sei. Eng. 1982. — V.26, N.6. — P.263−269.
  26. Hamilton J.F. In: Theory of the Photographic Process. 4th ed. / edited by Т.Н. James — Macmillan, New York. — 1977. — Chap. 4.
  27. Granzer F. and Moisar E. Der photographische Elementarproze in Silberhalogeniden. Teil II. // Phys. in unserer Zeit. 1981. — Bd. 12, No. 2. — S. 36−42.
  28. E.A., Фок M.B. Термодинамическая теория фотографического процесса. IV. О детальном механизме образованияскрытого изображения. // Журн. научн. и прикл. фогр. и ки-нематогр. 1972. — Т.17, N.5. — С.359−366.
  29. Baetzold R.C. Molecular orbital calculation of electronic properties of metal nuclei. // Photogr. Sci. Eng. 1973. — V.17, N.l. — P.78−84.
  30. Baetzold R.C. Calculated properties of metal aggregates. II. Silver and Palladium //J. Chern. Phys. 1971. — V. 55, No. 9. — P. 43 634 370.
  31. Malinowski J. Contemporary Problems of the Theory of Photoraphic Sensitivity. // Photogr. Sci. Eng. 1974. — V.18, N.4. — P.363−370.
  32. J. // Photogr. Sci. Eng. 1979. — V. 23. — P. 99.
  33. Н.И. Химико-физическая модель химической сенсибилизации. // Журн. научн. прикл. фотогр. 1988. — Т. ЗЗ, N.2. -С.141−143.
  34. Tani Т. Electron-spin resonance and photographic effect of positive holes trapped by cyanina dyes adsorbed on silver bromide microcrystals. //J. Appl. Phys. 1987. — V.62, N.6. — P.2456−2460.
  35. A.H. Оптические и электронные свойства серебряных центров и их роль в начальной стадии фотохимического процесса в галогенидах серебра: Дис. докт. физ.-мат.наук. Воронеж, 1983. — 313 с.
  36. Hailstone R.K. and Hamilton J.F. Determination of the minimum size of the latent image. // J. Imaging Sci. 1985. — V. 29. — P. 125−131.
  37. Hailstone R.K., Liebert N.B., Levy M. and Hamilton J.F. // J. Imaging Sci. 1987. — V. 31. — P. 185.
  38. Fayet P., Granzer F., Hegenbart G., Moisar E., Piscel В., Woste L. The role of small silver clusters in Photography. // Z. Phys. D. Atoms, Molecules and Clusters. 1986. — V.3. — P.299−302.
  39. М.А., Фок М.В. Устойчивость серебряных кластеров на поверхности галогенида серебра //Ж. науч. и прикл. фото-и кинематогр. 1985. — Т. ЗО, N.6. — С.463−474.
  40. Stevens A.D., Symons M.C.R., Eachus R.S. ESR study of silver clusters in AgCl and AgBr. An attempt to detect photographic latent images // Phys. Stat. Sol (b). 1989. — V.154. — P.483−495.
  41. Hasegawa A., Sakaguchi N. Detection of Latent Image by Microwave Photoconductivity. //J. Im. Sci. 1986. — V. 30, No. 1. — P. 13−15.
  42. A., Novikov G.F., Malinowski J. // The international East-West symposium II on the factors influencing photographic sensitivity. Kologne. 1988. — Abstracts, B2.
  43. Panov A., Novikov G.F., Malinowski J. Reciprocity Failure and Efficiency of Formation of Vapor-Deposited Silver and Gold Development Centers on AgBr Surface. //J. Imaging Sci. 1989. — V. 33, No.6. — P. 224−226.
  44. Panov A., Novikov G.F., Malinowski J. Early stages of gold condensation on AgBr revealed through intensification by photographic development. // 4-th Workshop on Growth of Crystals and Thin Films, GDR-Bulgarian. Halle (Saale), GDR, 1986.
  45. Panov A., Novikov G.F., Malinowski J. Influence of the deposition rate on the developability of vapour deposited Au onto AgBr layers // The International congress of photographic science. Cologne, Sept. 10−17, 1986. Abstracts, 1.1−60. — P.205.
  46. Panov A., Novikov G.F., Malinowski J. Efficiency of formation of development centers on AgBr surfaces. // The International East-West symposium II on the factors influencing photographic sensitivity. Cologne. 1988, October 30 November 4. Abstracts, B2.
  47. N., Buroff A., Malinovski J. // J. Photogr. Sci. 1975. -V. 23. — P. 44.
  48. Starbova K., Platikanova V. Decoration of Sensitivity Specks // Photogr. Sci. Eng. 1979. — V. 23. — P. 107−112.
  49. Panov A. Vacuum deposition of silver on evaporated silver bromide layers // Commun. Dept. Chem. Bulg. Acad. Sci. 1979. — V. 12, N. 2. — P. 279−284.
  50. Hamilton J.F. and Logel P.C. // Nucleation and growth of Ag and Pb on amorphous carbon by vapor deposition. // Thin Solid Films.- 1973. V. 16. — P. 49−63.
  51. Hamilton J.F. and Logel P.C. // J. Catal. 1973. — V. 29. — P. 253−263.
  52. Hamilton J.F. and Logel P.C. The minimum size of silver and gold nuclei for silver physical development. // Photogr. Sci. Eng. 1974.- V. 18, No. 5. P. 507−512.
  53. Hamilton J.F. and Logel P.C. // Thin Solid Films. 1974. — V. 23.- P. 89−100.
  54. Hamilton J.F., Logel P.C., Baetzold R.C. Experimental studies of metal film nucleation and grotwh on amorphous substrates. // Thin Solid Films. 1976. — V. 32. — P. 233−235.
  55. Hamilton J.F., Preuss D.R., Apai G.R. Nucleation and growth of vacuum-deposited metal aggregates studied by electron microscopy. // Surface Science. 1981. — V. 106. — P. 146−151.
  56. Walton D. Nucleation of vapor deposits //J. Chem. Phys. 1962.- V. 37., No. 10. P. 2182−2188.
  57. Walton D., Rhodin T.N. and Rollins R.W. Nucleation of silver on sodium chloride // J. Chern. Phys. 1963. — V. 38., No. 11. — P. 2698−2704.
  58. Stoyanov S., Kashchiev D. Thin film nucleation and growth theories: a confrontation with experiment. // Current Topics in Materials Science. V.7 / ed. E. Kaldis. — North-Holland, Amsterdam, 1981. — P. 68−141.
  59. Venables J.A., Spiller G.D.T. Nucleation and Growth of Thin Films. / Preprint. University of Sussex. — Brighton, Sussex, England, 1983. P. 341−404.
  60. Konstantinov I., Panov A. and Malinovski J. Stability of small silver particles in redox buffers. //J. Photogr. Sci. 1973. — V. 21, No. 6. — P. 250−256.
  61. Konstantinov I. and Malinovski J. The initial stages of development as nucleation and growth phenomena //J- Photogr. Sci. 1975. — V. 23. — P. 145−151.
  62. Barnham D.C., Brown F.C., Knox R.S. Electron mobility and scattering processes in AgBr at low temperatures // Phys. Rev.- 1960. V. 119, No. 5. — P. 1560−1570.
  63. Konstantinov I. and Malinovski J. Size and developability of latent image specks. //J. Photogr. Sci. 1975. — V. 23. — P. 1−6.
  64. R.K. // Phys. Rev. 1969. — V. 180. — P. 859.
  65. Brown F.C. In: Treatise on Solid State Chemistry. V. 7/ Reactivity of Solids. / edited by N. Hannay — Plenum, New York.- 1976.
  66. Hamilton J.F., Brady L.E. Electrical measurements on photographic emulsion grains. II. Photoelectronic carriers // J. Appl. Phys. 1959. — V.30, No.12. — P. 1902−1913.
  67. Deri R.J., Spoonhower J.P. Drift mobility, electron trapping and diffusion limited kinetics in sulfur sensitized AgBr microcrystals // J. Appl. Phys. — 1985. — V. 57, No. 8. — P. 2806−2811.
  68. Saunders V.T., Tyler R.W., West W. Displacement of photo-electrons and positive holes in sheet ctrystals of silver bromide as shown by development techniques //J. Chem. Phys. 1962. -V. 37. — No. 5. — P. 1126−1132.
  69. J., Platikanova V. // Phys. Stat. Sol. 1964. — V. 6. -P. 885.
  70. M., Malinovski J. // Phys. Chem. Sol. 1966. — V. 28. -P. 931.
  71. A., Malinovski J. // Phys. Stat. Sol. 1968. — V. 26. — P. 267.
  72. Ahrenkiel R.K. and Heyningen R.S. Van. Lifetime and drift mobility of holes in AgBr // Phys. Rev. 1966. — V.144.- No.2 — P. 576−581.
  73. P.X. Фотопроводимость. // в сб. «Физика и химия соединений AIIBVI». Гл. 13, с. 499. / Пер. с англ. Ред. Медведев С. А. Москва: Мир. 1970.
  74. Onsager L. Initial recombination of ions. // Phys. Rev. 1938. -V. 54, No. 8. — P. 554−557.
  75. В.Г. Люминесцентные исследования фотохимических процессов в галогенидах серебра, сульфида цинка и кадмия и материалах на их основе: Дис. канд. физ.-мат.наук. Ленинград, 1986. — 171 с.
  76. Т.В. Фотофизические процессы формирования малоатомных серебряных и сернистосеребряных кластеров, адсорбированных на кристаллах галогенидов серебра: Дис. канд. физ.-мат.наук. Воронеж, 1994. — 193 с.
  77. JI.B. Глубокие электронные состояния и поверхностные фотостимулированные процессы в ионо-ковалентных кристаллах: Дис. канд. физ.-мат. наук. Воронеж, 1995. — 168 с.
  78. Л.Ю. Фотостимулированные преобразованиия адсорбированных малоатомных кластеров на поверхности кристаллов с ионно-ковалентной связью: Дис. канд. физ.-мат.наук. -Воронеж, 1997. 194 с.
  79. С.Ю., Новиков Г. Ф., Моисеева Л. С., Любовский М. Р., Алфимов М. В. Фотодиэлектрический эффект и фотопроводимость в порошкообразном бромиде серебра. 300 К // Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1990. — Т. 35, N. 2. — С. 134−140.
  80. Deri R.J., Spoonhower J.P. Cross section for photoelectron capture by IrBr§~ in AgBr // Appl. Phys. Lett. 1983. — Y. 43., No. 1. -P. 65−67.
  81. Получение и анализ веществ особой чистоты. / Личкова Н. В. и др. М.: Наука, 1978. — С. 114−119.
  82. Э.В., Акимов И. К. Фотопроводимость фотографических слоев на частоте Ю10 Гц. // Докл. АН СССР. 1964. — Т. 154, N. 1. — С. 184.
  83. Е.А., Бринкештейн В. Х., Бендерский В. А. Измерение фотопроводимости полупроводников в диапазоне с.в.ч. // ПТЭ. 1967. — N. 4. — С. 141−144.
  84. L.M. // Photogr. Sci. Eng. 1974. — V. 18, No. 4. — P. 378.
  85. Deri R.J., Spoonhower J.P. Fast photoelectron kinetics in silver bromide emulsions // Photogr. Sci. and Eng. 1984. — V. 28, No. 3. — P. 92−98.
  86. A., Sakaguchi N. // J. Soc. Photogr. Sci. and Tech-nol. Japan. 1986. — V. 49, No. 5. — P. 388.
  87. Spoonhower J.P. Microwave Photoconductive and Photodielectric Effects in Silver Halides. // Photogr. Sci. and Eng. 1980. — Y. 24, No. 3. — P. 130−132.
  88. Г. Ф., Грабчак С. Ю., Алфимов M.B. Вклад свободного электрона в СВЧ-иоглогцение, индуцированное импульсом света в плавленном бромиде серебра. // Журн.научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1990. — Т. 35, N. 1. — С. 18−26.
  89. С.Ю., Новиков Г. Ф. Быстрозатухающий фотодиэлектрический эффект в бромиде серебра / / Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1988. — Т. 33, N. 5. — С. 371−372.
  90. Ю.Н. Расчет полых резонаторов методом суперпозиции электромагнитных волн // Радиотехника и электроника. -1959. Т. 4, N. 9. — С. 1480−1484.
  91. .И., Ковальчук А. В., Новиков Г. Ф. Двухимпульс-ная методика измерений С.В.Ч.- фотопроводимости для исследований электрон-ионных процессов в полупроводниках. // Журн. научн. прикл. фотогр. 1997. — Т.42, N.2. — С.34−38.
  92. G.F., Sikorenko N.P., Alfimov M.V. // Sov. J. Chem. Phys. 1991. — V. 8, No. 6. — P. 1272−1283.
  93. Г. Ф., Сикоренко Н. П., Алфимов M.B. Кинетика гибели электронов, генерированных УФ-светом и электронами с энергией 0,5 МэВ в бромиде серебра // Химическая физика. -1990. Т. 9, N. 6. — С. 757−763.
  94. Chaplin K.S. and Krongard R.R. // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. MTT-9. 1961. — P. 545.
  95. Arndt G.D., Hartwig W.H. and Stone J.L. Josephson and rf devices photodielectric detector using a superconducting cavity // J. Appl. Phys. 1968. — V. 39., No. 5. — P. 2653−2656.
  96. Hartwig W.H., Hinds J.J. Use of superconducting cavities to resolve carrier trapping effects in CdS //J. Appl. Phys. 1969. — V. 40., No.5. — P. 2020−2027.
  97. С.И. Радиотехнические цепи и сигналы. М: Высшая школа, 1988. — 184 с.
  98. А.Ю., Новиков Г. Ф., Алфимов М. В. Об эффективности электронных стадий процесса последовательного концентрирования в механизмах Герни-Мотта и Митчелла // Журн. научн. и прикл. фогр. и кинематогр. 1986. — Т. 31, N. 3. — С. 219−221.
  99. Novikov G.F., Tarakanov A.Yu., Alfimov M.V. Some necessary limitation for choosing of the subsequent concentration process model at the latent photographic image formation //J. Int. Rec. Mater. 1987. — V. 15, No. 1. — P. 3−10.
  100. Г. Ф., Тараканов А. Ю., Алфимов М. В. Кинетика захвата электрона в эмульсионном галогенсеребряном микрокристалле. //IX Всесоюзное совещание по кинетике и механизму химических реакций в твердом теле. Тез. докл. Алма-Ата, 1986. — Т. 2. — С. 76.
  101. Г. Ф., Тараканов А. Ю., Алфимов М. В. О возможности построения модели высокоэффективного первичного акта концентрирования при формировании скрытого изображения // Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1988. — Т. 33, N. 4. — С. 300−302.
  102. S. // Rev. Mod. Phys. 1943. — V.15. — P.l.
  103. H.A., Каминский В. А., Тимашев С. Ф. Методы физико-химической кинетики. М.: Химия, 1972. — 198 с.
  104. Д.И., Семин Б. Н., Табанов Э. Г. Высокоэнергетическая электроника твердого тела. Новосибирск: Наука, 1982. -182 с.
  105. J. // J. Appl. Phys. 1970. — V.41. — P.1970.
  106. Platikanova V., Malinowski J. Capture cross section of impurity centres in silver bromide. // Commun. Dept. Chem. Bulg. Acad. Sci. 1974. — V. 7, N. 1. — P. 31−38.
  107. Deri R.J., Spoonhower J.P. Microwave photodielectric effect in AgCl. // Phys. Rev. B. 1982. — V.25, No.4. — P.2821−2827.
  108. Hamilton J.F., Brady L.E. Electrical measurements on photographic emulsion graines. I. Dark conductivity. //J. Appl. Phys. -1959. V. 30, No. 12. — P. 1893 — 1901.
  109. В.А., Бродский A.M. Фотоэмиссия из металлов в растворы электролитов. М.: Наука. — 1977. — 303 с.
  110. Т. // J. Sos. Photogr. Sci. Japan. 1980. — V. 43. — P. 335.
  111. L.E., Hamilton J.F. // J. Appl. Phys. 1965. — V. 36. — P. 1439.
  112. Chang K.C., Chen F.P., Levy B. Correlation of Room Temperature Photocharge Decay Kinetics with Photographic Efficiency. // Photogr. Sci. Eng. 1980. — V. 24, No.2. — P.55−64.
  113. K., Rollar M.G. // Presentation at the International Symposium on the Fundamental of Latent-Image Formation. -Lake-Placid. New York. July, 1981.
  114. Chen F.P., Chang K.C., Corbin L. et al. // Photogr. Sci. Eng. -1982. V. 26. — P.15.
  115. Rippon C., Levy B. Kinetics of Silver Cluster Formation and Trapped Hole Neutralization in Silver Halide Emulsion Grains Digested with Cadmium Salts. // Photogr. Sci. Eng. 1983. — V. 27, No.2. — P.65.
  116. E. (a) // Photogr. Sci. Eng. 1981. — V. 25. — P. 45−56- (b) Thermodynamic and kinetic aspects of silver formation. // Phot. Sci. Eng. — 1982. — V. 26, N 3. — p. 124−132.
  117. L.V., Samoylovitch D.M. // Photogr. Sci. Eng. 1973. -V. 17. — P. 348.
  118. Golovanov B.I., Novikov G.F. The study of electron-hole recombination kinetics in powdered AgBr. // «The advancement of imagingscience and technology». Proceeding of the International congress of photographic science. Beijing, China, 1990, p.644.
  119. Golovanov B.I., Novikov G.F., Aliimov M.V. Experimental observation of recombination of free electrons and holes in powdered silver bromide. (300° K) // Sci. Appl. Phot. Cinema. 1991. — V. 36, No. 4. — P.605−607.
  120. .И., Новиков Г. Ф., Алфимов М. В. Экспериментальное наблюдение рекомбинации свободных электронов и дырок в порошкообразном бромиде серебра (300°К) // Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1991. — Т. 36, N. 4. — С. 335−338.
  121. С.Г., Новиков Г. Ф. Методика измерения фотодиэлектрического эффекта и СВЧ-фотопроводимости в фотографических эмульсиях. // Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1993. — Т. 38, N. 1. — С. 69−71.
  122. Novikov G.F., Golovanov B.I. Rate constant of free electron-hole recombination reaction in powdered silver bromide. 295°K. //J. Imaging Sci. Technol. 1995. — V.39., No.6, — P.520−524.
  123. .И., Тихонина Н. А., Новиков Г. Ф. Изучение электрон-дырочной рекомбинации в хлориде серебра методом микроволновой фотопроводимости. 295 К. // Журн. научн. и прикл. фотогр. 1996. — Т.41, N.3. — С.56−58.
  124. Г. Ф., Голованов Б. И., Тихонина Н. А. Константа скорости реакции рекомбинации свободных электронов и дырок в хлориде серебра. 295 К. // Известия академии наук, серия химическая. 1996. — N.9. — С.2234−2236.
  125. Beutel. Photoconductivity of micro crystalline cubic silver bromide emulsions. // J. Photogr. Sci. and Eng. 1975. — V. 19, No. 2. — P. 95−102.
  126. T. // J. Photogr. Sci. and Technolog. Japan. 1986. — V. 49, No. 5. — P. 435.
  127. Deri R.J., Spoonhower J.P. Microwave cavity calculation for photoconductivity measurements. // Photogr. Sci. and Eng. 1981.- V. 25, No. 3. P. 89−92.
  128. K. // IEEE Trans, microwave theory and techniques MTT-17. 1969. — No. 6. — P. 339.
  129. Amato J.C. Improved technique for measuring transient changes in microwave cavity Q and resonant frequency // Rev. Sci. Instrum.- 1982. V. 53, No. 6. — P. 776−777.
  130. Tani T. Quantitative determination of crystal habit of silver halide grains through its influence on dye adsorption. //J. Imaging Sci.- 1985. V. 29. — P. 165−171
  131. Granzer F. Physical Propeties of Phase Boundaries in Silver Halide Crystals in Relation to Photography. Part I. Band Structures of Abpurt Phase Boundaries between Different Silver Halide Crystals. // J. Imaging Sci. 1989. — V. 33, No. 6. — P. 207−216.
  132. Kawasaki M., Hada H., Uchida H. Transfer of photoelectrons and photoholes through AgBr/AgCl interface, and relative locations ofthe energy bands. //J. Appl. Phys. 1986. — V. 60, No. 11. — P. 3945−3953.
  133. Deri R.J., Spoonhower J.P. Microwave photoconductivity lifetime measurements: Experimental limitations // Rev. Sci. Instrum. -1984. V. 55, No. 8. — P. 1343−1347.
  134. К.В. Физика полупроводников. М: Энергия, 1971.- 242 с.
  135. Дж. Физика твердого тела. М: Мир, 1988. — 357 с.
  136. Kawasaki М., Hada Н. Lifetime of the photolytic silver atom in silver halide photographic emulsion. //J. Imaging Sci. 1985. — V. 29, No. 4. — P. 132−137.
  137. I., Takada S., Ikenoue S. // Scietific Publications of the Fuji Photo Film Co. Ltd. — 1985. — V. 30. — P. 149.
  138. Г. Ф., Неманов С. Г., Алфимов М. В. Фотоинициирован-ное образование серебряных кластеров в бромиде серебра. Модель для импульсной микроволновой фотопроводимости / / Оптика и спектроскопия. 1993. — Т.75, N.6. — С. 1244−1254.
  139. С.Г., Новиков Г. Ф. Импульсная микроволновая фотопроводимость и фотоинициированное образование серебряных кластеров в бромиде серебра // Журн. научн. и прикл. фотогр. 1993. — Т. 38, N. 6. — С. 42−51.
  140. Harding W.R., Blenkinsop I.D., Wight D.R. Dislocation-limited minory-carrier lifetime in n-type GaP. // Electron. Lett. 1976. -V.12. — P.503−504.
  141. Blenkinsop I.D., Harding W.R., Wight D.R. Interface-recombination- controlled minory- carrier lifetime on n-type GaP. // Electron. Lett. 1977. — V. 13. — P. 14−16.
  142. Kaneda T. A new approach to estimation of electron traps in AgBr emulsion grains on the basis of Guerney Mott model // J. Imaging Sci. — 1989. — V.33, No.4. — P. 115−118.
  143. E.B., Голованов Б. И., Тихонина Н. А., Новиков Г. Ф. Диффузионные ограничения в электрон-дырочной рекомбинации на поверхности микродисперсных галогенидов серебра. Конференция. Черноголовка, 2001.
  144. Г. Ф., Рабенок Е. В., Голованов Б. И. Диффузионные ограничения в электрон-дырочной рекомбинации на поверхности микродисперсных галогенидов серебра. // Химическая физика. 2001 (принята в печать).
  145. Г. Ф., Неманов С. Г., Алфимов М. В. // Докл. академии наук. 1994. Т.338. N.5. С. 629.
  146. Kittel С. Solid state Physics. /4th ed., Willey, New York. 1971. -Ch. 13. — P. 190, 397.
  147. G. // Bell Syst. Tech. J. 1957. — V. 36. — P. 449.
  148. A., Sakaguchi N. // J.Im.Sci. 1986. — V.30, No.l. — P.13- Нихон сясин гаккайси. — 1986. — P.386.
  149. Harada Т., Lijima Т., and Koitabashi T. // Photogr. Sei. Eng. -1982. V.26, No.l. — P.137.
  150. C.R. // J. Photogr. Sei. 1970. — V.18. — P.169.
  151. Hamilton J.F. A Modified Proposal for the Mechanism of Sulfur Sensitization in Terms of Capture Cross Section. // Photogr. Sei. Eng. 1983. — V.27. — P.225−230.
  152. Hamilton J.F., Harbison J.M., and Jeanmaire D.L. //J. Imaging Sci. 1988. — V. 32. — P. 17.
  153. M tiller P. Ionenleitfahigkeit von reinen und dotierten AgBr und AgCl einkristallen // Phys. Status. Solidi. — 1965. — V. 12. — P. 775−793.
  154. H.C., Martin D.S. // J. Phys. Chem. Solids. 1966. — V. 27. — P. 205.
  155. Б.И. Голованов, Н. А. Тихонина, Г. Ф. Новиков. Аномальное увеличение времени жизни фотоэлектрона в порошкообразном AgBr при обработке тиосульфатом натрия. // Журн. научн. и прикл. фотогр. 1995. — Т.40, N.3. — С.44−44.
  156. Schulze W., Becker H.U. and Abe H. The preparation of silver molecules Agn (n < 10) in Kr matrices and their ultraviolet -visible absorption spectra // Chem. Phys. 1978. — V.35, No.2. -P. 177−186.
  157. Josef Tiggesbaumker, Lars Koller, Karl-Heinz Meiwes-Broer. Bound-free collective electron exitations in negative charged silver clusters. // Chemical Physics Letters. 1996. — V.260. — P.428−432.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!