Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Исследование плазмы в СВЧ-реакторах и характеристик получаемых в них алмазных плёнок оптическими методами

Диссертация: Исследование плазмы в СВЧ-реакторах и характеристик получаемых в них алмазных плёнок оптическими методами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Несмотря на существование целого ряда методов измерения параметров водородной плазмы, практическое их использование в конкретных плазмохимических реакторах нередко сталкивается с рядом проблем, связанных как с техническими сложностями применения конкретных методов в некоторых реакторах или необходимости использования сложного оборудования, так и с неприменимостью некоторых методов в конкретных… Читать ещё >

Содержание

  • Положения, выносимые на защиту
  • 1. Плазмохимические реакторы для осаждения алмазных плёнок
    • 1. 1. Плазмохимические реакторы на основе СВЧ разряда
    • 1. 2. Обзор работ по измерению параметров плазмы в СВЧ реакторах
      • 1. 2. 1. Газовая кинетическая температура
      • 1. 2. 2. Концентрации активных радикалов
      • 1. 2. 3. Концентрация электронов
  • 2. Исследование параметров плазмы СВЧ разряда, поддерживаемого излучением магнетрона на частоте 2,45 ГГц
    • 2. 1. Экспериментальная установка
      • 2. 1. 1. Описание СВЧ реактора на основе объемного резонатора
      • 2. 1. 2. Система оптической регистрации спектров излучения и поглощения плазмы СВЧ разряда
    • 2. 2. Измерение параметров плазмы и концентрации активных радикалов. 34 2.2.1. Измерение газовой кинетической температуры. 2.2.1.1.Вращательная структура-молекулярного водорода
      • 2. 2. 1. 2. Вращательная структура радикала С
      • 2. 2. 1. 3. Вращательная структура молекулярного азота. 47 2.2.1.4Особенности интерпретации спектральных данных. т
      • 2. 2. 1. 5. Результаты измерений
      • 2. 2. 1. 6. Сопоставление результатов
      • 2. 2. 2. Результаты измерения газовой кинетической температуры в различных режимах работы СВЧ реактора
      • 2. 2. 3. Измерение концентрации атомарного водорода в плазме
      • 2. 2. 3. 1. Актинометрический метод
      • 2. 2. 3. 2. Выбор и обоснование используемых для актинометрии пар линий
      • 2. 2. 3. 3. Результаты измерений
      • 2. 2. 4. Техника «двойного импульса»
      • 2. 2. 5. Измерение концентрации активных радикалов в плазме
      • 2. 2. 5. 1. Спектроскопия поглощения радикала С
      • 2. 2. 5. 2. Результаты измерений
      • 2. 2. 5. 3. Обсуждение результатов
  • 3. Исследование параметров плазмы СВЧ разряда, поддерживаемого излучением гиротрона на частоте 30 ГГц
    • 3. 1. Описание экспериментальной установки
      • 3. 1. 1. Описание СВЧ реактора на основе разряда, создаваемого в пересекающихся волновых пучках
      • 3. 1. 2. Система оптической регистрации спектров излучения плазмы
    • 3. 2. Измерение параметров плазмы
      • 3. 2. 1. Газовая кинетическая температура, измерение по вращательной структуре С
      • 3. 2. 2. Измерение концентрации электронов
        • 3. 2. 2. 1. Уширение линий излучения атомарного водорода в плазме .,
        • 3. 2. 2. 2. Методика обработки спектральных данных
      • 3. 2. 3. Результаты измерений
  • 4. ^Исслёдбванйе свойств алмазных плёнок и пластин 99 4.1. Спектроскопия комбинационного рассеяния
    • 4. 1. 1. Спектры рассеяния на различных компонентах алмазных плёнок
    • 4. 1. 2. Стенд для измерения спектра комбинационного рассеяния. .
  • 3. Результаты измерений содержания графита и неалмазных компонент в алмазных плёнках
    • 4. 1. 4. Результаты исследований внутренних напряжений в алмазных дисках по спектрам комбинационного рассеяния
    • 4. 2. Измерение теплопроводности алмазных дисков
    • 4. 2. 1. Обзор методов измерения теплопроводности
      • 4. 2. 1. 1. Методы, использующие «тепловую волну»
      • 4. 2. 1. 2. Методы импульсного нагрева
      • 4. 2. 1. 3. Стационарные методы измерения теплопроводности
      • 4. 2. 2. Установка для измерения теплопроводности
      • 4. 2. 3. Методика проведения измерений и обработки результатов
      • 4. 2. 4. Результаты измерений
    • 4. 3. Кристаллическая структура поверхности
      • 4. 3. 1. Анализ текстуры и морфологии плёнок по обратному рассеянию света

Исследование плазмы в СВЧ-реакторах и характеристик получаемых в них алмазных плёнок оптическими методами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Настоящая диссертация посвящена исследованию свойств неравновесной плазмы, создаваемой при помощи СВЧ разрядов и применяющейся для осаждения алмазных пленок, а также исследованию свойств получаемых этим методом алмазных плёнок.

Технология химического осаждения алмазных плёнок из газовой фазы (CVD технология) активно исследуется на протяжении последних десяти лет. Технология заключается в том, что подложка, на которой будет происходить рост алмаза, помещается в атмосферу углеродсодержащего газа, в котором инициируются реакции, приводящие к образованию свободных углеводородных радикалов, которые затем, взаимодействуя с поверхностью подложки, вызывают рост алмазной плёнки. Как правило, результатом такого процесса является поликристаллическая алмазная плёнка, состоящая из множества сросшихся гранями кристаллов алмаза, но возможен также рост монокристаллических слоёв алмаза, при использовании подложки из монокристалла алмаза. Для активации газовой смеси и образования в ней необходимых активных веществ используются самые различные методы. Простейшим методом активации является нагрев газа разогретыми до высокой температуры (около 2200 °С) вольфрамовыми нитями. В настоящее время более распространены плазмо-химические реакторы, использующие различные виды газового разряда, в частности СВЧ разряда. Главным до стонством реакторов наГСВЧ разряде является высокое качество получаемых алмазных плёнок. Использование безэлектродного разряда исключает загрязнение плазмы материалом электродов, а высокая, частота используемого излучения позволяет достичь высокого энерговклада в плазму, и как следствие — высокой концентрации активных частиц и радикалов и относительно высокой скорости роста алмазной плёнки. Именно реакторы на СВЧ разряде используются для выращивания толстых пластин поликристаллического алмаза, пргодных для использования в качестве выходных окон мощных источников СВЧ излучения, и для доращива-ния слоёв монокристаллического алмаза на алмазной подложке. Однако реакторы на СВЧ разряде не лишены недостатков. Типичная скорость роста алмазной плёнки составляет 1−2 мкм/ч (ограничивается концентрацией активных частиц в плазме и требованиями к качеству алмаза), поэтому для получения пластин толщиной 1−2 мм требуются тысячи часов непрерывной работы реактора. В реакторах резонаторно-го типа объем создаваемой плазмы ограничен длиной волны СВЧ излучения, что делает затруднительным использование более высокочастотного излучения с целью увеличения удельного энерговклада в плазму и достижения более высокой скорости роста. Поэтому понимание происходящих в плазме процессов и оптимизация работы реактора с целью повышения скорости роста алмазной плёнки без ухудшения её качества, а также разработка новых видов СВЧ реакторов, является актуальной задачей.

Целью диссертационной работы является исследование оптическими методами процессов, происходящих в неравновесной плазме СВЧ разрядов, применяемых для осаждения алмазных пленок из газовой фазы, а также характеристик выращенных таким образом алмазных плёнок.

Несмотря на существование целого ряда методов измерения параметров водородной плазмы, практическое их использование в конкретных плазмохимических реакторах нередко сталкивается с рядом проблем, связанных как с техническими сложностями применения конкретных методов в некоторых реакторах или необходимости использования сложного оборудования, так и с неприменимостью некоторых методов в конкретных условиях. Практически это означает, что могут применяться только бесконтактные методы измерения, такие как оптическая спектроскопия. Из всего множества параметров плазмы важными для оптимизации работы плаз-мохимического СВЧ реактора, исследование которых бьыо целью диссертационной работы7являются следующие: кинетическая температура газа в разряде, концентрация атомарного водорода и активных радикалов, а также концентрация электронов.

Исследование свойств выращенных по CVD технологии алмазных плёнок также является важным для оптимизации режимов работы плазмохимического СВЧ реактора. Целью данной работы являлось также создание диагностического комплекса для измерения различных свойств алмазных плёнок, таких как содержание в плёнках неалмазных примесей и дефектов, теплопроводность и кристаллическая структура алмазной плёнки. Результаты измерения затем использовались для подбора оптимальных режимов работы СВЧ реактора.

В результате выполнения диссертационной работы создан комплекс диагностик углеводородной плазмы в СВЧ реакторах и параметров выращенных алмазных плёнок, необходимый для успешного развития CVD технологий, то есть создания необходимых условий для синтеза алмазных плёнок с заданными свойствами.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Общий объём диссертации составляет 148 страниц, включая 61 рисунок.

Список литературы

содержит 101 наименование.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В заключении сформулируем основные результаты, полученные в диссертационной работе.

1. В плазмохимическом СВЧ реакторе для осаждения алмазных плёнок на основе 2,45 ГГц магнетрона проведены измерения газовой температуры по излучению различных вращательных систем электронных переходов молекулярного водорода, молекулярного азота и радикала С2 при различных параметрах работы реактора. Проведен сравнительный анализ полученных результатов измерений, и показано, что в условиях, типичных для плазмохимических СВЧ реакторов для выращивания алмазных плёнок, оптимальным для определения температуры газа (адекватно отражающим динамику и величину температуры) является использование излучения вращательной системы R (2−2) перехода d3n~ —>¦ a3Eg молекулярного водорода, либо, при наличии достаточного количества метана — перехода d3ng —>¦ а3Пц радикала С2.

2. Проанализирована применимость различных пар линий Аг/Н и Kr/Н для измерения концентрации атомарного водорода методом актинометрии в условиях, типичных для плазмохимических СВЧ реакторов для выращивания алмазных плёнок. Проведены эксперименты по измерению концентрации атомарного водорода в плазме СВЧ реактора. Показано, что оптимальным для измерения концентрации атомарного водорода в плазмохимических СВЧ реакторах «методом актинометрии является использование пары линий Аг (2р9, 811,5 нм, 13,08 эВ) и Н7 (п=5, 434,0 нм, 13,06 эВ). Эти линии «имеют практически равную энергию верхнего уровня, и удовлетворяет условиям, при которых метод актинометрии даёт адекватные результаты.

3. Проведены измерения концентрации атомарного водорода в плазме СВЧ реактора в импульсном и непрерывном режимах работы при различных давлениях и СВЧ мощности. Относительная концентрация атомов водорода в плазме СВЧ разряда, поддерживаемого в плазмохимичесом СВЧ реакторе излучением с частотой 2,45 ГГц, возрастает с ростом давления как в импульсном, так и в непрерывном режимах поддержания СВЧ разряда. Увеличение скорости роста алмазных плёнок в плазме импульсно-периодичесхсого СВЧ разряда в 1,5−2 раза по сравнению с непрерывным СВЧ разрядом связано с тем, что импульсно-периодический СВЧ разряд является более эффективным источником атомарного водорода по сравнению с непрерывным при одинаковых удельных энерговкладах в плазму.

4. С использованием техники двойного импульса в импульсном режиме работы СВЧ реактора проводилась измерение временной модуляции концентраций радикалов СН и С2. Показано, что концентрации исследуемых радикалов промо-дулированы по амплитуде, при этом глубина модуляции существенно больше, чем у атомарного водорода. Поскольку радикалы СН и С2 рождаются в газовой фазе в основном в реакциях с участием Н, можно предположить, что модуляция концентрации Н ведет к модуляции углеродосодержащих радикалов. В промежутке между импульсами сохраняется заметная концентрация атомарного водорода и активных радикалов Снижение концентрации атомарного водорода происходит по закону, близкому к экспоненциальному, с характерным временем около 2,5 мс.

5. В плазмохимическом СВЧ реакторе для осаждения алмазных плёнок на основе 2,45 ГГц магнетрона в процессе осаждения алмазных плёнок проведены измерения концентрации радикала С2 методом широкополосной спектроскопии поглощения, и одновременное измерение интенсивности излучения перехода d3ng —а3Пи радикала С2. Показано, что интенсивность излучения перехода d3ng~—> а3Пи радикала С2 в широком диапазоне условий, реализуемых в плаз-мохимических СВЧ реакторах, линейно кореллирует с концентрацией радикала.

С2, что позволяет использовать интенсивность данного перехода для определения относительной концентрации радикала С2.

6. Для нового типа плазмохимического СВЧ реактора, использующего плазму СВЧ разряда, поддерживаемого в пересекающихся волновых пучках излучением гиротрона с частотой 30 ГГц, в трёхкомпонентной газовой смеси водорода, метана и аргона, при большом процентном содержании аргона (50−75%), температура газа и концентрация электронов слабо зависят от мощности СВЧ излучения, но испытывают выраженный рост с повышением давления газа. Увеличение содержания аргона в газовой смеси приводит к уменьшению концентрации электронов и, при более высоких мощностях, к снижению температуры газа Увеличение давления газа приводит к увеличению как температуры газа, так и концентрации электронов, из-за снижения объема плазмы и увеличения удельного поглощения энергии плазмой.

7. На основе непрерывного аргонового лазера и спектрографа Horiba JY FHR-1000 с линейкой ПЗС Jobin Yvon создана установка для анализа алмазных материалов при помощи спектроскопии комбинационного рассеяния Методом спектроскопии комбинационного рассеяния проведены диагностика содержания графита в алмазных плёнках и внутренних напряжений в толстых (1 мм) поликристаллических алмазных дисках. Результаты содержания измерений графитовой фазы в алмазных плёнках позволили оптимизировать режимы работы СВЧ реактора для получения оптически прозрачных алмазных пленок высокой чистоты. Показано, что некоторые алмазные диски имеют неравномерное по радиусу распределение внутренних напряжений (внешняя часть диска испытывает сжатие, в то время как внутренняя часть испытывает растяжение. Такое распределение вызвано неравномерностью распределения температуры алмазных дисков в процессе осаждения.

8. Проанализированы различные методы измерения теплопроводности. Создана установка для измерения теплопроводности алмазных дисков диаметром 50 100 мм методом стационарного распределения температуры Проведены измерения теплопроводности для нескольких образцов поликристаллического CVD алмаза, полученные значения теплопроводности всего на 15−25% ниже, чем теплопроводность природного алмаза типа Па (23,0 Вт/см ¦ К при 300 °К). Полученные результаты свидетельствуют о том, что теплопроводность CVD алмаза достаточна для ряда применений, таких как использование в качестве выходных окон мощных источников СВЧ излучения или в качестве теплоотводов для мощных электронных устройств.

9. Разработан метод для быстрого определения параметра а, характеризующего кристаллическую структуру поликристаллических алмазных плёнок при помощи анализа углового распределения обратного рассеяния света при отражении от граней кристаллов на поверхности плёнки.

Показать весь текст

Список литературы

  1. GroWn Т. A., Asmussen J., Microwave plasma-assisted diamond film deposition
  2. Diamond Films Handbook, Ed. by J. Asmussen and D. K. Reinhard, Marcel Dekker, New York, (2001), c. 211
  3. W.G. // US Patent 3 030 187, 3 030 188 (1958)
  4. Deryagin B.V., Fedoseev D.V., Luk’yanovich V.M., Spitsyn B.V., Ryabov V A Lavrent’ev A. V. // J. Crystal Growth, (1968), N.2, c. 380−384
  5. Angus j. a, mil H. a, Stanko W.S. // J. Appl. Phys. (1968), т.39, с. 29 155. дерягин Б.В., Спицин Б. В., Буилое Л. Л., Клочков А. А., ГородеЦКЫ А.Е., Смо-лянинов А.В. // Доклад Академии Наук СССР (1976), т.231, с. 333 '
  6. В. V., Builov L.L., Deryagin В. V. // J. Cryst. Growth (1981), т.52, с. 219
  7. S., Sato Y., Kamo M., Setaka N. // J. Mater, Sci. (1982), т.17, c. 3106
  8. N., Yoshikawa M. // J. Electrochem. Soc. (1990), т.137, с. 717
  9. Baik Y.J., Lee J.K., Lee W.S., Eun K. Y. // Thin Solid Films (1999), т.341 с 202 206
  10. Ю. Paul W. May, Diamond films: a 21st century material // Phil. Trans. R. Soc. Lond. A (2000) t.358, c.473−495
  11. Bardos L., Barankova H., Nyberg Т., Berg S., Lebedev Y.A., Diamond deposition in a microwave electrode discharge at reduced pressures // Diamond and Related Materials, (1997), т.6, N.2, c. 224−2291.f
  12. Borges C.F.M., Moisan M., Gicquel A. // Diamond and Related Materials (1995), т 4, c. 149−154
  13. Vikharev A.L. et.al. // Vth International Workshop «Microwave discharge- fundamentals and applications», Greifswald, Germany (2003) c. 84
  14. Avtaeva S.V., Mamytbekov M.Z., Otorbaev D.K., Diagnostics of magnetically enhanced RF discharges in methane, argon and methane-argon mixtures //J. Phys. D: Appl. Phys., (1997), т. ЗО, с. 3000−3007
  15. Lang N., Kalachev M., Kaning M., Lavrov B.P., Ropke J., Time behaviour of various emissions in a modulated hydrogen microwave discharge // Frontiers m Low temperature plasma Diagnostics III, Saillon, Switzerland, (1999)
  16. Tomasini L., Rousseau A., Gousset G., Leprince P., Spectroscopic temperature measurements in a H2 microwave discharge //J. Phys. D: Appl. Phys, (1996), т.29, с. 1006−1013
  17. Gicquel A., Hassouni K., Breton Y., Ghenevier M., Cubertafon J.C., Gas temperature measurements by laser spectroscopic techniques and by optical emission spectroscopy // Diamond and related materials, (1996), т.5, с. 366−372
  18. Chu H.N., Den Hartog Е.А., Lefkow A.R., Jacobs J., Anderson L. W., Lagally M. G., Lawler J.E., Measurements of the gas kinetic temperature in a CHi — H2 discharge during the growth of diamond // Phys Rev A, (1991), т.44, N.6, с. 3796
  19. Xavier Duten, Antonie Rousseau, Alix Gicquel, Khaled Hassouni, Philippe Leprince, Time resolved measurements of the gas temperature in a H2/CH4 medium pressure microwave 915 MHz pulsed plasma // J. Phys. D: Appl Phys, (2002), т.35, с. 19 391 945
  20. Xavier Duten, Antonie Rousseau, Alix Gicquel, Philippe Leprince, Rotational temperature measurements of excited and ground states of C2 (d3ng —> а3Пи) transitions in a H2/CH4 915 MHz microwave discharge // J. Appl. Phys, (1999), т.86, N.9, с. 5299−5301
  21. Bo Bai, Herbert H. Savin, Brett A. Cruden, Neutral gas temperature measurements of high-power fluorocarbon plasmas by fitting swan bands of C2 molecules //J. Appl. Phys, (2006), t.99, c. 13 308 (1−11)
  22. E.J. // Ph.D. thesis, University of California, Berkeley, (2000)
  23. И.А., Оторбаев Д. К., Силаков В. П., Чеботарев А. В., Радиационные спектры атомов водорода в неравновесной газоразрядной плазме // Физика плазмы, (1998), т.24, N.8, с. 761−764
  24. D.C., Butler J.E. // Handbook of industrial diamond and diamond films, Ed. by Prelas M.A. et, ch. ll, New York: Marcel Dekker, (1997)
  25. Stephen J. Harris, Anita M. Weiner, Methyl radical and H-atom concentrations1. during diamond growth // J. Appl. Phys., (1990), т.67, N.10, c. 6520−6526
  26. Davies P.В., Martineau P.M., Infrared laser diagnostics in methane chemical-vapor-deposition plasmas // J. Appl. Phys., (1992) т.71, N.12, — с. 6125−6135
  27. Celii F.G., Butler J.E., Direct monitoring of CH3 in a filament-assisted diamond chemical vapor deposition rector // J. Appl Phys., (1992), t.71, N.6, c. 2877−2833
  28. Mozetic M., Drobnic M., Zalar A., Determination of H concentration with a Ni catalytic probe // XXIV ICPIG (Warsaw, Poland), 11−16 July, (1999)
  29. Mechold L., Ropcke J., Duten X., Rousseau A., On the hydrocarbon chemistry in a H2 surface wave discharge containing methane // Plasma Sources Sci. Technol, (2001), T.10, c. 52−60
  30. Poucques L., Bougdira J., Hugon R., Henrwn G., Alnot P., Time-resolved plasma diagnostics for a better understanding of the improvement of pulsed MWPACVD of diamond // J. Phys. D: Appl. Phys., (2001), т.34, с. 896−904
  31. Capelh M.A., Owano T.G., Gicquel A., Duten XMethyl concentration measurements during microwave plasma-assisted diamond deposition // Plasma Chemistry and Plasma Processing, (2000), т.20, N. l, c. 15
  32. Lombardг G, Stancu G.D., Hempel F., Gicquel A., Ropcke J., Quantitative detection of methyl radicals in non-equilibrium plasmas: a comparative study // Plasma Sources Sci. Technol., (2004), т.13, N. l, c. 27−38
  33. Goyette A.N., Lawler J.E., Anderson L. W., Gruen D.M., McCauley T G., Zhou D., Krauss A.R., Spectroscopic determination of carbon dimmer densities in Ar-H2-CH4 and Ar-H2-C60 plasmas // J. Phys. D: Appl. Phys., (1998), т.31, с. 1975−1986
  34. J.W., Chen M. // J. Appl. Phys., (1980), т.51, с. 3134
  35. Очкии B.H. J/ Спектроскопия низкотемпературной плазмы, M. Физматлит, (2006)
  36. H.R. // Principles of plasma spectroscopy, Cambridge University Press, Cambridge, U.K., (1997)
  37. Gigosos M.A., Gonzalez M.A., Cardenoso V., Computer simulated Balmer-alpha, -beta and -gamma Stark line profiles for non equilibrium plasmas diagnostics // Spectrochimica Acta Part B, 58 (2003), c. 1489−1504
  38. А.Л., Иванов О. А., Степанов A.H., Применение коротких ионизирующих СВЧ импульсов для изучения распада плазмы // Журнал технической физики, (1984), т.54, N.8, с. 1617−1619
  39. Ю.В., Шибкое В. М., Шибкова Л. В., Кинетика нагрева и диссоциации молекул в импульсном разряде в водороде // Физика плазмы, (1998), т 24, N 7, с. 667−671
  40. Я.Б., Райзер Ю. П. // Физика ударных волн и высокотемпературных гидродинамических явлений, М.: Наука, (1966)
  41. Е.В., Лосев С. А., Осипов А. И. // Релаксационные процессы в ударных волнах, М.: Наука, (1965)
  42. Д.К., Очкин В. Н., Рубин П. Л., Савинов С. Ю., Соболев Н. Н., Цхай С. Н. Возбуждение вращательных уровне электронных состояний молекул электронным ударом в газовом разряде // Труды Физического института им. П.Н.--Лебедева, (1985), т.157, с. 86
  43. А.П., Котликов Е. Н., Оторбаев Д. К. и др, Возбуждение электронно-колебательно-вращательных уровней молекул водорода электронным ударом в неравновесной плазме газового разряда // ЖЭТФ, (1980), т.79,с 1687—1703
  44. Phelps A. V., Cross sections and swarm coefficients for H+, Rf, H3″, H, H2 and H~ in H2 for energies from 0.1 eV to 10 keV // Journal of Physical and Chemical Reference Data, (1990), т.19, вып. З, с. 653−675
  45. .П., Электронно-вращательные спектры двухатомных молекул и диагностика неравновесной плазмы // Химия плазмы, ред. Б. М. Смирнов, М.: Энергоатомиздат, (1984), вып.11
  46. G.P., Gottscho R.A. // J. Appl. Phys., (1983), т.54, с. 3080
  47. Ю.А., Шахатов В. А., О параметрах неравновесного азотного СВЧ-разряда в трубке в прямоугольном волноводе // Теплофизика высоких температур, (2006), т.44, N.6, с. 805−813
  48. Ю.А., Шахатов В. А., Диагностика неравновесной азотной плазмы по излучению второй положительной системы азота // Физика плазмы, (2006), т.32, N.1, с. 58−74
  49. И.Д., Бадрутдинов О. Р., Об определении температуры плазмы тлеющего разряда в азоте по второй положительной системе N2 // Журнал прикладной спектроскопии, (1988), т.49, N.3, с. 486−488
  50. Smirnov В.М., Yatsenko A.S., Properties of dimers // Успехи физических наук, (1996) т.39 N.3, с. 211−230
  51. А.Л., Горбачев A.M., Колданов В. А., Радищев Д. В., Исследования импульсного и непрерывного СВЧ разрядов, применяемых в технологии получения алмазных плёнок // Физика плазмы, (2005), т.31, N.3, с. 376−384
  52. В.А., Горбачев A.M., Вихарев А. Л., Радищев Д. В., Самосогласованное моделирование импульсного и непрерывного СВЧ-разрядов в водороде // Физика плазмы, (2005), т.31, N.11, с. 1038−1050
  53. Prasad C.V.V, Bernath P.F., Fourier transform spectroscopy of the Swan (d3ng а3Пи) system of the jet-cooled C2 molecule // The Astrophysical Journal, (1994), т.426, c. 812−821
  54. Pellerin S., Musiol K., Motret O., Pokrzywka В., Chapelle J., Application of the (00) Swan band spectrum for temperature measurements //J. Phys, D Appl. Phys, (1996), T.29, c. 2850−2865
  55. Gorbachev A.M., Koldanov V.A., Vikharev A.L., Numerical modeling of a microwave plasma CVD reactor // Diamond and Related Material, (2001), т.10, с. 342−346
  56. H.A., Кашко Д. А., Паль А. Ф., Серов А. О., Суетин Н В., Филиппов А. В., Актинометрический метод контроля концентрации атомарного водорода в тлеющем разряде // Физика плазмы, (1998), т.24, N.12, с. 1114−1123
  57. Rousseau A., Granier A., Gousset G., Leprince P., Microwave discharge in H2: influence of H-atom density on the power balance // J. Phys. D: Appl. Phys., (1994), T.27, c. 1412
  58. Farhat S., Findeling C., Silva F., Hassouni K., Gicquel A., Role of the plasma composition at the surface on diamond growth // J. Phys. IV France, (1998), т.8, Pr7, c. 391
  59. Gicquel A., Hassouni K. et al. // Diam. Rel. Mater., (1994), т. З, с. 581
  60. M.J., Khachan J., Falconer IS., James B. W. // J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys., (1999), t.32, c. 2869
  61. Francis A., Czarnetzki U., Dobele H.F., Sadeghi N. j j Appl Phys. Lett, (1997), t.71, N.26, c. 3796
  62. Akhmedzhanov II. Л Vikhnrpv Л r j. 1, л., vimarev A.L., Gorbachev A.M., Kolianov VA, Radishev
  63. D.B., Studies of pulse operation regime of microwave plasma CVD reactor // D, a-mond and Related Materials, (2002), т. 11, с. 579−583
  64. Goyette A.N., Lavler J.E., Anderson L.W., Gmen D.M., McCauley TO Zhou
  65. D., Krauss A. R" C2 Swan Band Emission Intensity as a taction of C2 density // Plasma Sources Sci. Technol., (1998). т.7. с. 149−153
  66. Hiramatsu M" Kato K., Lau C.H., Foord J.S., Hori M" Measurement of C2 radical density in microwave methane/hydrogen plasma used for nauocrystalline diamond film formation // Diamond Relat. Mater., (2003), т.12, с. 365−368
  67. С., Joeris P., Kroger R. // Pure fc Appl. Chem. (1994), T.66, N.6, с. П95
  68. John P., Rabeau J.R., Wilson J.I.B. // Diamond Relat. Mater., (2002), T. il, c. 608
  69. VAharev A.L., Gorbachev A.M., Kozlov A.V., Kolianov V.A., Litvak A G
  70. Ovechkm N.M., Raduhev D.B., Bykov Yu. V" Cap, an M. // Diamond and Related
  71. Materials, (2006), т. 15, с. 502−507
  72. Н., Hans R. // Spectral Line Broadening by Plasmas, Academic Press N Y (1974) ' ' ''
  73. J. // High density plasma sources (ed. Popov O.A.), Noyes puplications, Park Ridge, (1995), c. 251
  74. Qihong Wu, Lin Yu, Yurong Ma, Yuan Liao, Rongchuan Fang, Ligong Zhang, Xi-angli Chen, Kelvin Wang, Raman investigations of amorphous carbon in diamond film treated by laser // J. Appl. Phys., (2003), т.93, N. l, c. 94−100
  75. Grus M., Jankovska-Frydel A., Bohdanovicz J., Zavada K., Chemical Vapor Deposition of Diamond Films in Hot Filament Reactor // Cryst. Res. Technol., (2001), т.36, c. 961−970
  76. Mortet V., Krornka A., Kravets R., Rosa J., Vorlicek V., Zemek J., Vanecek M., Investigation of diamond growth at high pressure by microwave plasma chemical vapor deposition // Diamond and Related Materials, ((2004)), т.13, с. 604−609
  77. Wotherspoon A., Steeds J. W., Catmull В., Butler J, Photoluminescence and positron annihilation measurements of nitrogen doped CVD diamond // Diamond and Related Materials, (2003), т.12, с. 652−657
  78. Wotherspoon A., Seeds J. W., Coleman P., Wolverson D., Davies J., Lawson S., Butler J., Photoluminescence studies of type Ha and nitrogen doped CVD diamond // Diamond and Related Materials, (2002), т. 11, с. 692−696
  79. L., Stoner B.R., Turner K.F., Glass J. Т., Nemanich R. J. // J. Appl.- Phys., (1993), t.73, c. 3951−3957 ~
  80. Feldman A., Round robin thermal conductivity measurements on CVD diamond // In: A Feldman, Y Tzeng, WA Yarborough, M Yoshikawa, M Murakawa, eds. Applications of Diamond Films and Related Materials: Third International Conference, (1995), c. 627
  81. А.Н., Павловский И. Ю., Окуши X., Ватанабе X., Влияние структурных особенностей на теплопроводность поликристаллических алмазных пленок // Физика твёрдого тела, (1998), т.40, N.7, с. 1221
  82. А.С., Fournier D., Baoz J. // Appl Phys Lett., (1980), т.36, с. 130
  83. D., Plaman K. // Diamond Related Material, (1995), т.4, с. 809
  84. J.E. // Diamond Film Technol., (1993), т. З, с. 77
  85. Anthony T.R., Banholzer W.F., Fleisher J.F., Wei L., Кио P.K., Tomas R.L. // Phys. Rev. B, (1990), т.4, с. 1104
  86. A. // Photoacoustics and Photoacoustic spectroscopy, Wiley, N.Y., (1980), c. 309
  87. A., Gersho A. // J. Appl. Phys, (1976), т.47, с. 64
  88. Feldman A., Frederikse H.P.R. // Proceedings of Second International Conference on the Applications of Diamond Films and Related Materials, Omiya Saitama, Japan, August 25−27, (1993), c. 261
  89. V., Vlasov A., Vlasov L., Zubov В., Nikitin A., Khomich A. // Proc. SPIE Int. Soc., Opt. Eng., (1997), т.3484, с. 214
  90. A., Ralchenko V., Gordeev S., Zakharov D., Vlasov L., Belobrov P. // Diamond Related Material, (2000), т.9, с. 1104
  91. E.B., Суходолов А. В., Ральченко В. Г., Власов А. В., Хомич А. В., Измерение теплопроводности поликристаллического CVD-алмаза методом импульсных динамических решеток // Квантовая электроника, (2002), т.32, N.4, сг367−372
  92. Gorbachev V.V., Durov V.M., Zezin R.B., Ivakin E.V., Rubanov A.S., Tatyanina ' N.A. // Phys. Stat. Sol. (b), (1988), т. 150, с. 901
  93. H.J., Gunter P., Pohl D.W. // Laser-induced dynamic gratings, Behrn Springer, (1986)
  94. Wild C.} Koidl P., Muller-Sebert W., Walcher H., Kohl R., Herres N" Locher R., Samlenski R., Brenn R., Chemical vapour deposition and characterisation of smooth100}-faceted diamond films // Diamond and Related Material, (1993), т.2, с. 158 168
  95. Silva F., Gicquel A., Tardieu A., Cledat P., Chauveau Th., Control of an MPACVD reactor for polycristalline textured diamond films synthesis: role of microwave power density // Diamond and Related Material, (1996), т.5, с. 338−344
  96. Физика Плазмы, (2005), т.31, N.10, с. 1038−1050
  97. Шифр 2007−3-2.3−25−05−001 // ИНФ РАН, Нижний Новгород, (2008), глава 2,' Инв. номер 02.200 951 541
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!