Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Кинетические свойства размерно-квантованных систем в электрическом и магнитном полях

Диссертация: Кинетические свойства размерно-квантованных систем в электрическом и магнитном полях
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Поля влияют на основные механизмы рассеяния носителей (фононный, примесный, рассеяние на поверхности). Определяют законы взаимодействия частиц с излучением (правила отбора, избирательность по поляризации и т. д.). При этом могут сильно меняться оптические и кинетические свойства размерно-квантованных систем (например, возникают осцилляции электропроводности), проявляются новые интересные… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Кинетические свойства пизкоразмериых систем. Обзор литературы
    • 1. 1. Оптические свойства размерно-квантованных систем
    • 1. 2. Явления переноса в размерно-ограниченных системах
  • Глава 2. Миогофононное поглощение света в размерно-квантованных системах во внешних полях
    • 2. 1. Межзонное поглощение света в квантовых ямах в электрическом и магнитном полях
    • 2. 2. Межподзонное поглощение света в квантовых ямах в продольном магнитном поле
  • Глава 3. Межзонное поглощение света в полупроводниковых структурах в однородном электрическом поле
    • 3. 1. Поглощение света в полупроводниках в электрическом поле
    • 3. 2. Поглощение света в низкоразмерных системах в электрическом поле
  • Глава 4. Электропроводность низкоразмерных систем в магнитном поле
    • 4. 1. Статическая электропроводность в электрон-фононных системах. Общие соотношения
    • 4. 2. Электропроводность параболической квантовой ямы
    • 4. 4. Электропроводность квантовой проволоки в магнитном поле

Кинетические свойства размерно-квантованных систем в электрическом и магнитном полях (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Среди последних достижений современной электроники особое место занимают приборы с использованием новых искусственно созданных полупроводниковых структур, обладающих уникальными физическими свойствами, обусловленными проявлением квантовых эффектов (эффект размерного квантования, квантовый эффект Холла, квантование проводимости и оптических свойств, квантовые контактные явления, туннельный эффект, амплитудное и фазовое сжатие электромагнитных волн и т. д.). Одним из наиболее перспективных в использовании и интенсивно изучаемых является эффект размерного квантования. Квантование движения частиц имеет место, когда характерный размер системы близок по величине к длине волны де Бройля носителей. Уменьшение размеров системы в одном либо двух, трех направлениях приводит к тому, что движение частицы становится соответственно: квазидвумерным, квазиодномерным или квазинульмерным. В настоящее время существует большое число видов низкоразмерных систем: квантовые ямы (КЯ), сверхрешетки (CP), квантовые проволоки (КП), квантовые доты и их системы.

Современная технология позволяет изготовлять низкоразмерные системы с разнообразными, порой весьма отличными от массивных полупроводников, структурными, оптическими, электрическими, магнитными и другими свойствами. При этом применение внешних воздействий (электрического и магнитного полей, когерентного электромагнитного излучения, механического и теплового воздействий) позволяют плавно, ступенчато либо очень резко менять их свойства.

Так, внешние электрическое и магнитное поля способны принципиально менять энергетический спектр носителей заряда и волновые функции (например, в КЯ в перпендикулярном поверхности магнитном поле спектр энергий становится полностью квантованным (квазинульмерным)).

Поля влияют на основные механизмы рассеяния носителей (фононный, примесный, рассеяние на поверхности). Определяют законы взаимодействия частиц с излучением (правила отбора, избирательность по поляризации и т. д.). При этом могут сильно меняться оптические и кинетические свойства размерно-квантованных систем (например, возникают осцилляции электропроводности), проявляются новые интересные физические эффекты. В то же время, исследование оптических свойств и явлений переноса во внешних полях дает чрезвычайно важную информацию о низкоразмерных системах, которую подчас трудно, либо невозможно определить другими способами. Например, ширину запрещенной зоны, шаг размерного квантования, эффективную массу определяют из оптических исследований, концентрацию носителей — из эффектов Холла и Шубникова-де Гааза, энергию оптических фононов — из магнитофононного резонанса, и т. д.). Таким образом электрическое и магнитное поля позволяют эффективно управлять оптическими и кинетическими свойствами размерно-квантованных систем, что делает их весьма перспективными при создании новых оптоэлектронных приборов.

Такие особенности систем с пониженной размерностью предсказывались давно, но только в последние два десятилетия, благодаря развитию технологии (молекулярно-лучевой эпитаксия, сканирующая туннельная микроскопия, химическое осаждение из металло-органической фазы) стало возможным в полной мере производство структур с заранее заданными свойствами. Что позволяет еще более улучшить основные характеристики электронных устройств: увеличить быстродействие, уменьшить размеры, повысить надежность, уменьшить энергопотребление и т. д. При рассмотрении оптических спектров поглощения и люминисценции, электропроводности в КЯ обычно использовалась простая модель прямоугольной ЬСЯ с конечными или бесконечно-высокими стенками. Однако новые технологии, например, применение компьютерного контроля за затворами молекулярных пучков в методе молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяют получать размерно-ограниченные полупроводниковые системы заданной толщины с практически любым требуемым профилем потенциала КЯ. Эти технологические возможности позволили и в теоретических исследованиях не ограничиваться прямоугольной формой потенциала. Так все чаще стала применяется модель, в которой потенциал КЯ апроксимируется параболой. Квантовые системы с таким потенциалом получают посредством модулирования состава структуры либо при использовании специальной технологии легирования [1]. Впервые параболическая КЯ была получена в размерно-ограниченной структуре GaAs-AlxGa^As [2]. Системы с квадратичным потенциалом интересны тем, что проявление эффектов размерного квантования в них происходит в достаточно широких КЯ (с шириной, а более 1000 А). Для типичных параметров параболической квантовой ямы GaAs-AlxGaixAs шаг пространственного квантования для электронов равен 14. в!а эВ (если, а задавать в А), то есть, при а=1000 A, tw) = 14.6 мэВ. Следовательно, уже при температуре Т-100 К, должно заметно проявляться влияние структуры размерно-квантованных уровней на свойства таких систем. Квадратичная зависимость потенциала также удобна для теоретических расчетов и многие характеристики полупроводниковых систем позволяет получить в аналитическом виде, что делает более удобным детальный анализ рассматриваемых физических явлений.

В первой главе данной диссертационной работы представлен обзор экспериментальных и теоретических работ, посвященных исследованию низкоразмерных систем: их оптических и транспортных свойств, а также влияния внешних воздействий. Обсуждаются приближения, которые используются ниже в оригинальных главах диссертации.

Во второй главе описано поглощение света в квазидвумерных системах во внешних полях. В частности, подробно исследованы процессы межзонного поглощения электромагнитной волны в прямоугольной КЯ при одновременном воздействии в квантующего перпендикулярного проверхности КЯ магнитного поля и параллельного поверхности системы электрического поля. Вычислен коэффициент поглощения света при взаимодействии носителей с многими фононами, анализируется влияние внешних полей на частотную зависимость коэффициента межзонного поглощения слабой электромагнитной волны.

Также во второй главе рассмотрены особенности межподзонного поглощения света в параболической КЯ в магнитном поле (циклотронный резонанс). Изучается внутризонное поглощение света в параболической КЯ в случае, когда напряженность магнитного поля параллельна плоскости размерно-ограниченной системы. Наличие внешнего магнитного поля дает возможность управлять рабочей частотой детектора инфракрасного света, реализованного на подобной структуре. Определен коэффициент межподзонного поглощения света для прямых оптических переходов, которые возможны, если вектор поляризации электромагнитной волны параллелен оси квантования.

В третьей главе диссертационной работы предлагается новый простой метод расчета межзонного поглощения света в полупроводниковых системах, помещенных во внешнее электрическое поле. Развитый метод позволяет последовательно исследовать особенности электропоглощения полупроводниковых систем, зная лишь волновую функцию и собственные значения энергии носителей в отсутствие однородного электрического поля. Изучены частотные зависимости коэффициента межзонного поглощения слабой электромагнитной волны в параболических КЯ и СР.

В четвертой главе диссертационной работы исследованы особенности электропроводности размерно-ограниченных полупроводниковых систем в однородном магнитном поле.

Рассматривается электропроводность в параболической КЯ в магнитном поле параллельном поверхности КЯ при учете рассеяния носителей заряда на колебаниях кристаллической решетки. В частности показано, что электропроводность в направлении перпендикулярном магнитному полю может оказаться значительно больше, чем в трехмерных системах в магнитном поле.

Также в четвертой главе диссертации исследуется электропроводность квантовой проволоки в продольном и поперечном магнитном поле при рассеянии носителей на акустических фононах. В частности, предложена модель, позволяющая качественно описать экспериментально наблюдаемые особенности поперечного магнитосопротивления КП.

В заключении содержатся основные выводы по оригинальным главам диссертационной работы, а также возможные перспективы обсуждаемых в работе проблем.

Заключение

.

В диссертационной работе изучено влияние рассеяния носителей заряда на колебаниях кристаллической решетки на оптическое поглощение и электропроводность в квантованных системах во внешних электрическом и магнитном полях.

Показано, что включение продольного электрического поля для квантовой ямы, помещенной в квантующее перпендикулярное магнитное поле приводит к более сильному проявлению многофононных механизмов рассеяния в межзонном поглощении света, а также к аналогу эффекта в полупроводниках в скрещенных магнитном и электрическом полях: снятие электрическим полем правил отбора по магнитному квантовому числу v, различие по величине линий поглощения с vv=v[ и vv=vf±l, экспоненциальному уменьшению максимумов поглощения и сдвигу их в длинноволновую область на Д^./h. Также электрическое поле, приводит к эффективному изменению закона дисперсии фононов со= со ~—eER2qx. h.

Наболе сильно влияние электрического поля сказывается при рассеянии носителей на бездисперсионных оптических колебаниях кристаллической решетки, определяя форму и величину БФЛ и КС. При этом пулуширина БФЛ в электрическом поле может достигать нескольких мэВ.

Также проведено теоретическое исследование межподзонного поглощения света (циклотронный резонанс) в параболической квантовой яме в продольном магнитном поле, исходя из формулы Кубо с использованием куммулянтного усреднения по фононной подсистеме. Результаты, получающиеся при предельном переходе к объемной подсистеме сшиваются с ранее известными. Таким образом, данный способ расчета более простым образом позволяет получить выражение для коэффициента поглощения света при ЦР.

Предложен новый метод расчета межзонного поглощения света для широкого класса полупроводниковых систем в продольном электрическом поле, зная лишь волновые функции и собственных значениях энергии носителей в отсутствие электрического поля. Метод опробирован для ряда известных случаев. Также получены новые результаты для параболической КЯ в продольном магнитном поле и сверхрешетки, помещенных в продольное электрическое поле.

Из формулы Кубо с использованием куммулянтного усреднения по фонной подсистеме рассчитана электропроводность размерно-ограниченных систем в продольном и поперечном магнитном поле. Сформулировано приближение времени релаксации.

Показано, что электропроводность КЯ с ростом температуры и магнитного поля уменьшается. Поперечная электропроводность КЯ в магнитном поле меньше продольной, но при этом поперечная электропроводность для квантованных систем в магнитном поле может быть на несколько порядков больше поперечной электропроводности объемных систем в магнитном поле. При взаимодействии носителей с оптическими фононами у продольной электропроводности в размерно-ограниченных структурах даже в резонансных условиях не возникают особенности, характерные для объемных полупроводников (отсутствует магнетофононный резонанс).

Рассчитана электропроводность КП в поперечном магнитном поле. Предложенная модель позволяет качественно описать экспериментально наблюдаемые особенности поперечного магнетосопротивления КП Bi, связанные с немонотонной зависимостью числа носителей на уровне Ферми, их вероятности рассеяния от магнитного поля.

Вычислена проводимость КП в продольном магнитном поле. Она монотонно убывает с ростом магнитного поля. Что можно объяснить усилением рассеяния носителей на фононах вследствие увеличения локализованное&tradeносителей с ростом поля. Результаты для малых магнитных полей согласуются с экспериментальными данными для нанопроволок висмута.

Выражаю глубокую признательность своему научному руководителю профессору Э. П. Синявскому за постоянное внимание и плодотворные консультации. Я также искренне благодарен профессору П. И. Хаджи, профессору С. И. Берилу, доктору ф.-м. наук А. А. Николаевой, доценту С. М. Соковничу, доценту Е. И. Брусенской, сотрудникам кафедры теоретической физики, сотрудникам кафедры нелинейной оптики и квантовой радиофизики Приднестровского государственного университета им. Т. Г. Шевченко, Лаборатории физической кинетики им. А. В. Коварского ИПФ АН РМ за содействие в работе и обсуждение рассмотренных в диссертации задач. Работа частично финансирована Cooperativ CRDF-Grant МО-El 2603-SI-04.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М. Полупроводниковые сверхрешетки. (М., Мир, 1989) 240 с.
  2. Gossard A.S. Quantum well with parabolic potential.// II Inst. Phys. Cousf. Ser. № 69, Ed. E.H. Roderick, Bristol Institute of Physics, 1983, pp. 1−12.
  3. Wang S.M., Treideris G., Chen W.Q., and Andersson T.G. Growth of analog AlxGai. xAs/GaAs parabolic quantum wells by molecular beam epitaxy.// Appl.Phys.Lett., 1993, 62, № 1, 61−62.
  4. Weisbuch C., Miller R.C., Dingle R., Gossard A.C., Wiegmann W. Intrinsic radiative recombination from quantum states in GaAs-AlxGai.xAs multiquantum well structures.// Solid State Commun., 1981, 37, № 3, 219 222.
  5. Burnett J.H., Cheong H.M., Paul W., Hopkins P.F., and Gossard A.S. Photoluminescence excitation spectroscopy of Be-remotely-doped wide parabolic GaAs/AlxGaixAs quantum wells.// Phys. Rev. B, 1993, 48, № 11, 7940−7943.
  6. Fritze M., Chen W., Nurmikko A.V., Jo J., Santos M., and Shayegan. Intraband spectroscopy of a quasi-three-dimensional electron gas in wide parabolic (AI, Ga) As quantum wells.// Phys. Rev. B, 1993, 48, № 20, 1 510 315 111.
  7. В.Я., Антон A.B., Бабушкина T.C., Батукова Л. М., Демидов Е. В., Звонков Б. Н., Малкина И. Г. Фотолюминесценция квантовых слоев InxGaixAs, выращенных на плоскостях (100) и (111) арсенида галлия.// ФТП, 1990, 24, в. 5, 892−896.
  8. Haefner М., Lehmann L., Mitdank R., Oelgart G., Schulze E. Luminescence characterization of (AlGa)As single quantum wells.// Phys.Stat.Sol.(a), 1990, 122, 683−693.
  9. Gurioli M., Vinattieri A., Colocci M., Deparis C., Massies J., Neu G., Bosacchi A., Franchi S. Temperature dependence of the radiative andnonradiative recombination time in GaAs/AlxGa.xAs quantum-well structures.// Phys. Rev. B, 1991, 44, № 7, 3115−3124.
  10. Jogai В., and Wang K.I. Intraband optical transition in GaAs-Gai.xAlxAs superlatticies in an applied electric field.// Phys.Rev. B, 1987, 35, № 2, 653 659.
  11. Ksendzov A., Grunthaner F.J., Liu J.K., Rich D.H., Terhune R.W., and Wilson B.A. Absorption and photoluminescence of ultrathin pseudomorphic InAs/GaAs quantum wells.//Phys.Rev. B, 1991, 43, № 18, 14 574−14 580.
  12. Э.П., Канаровский Е. Ю. Влияние постоянного электрического поля на оптические свойства параболических квантовых ям.// ФТТ, 1995,37, в. 9, 2639−2645.
  13. Шик А. Я. Электродинамика двумерных электронных систем. Обзор.// ФТП, 1995, 29, в. 2(8), 1345.
  14. Berggren K.-F. Quantum phenomena in small semiconductor structures and devices.// Int. J. Quantum Chem., 1988, 33,217−245
  15. Э.П., Гребенщикова Е. И. Многофононные оптические переходы в размерно-ограниченных системах в магнитном поле.// ЖЭТФ, 1999,116, в 6(12), 2069−2078.
  16. Э.П., Гребенщикова Е. И. Теория полуширины линии циклотронного резонанса в размерно-ограниченных системах.// ЖЭТФ, 2001,119, в. 3,567−573.
  17. Butov L.V., Zrenner A., Shayegan М., Abstreiter G., Monoharan H.C. Magneto-optics of two-dimensional hole systems in the extreme quantum limit.// Phys.Rev. B, 1994, 49, № 19, 14 054−14 057.
  18. Hou H.Q., Staguhn W., Miura N., Segawa Y., Takeyama S., Aoyagi Y. and Zhou J.M. Photoluminescence intensity of InGaAs/GaAs strained quantum wells under high magnetic fields.// Solid State Commun. 1990, 74, № 8, 687.
  19. И.Г., Павлов C.T., Прохоров A.B. Связывание свободных электрона и дырки в экситон Ванье-Мотта.// ФТТ, 1992, 35, в. 3, 557−576.
  20. И.В., Лозовик Ю. Е. Экситон Мотта в квазидвумерных полупроводниках в сильном магнитном поле.// ЖЭТФ, 1980, 78, в. 3, 1167−1175.
  21. S.I., Туе М.Н., Salejda W., Misiewicz J. Two-dimensional Wannier-Mott exciton in a uniform electric field// ФТТ, 2001, 43, в. 5, 888.
  22. Брусенская (Гребенщикова) Е. И. Многофононные оптические переходы в размерно-квантованных системах в магнитном поле.// Дисс. на соиск. уч. ст. кандидата ф.-м. н. (Тирасполь, 2002) 104 с.
  23. Tang Hui and Butcher P.N. Parallel transport in a quasi-two-dimensional electron gas subjected to an in-plane magnetic field.// J. Phys. C: Solid State Phys., 1988,21,3313−3322.
  24. C.M. Оптические свойства квантовых ям во внешних электрическом и магнитном полях.// Дисс. на соиск. уч. ст. кандидата ф,-м. н. (Тирасполь, 2001) 116 с.
  25. Sinyavskii Е.Р., Sokovnich S.M., Pasechnik F.I. Energy of bond state in parabolic quantum well in magnetic and electric fields.// Phys. Stat. Sol. (b), 1998, 209,55−62.
  26. Nakamura S., Senoh M., Nagahama S., Iwasa N., Yamada S., Matsushita Т., Kiyoku H., Sugimoto Y. Characteristics of InGaN multi-quantum-well-structure laser diodes.// Appl. Phys. Lett., 1996, 68, № 23, 3269.
  27. Akasaki L., Sota S., Sakai H., Tanaka Т., Koike M., Amano H.// Electron. Lett., 1996,32, 1105.
  28. Islam S.K., Jain F.C., Zhao G., Heller E.// Int. J. Infrared and Millimeter Waves, 1998,19, 1633.
  29. Nakamura S., Mukai Т., Senoh M., Nagahama S., Iwasa N. In^Ga (i^)N/In>, Ga (1>,)N superlattices grown on GaN films.// J. Appl. Phys., 1993,74,3911.
  30. Dalfors J., Bergman J.P., Holtz P.O., Sernelius B.E., Monemar В., Amano H., Akasaki A. Optical properties of doped InGaN/GaN multiquantum-well structures.// Appl. Phys. Lett., 1999, 74, № 22, 3299.
  31. O’Donnell K.P., Martin R.M., Middleton P.G. Origin of luminescence from InGaN Diodes.// Phys. Rev. Lett., 1999, 82, № 1, 237−240.
  32. Miller D.A.B., Chemla D.S., and Damen T.C., Gossard A.C., and Weigmann, Wood Т.Н., and Burus C.A. Electric field dependence of optical absorption near the band gap of quantum-well structures.// Phys. Rev. B, 1985, 32, № 2, 1043−1060.
  33. Miller D.A.B. and Chemla D.S., Schmitt-Rink S. Relation between electroabsorption in bulk semiconductors and in quantum wells: The quantum-confined Franz-Keldysh effect.// Phys. Rev. B, 1986, 33, № 10, 6976−6982.
  34. A.A., Иванов C.B., Парк X.C., Шубина T.B., Лебедев А. В., Соркин С. В., Ильинская Н. Д., Максимов М. В., Копьев П. С. Электропоглощение и лазерная генерация в диодах с квантовыми ямами ZnCdSe/ZnSeS.// ФТП, 1996,30, в. 4, 656−669.
  35. Jaeger A. and Weiser G. Excitonic electroabsorption spectra and Franz-Keldysh effect of Ino.53Gao.47As/InP studied by small modulation of static fields.// Phys. Rev. B, 1998, 58, № 16, 10 674−10 682.
  36. Franz W.// Z. Naturforschung, 1958,13 a, 484.
  37. JI.В. О влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов./ ЖЭТФ, 1958, 34, в. 5, 11 381 141.
  38. Tharmalingam К. Optical absorption in the presence of a uniform field.// Phys. Rev., 1963,130, № 6, 2204−2206.
  39. Reine M., Vrehen Q.H.F, Lax B. Photon-assisted magnetotunneling in germanium in parallel and crossed electric and magnetic fields.// Phys. Rev., 1967,163, № 3,726−733.
  40. Ciobanu G. On the optical absorption in semiconductors in parallel electric and magnetic fields.// Rev. Roumaine Phys., 1965,10, № 1, 109−118.
  41. А.Г. Осцилляции коэффициента поглощения света в скрещенных электрическом и магнитном полях.// ФТТ, 1963, 5, в. 2, 552 555.
  42. А.Г., Пикус Г. Е. Поглощение света в полупроводниках в скрещенных электрическом и магнитном полях.// ЖЭТФ, 1966, 51, в. 2(8), 505−516.
  43. А.Г., Пикус Г. Е. Непрямые оптические переходы в скрещенных электрическом и магнитном полях.// ЖЭТФ, 1965, 49, в. 6, 1904−1912.
  44. Weiler М.Н., Zawadzki W., Lax В. Theory of tunneling, including photon-assisted tunneling, in semiconductors in crossed and parallel electric and magnetic fields.// Phys. Rev., 1967,163, № 3, 733−742.
  45. Levine B.F., Choi K.K., Bethea C.G., Walker J., and Malik R.J. New 10 im infrared detector using intersubband absorption in resonant tunneling GaAlAs superlattices.// Appl. Phys. Lett., 1987, 50, № 16, 1092−1094.
  46. Faist J., Capasso F., Sivco D.L., Sirtorie C., Hutchinson A.L., Cho A.Y. Quantum cascade laser.// Science, 1994, 264, 553−556.
  47. West L.C., Eglash S.J. First observation of an extremely large-dipole infrared transition within the conduction band of a GaAs quantum well.// Appl. Phys. Lett., 1985, 46, № 12, 1156−1158.
  48. Levine B.F., Malik R.J., Walker J., Choi K.K., Bethea C.G., Kleinman D.A., and Vandenberg J.M. Strong 8.2 fim infrared intersubband absorbtion indoped GaAs/AlAs quantum well waveguides// Appl. Phys. Lett., 1987, 50, № 5, 273−275.
  49. И.П., Маслов АЛО., Прошина О. В. Многофононные процессы при оптических переходах в квантовых наноструктурах.// ФТТ, 1995, 37, в. 6, 1819−1825.
  50. Г. М., Чайковский И. А., Чан Куанг Хынг. Ширина линии циклотронного резонанса в квантующем магнитном поле в n-Ge.// ФТТ, 1977,19, в. 3, 924−926.
  51. Jai Yon Ryu, Sam Nyung Yi and Sang Don Choi// J. Phys.: Condens Matter, 1990, 2,3515−3527.
  52. Mori H.// Progr. Theor. Phys., 1965, 34, 399.
  53. Ciobanu G. and Banyai L. On the kinetic theory of magneto-optical phenomena by Green function method.// Phys. Stat. Sol., 1963,3, № 12, 22 992 304.
  54. Goncharuk Nataliya A., Smrcka L., Kucera J. Cyclotron resonance study of the two-dimentional electron layers and double layers in tilted magnetic fields.// Physica E, 2004, 22, № 1−3, 590−593.
  55. Dios Leyva de M., Galindo V. Intraband optical absorption in superlattices in an in-plane magnetic field.// Phys. Rev. B, 1993, 48, № 7, 4516−4523.
  56. Ф.Т., Кис Г.Я. Влияние продольного магнитного поля на межподзонные переходы электронов в асимметричных гетероструктурах.// ФТП, 1997,31, в. 9, 1121.
  57. В.И., Копаев Ю. В. Шевцов С.В. Система квантовых ям в параллельном магнитном поле.// ФТТ, 1998, 40, в. 9, 1719−1723.
  58. Е.П., Климин С. Н., Балабан С. Н., Берил С. И. Магнетополярон в цилиндрической квантовой нити.// ФТП, 1996, 30, в.4, 641−652.
  59. Н.В., Жаркой В. П. Спектр и электронн-фононное взаимодействие в среде с циллиндрической квантовой проволокой.// ФТП, 1999, 33, в. 5, 598.
  60. .А., Демиховский В. Я. Квантовые размерные эффекты в полупроводниковых и полуметаллических пленках.// УФН, 1968, 96, в.1, 61−86.
  61. Dresselhaus M.S., Dresselhaus G., Sun X., Zhang Z., Cronin S.B., Koga T. Low dimensional thermoelectric materials.// ФТТ, 1999, 41, № 5, 755−758.
  62. Cantrell D.G. and Butcher P.N. The effect of sub-band structure on the sign of the thermopower of electrons in a quantum well.// J. Phys. C: Solid State Phys., 1985,18, L587-L592.
  63. Sernelius B.E., Berggren K-F., Tamak M. and Mc. Fadden C. Effect of quantum confinement in a special GaAs field effect transistor: on the DC conductance in the regime of metallic transport.// J. Phys. C: Solid State Phys, 1985,18, 225−240.
  64. Levinson Y. B, Lubin M. I, and Sukhorukov E.V. Short-range impurity in a saddle-point potential: Conductance of a microjunction.// Phys. Rev. B, 1992, 45, № 20,11 936−11 943.
  65. Гейлер B. A, Маргулис B. A, Филина Л. И. Проводимость квантовой проволоки в продольном магнитном поле.//ЖЭТФ, 1998,113, в. 4, 13 761 396.
  66. Safronov E.Yu. and Sinyavskii E.P. The conductivity of a 5-doped parabolic quantum well in a cross electric field.// Phys. State Sol.(b), 1993, 180, 377 381.
  67. Yokoyama Kiyoyuki and Hess Karl. Monte-Carlo study of electronic transport in Ali. xGaxAs/GaAs single-well heterostructures.// Phys. Rev. B, 1986, 33, №.8, 5595−5606.
  68. Yamada Toshishige and Soue Jun’ichi. High-field electron transport in quantum wires studies by solution of the Boltzmann equation.// Phys. Rev. B, 1989, 40, № 9, 6265−6271.
  69. Tutor J., Bermudez J.A., Comas F. Electron drift mobility in a Si-Gei.xSix quantum well at low temperatures.// Phys. Rev. B, 1993, 47, № 7, 3690−3694.
  70. С.И. Время релаксации импульса и температурная зависимость подвижности электронов в полупроводниковых сверхрешетках из слабо взаимодействующих квантовых ям.// ФТП, 1999, 33, в.10, 1240−1245.
  71. C.T., Ланг И. Г., Коровин Л. И. Аналог формулы Кубо для электропроводности в случае пространственно неоднородных сред и электрических полей.// ФТТ, 2003, 45, в.10, 1903−1912.
  72. .М. Кинетические эффекты в полупроводниках. (Л., Наука, 1970), 303 с.
  73. А.И. Введение в теорию полупроводников. (М., Наука, 1978), 615 с.
  74. Lubin M.I. Short-range impurity in a non-central cross-section of a saddle-point microconstriction.// Письма в ЖЭТФ, 1993, 57, в.6, 346−351.
  75. Houghton A., Senna J.R., and Ying S.C. Diffusion of electrons in two dimensions in arbitrarily strong magnetic fields.// Phys. Rev. B, 1982, 25, № 10, 6468−6471.
  76. Lin Yu-Ming and Dresselhaus M.S. Determination of carrier density in Te-doped Bi nanowire.//Appl. Phys. Lett., 2003, 83, № 17, 3567−3569.
  77. Lin Yu-Ming, Cronin Stephen В., Ying Jackie Y., Dresselhaus M.S., Heremans Joseph P. Transport properties of Bi nanowire arrays.// Appl. Phys. Lett, 2000, 76, № 26, 3944−3946.
  78. Pudalov V. M, Kirichenko A. S, Klimov N. N, Gershenson M. E, Kojima H. Unexpected negative nonmonotonic magnetoresistance of the two-dimentional electrons in Si in parallel magnetic field.// Pis’ma v ZhETF, 2004, 80, № 5, 408−411.
  79. Гейлер B. A, Маргулис B. A, Чучаев И. И. Рассеяние носителей заряда на точечных дефектах в полупроводниковых структурах.// ФТТ, 1995, 37, в. З, 837−844.
  80. Мои Chung-Yu, and Hong Tzay-ming. Transport in quantum wells in the presence of interface roughness.// Phys. Rev. B, 2000, 61, № 19, 1 261 212 615.
  81. Thornton T. J, Roukes M. L, Scherer A, Van de Gaag B.P. Bondary scattering in quantum wires.//Phys. Rev. Lett, 1989, 63, № 19, 2128−2131.
  82. Gottwaldt L, Pierz K, Ahlers F. J, Gobel E. O, Nan S, Torunski T, Stoltz W. Correlation of the physical properties and interface morphology of ALGaAs/GaAs heterostructures.// J. Appl. Phys, 2003, 94, № 4, 2464−2472.
  83. Sakaki H, Noda T, Hirakawa K, Tanaka M, and Matsusue T. Interface roughness scattering in GaAs/AlAs quantum wells.// Appl. Phys. Lett, 1987, 51, № 23, 1934−1936.
  84. Lei X.L.// J. Phys. C: Sol. St. Phys, 1985,18, L 993.
  85. Rticker H, Molinari E, Lugli P. Microscopic calculation of the electron-phonon interaction in quantum wells.// Phys. Rev. B, 1992, 45, № 12, 67 476 756.
  86. Ammann С., Dupertuis M.A., Bockelmann U., Deveaud B. Electron relaxation by LO phonons in quantum wires: An adiabatic approach.// Phys. Rev. B, 1997, 55, № 4, 2420−2428.
  87. Dykman M.I., Fang-Yen C., Lea M.J. Many-electron transport in strongly correlated nondegenerate two-dimentional electron systems.// Phys. Rev. B, 1997, 55, № 24, 16 249−16 271.
  88. Lo Ikai, Chen S.J., Tu Li-Wei, Mitchel W.C., Tu R.C., and Su Y.K. Effect of electron-electron interactions on a two-dimensional electron gas in II-VI ZnSo. o6Seo.94/Zno.8Cdo.2Se quantum wells.// Phys. Rev. B, 1999, 60, № 16, R11281-R11284.
  89. Е.Б., Ренар В., Квон З. Д., Горный И. В., Торопов А. И., Портал Ж. К. Эффекты взаимодействия в транспорте и магнетотрпаспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe.// УФН, 2006,176, № 2, 222−227.
  90. М.Д., Тавгер Б. А. Поперечные гальваномагнитные явления в тонких (квантующих) проволоках.// ФММ, 1972,34, № 4, 691−698.
  91. A.M. Рассеяние электронов на фононах в тонких квантующих проволоках.// Изв. АН Армянской ССР. Физика, 1975, № 10, 368−371.
  92. Zhang Zhibo, Sun Xiangzhong, Dresselhaus M.S., Ying Jackie Y., Heremans J. Electronic transport properties of single-crystal bismuth nanowire arrays.// Phys. Rev. B, 2000, 61, № 7, 4850−4861.
  93. Heremans J., Thrush C.M., Lin Yu-Ming, Cronin S., Zhang Z., Dresselhaus M.S., Mansfield J.F. Bismuth nanowire arrays: Synthesis and galvanomagnetic properties.// Phys. Rev. B, 2000, 61, № 4, 2921−2930.
  94. Lin Yu-Ming and Dresselhaus M.S. Determination of carrier density in Te-doped Bi nanowires.// Appl. Phys. Lett, 2003, 83, № 17, 3567−3569.
  95. Heremans J., Thrush C.M., Zhang Z., Sun X., Dresselhaus M.S., Ying J.Y., Morelli T.D. Magnetoresistance of bismuth nanowire arrays: A possibletransition from one-dimensional to three-dimensional localization.// Phys. Rev. B, 1998, 58, № 16, 10 091−10 095.
  96. Lin Yu-Ming, Cronin Stephen В., Ying Jackie Y., Dresselhaus M.S., Heremans Joseph P. Transport properties of Bi nanowire arrays.// Appl. Phys. Lett., 2000,76, № 26, 3944−3946.
  97. Nikolaeva A., Gitsu D., Huber Т., Konopko L. Confinement effect in single nanowires based on Bi.// Physica B, 2004, 346−347, 282−286.
  98. Sanders G.D., Stanton C.J., Chang Y.C. Theory of transport in silicon quantum wires.// Phys. Rev. B, 1993,48, № 15, 11 067−11 076.
  99. Gold A., Ghazali A. Analytical results for semiconductor quantum-well wire: Plasmons, shallow impurity states, and mobility.// Phys. Rev, B, 1990, 41, № 11,7626−7640.
  100. Bruns Henrik, Flensberg Kasten, Smith Henrik. Magnetoconductivity of quantum wires with elastic and inelastic scattering.// Phys. Rev. B, 1993, 48, № 15, 11 144−11 155.
  101. Massale M. and Constantinou N.C. Electron-LO-phonon scattering rates in a cylindrical quantum wire with an axial magnetic field: Analytic results.// Phys. Rev. B, 1993, 48, № 15, 11 128−11 134.
  102. Jain J.K. and Kivelson S.A. Quantum Hall effect in quasi one-dimensional systems: Resistance fluctuations and breakdown.// Phys. Rev. Lett., 1988, 60, № 15, 1542−1545.
  103. Azbel M.Y. Variable-range-hopping magnetoresistance.// Phys. Rev. B, 1991, 43, № 3,2435−2438.
  104. Weis J.F. and Berggren K.-F. Characterization of narrow quantum channels using model potentials.// Phys. Rev. B, 1989, 40, № 2, 1325−1327.
  105. Martin Т. and Feng S. Suppression of scattering in electron transport in mesoscopic quantum Hall systems.// Phys. Rev. Lett., 1989, 64, № 16, 19 711 974.
  106. Kaplan S.B. and Warren A.C. Magnetoconductance oscillations of a quasi-one-dimensional electron gas in a parabolic transverse potential.// Phys. Rev. B, 1986, 34, № 2,1346−1348.
  107. Beenakker C.W.J, and Van Houten H. In Solid State Physics, ed. by H. Ehrenreich and D. Tumbull, (New York, Academ. Press, 1991) 44, p. 83.
  108. A.B., Быков A.A., Бакаров A.K., Портал Ж. К. Анизотропное положительное магнитосопротивление непланарного двумерного электронного газа в параллельном магнтном поле.// Письма в ЖЭТФ, 2004, 79, в. 10, 608−611.
  109. Khrapai V.S. Screening and inplane magnetoresistance of anisotropic two-dimentional gas.// Pis’ma v ZhETF, 2003, 77, № 6, 368.
  110. Krishnan Raishma and Srivastava Vipin. Resistance of quasi-one-dimensional wires.// Phys. Rev. B, 1999, 59, № 20, R12747-R12750.
  111. B.JI., Спивак Б. З., Шкловский Б. И. Туннельные прыжки в неупорядоченной системе.//ЖЭТФ, 1985, 89, в. 5(11), 1770−1784.
  112. Shayegan М., Sajoto Т., Santos М., Silvestre С. Realization of a quasi-three dimentional modulation-doped semiconductor structure.// Appl. Phys. Lett., 1988, 53, № 9, 791−793.
  113. Зайцев-Зотов C.B. Эффекты одномерности в квазидвумерных проводниках.// Письма в ЖЭТФ, 2004. 80, в.6, 503−514.
  114. Brummell М.А., Nicholas R.J., Portal J.C., Cheng K.Y. and Cho A.Y. Two-dimentional magnetophonon resonance: II. GalnAs-AlInAs heterojunctions.// J. Phys. C: Solid State Phys., 1983,16, L579−584.
  115. Afonin V.V., Gurevich V.L., and Laiho R Theory of magnetophonon resonance in quantum wells.// Phys. Rev. B, 2000, 62, № 23, 15 913−15 924.
  116. Lee Sang Chil, Ryu Jai Yon, Kim Suck Whan, and Ting C.S. Magnetophonon resonances in quasi-one-dimensional electronic systems in tilted magnetic fields.// Phys. Rev. B, 2000, 62, № 8, 5045−5054.
  117. Lax B.// Proc. 7th Int. Conf. Phys. of Semiconductors. Dunod, Paris, France (1964) P. 253.
  118. Ю.Е. Современные методы теории многофононных процессов.// УФН, 1963, 80, № 4, 553−595.
  119. У. Излучение и шумы в квантовой электронике (М, Наука, 1972)398 с.
  120. Kubo R. Generalized cummulant expansion method.// J. Phys. Soc. Jap, 1962,17, № 7, 1100−1120.
  121. Э.П. Кинетические эффекты в электрон-фононных системах в поле лазерного излучения. (Кишинев, Штиинца, 1976) 170 с.
  122. Коровин Л. И, Харитонов Е. В. Теория формы линий междузонного магнитооптического поглощения в случае упругого рассеяния.// ФТТ, 1965,7, в.7, 2162−2173.
  123. Zeng К. С, Lin J. Y, Jiang Н. Х, Salvador A, Popovici G, Tang H, Kim W, and Morkos H.// Appl. Phys. Lett, 1997,70, № 10, 1368.
  124. Андрианов A. B, Некрасов В.10, Шмидт H. M, Заварин Е. Е, Усиков А. С, Зиновьев Н. Н, Ткачук М. Н. Низкотемпературная время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN.// ФТП, 2002,36, в.6, 679.
  125. К.К. Управляемое уширение бесфононных линий с помощью эффекта Доплера и перспективы использования в оптической информатике выжигания спектральных провалов.// Оптика и спектроскопия, 2005, 98, в.5, 845−849.
  126. Умрейко Д. С, СытькоВ. В, Покаташкин В. И. Температурная зависимость параметров бесфононных линий в спектрах фторидныхсоединений уранила. // Вестник Белорус, гос. ун-та. Сер. 1. Физ. Мат. Информат. 2003, № 1,3−8.
  127. М.А. К теории уширения бесфононной линии в месбауэровском или оптическом спектре.// ФТТ, 1964, 6, в.4, 1707−1716.
  128. Ю.Е., Цукерблат Б. С. Эффект электронно-колебательного взаимодействия в оптических спектрах примесных парамагнитных ионов. (Кишинев, Штиинца. 1974) 368 с.
  129. И.С., Рыжик И. М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. (М., Гос. изд. физ.-мат. литер., 1962) 1100 с.
  130. Drexler Н., Graf P., Besson М., Gornik Е., Weimann G., Lassnig R. Temperature-dependent influence of ionized-impurity scattering on the cyclotron-resonance linewidth of AkGa^As/GaAs heterostructures.// Phys. Rev. B, 1991, 44, № 7, 3105−3109.
  131. Справочник no специальным функциям. Под ред. Абрамович М., Стиган И. (М., Наука, 1979) 830 с.
  132. Л.Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика (нерелятивистская теория). (М., Наука, 1974) 752 с.
  133. Aspnes D.E. Electric-field effects on optical absorption near thresholds in solids.// Phys. Rev., 1966,147, № 2, 554−556.
  134. Э.П. Оптические свойства полупроводников и квазидвумерных систем. (Тирасполь, РИО ПГУ, 2002) 120 с.
  135. А.П. Полупроводниковые сверхрешетки.// УФН, 1985, 147, № 3, 485−521.
  136. Шик А. Я. Сверхрешетки периодические полупроводниковые структуры. (Обзор)//ФТП, 1974, 8, в.10, 1841−1864.
  137. В.А., Пинскер Т. Н. Квантовый эффект размеров в пленках переменной толщины.// ФТТ, 1971,13, в. 5, 1360−1363.
  138. Fivaz R.C.// J. Phys. Chem. Solids., 1967, 28, 839.
  139. С.Н. Поглощение света сверхрешетками в скрещенных электрическом и магнитном полях: предел сильных полей.// Письма в ЖЭТФ, 1995,62, в.4, 318−323.
  140. Тавгер Б. А, Ерухимов М. Ш. Нелинейная зависимость тока от электрического поля в тонкой полупроводниковой пленке в квантующем магнитном поле.//ЖЭТФ, 1966, 51, в. 2(8), 528−535.
  141. Peters P.J.M, Schehzger Р, Lea M. J, Monarkhe Yu. P, Sommerfeld P.K.H, Heijden R.W. van der. Quantum magnetotransport in a nondegenerate two-dimensional electron gas under extremely strong magnetic fields.// Phys. Rev. B, 1994, 50, № 16,11 570−11 576.
  142. Constantinou N.C. and Ridley B.K. Effect of finite well depth on polar optical phonon scattering rates in cylindrical quantum well wires.// J. Phys.: Condens. Matter, 1989,1, 2283−2288.
  143. Constantinou N. C, Massale M. and Tilley D.R. The Zeeman splitting of quasi-one-dimensional electron subbands.//J. Phys.: Condens. Matter, 1992, 4, 4499−4508.
  144. Работы, опубликованные по теме диссертации
  145. Э.П., Хамидуллин Р. А. Электропроводность параболической квантовой ямы в магнитном поле.// Материалы И междунар. научно-практ. конфер. «Математическое моделирование в образовании, науке и производстве», Тирасполь, 2001, с. 195.
  146. Э.П., Хамидуллин Р. А. Особенности электропроводности параболической квантовой ямы в магнитном поле.// ФТП, 2002, 36, в.8, 989−992.
  147. Э.П., Соковнич С. М., Хамидуллин Р. А. Межзонное поглощение света в полупроводниковых системах в электрическом поле.// Труды V междунар. конфер. «Оптика, оптоэлектроника и технологии», Ульяновск, 2003, с. 37.
  148. Э.П., Хамидуллин Р. А. Многофононное поглощение света в наноструктурах в постоянном электрической поле.// Труды V междунар. конфер. «Оптика, оптоэлектроника и технологии», Ульяновск, 2003, с. 39.
  149. Э.П., Хамидуллин Р. А. Электропоглощение света в размерно-квантованных системах с учетом многих фононов.// Материалы III междунар. научно-практ. конфер. «Математическое моделирование в образовании, науке и производстве», Тирасполь, 2003, с. 93.
  150. Э.П., Соковнич С. М., Хамидуллин Р. А. Межзонное поглощение света в полупроводниках в однородном электрическом поле.// Вестник Приднестровск. ун-та, 2004, № 1, 37−41.
  151. Э.П., Хамидуллин Р. А. Теория циклотронного резонанса в размерно-квантованных системах.// Вестник Приднестровск. ун-та, 2004, № 1,41−43.
  152. Elerlanj P. Sinyavsky, R.A. Hamidullin (Khamidullin), Albina A. Nikolaeva, Huber Т., Leonid A. Konopko. Conductivity in quantum wires in a homogeneous magnetic field.// Proc. of Int. Conf. European Material Research
  153. Society (E-MRS 2004) Poland- Warsaw- 2004.-P. 278. (Тезисы доклада на конференции).
  154. Е.Р. Sineavsky, R.A. Khamidullin, T. Huber, А.А. Nikolaeva, L.A. Konopko. Conductivity in quantum wires in a homogeneous magnetic field.// Rev. Adv. Matter. Sci., 2004, 8,170−175.
  155. П.Синявский Э. П., Хамидуллин Р. А. Многофононное поглощение света в размерно-квантованных системах в однородных электрическом и магнитном полях.//ФТТ, 2005, 47, в. 10, 1881−1885.
  156. Э.П., Соковнич С. М., Хамидуллин Р. А. Межзонное поглощение света в размерно-ограниченных системах в однородном электрическом поле.// ФТП, 2005,39, в. 11, 1359−1364.
  157. Р.А. Электропроводность квантовых проволок в магнитном поле.// Материалы IV междунар. научно-практ. конф. «Математическое моделирование в образовании, науке и производстве», Тирасполь, 2005, с. 61.
  158. Э.П., Хамидуллин Р. А. Электропроводность в квантовых проволоках в однородном магнитном поле.// ФТП, 2006, 40, в. 11, 13 681 373.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!