Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Эффекты неупругой релаксации в полупроводниковых соединениях типа A3B5

Диссертация: Эффекты неупругой релаксации в полупроводниковых соединениях типа A3B5
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Считаю своим долгом выразить глубокую благодарность Заслуженному деятелю науки РФ профессору Рембезе С. И. за постоянную дружескую поддержку и участие в работе над диссертацией. Я признателен д. ф.-м. н. Ярославцеву Н. П., способствовавшему проведению исследований, д. ф.-м. н. Дариннскому Б. П., д. ф.-м. н. Свиридову В. В. за плодотворное сотрудничество в установлении физической природы новых… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ И ОБРАЗЦЫ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЙ
    • 1. 1. Выбор метода измерения внутреннего трения в монокристаллических полупроводниках
    • 1. 2. Установка для измерения внутреннего трения
      • 1. 2. 1. Конструкция установки для измерения внутреннего трения
      • 1. 2. 2. Структура электрической части установки для измерения внутреннего трения
      • 1. 2. 3. Анализ погрешности измерения внутреннего трения
    • 1. 3. Дополнительные методики, использованные в работе
    • 1. 4. Подготовка образцов для измерений

Эффекты неупругой релаксации в полупроводниковых соединениях типа A3B5 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность проблемы. Одной из основных проблем при использовании полупроводниковых соединений, в частности соединений группы А3В5, является проблема влияния собственных структурных дефектов и примесей на электрические, оптические, акустооптические и другие свойства монокристаллов. Важность этой проблемы объясняется тем, что структурные дефекты наряду с примесями даже в относительно небольших количествах — на уровне технологических остаточных концентраций оказывают существенное влияние на характеристики полупроводниковых материалов. В то же время полупроводниковые монокристаллы группы А3В5 в силу особенностей строения и технологии получения отличаются большим уровнем дефектности и большим разнообразием типов дефектов реальных кристаллов по сравнению с традиционным материалом микроэлектроники — кремнием. Это вызывает практическую потребность в изучении свойств собственных и примесных структурных дефектов в упомянутых соединениях различными экспериментальными методами.

Проблема влияния глубоких примесных центров на физических свойства монокристаллов полупроводниковых соединений типа А3В5 актуальна по ряду обстоятельств. Во-первых — в связи ограниченным объемом сведений о структуре создаваемых этими примесными центрами локальных энергетических уровней, определяющих электрические, оптические, акустооптические и другие свойства этого класса соединений. Мало изученной является проблема влияния собственных структурных дефектов, обусловленных нарушением стехиометрии соединения, на свойства полуизолирующих полупроводников А3В5, получаемых контролируемым введением примесей металлов переходной группы. Во-вторых — в этих бинарных полупроводниковых соединениях, обладающих пьезоэлектрическими свойствами, могут возникать эффекты акустического поглощения, связанные с релаксационным перераспределением носителей заряда в пьезоэлектрическом поле, что дает возможность исследовать механизмы взаимодействия макроскопической деформации с электронной подсистемой полупроводника, а также бесконтактным акустически методом определять электрофизические характеристики дефектов, создающих локальные энергетические состояния в запрещенной зоне. В третьих — широко.

3 5 зонные соединения типа, А В обладают уникальными фотоэлектрическими свойствами. В связи с этим исследование влияния оптического излучения на акустоэлектронные релаксационные процессы является перспективным с точки зрения обнаружения новых физических эффектов, которые могут явиться основой для создания полупроводниковых приборов на новых физических принципах.

Настоящая диссертация выполнена на кафедре полупроводниковой электроники Воронежского государственного технического университета в соответствии с планом госбюджетных работ: ГБ. 96. 34 — «Исследование и моделирование физических процессов в полупроводниковых материалах и приборах» и ГБ. 2001.34 — «Изучение технологических и физических процессов в полупроводниковых структурах и приборах».

Цель работы: исследование механизмов неупругой релаксации в монокристаллических полупроводниках А3В5, связанных с примесными и собственными структурными дефектами, и на этой основе получение новой информации о структурных, электрофизических и оптических свойствах материала, а также разработка практических методов контроля этих свойств.

Для достижения указанной цели были поставлены следующие конкретные задачи:

1. Определение физической природы и характеристик релаксационного поглощения звука, связанного с пьезоэлектрическим эффектом, в полуизолирующих монокристаллах полупроводников А3В5 в килогерцевом диапазоне частот.

2. Разработка физической модели механизма поглощения звука носителями заряда в высокомных пьезополупроводиках.

3. Исследование взаимосвязи между параметрами акустического поглощения и электрофизическими характеристиками высокоомных полупроводников А3В5.

4. Изучение воздействия примесного и собственного оптического излучения на внутреннее трение в полупроводниках А3В5, компенсированных примесями переходных металлов. Получение модельных представлений о характере влияния оптически активируемых неравновесных носителей заряда на процессы неупругой релаксации, связанные с пьезоэффектом в полупроводниках А3В5.

5. Исследование влияния термического отжига на параметры глубоких центров (ГЦ) и поверхностных структурных дефектов в арсениде галлия и ар-сениде индия, а также разработка качественной модели процесса термического отжига поверхностных дефектов.

6. Разработка бесконтактных акустических неразрушающих методов кон.

3 5 троля электрофизических и оптических свойств полупроводников, А В .

Научная новизна работы заключается в следующем.

3 5.

1. В полуизолирующих монокристаллах полупроводников А" В обнаружен эффект релаксационного затухания звука, обусловленный перераспределением носителей заряда в пьезоэлектрическом поле, индуцированном деформацией кристалла при его механических колебаниях.

2. Предложена физическая модель механизма внутреннего трения (ВТ) в.

3 5 высокоомных полупроводниках, А В с глубокими примесями, устанавливающая связь времени акустической релаксации с тремя характерными параметрами размерности времени: временем термического выброса носителей заряда с глубоких центров в зону разрешенных энергий, временем максвелловской релаксации свободных носителей заряда и времени жизни неравновесных носителей заряда.

3. Установлен характер воздействия примесного и собственного оптического излучения на внутреннее трение в полуизолирующем арсениде галлия, легированном глубокими примесями. Оптическое облучение может вызывать как возрастание внутреннего трения в образце, так и его уменьшение. Показано, что доминирующим механизмом акустоэлектронных релаксационных потерь в исследованном интервале температур и частот акустических колебаний в условиях стационарного оптического возбуждения является максвелловская релаксация свободных носителей заряда в знакопеременном пьезоэлектрическом поле.

4. На спектральной зависимости величины оптического подавления внутреннего трения в полуизолирующем арсениде галлия с глубокими центрами обнаружен аномально узкий пик при энергии фотонов, близкой к ширине запрещенной зоны. Происхождение этого пика объясняется наличием двух конкурирующих процессов: возрастания величины оптического подавления внутреннего трения при увеличении энергии фотонов и его уменьшения вследствие вытеснения области оптического поглощения к облучаемой поверхности образца.

5. Выявлены особенности кинетики внутреннего трения в полуизолирующем арсениде галлия при импульсном оптическом облучении образца. Обнаружен эффект медленной релаксации внутреннего трения после выключения оптического облучения. В соответствии с предложенной качественной физической моделью долговременная релаксация внутреннего трения связана с процессом термодинамического обмена носителями заряда между центрами прилипания неравновесных носителей заряда, активируемых оптическим излучением, и зоной разрешенных энергий.

6 Показана принципиальная возможность определения оптических и электрофизических параметров пьезоэлектрических полупроводников бесконтактным акустооптическим методом.

7. Установлено, что термический отжиг компенсированного арсенида галлия при температурах выше 1070 К приводит к резкому снижению его удельного сопротивления за счет электрической активации дефектов, создающих локальные энергетические уровни акцепторной природы. Показано, что наличие определенного количества мелкой донорной примеси в исходных образцах при осуществлении компенсации глубокими центрами приводит к повышению термической стабильности полуизолирующих свойств арсенида галлия.

8. В монокристаллах арсенида галлия и арсенида индия, подвергнутых импульсной лазерной обработке, обнаружены пики внутреннего трения, связываемые с микротрещинами, возникающими на поверхности образца в области кратеров локального плавления материала. Исследован процесс термического отжига этих дефектов. Предложена качественная физическая модель процесса отжига дефектов, объясняющая этот процесс уменьшением эффективной длины кончиков микротрещин при увеличении температуры и времени отжига.

Научная и практическая ценность работы.

1. Обнаружен и исследован эффект релаксационного поглощения звука в.

3 5 высокоомных полупроводниках, А В, связанный с пьезоэффектом. Предложена физическая модель, связывающая параметры акустического поглощения с электрофизическими характеристиками материала. Это позволило расширить представления об акустоэлектронных процессах в пьезоэлектрических полупроводниках и научно обосновать направление создания бесконтактных акустических методов контроля свойств пьезополупроводников.

2. По параметрам акустоэлектронной релаксации определены величины термической энергии активации глубоких центров в GaAs, GaP, и InP, легированных переходными металлами. Предложены бесконтактные неразрушаю-щие акустические способы определения концентрации свободных носителей заряда и энергии ионизации глубоких примесных центров в пьезоэлектрических полупроводниковых кристаллах.

3. Обнаружен физический эффект влияния оптического излучения на внутреннее трение в полуизолирующих полупроводниках А3В5. Исследованы спектральные характеристики акустооптического поглощения в арсениде галлия, легированном переходными металлами. Предложен акустооптический способ определения электрофизических параметров пьезоэлектрических полупроводников.

4. Исследована кинетика внутреннего трения при импульсном оптическом облучении образцов GaAs, легированных Сг, и GaAs, легированных Fe. Обнаружен эффект долговременной релаксации внутреннего трения после отключения оптического возбуждения. Показана принципиальная возможность определения оптических и электрофизических параметров пьзополупроводников по кинетике внутреннего трения.

5. Изучена термическая стабильность полуизолирующих свойств GaAs с глубокими примесями. Установлено, что, снижение удельного сопротивления GaAs при термическом отжиге происходит в результате электрической активации дефектов акцепторной природы. Показано, что наличие некоторого количества исходной донорной примеси при осуществлении компенсации глубокими центрами приводит к повышению термической стабильности компенсирующего эффекта в GaAs.

6. Методом внутреннего трения исследованы процессы отжига некогерентным импульсным излучением структурных дефектов на поверхности арсенида галлия. Установлено, что при отжиге соединений.

А В использование достаточно мощных световых импульсов ограничено процессом испарения летучих компонентов соединения. Предложены меры для оптимизации режимов отжига дефектов, образующихся при импульсной лазерной обработке со.

3 5 единений, А В .

Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

1. Экспериментальные результаты исследования внутреннего трения в вы-сокоомных монокристаллах GaAs, GaP, и InP, легированных переходными металлами. В интервале температур 14СЙ-600 К и килогерцевом диапазоне частот наблюдается эффект релаксационного поглощения звука, обусловленный перераспределением носителей заряда в знакопеременном пьезоэлектрическом поле, индуцированном механическими колебаниями образца. Оптическое облучение, вызывающее внутренний фотоэффект, приводит к изменению параметров релаксационного процесса, возрастанию или подавлению внутреннего трения.

2. Физическая модель механизма внутреннего трения, в соответствии с которой, время релаксации определяется доминированием одного из трех процессов, влияющих на проводимость кристалла: в равновесных термодинамических условиях — термоэмиссии носителей заряда с глубоких примесных центровв условиях стационарного оптического возбуждения — максвеллов-ской релаксации свободных носителей зарядапри импульсном оптическом возбуждении — рекомбинации неравновесных носителей заряда.

3. Аномально узкий пик на спектральной зависимости величины оптического подавления внутреннего трения в высокоомном арсениде галлия в области края фундаментального поглощения объясняется существованием двух конкурирующих процессов: возрастания оптического подавления внутреннего трения при увеличении энергии фотонов и его уменьшения, вследствие вытеснения области оптического поглощения к облучаемой поверхности.

4. Эффект долговременной релаксации внутреннего трения, наблюдаемый в высокоомном арсениде галлия с глубокими примесями после выключения оптического облучения, обусловлен процессом инерционной релаксации проводимости, возникающей вследствие термического опустошения центров прилипания неравновесных носителей заряда через зону разрешенных энергий.

5. Термический отжиг монокристаллического арсенида галлия, компенсированного глубокими центрами, при температурах выше 1070 К приводит к снижению его удельного сопротивления за счет электрической активации дефектов, создающих локальные энергетические уровни акцепторной природы. Присутствие некоторого количества донорной примеси, нейтрализующей возникающие при отжиге акцепторы, приводит к повышению термической стабильности удельного сопротивления компенсированного арсенида галлия.

6. В арсениде галлия и арсениде индия, подвергнутых импульсной лазерной обработке, наблюдаются релаксационные пики на температурной зависимости внутреннего трения, которые связаны с микротрещинами, возникающими на поверхности образца в области кратеров локального плавления материала. Термический отжиг этих дефектов связан с уменьшением эффективной длины кончиков микротрещин при увеличении температуры и времени отжига.

Апробация работы. Основные научные результаты диссертации докладывались и обсуждались на: Всесоюзной конференции по ионному легированию полупроводников (Таллинн, 1984) — 3 Отраслевой конференции «Промышленная технология и оборудование ионной имплантации» (Москва, 1984) — X Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Минск, 1985) — Всесоюзной конференции по механизмам внутреннего трения в твердых телах (Батуми, 1985) — VII Всесоюзной конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, 1986) — 2 Всесоюзной конференции «Структура и электронные свойства границ зерен в металлах и полупроводниках» (Воронеж, 1987) — VII Всесоюзного координационного соо с вещания «Материаловедение полупроводниковых соединений группы, А В «(Воронеж, 1987) — XI Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Кишинев, 1988) — Всесоюзной научно-технической конференции «Оптические, радиоволновые и тепловые методы неразрушающего контроля» (Могилев, 1989) — XII Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Киев, 1990) — X International Conference «Internal Friction and Ultrasonic Attenuation in Solids» (Rome, Italy, 1993) — Школе-семинаре «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, 1993) — X International Conference «Ion Implantation Technology» (Catania, Italy 1994) — Международном семинаре «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, 1995) — Международной конференции по электротехническим материалам и компонентам (Крым, 1995) — X научно-технической отраслевой конференции «Состояние и пути повышения надежности видеомагнитофонов» (Воронеж, 1996) — Международном научно-техническом семинаре «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 1997) — X научно-технической конференции «Методы и средства измерений физических величин» (Н.- Новгород, 1997) — Международной конференции «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, 1999).

Научная работа «Экспериментальное и теоретическое исследование электронно-механического резонанса на глубоких уровнях в пьезополупро-водниках» была удостоена Премии Воронежского комсомола в области науки и техники в 1986 году.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 44 печатных работы, в том числе 14 статей в центральной печати, 6 авторских свидетельств на изобретения, 3 статьи в сборниках, 21-тезисы докладов.

В совместных работах автору принадлежит постановка проблемы взаимосвязи акустических, электрофизических и оптических параметров полупро.

3 5 водников, А В, участие в создании низкофоновой установки для измерения внутреннего трения, планировании и проведении экспериментов, а также разработке физической модели электронно-механической релаксации в пьезопо-лупроводниках. Им инициированы исследования акустооптического эффекта о с в соединениях, А В. Физические модели, связанные с акустооптическим эффектом и термическим отжигом арсенида галлия, предложены и разработаны лично автором.

В планировании экспериментов и обсуждении результатов принимал участие Н. П. Ярославцев, в подготовке образцов и наладке экспериментального оборудования — Н. В. Измайлов. В создании физических моделей внутреннего трения принимали участие В. В. Свиридов и Б. П. Даринский. Лазерную обработку поверхности образцов и импульсный оптический отжиг проводил В. А. Логинов. Ионную имплантацию полупроводников осуществляли Н. М. Медведев и О. Г Кутукова. Н. Н. Прибылов осуществлял измерение эффекта Холла и спектров фотопроводимости.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Работа содержит 204 страниц текста, включая 51 рисунок, 6 таблиц и библиографию из 161 наименования.

Основные результаты и выводы к главе 5.

1. Термический отжиг образцов полуизолирующего GaAs, легированного Сг и специально нелегированного GaAs, при температурах выше 1070 К приводит к снижению их удельного сопротивления на несколько порядков величины. С повышением температуры отжига исходные пики на температурной зависимости ВТ, обусловленные ЭМРГЦ, уменьшаются по высоте, а затем полностью отжигаются. Одновременно на температурах 240 К и 190 К в обоих материалах последовательно возникают по два новых пика ВТ с энергиями активации соответственно 0,4 и 0,28 эВ.

2. По измерениям температурной зависимости коэффициента Холла в отожженных образцах были определены энергии активации примесных уровней, определяющих проводимость материала в области температур пиков ВТ. Эти энергии оказались соответственно равны 0,4 эВ и 0,29 эВ и практически совпали со значениями энергии активации релаксационных процессов пиков ВТ. Установлено, что образовавшиеся в результате термического отжига пики ВТ связаны с глубокими уровнями Ev + 0,4 эВ и Ev + 0,28 эВ.

3. Показано, что вновь образовавшиеся пики ВТ имеют такую же физическую природу, что и исходные, и обусловлены электрической активацией в результате термического отжига либо собственных структурных дефектов, либо фоновых примесных дефектов или их комплексов.

4. Увеличение концентрации компенсирующей примеси в CaAs не оказывает существенного влияния на результаты термического отжига. Вместе с тем, наличие мелкой донорной примеси в образце в концентрации порядка предела растворимости компенсирующих ГЦ повышает термическую стабильность полуизолирующих свойств GaAs вплоть до 1370 К.

5. В арсениде галлия и арсениде индия, подвергнутых импульсной лазерной обработке, обнаружены пики внутреннего трения, связываемые с микротрещинами, возникающими на поверхности образца в области кратеров локального плавления материала. Исследован процесс термического отжига этих дефектов. Предложена качественная физическая модель процесса отжига дефектов, объясняющая этот процесс уменьшением эффективной длины кончиков трещин при увеличении температуры и времени отжига.

6. Методом внутреннего трения исследованы процессы отжига некогерентным импульсным излучением структурных дефектов на поверхности арсенида галлия. Установлено, что при отжиге соединений А3В5 использование достаточно мощных световых импульсов ограничено процессом испарения летучих компонентов соединения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

По результатам проведенных исследований эффектов неупругой релак.

3 5 сации в полупроводниковых соединениях типа, А В можно сделать следующие выводы.

1. В высокоомных монокристаллах GaAs, GaP и InP, легированных примесями переходных металлов, в интервале температур 140^-600 К и диапазоне частот изгибных колебаний 3−5-5 5 кГц наблюдается эффект релаксационного поглощения звука, обусловленный перераспределением в знакопеременном пьезоэлектрическом поле, возникающем в объеме образца при изгибных колебаниях, носителей заряда, определяющих проводимость полупроводника. Оптическое облучение, вызывающее внутренний фотоэффект, приводит к изменению параметров релаксационного процесса, возрастанию или подавлению внутреннего трения.

2. Установлено, что параметры акустоэлектронного релаксационного процесса определяются доминированием одного из трех процессов, влияющих на электрическую проводимость кристалла: в равновесных термодинамических условиях — термоэмиссии носителей заряда с глубоких примесных центровв условиях стационарного оптического возбуждения — максвеллов-ской релаксации свободных носителей зарядапри импульсном оптическом возбуждении — рекомбинации неравновесных носителей заряда.

3. По параметрам внутреннего трения определены величины термической энергии активации глубоких центров в GaAs, GaP, и InP, легированных различными переходными металлами. Предложены бесконтактные неразру-шающие акустические способы определения концентрации свободных носителей заряда и энергии ионизации глубоких примесных центров в пьезоэлектрических полупроводниковых кристаллах. Показана перспективность использования обнаруженного акустоэлектронного релаксационного эффекта для исследования глубоких центров в эпитаксиальных и ионно.

3 5 имплантированных слоях полупроводников, А В .

4. На спектральных кривых величины оптического подавления внутреннего трения высокоомного арсенида галлия с глубокими примесями наблюдается аномально узкий пик при энергии фотонов, близкой к ширине запрещенной зоны полупроводника. Происхождение этого пика объясняется существованием двух конкурирующих процессов: возрастания величины оптического подавления внутреннего трения из-за увеличения электрической проводимости образца при увеличении энергии фотонов и уменьшения степени оптического подавления внутреннего трения вследствие вытеснения области оптического поглощения к облучаемой поверхности. Предложен бесконтактный акустооптический способ определения ширины запрещенной зоны и спектра энергетических уровней в зоне в пьезоэлектрических полупроводниковых кристаллах.

5. Впервые в высокоомном арсениде галлия с глубокими примесями обнаружен эффект медленной релаксации внутреннего трения при импульсном оптическом облучении образца. Показано, что долговременная релаксация внутреннего трения после выключения оптического возбуждения обусловлена процессом инерционной релаксации проводимости, возникающей вследствие термического опустошения центров прилипания неравновесных носителей заряда через зону разрешенных энергий. Определены термические энергии ионизации центров прилипания в GaAs, легированном Сг и GaAs, легированном Fe. Показана принципиальная возможность определения оптических и электрофизических параметров пьзоэлектрических полупроводников бесконтактным акустооптическим методом.

6. Установлено, что термический отжиг компенсированного глубокими центрами арсенида галлия при температурах выше 1070 К приводит к снижению его удельного сопротивления за счет электрической активации дефектов, создающих локальные энергетические уровни акцепторной природы. Показано, что наличие определенного количества мелкой донорной примеси в исходных образцах при осуществлении компенсации глубокими центрами приводит к повышению термической стабильности полуизолирующих свойств арсенида галлия.

7. В арсениде галлия и арсениде индия, подвергнутых импульсной лазерной обработке, обнаружены релаксационные пики внутреннего трения, связываемые с микротрещинами, возникающими на поверхности образца в области кратеров локального плавления материала. В соответствии с предложенной физической моделью показано, что термический отжиг этих дефектов связан с уменьшением эффективной длины кончиков микротрещин при увеличении температуры и времени отжига.

8. Методом внутреннего трения исследованы процессы отжига некогерентным импульсным излучением структурных дефектов, возникающих при лазерной обработке поверхности арсенида галлия. Установлено, что увеличение мощности световых импульсов ограничено процессом испарения летучих компонентов соединения. Предложены меры для оптимизации режимов от.

3 5 жига поверхностных дефектов в полупроводниковых соединениях типа, А В некогерентным импульсным излучением.

В результате проведенного комплекса исследований обнаружены новые эффекты неупругой релаксации в полупроводниковых соединениях типа.

3 5.

А В, изучение которых позволило расширить физические представления о взаимосвязи параметров акустического поглощения с электрофизическими и оптическими свойствами этих материалов и научно обосновать направление исследований акустооптоэлектронных релаксационных процессов в пьезопо-лупроводниках. Полученные результаты легли в основу ряда принципиально.

185 новых бесконтактных неразрушающих акустических методов контроля свойств полупроводников. Обнаруженные в работе физические эффекты могут быть использованы для создания новых акустооптоэлектронных устройств с управляемыми параметрами.

Считаю своим долгом выразить глубокую благодарность Заслуженному деятелю науки РФ профессору Рембезе С. И. за постоянную дружескую поддержку и участие в работе над диссертацией. Я признателен д. ф.-м. н. Ярославцеву Н. П., способствовавшему проведению исследований, д. ф.-м. н. Дариннскому Б. П., д. ф.-м. н. Свиридову В. В. за плодотворное сотрудничество в установлении физической природы новых релаксационных эффектов. Выражаю свою искреннюю благодарность к. т. н. Логинову В. А., положившему начало исследованиям в области импульсной оптической обработки поверхности полупроводников. Я весьма признателен Заслуженному конструктору СССР, профессору Горлову М. И. за полезные консультации и критические замечания по диссертации.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В. С. Внутреннее трение в металлах. М.: Металлургия, 1974. 352 с.
  2. Л. Н., Зотов М. И. Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках. Новосибирск: Наука, 1979. 159 с.
  3. А., Берри Б. Релаксационные явления в кристаллах. М.: Атом-издат, 1975. 472 с.
  4. Forster F. Neue Messmethode Bestimmung des Elastitatsmoduls. Z. Metallkunde. 1937. V. 29. P. 109−119.
  5. M. И., Корнфельд M. И. Измерение внутреннего трения твердых тел // Приборы и техн. эксперим., 1984. № 2. С. 150−152.
  6. В. И., Ярославцев Н. П., Рембеза С. И., Песоцкий Г. С., Измайлов Н. В. Устройство для измерения внутреннего трения твердых тел. Авторское свидетельство СССР № 1 054 742 МКИ G 01 N, 11/16 от 9.07.82.
  7. Е. А. Исследование состояния и поведения атомов меди в твердом растворе германий-медь: Автореф. Дис.канд. физ.-мат. наук. Москва. 1986. 16 с.
  8. А.Г., Шелонин Е. А., Фистуль В. И. Диэлектрическая релаксация в германии, легированном медью // ФТП. 1983. Т. 17. Вып.2, С. 345−346.
  9. Е.В. Методы исследования эффекта Холла. М.: Сов. Радио. 1974. 326 с.
  10. Л.С., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука. 1981. 176 с.
  11. Lanq D.V. Deep Level Transient Spectroscopy // Appl. Phys. 1974. V.45, № 7. P. 302 -3032.
  12. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир. 1977. 254 с.
  13. А.А., Ахмедов Ф. А., Ахмедова М. М. Исследование фотоемкости (ФЕ) эпитаксиальных диодов из GaAs // ФТП. 1986. Т.20. Вып.9. С. 1731.
  14. М.А., Омельяновский Э. М., Перова О. Я. и др. Исследование некоторых свойств арсенида галлия, легированного железом // ФТП. 1968. Т.2. Вып.2. С. 862.
  15. А. А., Лебедев А. А., Раду Р. К. и др. Исследование спектров сечений фотоионизации в GaAs, легированном Сг, с помощью фотоемкостного эффекта в структурах с потенциальным барьером // ФТП. 1982. Т. 16. Вып. 10. С. 1954.
  16. А. М., Portecus P., Sherman W. F., Stadtmuller A. A. Photoca-pacitance. Measurements on Deep levels in GaAs under Hydrostatic Pressure // Solid State Phys. 1987. V.10, № 17 P. 1473−1476.
  17. Lanq D. V., Loqan R. A. and others. Deep Level Distributions near p-n Qunction on LPE GaAs // J. Appl. Phys. 1977. V. 47, № 4 P. 1533.
  18. Mircea A., Mitonnean A. A. Study of Electron Trap in Vapour Phase Epitaxial GaAs // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. № 2. P. 234−247.
  19. В. Я., Геталов В. С. О глубоких центрах в нелегированном эпитаксиальном GaAs // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1980, вып. 1(138). С. 48−52.
  20. А. С., Данильченко В. Г., Корольков В. И., Солдатенков Ф. Ю. Глубокоуровневые центры в нелегированных слоях p-GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии // ФТП. 2000. Т 34. Вып. 5. С. 558−561.
  21. П. Т. Физика полупроводников и диэлектриков // М.: Высшая школа. 1977. 448 с.
  22. Bruner L. Q., Keyes R. W. Electronic Effect in the Elastic Constants of Germanium // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. № 14. P. 8982−8986.
  23. Pomerantg M., Keyes R. W., Sieden P. E. Propagation of Microwave Phonons in Germanium // Appl. Surface Sci. 1998 V. 127−129. P. 116−124.
  24. Mason W. P., Baseman T.B. Ultrasonic Wave Propagation in Doped n-Germanium and p-Silicon // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 83. № 15. P. 2735−2740.
  25. Vatanaba J. Internal Friction in Germanium and Silicon // J. Surface Sci. Soc. Jap. 1999. V. 20. № 4. P. 278−282.
  26. Nine H. D., Truell R. Photosensitive Ultrasonic Attenuation in Cadmium Sulfide // Funet. Mater. 1999. V. 6. № 3 P. 264−272.
  27. В. В., Чаплик А. В. Ионизация мелких примесей ультразвуком //ФТП. 1986. Т.20. Вып. 9. С. 1780−1781.
  28. О. Физика полупроводниковых соединений элементов Ш и V групп. М.: Мир. 1967. 477 с.
  29. Т. В., McZee G. Н. Non-Electronic Ultrasonic Attenuation in CdS // J. Appl. Phys. 1978. V.45, № 9. P. 2471−2477.
  30. М. Б., Чайковский И. А. Поглощение звука в легированных пьезополупроводниках // Ж. Эксперим и теор физ., 1981.Т.81. № 1. С 263−276.
  31. Keyes R. W. Elastic Properties of Diamond-type Semiconductors // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. № 4. P. 438−446.
  32. Arlt Y., Quadflieq P. Piezoelectricity in Ш-V Compound with a Phenome-nological Analyze is of the Piezoelectric Effect // Phys. Status Sol. (a). 1990. V. 119 № 2 P. 578−586.
  33. . А., Кравченко А. Ф. Фотоакустические спектры высоко-омного арсенида галлия // Физ. и техн. полупровод. 1979. Т. 13. Вып. 9. С. 1352−1356.
  34. Sakurai-Hiromi, Yamanaka Zusao, Yoshida Kohichi, Ohshima Naoto, Suzuki Katsuo. Ultrasonic. Attenuation in p-type GaSb // G. Appl Phys. 1984. V. 56. № 6. P. 1613−1616.
  35. В. И., Величко С. Ю. Датчик изгибных колебаний // Тез. докл. X научно техн. конф. «Состояние и пути повышения надежности видеомагнитофонов». Воронеж. 1996. С. 91−92.
  36. В. И., Ярославцев Н. П., Турков С. К. Внутреннее трение в арсениде галлия, легированного хрома // В кн. «Новые материалы электронной техники». Воронеж. 1983. С. 48−50.
  37. В. И., Рембеза С. И., Ярославцев Н. П. Внутреннее трение в полуизолирующем арсениде галлия // ФТТ. 1984. Т. 26 № 7. С. 2228−2229.
  38. В. И., Рембеза С. И., Свиридов В. В., Ярославцев Н. П. Внутреннее трение, связанное с глубокими уровнями в полярных полупроводниках // ФТТ. 1985. Т. 27. № 7. С. 2081−2085
  39. Э. М., Фистуль В. И. Примеси переходных металлов в полупроводниках // М.: Металлургия. 1983. 192с.
  40. В. И., Рембеза С. П., Свиридов В. В., Ярославцев Н. П. В. Электронно-механическая релаксация в полупроводниках с глубокими уровнями // Тез. Всесоюзн. конф. по механизмам внутреннего трения в твердых телах. Батуми. 1985. С. 27
  41. В. И., Рембеза С. И., Свиридов В. В., Ярославцев Н. П. Явление электронно-механического резонанса в пьезополупроводниках с глубокими уровнями // Тез. докл. X Всесоюзн. конф. по физике полупроводников. Минск. 1985. С 107
  42. Mitrokhin V. I., Rembeza S. I., Sviridov V.V., Yaroslavtsev N. P., Acoustic Probing of Deep Centers in Ш-V semiconductors // Phys. Status Sol. (a). 1990/V. 119 № 2 P. 535−544
  43. Lagouski G, Jatos H. C., Parsey G. M., Wada K., Kaminska M., Walukiewicz W. Origin of the 0.82 eV Electron Trap in GaAs and its Annihilation by Shallow Donors // Appl. Phys. Letts. V. 40. № 4. 1982. P. 342−344.
  44. В. И., Рембеза С. И. Новые акустические методы определения электрофизических параметров полупроводников // Тез. докл. X Научн.-техн. конф. «Методы и средства измерений физических величин». Н.-Новгород. 1997. С. 46
  45. В. И., Рембеза С. И., Свиридов В. В., Ярославцев Н. П. Диэлектрическая релаксация, связанная с глубокими уровнями в высокоомных полупроводниках // ФТП. 1986. Т. 20. Вып. 12. С. 2230−2233
  46. А. Н. Физика диэлектрков. М:. Высшая школа. 1971. 271 с.
  47. П. Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высшая школа 1977.
  48. В. С., Борисов В. С, Капустин Ю. А. Кириллов В. И. Диэлектрическая релаксация в компенсированном кремнии // ФТП. 1996. Т. 30. Вып. 4. С. 635−639.
  49. Н. Н., Прибылова Е. И. Электрические потери в высокоомном кремнии с глубокими уровнями // ФТП. 1996. Т. 30. Вып. 4. С. 635−639.
  50. В. И., Лебедев А. А., Рембеза С. И., Свиридов В. В., Ярославцев Н. П., Степанова М. Н. Электронно-механический резонанс на глубоких центрах в р±р°-л--п0-структурах арсенида галлия // ФТП. 1989. Т. 23. Вып. 5. С. 897−899.
  51. В. И., Кутукова О. П., Рембеза С. И., Ярославцев Н. П. Наблюдение электронно-механического резонанса на глубоких уровнях в полупроводниках А3В5, имплантированных ионами железа // ФТП. 1987. Т. 21. Вып. 7. С. 1335−1336.
  52. В. И., Логинов В. А., Рембеза С. И., Медведев Н. М., Ярославцев Н. П. Изучение методом внутреннего трения ионной имплантации в полупроводниках // Тез. Всесоюзн. конф. по ионному легированию полупроводников. Таллинн. 1984. С. 17.
  53. Най Дж. Физические свойства кристаллов и их описание при помощи тензоров и матриц. М.: Мир. 1967. 385 с.
  54. Р., Эльбаум Ч., Чик Б. Ультразвуковые методы в физике твердого тела. М.: Атомиздат. 1972. 307 с.
  55. Акустические кристаллы / Под ред. М. П. Шаскольской // М.: Наука. 1982. 632 с.
  56. JI.C. Емкостные методы исследования полупроводников. Л.: Наука. 1972. 104 с.
  57. Г. М. Основные электрофизические параметры полуизолирующих материалов и методы их определения в арсениде галлия // В кн.: «Полуизолирующие соединения А3В5». М.: Металлургия. 1984. С. 18−32.
  58. Исследование спектра глубоких уровней в эпитаксиальных структурах методом релаксационной спектроскопии индуцированных токов / В. П. Кузнецов, Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, В. А. Фридман, Г. В. Шепекина // ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 4. С. 735−737.
  59. С.А., Костанян Г. Г. Релаксация ОПЗ в примесном полупроводнике с учетом перезахвата генерируемых носителей // ФТП. 1984. Т. 18. Вып. 7. С. 1246−1251.
  60. Шик А. Я. Об определении параметров глубоких центров в полупроводниках//ФТП. 1984. Т. 18. Вып. 10. С. 1759−1762.
  61. П. Т., Гармаш Ю. В., Перелыгин А. Н. К вопросу о релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках // ФТП. 1983. Т. 17. Вып. 3. С. 496−498.
  62. Aronov D. A., Mamatkulov V. V. The Capacitance and Characteristics Relaxation Times it Carrier Exclussion in Compensated Semiconductors with Deep Traps and Non-Injecting Contacts // Phys. Stat. Sol. 1984. A. 81. № 1/ Р/ 85−89.
  63. Weiner J. S., Ju P. J. Tree Carrier Lifetime in Semiinsulating GaAs from Time-Resolved Band-to Band Photoluminescence // J. Appl. Phys. 1984. V. 5. № 10. Р/3889−3891.
  64. Э. M., Первова Л. Я., Рашевская Е. П., Фистуль В. И. Фотопроводимость полуизолирующего арсенида галлия с примесью хрома // ФТП. 1971. Т. 5. Вып. 3. С. 554−555.
  65. Н. М., Наследов Д. Н., Мирджалилова М. А., Ибрагимов В. Ю. Примесная фотопроводимость в кристаллах арсенида галлия // ФТП. 1980. Т. 14. Вып. 2. С. 358−360.
  66. А. А., Лебедев А. А., Талалакин Г. Н., Шапошникова Т. А. Фотопроводимость полуизолирующего GaAs, легированного Gr в сильных электрических полях // ФТП. 1972. Т. 6. Вып. 6. С 1067—1071.
  67. Г. П., Бродовой В. А., Мирец Л. 3. Отрицательная фотопроводимость в диодах на основе // ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 1. С. 80−82.
  68. А. А., Наследов Д. Н., Шапошникова Т. А. Полевая и температурная зависимости сечения фотоионизации глубокого примесного центра в арсениде галлия, легированного хромом // ФТП, 1983. Т. 17. Вып. 7. С. 13 921 395.
  69. О. В., Скрышевский В. А., Тесленко В. В. Амфотерные свойства примеси хрома в арсениде галлия // ФТП, 1983. Т. 17. Вып. 7. С. 1446−1449.
  70. А. Т., Царенков Б. В., Чаабришвили Н. Г. Температурная зависимость примесной фотолюминисценции GaAs, легированного Сг // ФТП, 1971, Т. 5. Вып 1.С. 115−121.
  71. Г. П., Карханин Ю. И. Энергетический спектр глубоких уровней и механизм излучательной рекомбинации в GaAs (Сг) // ФТП, 1972. Т. 6. Вып. 2. С. 305−310.
  72. Н. Л., Зуев В. А., Ляшенко В. С., Терещенко А. К., Фотоэлектрические явления в приповерхностной области арсенида галлия // ФТП, 1970. Т. 4. Вып. 4. С. 654−662.
  73. Ю. В., Карханин Ю. И., Третяк О. В. Энергетический спектр высокоомного GaAs с n-образной вольтамперной характеристикой // ФТП, 1989. Т. 23.Вып. 5 С. 1808−1814.
  74. Н. Н., Рембеза С. И., Спирин А. И., Буслов В. А., Сушков С. А. Фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью // ФТП, 1998. Т. 32. Вып. 10. С. 1165−1169.
  75. А. В., Прибылов Н. Н., Рембеза С. П., Кожевников А. А. Изучение эффектов инфракрасного гашения собственной фотопроводимости в GaP:Cu // В кн. «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Сб. науч. трудов. Воронеж. 2001. С. 49−52.
  76. Н. Н., Буслов В. А., Рембеза С. И. И др. // ФТП, 1989. Т.ЗЗ.Вып. 8. С. 916−920.
  77. В. А., Прибылов Н. Н., Рембеза С. И. и др. Природа примесной полосы фотопроводимости при 1,05 эВ в GaP:Cu // В кн. «Оптика полупроводников»: Труды Международной конференции OS-2000. Ульяновск. 2000. С. 64.
  78. А. А., Москвичев А. В., Прибылов Н. Н., Рембеза С. И. Эффекты очувствления и гашения фотопроводимости в высокоомном GaP:Cr // В кн. «Твердотельная электроника и микроэлектроника. Сб. науч. трудов. Воронеж. ВГТУ, 2001. С. 67−70.
  79. В. И., Рембеза С. И. Ярославцев Н. П. Воздействие ИК-излучения на эффект зарядовой релаксации в пьезополупроводниках // Тез. докл. Международной конференции «Релаксационные явления в твердых телах». Воронеж. 1999. С. 94−95.
  80. В. И., Рембеза С. И., Свиридов В. В., Ярославцев Н. П. Воздействие оптического излучения на внутреннее трение в пьезополупроводниках с глубокими центрами. ФТП. 2002. Т. 33. Вып. 2. С. 138−143.
  81. С. М., Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз. 1963. 496 с.
  82. Л. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа 1987. 239 с.
  83. Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления // Под ред. В. Л. Бонч-Бруевича. М.: Мир. 1980. 208 с.
  84. К. В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат. 1985. 391 с.
  85. В. И. Введение в физику полупроводников. М.: Высшая школа. 1973. 296 с.
  86. В. П., Рембеза С. И., Свиридов В. В., Ярославцев Н. П. Акустооптический эффект в арсениде галлия с глубокими центрами // Перспективные материалы. 2001. № 5. С. 31−36.
  87. В. П., Свиридов В. В., Ярославцев Н. П. Электронно механическая релаксация в полупроводниках с глубокими центрами: проблемы интерпретации // Тез. докл. Школы семинара «Релаксациооные явления в твердых телах.» Воронкж., 1993., С. Ю6.
  88. В. И., Свиридов В. В., Ярославцев Н. П., Логинов. В. А., Рембеза С. П., Измайлов Н. В. Способ определения параметров пьезоэлектрических полупроводников. Авторское свидетельство СССР № 1 290 845 МКИ1. Н 01 L 21/66. 1986.
  89. В. К., Dreyfus R. W. Unelasticity Due to Intrinsic Defects in GaAs // G. Appl. Phys. 1966. V. 37. № 2.P.631−634.
  90. JI. H., Зотов М. И. Применение метода внутреннего трения для исследования полупроводников // Обзоры по электронной технике. Сер. Электроника. 1970. Вып. 7(215). 22 с.
  91. В. Б., Холодный Л. П., Мильвидский М. Г. Исследова-ниедефектов в GaAs методом внутреннего трения // В кн.: Материалы Всесоюзного совещания по дефектам структуры в полупроводниках. Новосибирск. ИФП СО АН СССР. 1969. 4.1. С.121−127.
  92. В. Б., Холодный Л. П., Мильвидский М. Г. Исследование дефектов в арсениде галлия методом внутреннего трения // ФТТ. 1971. Т. 13. № 7. С. 2135−2138.
  93. В. Б., Холодный Л. П., Мильвидский М. Г. Внутреннее трение в монокристаллах GaAs // Изв. АН СССР. Сер. Неорганич. Материалы. 1972. Т.8. № 5. С. 802−807.
  94. В. Д, Ковязин В. Я., Мильвидский М. Г., Освенский В. Б., Холодный. Л. П. Исследование точечных дефектов решетки в соединениях А3В5 методом внутреннего трения // ФТТ. 1977. Т. 19. № 11. С. 3304−3307.
  95. В. И., Яковенко А. Г., Шелонин Е. А. Неупругая релаксация в германии, легированном медью // ФТТ. 1978. Т. 20. № 8. С. 2273−2278.
  96. В. И., Яковенко А. Г., Шелонин Е. А. Исследование поведения меди в германии методом внутреннего трения // ФТТ. 1980. Т. 22. № 1. С. 31−35.
  97. Lam С. С., Douglass D. Н. Observation of Oxygen Impurities in Single-crystal Silicon by Means of Internal Friction // G. Low Temp. Phys. 1981. V. 44. № 3−4. P. 259−264.
  98. Л. H., Зотов М. И., Сурин Б. П. Влияние окисных пленок на внутреннее трение в кремнии // В кн.: Физика и химия конденсированных сред. Воронеж. 1981. С. 14−17.
  99. Ю. Н., Воронков В. В., Глоризова Р. И., Колесник JI. И. Структурно-чуствительные глубокие центры в слаболегированном GaAs // ФТП. 1985. Т. 19. № 2. С. 292−295.
  100. Laszig G., Haasen P. Internal Friction of GaAs with EL2 Defects // Phys. Stat. Sol. (a) 104, K105 (1987).
  101. Ярославцев .H. П., Митрохин В. И., Измайлов Н. В., Рембеза С. И. Лисовенко В. Д. Способ определения объема инородных включений в твердых веществах. Авторское свидетельство СССР № 1 179 183 МКИ G 01 N 25/02. 1985. Б. И. № 34.
  102. В. И., Ярославцев Н. П. Влияние термообработки на глубокие центры в полуизолирующем арсениде галлия, легированном хромом // Тез. докл. Международного семинара «Релаксационные явления в твердых телах.». Воронеж. 1995. С. 49.
  103. . В. И., Рембеза С. И., Ярославцев Н. П. Влияние термического отжига на внутреннее трение в полуизолирующем арсениде галлия // Тез. докл. Международного семинара «Релаксационные явления в твердых телах». Воронеж. 1999. С. 299−300.
  104. . В. И., Рембеза С. И., Ярославцев Н. П. Влияние термического отжига на внутреннее трение в полуизолирующем арсениде галлия // Изв. РАН. Сер. физич. 2000. Т. 64. № 9. с. 1722−1726.
  105. В. А., Петраков А. П. Исследование методом трехкристаль-ной рентгеновской дифрактометрии структуры приповерхностных слоев кремния, подвергнутых миллисекундному лазерному облучению // Поверхность. 1992. № 9. с. 64−69.
  106. Точечные дефекты в твердых телах // пер. с англ. под ред. Б. И. Бол-такса, Т. В. Машовец, А. Н. Орлова. М.: Мир. 1979. 379 С.
  107. В. И., Рембеза С. И., Железный С. В., Логинов В. А. Исследование влияния лазерной обработки на внутренне трение в кремнии // Физика и технология материалов и изделий электрон, техники. Воронеж. ВГТУ. 1995. С. 177.
  108. В. И., Железный С. В., Рембеза С. И., Логинов В. А. Внутренне трение в полупроводниках, подвергнутых лазерной обработке // Физика и химия обработки материалов. 1996. № 3. С. 47−50.
  109. Mitrokhin V. I., Rembeza S. I. Infernal friction as method for investigation structural defect in ion implantanted, А В semiconductors // X. Intern. Conf. «Ion implantation tecnology.» Abstracts, Catania, Italy, 13−17 June, 1994. P. 3. 118.
  110. В. И., Рембеза С. И., Медведев Н. М., Логинов В. А.3 5
  111. Внутренне трение в полупроводниках, А В, имплантированных ионами бора // ФТП. 1986. Т. 20. № 5. С. 913−915.
  112. В. П., Литвинов Ю. М., Моисеенко Н. Ф. и др. Образование дислокаций при лазерной обработке бездислокационного кремния и их взаимодействие с точечными дефектами // Физика и химия обраб. Материалов. 1985. № 2. С. 32−36.
  113. . М., Измайлов Н. В., Логинов В. А., Митрохин В. И., Ярославцев Н. П. Неупругая релаксация в твердых телах, связанная с нарушениями их поверхности // ФТТ. 1987. Т. 29. Вып. 12. С. 3529−3533.
  114. Л. Д., Лифшиц Е. М. Теория упругости. М.: Наука. 1965. 204. С.
  115. В. И., Ярославцев, Н. П., Рембеза С. И., Даринский Б. М., Измайлов Н. В. Способ определения дефектного поверхностного слоя полупроводника. Авторское свидетельство СССР № 1 491 275 МКИ Н 01 L 21/66. (1989)
  116. А. В., Кочурин Г. А., Нидаев Е. В., Смирнов А. С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М.: Наука, 1982. 208 с.
  117. В. И., Рембеза С. И, Логинов. В. А. Отжиг дефектов в полупроводниках импульсным некогерентным излучением // Вестник Воронежского гос. тех. универс. Сер. «Материаловедение.» Выпуск 1.1. 1996. С. 90. 92.
  118. В. П., Телегин Г. Г. Влияние лазерного излучения на взаимодействие атомов с поверхностью и процессы адсорбции // Хим. физ. 1999.1. Т. 18. № 6. С. 92−96.
  119. А. Ф., Федоров А. И. Деградация арсенида галлия при воздействии эксимерного лазера // Ж. техн. физ. 2000. Т. 70. № 10. С.40−44.
  120. С. В. Генерация объемных дефектов в некоторых полупроводниках лазерным излучением в области прозрачности кристаллов // ФТП. 2000. Т. Вып. 9. С. 1046−1052.
  121. Plumereau G., Aronda P., Ailloud P., Berger., Boutland D., Ladien T. Noise-induced local heatings in beam irradiation // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. № 1. P. 134−147.
  122. Han Min, Kiyama Satoru, Muto Makiko, Fukida Akiro, Sawada Tsungo, Ivada Itsushi Cluster formation in locally confined gas layer mixed with plume ablated by pulsed irradiation // Nicl. Instrum. and Meth. Phys. Res. B. 1999. № 1−4.1. P. 153
  123. Han B. Y., Weaver J. H. Laser integration with Br-GaAs. (110) Etching and atomic desorbtion // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. № 16. P. 10 981−10 989.
  124. E. В., Вальднер В. О., Заболотный В. Т., Старостин Е. К вопросу о вкладе тепловых пиков в формирование структуры облученного твердого тела // Физика и химия обраб. материалов. 2001 № 1. С. 5−7.
  125. В. М., Щеликов О. Д. Термическое расширение и характеристики прочности межатомной связи в расплавах соединений АШВУ // ФТП, 1998. Т. 32. Вып. 4. С. 421−425.
  126. П. Г., Матюхин Д. Т., Идентификация параметров примесных уровней в высокоомных полупроводниковых кристаллах с помощью термостимулированных токов при дозированном освещении образцов // ФТП 1998 Т. 32. Вып. 5. С. 583−587.
  127. Sasaki Wataru A review of the present status and future prospects on materials processing using vacuum-ultraviolet light // J. Surface Sci. Soc. Jap. 1999. V. 20. № 6. P. 388−392.
  128. Sadra K. Laterial resolution in laser-patterned thermal processing of GaAs //Appl. Surface Sci. 1998. V.125. № 3−4. P. 325−331.
  129. Kelly Loger, Miotello Antonio Constribution of vaporization and Boiling to thermal spike sputtering by ions or laser pulses // Phys. Rev. E. 1999. V. 12. № 2. P. 75−83.
  130. В. И., Носов В. В., Семмлер А. Исследование тепловых и термоупругих полей в полупроводниках при импульсной обработке // Мат. моделир. 2000. Т. 12. № 2. С. 75−83.
  131. Н., Chou К. С., Guo J., Tom Н. К. Femtosecond laser-induced disorder of the (lxl)-relaxed GaAs (110) Surface // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 83., № 18. P. 3745−3748.
  132. А. П., Казарян Э. М., Чиркинян А. С. Межпримесное поглощение света в тонких проволоках полупроводников типа А111 Ву // ФТП 1998. Т. 32. Вып. 1.С. 108−112.
  133. А. V., Sheludko V. Е. Use of laser technology for modification of material properties // Funet. Mater. 1999. V. 6. № 5. P. 364−376.
  134. И. JI., Зеленина И. Л., Матвеев О. А. Тепловое воздействие импульсного лазерного излучения на реальную структуру монокристаллов CdTe // ФТТ 2000. Т. 42. № 3. С. 548−552.
  135. М. Н., Сарнаков С. М., Чуйко В. А., Шандыбина Г. Д. Ла-зенро-индуцированные неустойчивости непрерывного следа воздействия на поверхность // Ж. техн. физ. 2000. Т. 70. № 4. С. 88−88.
  136. Sadeqhi Mnoosh, Vertee Akos Cristallite size dependence of volatilization in matrix-assisted laser desorbtion ionization // Appl. Surface Sci. 1998 V. 127 129. P. 226−234.
  137. Т. H. Исследование физических механизмов и динамики анизотропного локального плавления поверхности кремния при импульсном световом облучении / Автореф. дис. канд. физ-мат. наук. Казанск. гос. ун-т. Казань 1999. 16 с.204
  138. Bulgakova Nadezhda M. Possibility of rarefaction shock wave under short pulse laser ablation of solids // Phys. Rev. E. 1999. V. 60. № 4. P. R3498-R3500.
  139. Vitali G., Pizzuto C., Zollo G., Karpuzov V., Chiavrone L., Manno D. Structural reordering and electrical activation of ion-implanted GaAs and InP due to laser annealing in controlled atmosphere // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. № 4. P. 29 812 994.
  140. Ruhl Hartmyt, Macchi Andrea, Mulser Peter, Cornolti Fulvio, Hain Steffen Collective dinamics and enhaucement of absorption in deformed targets // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 82. № 4. p. 2095−2098.
  141. Itina Т. E., Marine W., Autric M. Nonstationary effects in pulsed laser ablation // J. App. Phys. 1999. V. 85. № 11. P. 7905−7908.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!