Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Управляемый синтез гетерогенных систем: технология и свойства

Диссертация: Управляемый синтез гетерогенных систем: технология и свойства
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Результаты диссертационной работы используются в учебном процессе и научных исследованиях Ленинградского электротехнического инстатута имени В. И. Ульянова (Ленина) (ныне Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет), Казанского государственного технологического университета, Московского государственного института радиотехники, электроники и автоматики (ТУ), Московского… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Методология технологии управляемого синтеза гетерогенных систем
    • 1. 1. Многокомпонентные системы и их свойства
    • 1. 2. Основные методы получения многокомпонентных систем и приборов на их основе
    • 1. 3. Влияние облучения на свойства многокомпонентных систем
    • 1. 4. Концепция создания гетерогенных систем с управляемыми свойствами
  • Выводы
  • 2. Основы технологии управляемого синтеза многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А*В
    • 2. 1. Использование метода «горячей стенки» для получения эпитаксиальных пленок сульфида, селенида свинца и твердых растворов на их основе в квазиравновесных условиях
    • 2. 2. Выбор условий получения эпитаксиальных йленок сульфида свинца и PbS^Se^ высокого структурного совершенства на основе кинетических исследований
      • 2. 2. 1. Кинетическая диаграмма условий конденсации пленок сульфида свинца и твердых растворов PbS^Se^ на диэлектрических подложках из фтористого бария
      • 2. 2. 2. Влияния условий получения на скорость конденсации и структурное совершенство эпитаксиальных пленок сульфида свинца и твердых растворов сульфид-селенид свинца
    • 2. 3. Зависимость электрофизических свойств многокомпонентных материалов на основе эпитаксиальных пленок сульфида свинца от условий получения
      • 2. 3. 1. Зависимость концентрации носителей заряда и коэффициента термоЭДС от давления пара серы
      • 2. 3. 2. Влияние температуры подложки на значения коэффициента термоЭДС и тип электропроводности многокомпонентных полупроводниковых материалов
    • 2. 4. Зависимость состава и электрофизических свойств многокомпонентных систем на основе эпитаксиальных пленок твердых растворов сульфид-селенид свинца от условий получения

    2.5 Физико-химические закономерности получения многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе эпитаксиальных пленок сульфида свинца и твердых растворов сульфид-селенид свинца с контролируемыми свойствами.

    2.5.1 Расчет термодинамических параметров реакций образования собственных дефектов в многокомпонентных материалах на основе эпитаксиальных пленок PbS и твердых растворов PbS^Se^.

    2.5.2 Расчет концентраций собственных дефектов, носителей заряда и инверсных давлений пара халькогена квазихимическим методом.

    2.5.3 Термодинамический расчет условий протекания реакций замещения атомов серы атомами селена.

    2.5.4 Кинетические расчеты процессов самодиффузии в полупроводниковых материалах на основе А4В6.

    Выводы.

    3 Управляемый синтез многокомпонентных проводниковых материалов.

    3.1 Получения пленок многокомпонентных проводниковых материалов методом термического испарения в вакууме.

    3.2 Процессы формирования пленок проводниковых многокомпонентных материалов.

    3.3 Влияние условий конденсации пленок многокомпонентных материалов, полученных методом термического испарения в вакууме, на их состав.

    3.4 Исследование скорости конденсации пленок многокомпонентных материалов.

    3.5 Исследование адгезии пленок к поверхности ситалловой подложки.

    3.6 Моделирование процесса формирования плёнок многокомпонентных проводниковых материалов.

    Выводы.

    4 Управление свойствами многокомпонентных материалов на основе сегнетоэлектрических твердых растворов цирконата-титаната свинца.-.

    4.1 Влияние состава твердых растворов цирконата-титаната свинца на их электропроводность.

    4.2 Влияние однократного рентгеновского излучения на электропроводность сегнетоэлектрических твердых растворов на основе цирконата-титаната свинца.

    4.3 Моделирование электропроводности твердых растворов цирконата-титаната свинца.

    4.4 Влияние многократного рентгеновского излучения на электропроводность твердых растворов цирконата-титаната свинца.

    4.5 Влияние рентгеновского излучения на диэлектрические свойства твердых растворов цирконата-титаната свинца.

    Выводы.

    5 Получение пленочных резисторов на основе многокомпонентных проводниковых материалов с управляемыми и стабильными во времени параметрами.

    5.1 Исследование параметров пленочных резисторов на основе хромоникелевых сплавов в процессе хранения.

    5.2 Влияние защитного слоя на параметры пленочных резисторов с использованием хромоникелевых сплавов в процессе хранения.

    5.3 Управление параметрами пленочных резисторов посредством отжига.

    5.4 Управление параметрами пленочных резисторов за счет облучения рентгеновскими лучами.

    Выводы.1.

    6 Получение и выходные параметры фотоэлектрических преобразователей на основе сульфида свинца и твердых растворов сульфид-селенид свинца.!.

    6.1 Выбор материалов омического и выпрямляющего контактов.

    6.2 Получение фотоэлектрических преобразователей на основе эпитаксиальных пленок сульфида свинца и твердых растворов сульфид-селенид свинца.

    6.3 Расчёт зонной диаграммы барьеров Шоттюгна основе In-/>-PbS./.

    6.4 Исследование вольт-амперных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе р-П-гомопереходов и барьеров Шоттки.

    6.4.1. Исследование вольт-амперных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе р-п -гомопереходов.

    6.4.2 Исследование вольт-амперных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе барьеров Шоттки.

    6.5 Исследование вольт-фарадных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе р-п -гомопереходов и барьеров Шоттки.

    6.5.1 Исследование вольт-фарадных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе р-п -гомопереходов.

    6.5.2 Исследование вольт-фарадных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе барьеров Шоттки.

    6.6 Исследование фотоэлектрических характеристик р-п-гомопереходови барьеровШоттки.

    6.6.1 Исследование фотоэлектрических характеристик р-п -гомопереходов.

    6.6.2 Исследование фотоэлектрических характеристик барьеров Шоттки.1.

    6.7 Влияние условий получения на выходные параметры фотоэлектрических преобразователей.

    Выводы.

    7 Методики исследования свойств многокомпонентных материалов и параметров гетерогенных систем.

    7.1 Методика проведения рентгеновского фазового анализа.

    7.2 Методика исследования качественного и количественного состава многокомпонентных систем.

    7.3 Методика измерения коэффициента термоЭДС полупроводниковых многокомпонентных материалов.

    7.4 Методика исследования эффекта Холла полупроводниковых многокомпонентных материалов.

    7.5 Методика исследования электропроводности диэлектрических многокомпонентных материалов.'.

    7.6 Методика исследования вольт-амперных характеристик гетерогенных систем.!.

    7.7 Методика исследования вольт-фарадных характеристик гетерогенных систем.:.

    7.8 Методика исследование фотоэлектрических характеристик гетерогенных систем.

    7.9 Аппаратное обеспечение автоматизированных исследований свойств многокомпонентных материалов и параметров гетерогенных систем на их основе.

    7.9.1 Автоматизированный лабораторный стенд для исследования проводящих свойств многокомпонентных систем.

    7.9.2 Автоматизированный лабораторный стенд для исследования свойств многокомпонентных полупроводниковых материалов методом эффекта Холла.:.

    7.9.3 Автоматизированный лабораторный стенд для исследования вольт-амперных характеристик гетерогенных систем.

    7.9.4 Автоматизированный лабораторный стенд для исследования параметров гетерогенных систем методом вольт-фарадных характеристик.

    Выводы.

    Основные результаты работы.

Управляемый синтез гетерогенных систем: технология и свойства (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Фундаментальная задача технологии приборостроения заключается в получении материалов и приборов функциональной электроники на их основе с заданными и стабильными во времени параметрами.

Актуальность диссертации обусловлена разработкой технологии управляемого синтеза многокомпонентных систем с использованием различных материалов микро-, наноэлектроники на основе физико-химических и технологических закономерностей цепочки: режимы синтеза — составвнешние факторы — электрофизические свойства материалов и выходные параметры приборов на их основе. t.

Интенсивное развитие микро-, нанотехнологии предъявляет новые требования к расширению функциональных возможностей приборов и повышению их надежности. Реализовать это возможно при использовании многокомпонентных систем, синтезированных при различной степени неравновесности метода получения, с заранее заданными свойствами за счет выбора технологических режимов синтеза и дозированного действия внешних факторов. Многокомпонентные системы, как правило, являются соединениями переменного состава, поэтому их применение, с одной стороны, обеспечивает требуемые эксплуатационные характеристики, а с другой стороны, затрудняет создание приборов с управляемыми и стабильными параметрами. Это характерно для многокомпонентных материалов, принадлежащих к различным классам веществ. В соединениях переменного состава небольшие девиации состава фазы вызывают изменения электрофизических свойств материалов и соответственно параметров приборов на их основе. Исследованием взаимосвязи между составом и свойствами монокристаллов, выращенных в равновесных условиях, занималась голландская школа во главе с Ф. Крёгером [1]. Однако современная электроника базируется на использовании не только объемных материалах, но и пленок, конденсация которых происходит в неравновесных условиях. При этом эффекты и явления, характерные для пленок, не проявляются в объемных материалах и наоборот.

Перспективными материалами для создания приборов функциональной электроники являются многокомпонентные системы, путем изменения состава которых удается управлять электрофизическими свойствами материалов, а следовательно, параметрами приборов щ их основе. В данной работе к ним относятся следующие материалы: проводниковые (Ni^Cr,^,.

Х20Н75Ю) — полупроводниковые (PbS, PbSe, PbS^Se^) и диэлектрические (PbTi xxZxxOz) бинарные соединения и твердьде растворы.

Основы технологии контролируемого и управляемого синтеза многокомпонентных систем базируются на квазихимическом подходе. В литературе не описано применение термодинамики фаз переменного состава к квазиравновесным и неравновесным условиям получения материалов. Однако t это существенно для микро-, наноэлектронной технологии, так как обоснование, подтверждение возможности и применение термодинамики фаз переменного состава к квазиравновесным условиям позволяет установить физико-химические закономерности получения многокомпонентных гетерогенных систем с управляемыми свойствами.

Проблемам разработки технологии управляемого синтеза многокомпонентных систем уделяется большое внимание во всем мире. Существенный вклад в развитие теоретических основ технологии управляемого синтеза многокомпонентных гетерогенных систем внесли научные школы, руководимые такими учеными, как С. А. Семилетов, JI.C. Палатник, Б. Ф. Ормонт, В. К. Сорокин, В. В. Крапухин, И. А. Соколов, Г. Д. Кузнецов, Ю. М. Таиров,.

A.С. Сигов, В. И. Волчихин, P.M. Печерская, В. В. Смогунов, А. С. Сидоркин,.

B.В. Леманов, В. Б. Уфимцев, А. А. Лобанов, А. Е. Панич, В. А. Исупов, К. А. Воротилов и другие.

Важной задачей приборостроения является првышение выхода годных изделий и временной стабильности эксплуатационных характеристик приборов, решение которой достигается за счет отработки технологии материалов с управляемыми, воспроизводимыми и стабильными во времени свойствами, К настоящему времени кинетические и термодинамические закономерности получения материалов не систематизированы. В то же время технология управляемого и воспроизводимого синтеза многокомпонентных систем требует как глубоких кинетических исследований, так и разработки качественных и количественных моделей свойств материалов, конденсируемых при различных термодинамических условиях. Научное направление формулируется в данной работе как развитие технологических основ получения гетерогенных систем с заданными выходными параметрами на основе общих физико-химических закономерностей синтеза различных многокомпонентных систем с управляемыми и стабильными'.во времени свойствами.

Таким образом, работа является актуальной как с точки зрения теоретического подхода для описания многовариантных равновесий прй синтезе многокомпонентных систем и действии на них внешних дестабилизирующих факторов, так и с точки зрения практического использования этих результатов для создания технологии приборов с заданными выходными параметрами.

Тематика работы соответствует «Перечню приоритетных направлений развития науки, технологий и техники РФ», утвержденному Президентом РФ (Индустрия наносистем и материалов) и «Перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований», утвержденному президиумом РАН (Физика конденсированных состояний и вещества).

Целью диссертационной работы является развитие основ технологии создания многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых, диэлектрических систем, фотоэлектрических преобразователей на базе соединений А4В6 и пленочных хромоникелевых резисторов для чувствительных элементов преобразователей физических величин с. высокостабильными параметрами, позволяющих повысить эффективность технологии приборостроения и имеющих важное хозяйственное значение.

Для достижения заданной цели необходимо решить следующие задачи: г.

1. Сформулировать методологию технологии управляемого синтеза многокомпонентных материалов на базе анализа свойств материалов и выходных параметров гетерогенных систем.

2. Разработать и практически реализовать методы получения многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических систем с управляемыми свойствами на основе применения термодинамики фаз переменного состава к квазиравновесным условиям их получения.

3. Установить общие для многокомпонентных систем закономерности: условия конденсации — состав — свойства, для чего:

— исследовать кинетику процессов испарения и конденсации многокомпонентных систем;

— исследовать действие внешних дестабилизирующих факторов на свойства многокомпонентных систем;

— смоделировать процессы формирования пленок и свойства многокомпонентных систем в зависимости от условий конденсации и действия внешних дестабилизирующих факторов.

4. Разработать и практически реализовать методы временной стабилизации выходных параметров пленочных хромоникелевых резисторов для чувствительных элементов преобразователей физических величин.

5. Установить физико-химические закономерности управляемого синтеза многокомпонентных систем при различных условиях конденсации и внешних дестабилизирующих факторахразработать технологию и изготовить фотоэлектрические преобразователи с использованием соединений Л4В6 и пленочные хромоникелевые резисторы для чувствительных элементов преобразователей физических величин.

Методы исследования. Сформулированные задачи решались с использованием современных экспериментальных неавтоматизированных и автоматизированных методов, реализованных на отечественном и зарубежном оборудованиичисленных и аналитических методов и средств вычислительной техники, а также теоретических методов исследования.

Достоверность полученных результатов и выводов подтверждена теоретическими доказательствами, численным и аналитическим моделированием свойств материалов и параметров гетерогенных системкомплексными экспериментальными исследованиями, выполненными в объеме и с точностью, достаточными для получения достоверных сведениймноговариантной постановкой экспериментов с изменением условий конденсации, режимов обработки, характера воздействиясовпадением рассчитанных значений в пределах разработанных моделей с экспериментальными данными и известными из литературных источников.

Научная новизна результатов, полученных в диссертационной рабоt те, заключается в следующем.

1. На основании анализа свойств и методов получения материалов, относящихся к различным классам веществ, предложена методология технологии управляемого синтеза многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических материалов, обеспечивающая эффективность создания и совершенствование эксплуатационных параметров гетерогенных систем.

2. Впервые систематизирован экспериментальный материал на основе комплексных исследований по управлению свойствами многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических систем, синтезированных в квазиравновесных условиях, за счет выбора условий конденсации и действия внешних дестабилизирующих факторов, включая рентгеновские лучи, отжиг. Получены эпитаксиальные пленки твердых растворов.

PbS^Se^ с широким диапазоном изменения состава по х из исходной заt грузки PbS с применением дополнительного источника, содержащего селен, и исследованы их свойства.

3. Впервые установлены физико-химические закономерности получения многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических материалов в квазиравновесных условиях с управляемыми свойствами вида: режимы синтеза — состав — внешние факторы — свойства на основе комплексного подхода, включающего исследования кинетики конденсации и испарения, равновесия твердая — газовая фаза, процессов, протекающих в твердых телах при действии дестабилизирующих факторов, и применения г термодинамики фаз переменного состава для квазиравновесных условий.

4. Впервые на базе физико-химических закономерностей управляемого синтеза различных многокомпонентных материалов развиты основы технологии гетерогенных систем, включая фотоэлектрические преобразователи на диэлектрических подложках с использованием соединений А*В6, чувствительные элементы на основе пленочных хромоникелевых резисторов для преобразователей физических величин.

5. Получены новые экспериментальные данные и разработаны модели временной стабилизации параметров чувствительных элементов на основе t пленочных хромоникелевых резисторов для преобразователей физических величин за счет технологических режимов синтеза и дозированного воздействия рентгеновских лучей и отжига.

6. Разработаны алгоритмы расчетов кинетики роста пленок и их электрофизических свойств, позволяющие прогнозировать электрические и механические характеристики многокомпонентных систем и параметры приборов на их основе, что актуально при моделировании свойств многокомпонентных материалов и параметров гетерогенных систем.

Практическая ценность работы заключается в развитии основ технологии управляемого синтеза многокомпонентных материалов, гетерогенных систем различных видов, в исследовании свойств широкого класса веществ, включающих многокомпонентные проводниковые, полупроводниковые и диэлектрические материалы, и параметров приборов с их использованием. Основные теоретические положения применйются на практике в виде конкретных методик.

1. Предложенный в диссертационной работе научный подход к формированию различных многокомпонентных материалов с контролируемыми свойствами и разработанная методология управляемого синтеза обеспечивают повышение эффективности технологии гетерогенных систем и улучшение их выходных параметров за счет выбора технологических режимов синтеза, дозированного рентгеновского воздействия и отжига.

2. Установлены технологические режимы синтеза и обработки многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических материалов, позволяющие управлять их электрическими и механическими свойствами. Получены эпитаксиальные пленки сульфида свинца и твердых растворов сульфид свинца-селенид свинца на диэлектрических подложках высокого структурного совершенства со свойствами, близкими к свойствам монокристаллов.

3. Разработана технология и изготовлены многоэлементные матрицы фотоэлектрических преобразователей на основе /?-я-гомопереходов и барьеров Шоттки с использованием эпитаксиальных пленок соединений А4В6 с высокими выходными параметрами, близкими к мировым.

4. Разработаны технологические основы иизготовлены пленочные хромоникелевые резисторы для чувствительных элементов преобразователей физических величин с высокостабильными выходными параметрами.

5. Диссертационная работа выполнялась в соответствии с планом госбюджетных научно-исследовательских работ: «Исследование и разработка технологических процессов микроэлектроники"-. «Разработка методов и средств исследования материалов и элементов электронной техники», координационным планом АН СССР, научно-техническими и научно-отраслевыми программами Министерства образования и науки РФ, грантами Министерства образования и науки РФ.

6. Теоретические и практические результаты диссертационной работы использованы в производстве на предприятии ФГУП НИИФИ (г. Пенза) и в научно-исследовательских работах, выполненных в рамках координационного плана АН СССР по проблеме 2.21.3.5 «Исследование свойств полупроводниковых пленочных материалов и физико-химических процессов на поверхности полупроводников" — проблеме 2.21.3.4 «Изучение структурных дефектов в полупроводниках" — по грантам Министерства образования и науки РФ: «Исследование деградационных процессов в сегнетоэлектриках на автоматизированном комплексе" — «Влияние дестабилизирующих факторов на свойства сегнетоэлектриков» (2001;2004 гг.) — по научно-техническим, научно-отраслевым и аналитическим ведомственным целевым программам Министерства образования и науки РФ: «Научное, научно-методическое, материально-техническое обеспечение развития технологий информационного общества и индустрии образования» (2003 г.) — «Развитие научного потенциала высшей школы» (2004;2008 гг.) — по трем госконтрактам в рамках научно-отраслевой программы Федерального агентства по образованию РФ: «Развитие информационных ресурсов и технологий! Индустрия образования» (2004 г.) и НИР «Исследование методов прогнозирования стабильности параметров тонкопленочных резисторов», № Г. Р. 01.89.56 842 (1989 г.) — «Исследование методов повышения стабильности тонкопленочных структур для ДПА», № Г. Р. 01.91.45 750 (1991 г.). Это подтверждается актами, приведенными в приложении А.

7. Результаты диссертационной работы используются в учебном процессе и научных исследованиях Ленинградского электротехнического инстатута имени В. И. Ульянова (Ленина) (ныне Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет), Казанского государственного технологического университета, Московского государственного института радиотехники, электроники и автоматики (ТУ), Московского государственного технического университета имени Н. Э. Баумана, Ростовского государственного университета, Санкт-Петербургского государственного института точной механики и оптики, Пензенского государственного университета, Воронежского госуниверситета, ФГУП РНПО • «Росучприбор», Санкт-Петербургского государственного университета аэрокосмического приборостроения, Северо-Кавказского государственного технического университета, что подтверждается соответствующими актами (приложение Б).

На защиту выносятся: >

Основные результаты работы.

1. Разработана методология технологии управляемого синтеза многокомпонентных материалов и систематизированы экспериментальные результаты на основе комплексных исследований свойств, кинетики испарения и конденсации многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических систем, полученных при различных условиях конденсации и действии дестабилизирующих факторов.

2. Разработан метод конденсации многокомпонентных полупроводниковых систем на основе А4В6, осажденных на диэлектрических подложках из BaF2, для квазиравновесного метода получения. Определены условия эпитаксии и изготовлены эпитаксиальные пленки сульфида свинца и твердых растворов PbS^Se^ состава по х от 0 до 1 высокого структурного совершенства со свойствами, близкими к свойствам монокристаллов. Впервые показано, что из исходной загрузки состава х = 0 можно получать эпитаксиальные пленки PbS^Se^ с управляемыми свойствами и составом.

3. Разработан метод получения и изготовлены Многокомпонентные хромо-никелевые материалы с управляемыми свойствами за счет выбора условий конденсации, облучения рентгеновскими лучами и отжига. Определены основные па. раметры, характеризующие процесс формирования пленок многокомпонентных проводниковых материалов на начальных стадиях роста, а также установлена их взаимосвязь с температурами испарения исходной загрузки, подложки, с порядковым номером элемента в периодической таблице Д. И. Менделеева и температурой кипения.

4. Разработана и применена методика управления" свойствами многокомпонентных диэлектрических систем различного состава с помощью условий конденсации и при действии рентгеновских лучей. Установлено различное действие однократного и многократного рентгеновского облучения на электропроводность твердых растворов PbTi1JCZrJC03. Однократное облучение приводит к уменьшению разброса электрических параметров сегнетоэлектриков, что подтверждается сокращением диапазона изменения значений электропроводности твердых растворов PbTi^Zr^Oj в 3−7 раз в зависимости от величины поглощенной дозы облучения. При многократном облучении величина электропроводности сегнетоэлектриков закономерно увеличивается с ростом суммарной поглощенной дозы, для твердых растворов PbTi^Zr^Oj.

5. Разработаны алгоритмы расчета и произведено моделирование процессов формирования пленок многокомпонентных систем и йх электрофизических и механических свойств в зависимости от технологических режимов синтеза и действия внешних дестабилизирующих факторов. Сравнение экспериментальных результатов с теоретическими указывает на корректность" алгоритмов расчета и моделирования.

6. Разработаны физико-химические закономерности управляемого синтеза многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических систем для различных условий конденсации на основе исследования кинетики процессов испарения и конденсациипостроены диаграммы твердая фаза — газовая фаза, условия конденсации — состав — свойства. Показана применимость терI модинамики фаз переменного состава к квазиравновесным условиям получения многокомпонентных систем.

7. С учетом физико-химических закономерностей управляемого синтеза многокомпонентных полупроводниковых систем разработана технология и изготовлены многоэлементные матрицы фотоэлектрических преобразователей с использованием /т-и-гомопереходов и барьеров Шоттки с близкими к мировым вы, ходными параметрами и пленочные хромоникелевые резисторы для чувствительных элементов преобразователей физических величин с высокостабильными параметрами. Установлены закономерности между электрофизическими свойствами пленок, на базе которых сформированы преобразователи, и их выходными характеристиками. На этой основе найдены режимы синтеза, обеспечивающие высокие выходные параметры гетерогенных систем.

8. Доказано, что диффузия электрически активных собственных дефектов в эпитаксиальных пленках PbS, PbSj^Se^ ри и-типа электропроводности не оказывает влияния на формирование р-и-перехода в едином технологическом цикле и позволяет использовать его в качестве фотоэлектрического преобразователяэто подтверждается теоретическими расчетами и результатами исследования вольт-фарадных характеристик.

9. Разработаны и внедрены методы временной стабилизации выходных параметров пленочных резисторов на основе хромоникелевых сплавов для чувствиt тельных элементов преобразователей физических величин, снижающие коэффициент старения сопротивления на один — четыре порядка. Эффективнее стабилизация выходных параметров пленочных резисторов происходит при использовании высоких температур испарения исходной загрузки и дозированного действия внешних факторов, включая отжиг и облучение.

10. Результаты теоретических и экспериментальных исследований использованы в производстве при изготовлении многокомпонентных систем и преобразователей физических величин на их основе с высокостабильными параметрами, а также в учебном процессе и научных исследованиях Ленинградского электротехt нического института имени В. И. Ульянова (Ленина) (ныне Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет), Казанского государственного технологического университета, Московского государственного института радиотехники, электроники и автоматики (ТУ), Московского государственного технического университета имени Н. Э. Баумана, Ростовского государственного университета, Санкт-Петербургского государственного института точной механики и оптики, Пензенского государственного университета, Воронежского, госуниверситета, ФГУП РНПО «Росучприбор», Санкт-Петербургского государственного университета аэрокосмического приборостроения, Северо-Кавказского государt ственного технического университета.

Таким образом, в результате выполнения диссертационной работы решена важная научно-техническая проблема: развиты основы технологии гетерогенных систем с заданными выходными параметрами на — основе общих физикохимических закономерностей синтеза различных многокомпонентных систем с управляемыми и стабильными во времени свойствами, обеспечивающие повышение эффективности технологии приборостроения и совершенствование эксплуатационных параметров гетерогенных систем. t.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крёгер. М.: Мир, 1969.-654 с.
  2. Технология тонких пленок / Под ред. JI. Майссел, Р. Глэнг. М.: Сов. Радио, 1977. — Т. 2. — 768 с.
  3. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Г. А. Смоленский, В. А. Боков, В. А. Исупов, Н. Н. Крайник, Р. Е. Пасынков, М. В. Шур. Д.: Наука, 1971. — 476 с.
  4. Jaffe, В. Piezoelectric ceramics / В. Jaffe, W.R. Cook, H. Jaffe. London: Academic Press, 1971. — 136 p.
  5. , Ю.Я. Пленочные сегнетоэлектрики / Ю.Я. Томашполъ-ский. М.: Радио и связь, 1984. — 192 с.
  6. Lappalainen, J. Lazer-ablation deposition and characterization of polycrystal-line Nd-modified Pb (Ti, Zr)03 thin films//. Lappalainen. -Oulu, 1999.-63 p.
  7. , T.A. Коррозионностойкие сплавы на основе никеля для сред особо высокой агрессивности / Т. А. Свистунова II Перспективные материалы, 2003.-С. 98−104.
  8. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства / Н. Х. Абрикосов, В. Ф. Банкина, JI.B. Порецкая и др.-Ы.: Наука, 1967. 176 с.
  9. Оптические материалы для ИК-техники / Е. М. -Воронкова, Б. Н. Грачуш-ников, Г. И. Дистлер и др. М.: Наука, 1965. — 335 с.
  10. Igarki, К. Controlled deviation from stoichiometry in PbSe / K. Igarki, N. Ohashi II J. Phys. Soc. Japan. 1963. — V. 18.-Cuppl. 2.- P. 143−147. -
  11. Dale, R. The binary system PbS-PbSe / R. Dale, D. Simpson II J. Economic Geology.-1964.-V. 59.-№ l.-P. 150−153.t
  12. Ilegens, M. Phase studies in III-V, II-VI and IV-VI compound semiconductor alloy system / M. Ilegens, C.L. Perarson II Ann. rev. mater, sci. 1975. — V. 5. -P. 345−351.
  13. Harman, T.C. Control of imperfections in crystal of Pb^Se^Te, Pb^Sn^Se and PbSJS^/r.C. Harman II J. Nonmetals. 1973. — V! l.-P. 183−194.
  14. Nevelmann, R. The growth of epitaxial single crystal PbS^Se^ films by hot wall evaporation / R. Nevelmann, A. Marino, K. Reichelt II J. Cryst. Growth. 1983.1. V. 64.-№ 3.-P. 609−612.
  15. , Ю. И. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца / Ю. И. Равич, Б. А. Ефимова, И.'А. Смирнов. М.: Наука, 1968.-383 с.
  16. , И. М. Зонная структура полупроводников I И. М. Ци-дильковский. М.: Наука, 1978. — 328 с. г
  17. , С. М. Volatility and stability of metallic sulphides I С. M. Hsiao, A. W. Schlechten. J. Metals. — 1952. — Sect. 1. — № 1. — P. 6569.
  18. , В. А. Зонная структура полупроводников группы AIVBVI в приближении сильной связи на /?-орбиталях / В. А. Волков, С. А. Панкратов, А. В. Сазонов II Физика и техника полупроводников. 1−982. — Т. 16. — № 10. -С.1729−1734.
  19. , К. В. Оптические свойства эпитаксиальных плёнок PbSe / К В. Вяткин, А. П. Шотов II Физика и техника полупроводников. 1980. — Т. 14. -№ 7. -С. 1331−1334.
  20. Механизмы рассеяния носителей тока в халькогенидах свинца / Ю. И. Равич, Е. А. Гуриева, И. Н. Дубровская и др. II Физика твердого тела. 1970. -Т. 12.-№ 3.-С. 917−919.
  21. , Н. В. Подвижность носителей тока в кристаллах PbSe в интервале температур 4,2 300 К / Я. В. Кучеренко, Ю. Н. Королев, А. П. Шотов II Физика и техника полупроводников. — 1971. — Т. 5. — № 5. — С. 982−984.
  22. , С. В. Модулированная лазерным излучением эпитаксия теллу-рида свинца / С. В. Пляцко // Физика и техника полупроводников. 1998. — Т. 32. -№ 3.-С. 299−302.
  23. , С. В. Особенности роста и физических свойств PbTe/BaF2, полученного в неравновесных условиях / С. В. Пляцко II Физика и техника полупроводников. 1998. — Т. 32. -№ 3. — С. 257−260.
  24. , В.В. ТермоЭДС халькогенидов свинца при высоком давлении / В. В. Щенников, С. В. Овсянников, А. Ю. Деревсков II Физика твердого тела. 2002. — Т. 44. — Вып. 10. — С. 1762−1765.
  25. Диаграммы состояния двойных металлических систем / Под общ. ред. Н. П. Лякишева. М.: Машиностроение, 1997. — Т. 2. — 1024 с.
  26. , Р. Металлургия и материаловедение / Р. Циммерман, К. Гюнтер. М.: Металлургия, 1982. — 408 с.
  27. Электрические свойства пленок хрома / Г. М. Абрамова, Н. И. Киселев, Г. С. Патрин, ГА. Петраковский // Физика твердого тела. 1999. — Т. 41. — Вып. 3. -С. 380−382.
  28. , С.Ю. Расчет энергии активации поверхностной самодиффузии атомов переходных металлов / С. Ю. Давыдов II Физика твердого тела. 1999. -Т.41.-№ 1.-С. 11−13.
  29. , А.Н. Адгезия металлов и полупроводников в рамках диэлектрического формализма / А. Н. Вакилов, М. В. Мамонова, В. В. Прудников // Физика твердого тела. 1997. — Т. 39. — № 6. — С. 964−967.
  30. , Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы / Ф. Иона, Д. Ширане. М.:, Мир, 1965.-555 с.
  31. , В.В. Фазовые состояния и сегнетоэлектрические свойства керамики Pb(Ti, Zr)03 / В. В. Шварцман, С. Е. Аксенов, ЕД. Политова II Журнал технической физики. 2000. — Т. 70. — Вып. 11. — С. 4217.
  32. , А.Е. Сегнетоэлектрические морфотропные переходы / А. Е. Панич, М. Ф. Куприянов, Г. М. Константинов. Ростов-на-Дону: Изд-во Рост. гос. ун-та, 1992.-245 с.
  33. , В.А. Сосуществование фаз в твердых растворах цирконата-титаната свинца / В. А. Исупов // Физика твердого тела. 2001. — Т. 43. — Вып. 12-С. 2166−2169.
  34. , М.Д. Расчет фазовых диаграмм твердых растворов сегнетоэлектриков / М. Д. Глинчук, Е. А. Елисеев, В. А. Стефанович // Физика твердого тела. -2001. Т. 43. — Вып. 5. — С. 882−887.
  35. , В.В. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов SrTi03 -PbTi03 I В.В. Леманов, ЕЛ. Смирнова, Е. А. Тараканов II Физика твердого тела. 1997.-Т. 39.-№ 3. — С. 714−717.
  36. , В.Г. Введение в микроскопическую'"теорию сегнетоэлектриков / В. Г. Вакс. М.: Наука, 1973. — 310 с.
  37. Сегнетоэлектрические пленки титаната свинца на монокристаллическом кремнии / А. С. Сидоркин, А. С. Сигов, A.M. Ховив, О.-Б. Яценко, В. А. Логачева // Физика твердого тела. 2002. — Т. 44. — Вып. 4. — С.745−749.
  38. Дипольное упорядочение и устойчивость сегнетоэлектрического и анти-сегнетоэлектрического состояний в цирконате свинца / А. В. Лейдерман, И. Н. Леонтьев, О. Е. Фесенко, Н. Г. Леонтьев II Физика твердого тела. 1998. — Т. 40. -№ 7.-С. 1324−1327.
  39. , В.Д. Фазовая диаграмма тонкой -ферромагнитной пленки на поверхности антиферромагнетика / В. Д. Левченко, А. И. Морозов, А. С. Сигов II Письма в ЖЭТФ. 2000. — Т. 71. — Вып. 9. — С. 544−549.
  40. , С.А. Механизм диэлектрических потерь в области размытого фазового перехода / С. А. Гриднев, Б. Н. Прасолов, О. В. Шеболдаева // Получение, исследование и применение прозрачной сегнетокерамики. Рига, 1988. -С. 206−208.
  41. , В.Ю. Новая моноклинная фаза и упругие эффекты в твердыхрастворах PbZiv/Ti/^ / В. Ю. Тополов, А. В Турик II Физика твердого тела. 2001. t
  42. Т. 43.-Вып. 8. -С. 1525−1527.
  43. Особенности размытия сегнетоэлектрического фазового перехода в твердых растворах ферровольфрамата-титаната свинца / И. П. Пронин, Т. Аязбаев, Н. В. Зайцева, Т. А. Шаплыгина, В. А. Исупов //Журнал технической физики. 1997. -Т. 67.-№ 4.-С. 140−142.
  44. Рентгеноструктурные и оптические исследования монокристаллов PbZr0958Ti0042O3 в электрических полях до 4107 V/m / А. В. Лейдерман, И. Н. Леонтьев, В. Ю. Тополов, О. Е. Фесенко // Физика твердого тела. 1998. — Т. 40. -№ 2.-С. 327−329.
  45. , Л.В. Влияние электрического поля на.разрушение сегнетокерами-ки / Л. В. Жога, А. В. Шилъников, В. В. Шпейзман И Физика твердого тела. 2005. -Т. 47.-Вып. 4.-С. 628−631.
  46. , С.Н. Диэлектрическая релаксация в кристаллах дейтерирован-ного триглицинсульфата / С. Н. Дрождин, МЛ. Куянцёв II Физика твердого тела. -1998. Т. 40. -№ 8. — С. 1542−1545.
  47. Диэлектрические свойства тонких пленок PbTi03 / А. С. Сидоркин, A.M. Солодуха, Л. П. Нестеренко, С. В. Рябцев, И. А. Бочарова, ГЛ. Смирнов // Физика твердого тела.-2004.-Т. 46.-Вып. 10.-С. 1841−1844.
  48. Диэлектрический отклик в системе ЦТС в области сосуществования фаз / АД. Данилов, А. В. Шшьников, А. И. Бурханов, В. Н. Нестеров, Е. Г. Надолинская, Г. М. Акбаева / Известия РАН. Сер. Физическая. 2000. — Т. 64. — № 6. -С. 1233−1238.
  49. Peculiarities of ас-fields influence on dielectric properties of PZT-basedtferroceramics / A. V. Shil’nikov, I. V. Otsarev, A.I. Burkhanov, V.N. Nesterov, G.M. Ak-baeva II Ferroelectrics. 1999. — V. 235. — P. 125−130.
  50. Диэлектрические и электромеханические свойства сегнетокерамики (l-x)PMN-xPZT / А. И. Бурханов, А. В. Шильников, А. В. Сопит, А. Г. Лучанинов
  51. Физика твердого тела. 2000. — Т. 42. — Вып. 5. — С. 910−916.
  52. Влияние толщины образцов на электронную эмиссию из сегнетоэлек-трического кристалла ТГС / А. С. Сидоркин, Н. Ю. Пономарева, С Д. Миловидова, А.С. Сигов//Физика твердого тела. 2000. — Т. 42. — Вып. 4. — С. 721−725.
  53. , М.Г. Пьезоэлектрические свойства ориентированных Z'-срезовсегнетокерамики типа ЦТС / М. Г. Минчина, В. П. Дудкевич II Журнал технической физики. 1998. — Т. 68. -№ 7. — С. 75−79.
  54. Диэлектрические свойства тонких пленок титаната свинца на подложке из поликора / А. С. Сидоркин, Л. П. Нестеренко, Г. Л. Смирнов, А. Л. Смирнов, С. В. Рябцев // Физика твердого тела. 2006. — Т. 48. — Вып. 6. — С. 1118—1121.
  55. , В.В. Фазовые состояния и сегнетоэлектрические свойства керамики Pb(Zr, Sn, Ti)03 / В. В. Шварцман, С. Е. Аксенов, Е. Д. Политова II Журнал технической физики. 2000. — Т. 70 — Вып. 11. — С. 4247.
  56. , Б.М. Влияние подвижных заряженных дефектов на диэлектрическую нелинейность сегнетоэлектрических тонких пленок PZT / Б. М. Гольцман, В. К. Ярмаркин, В. В. Леманов // Физика твердого тела. 2000. — Т. 42. -Вып. 6.-С. 1083−1086.
  57. The analysis of dynamic domain boundaries of TGS crystals in low and in-fralow frequencies electrical fields / A. V. ShiVnikov, A.P. Pozdnyakov, V.N. Nesterov, V.A. Fedorikhin, R.H. Uzakov II Ferroelectrics. 1999. — V. 223. — P. 149.
  58. Диэлектрические свойства тонких сегнетоэлектрических пленок на основе PZT на низких и инфранизких частотах при различном содержании свинца / А. В. Шильников, И. В. Оцарев, А. И. Бурханов, В. Н. Нестеров, Р. А. Лалетин, А.С.
  59. , К.А. Ворошилов // Девятая Международная конференция по физике диэлектриков: тез. докл. СПб., 2000. -Т. II. — С. 190−191.t
  60. Особенности доменного вклада в процессы переполяризации тонких ¦ сегнетоэлектрических пленок Ni/PZT/Pt в области низких и инфранизких частот
  61. А.В. Шильников, И. В. Оцарев, А. И. Бурханов, В. Н. Нестеров, А. С. Сигов, К. А. Воротилов // XV Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков: тез. докл.-Ростов-на-Дону, 1999.-С. 164. ,
  62. , C.A. Термодинамика и кинетика начальных стадий переключения в сегнетоэлектриках / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов !'/ Физика твердого тела. -2001.-Т. 43.-Вып. 1.-С. 80−87.
  63. , С.А. Кинетика переключения в сегнетоэлектриках / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // Физика твердого тела. 2001.- Т. 43. — Вып. 1 — С. 88−95.
  64. Nanoscale domain switching mechanism in Pb (ZrTi)03 thin film / H.R. Zeng, G.R. Li, Q.R. Yin, Z.K. XUII Applied physics. 20Q3. — A76. — P. 401−404.
  65. , В.М. Процессы переключения в нелинейных кристаллах / В. М. Рудяк. М.: Наука, 1986. — 248 с.
  66. Самополяризация и миграционная поляризация в тонких пленках цирко-ната-титаната свинца / И. П. Пронин, Е. Ю. Каптелов, Е. А. Тараканов, Т.А. Шаплы-гина, В. П. Афанасьев, А. В. Панкрашкин II Физика твердого тела. 2002. — Т. 44. -Вып. 4.-С. 739−744.
  67. Application of the X-ray combined analysis to the study of lead titanate based ferroelectric thin films / J. Ricote, D. Chateigner, M. Morales, M.L. Calzada, C. Wiemer II Thin Solid Films. 2004. -V. 450, № 1. — P. 128−133. '
  68. , K.C. Иерархия перовскитоподобных кристаллов / КС. Александров, Б. В. Безносиков II Физика твердого тела. 1997. — Т. 39. — № 5. -С. 785−808.
  69. Paruch, P. Nanoscale control of ferroelectric polarization and domain size in epitaxial PbZr02Ti08O3 thin films / P. Paruch, T. Tyb’ell, J.-M. Triscone 11 Applied physics letters. 1999. — V. 79. — № 4. — P. 530−532.
  70. Аномалии поляризации сегнетоэлектрического релаксора / В. В. Гладкий,
  71. В.А. Кириков, С. В. Нехлюдов, Т. Р. Волк, Л. И. Ивлева //Письма в ЖЭТФ. 2000. -Т. 71. — Вып. 1. — С.38−41.
  72. Аномалии процессов поляризации в релаксорных сегнетоэлектриках / В. В. Гладкий, В. А. Кириков, Е. С. Иванова, Т. Р. Волк // Физика твердого тела. -2006. Т. 48. — Вып. 6. — С. 1042−1046.
  73. Особенности кинетики поляризации фоточувствительного релаксорногоtсегнетоэлектрика / В. В. Гладкий, В. А. Кириков, Т. Р. Волк, Е. С. Иванова, Л. И. Ивлева // Физика твердого тела. 2005. — Т. 47. — Вып. 2. — С. 286−292.
  74. Robertson, J. Band states and shallow hole traps in Pb (ZrTi)03 ferroelectrics I J. Robertson, W. L. Warren, B. A. Tuttle 11 Journal of Applied Physics. 1995. -V. 77. -Issue 8.-P. 3975−3980.
  75. Cho, C. R. Surface chemical bonding states and ferroelectricity of
  76. PbZr0 52Ti0 48O3 thin films / C. R. Cho II Cryst. Res. Technol. 2000. — V. 35. — № 1. -P. 77−86.
  77. Hohg ming Chen The temperature dependence of the transient current in ferroelectric Pb (ZrxTijx)03 thin film for memory devices applications / Hohg — ming Chen, Joseph Ya-min Lee II Journal of applied physics. — 1997. — V. 82. — № 7.1. P. 3478−3481.
  78. Ding, T.Z. Electrical transport behavior of perovskite-type oxide LSCO / T.Z. Ding, Y.M. Wang, S.H. Shi II Journal of materials science letters. 2003. — № 22. -P. 1−3.
  79. Leakage current and pyroelectric properties of compositionally graded (Pb, Ca) Ti03 films I X.G. Tang, J. Wang, Y.W. Zhang, H.L.W. Chan, C.L. Choy II Applied physics. 2004. — A78. — P. 1205−1209.
  80. , П.Н. Применение метода Монте-Карло для моделирования диэлектрического отклика сегнетоэлектриков / П. Н. Юдин, М. А. Никольский, С. П. Зубко И Журнал технической физики. 2003- Т. 73- Вып. 8. — С. 56−62.
  81. , ИМ. Метод Монте-Карло / И. М. Соболь. М.: Наука, 1985.80 с.
  82. Cluter growth processes by direct simulation monte carlo method / H. Mizuseki, Y. Jin, Y. Kawazoe, L.T.Wille II Applied Physics. 2001. — A73.1. P. 731−735.
  83. Fichthorm, K.F. A kinetic Monte-Carlo investigation of island nucleation and growth in thin-film epitaxy in the present of substrate-mediated interactions / K.F. Fichthorm, M.L. Merrik, V Scheffler II Applied Physics. 2002. — A75. -P. 17−23.
  84. Махачкала, 1998. С. 206−207.
  85. Shil’nikov, А. V. Simulation motion of domain and interphase boundaries and their contribution to the dielectric properties of ferroelectrics / A.V. Shil’nikov, V.N. Nesterov, A.I. Burkhanov II Ferroelectrics. 1996. — V. 175. — P. 145−151.
  86. B.H. Моделирование процессов переключения в сегнетоэлектриках / В. Н. Нестеров, А. В. Шильников, А. И. Бурханов II XIV Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков: тез. докл. Иваново, 1995. — С. 341.
  87. , В.Н. Механизмы движения доменных и фазовых границ и моделирование их с помощью ЭВМ / В. Н. Нестеров, А. В. Шильников, А.И. Бурханов// Релаксационные явления в твердых телах: тез. докл. Междунар. семинара. Воронеж, 1995. -Ч. 2. — С.81.
  88. Nesterov, V.N. The computer analysis of domain boundery dynamics in ferroelastics-ferroelectrics / V.N. Nesterov, A. V Shil’nikov ИISFP-III. The therd international seminar on ferroelastics physics. Voronezh. — 2000. — P. 47.
  89. Lopez-Otero, A. Hot wall epitaxy / A. Lopez-Otero II Thin Solid Films. -, 1978.-V. 49.-P. 3−57.
  90. Duh, K. PbSe heteroepitaxy by hot wall technique / K. Duh, H. Prieer II Thin Solid Films. 1975. — V. 27 — № 2. — P. 247−250.
  91. , P. Я. Изменение потенциала поверхности слоёв сернистого свинца / Р. Я. Берлага, Т. Т. Быкова II Физика твердого тела. 1962. — Т. 4. — № 9. -С. 2629−2631.
  92. , С.А. Процессы конденсации тонких пленок / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов II Успехи физических наук. 1998. — Т. 168. — № 10. — С. 1083−1115.
  93. Пат. 2 207 644 РФ, МКИ7 Н01С17/00. Способ изготовления тонкопле-, ночных резисторов / В. К Смолин- № 2 000 106 952/09- заявл. 21.03.00- опубл.2706.03. Бюл.№ 11.
  94. Физика тонких пленок / Под общей ред. Г. Хасса, Р. Э. Туна. М.: Мир, 1967-Т. 2. -396 с.
  95. Влияние отжига на магнитные и магнитооптические свойства пленок Ni I Е. Е. Шалыгина, JI.B. Козловский, Н.М. Абросимова', М. А. Мукашева //Физика твердого тела. 2005. — Т. 47. — Вып. 4. — С. 660−665. '
  96. Jatochowski, М. Electron tunneling in PbxSnxTe alloys / M. Jatochowski, M. Subotowicz II Thin Solid Films. 1976. — V. 36. -№ 1. — P. 122−124.
  97. Yasuoka, Yoshizumi. Thermally stimulated current of vacuum deposited PbSe films / Yoshizumi Yasuoka, Masanobu Wada И Jap. Journal of applied physics. -1974.-V. 13.-№ 11.-P. 1797−1803.
  98. Bode, D.E. Lead salt detectors / D.E. Bode H Physics of thin films. 1966. -' V.3.-P. 275−301.
  99. Sealy, B.J. Electron microscopy of epitaxial PbTe films / B.J. Sealy II Thin solid films.- 1975.-V. 26.-№ l.-P. 131−136.
  100. Brionis, J. The role of oxygen in the sensitization of photoconductive PbSe films / J. Brionis, D. Golmajo II Thin solid films. 1981. — V. 78. — P. 385−395.
  101. Poh, J. The structure and growth of epitaxial PbSe films / J. Poh, J.C. Anderson И Thin solid films. 1969. — V. 3. — P. 139−156.
  102. Stiddard, M.H. A reflection high energy electron diffraction study of thin films of copper, silver and gold on PbS {111} / M.H. Stiddard II Thin solid films. -1981.-V. 82.-P. 337−341.
  103. Landry, L.J. Optical and physical properties of vacuum deposited PbS films I L.J. Landry, R.A. LangleyR.A. II Thin solid films. 1979. — V. 61. № 2. — P. 171−181.
  104. Interband magneto-optical studies in PbSeTe alloys / U. Smith, R. L. Ag-garwal, T. F. Tad et al II J. Nonmetals. 1970. -V. 1. — № 4. — P. 311−319.
  105. Semiletov, S. A. Surface morphology and structural defects in epitaxial films / S. A. Semiletov, R. V. Kudriavctseva, E. A. Rakova II Thin Solid Films. 1976. -V. 32.-№ l.-P. 127−134.
  106. Bis, R. F. Thick epitaxial films of Pb^Sn^Te / R. F. Bis, J. R. Dixon, J. R. Lowney II Journal of vacuum science and technology. 1972. — V. 9. — № 1. -P. 226−230.
  107. Lopez-Otero, A. Epitaxial growth of high mobility IV-VI compound layers / A. Lopez-Otero, L. D. Haas II Thin Solid Films. 1976. — V. 32. — № 1. — P. 35−38.
  108. Farinre, J. O. Preparation and properties of Pb^Sn^Te films I J. O. Farinre, J. M. Zemel II Journal of vacuum science and technology. 1970. -V.7.-№ l.-P. 121−125.
  109. , P. В. О микроморфологии эпитаксиальных плёнок PbS / Р. В. Кудрявцева, С. А. Семилетов II Кристаллография. 1973. — Т. 18. — Вып. 2. -С. 427−428.
  110. McLane, G. Surface interaction of H and 02r on thin PbSe epitaxial films / G. McLane, J. N. Zemel II Thin Solid Films. 1971. — V, 7. — P. 229−246.
  111. , J. РЬТе and Pb^Sn^Te epitaxial films on cleaved BaF2 substrates prepared by a modified hot wall technique / J. Kasai, D. W. Basset, J. Homung И Journal of applied physics. 1976. — V. 47. -№ 7. — P. 3167−3171.
  112. Особенности синтеза плёнок PbSe / Д. M. Фрейк, Д. И. Бродин, В. JI. Августимов и др. // Известия АН СССР: Сер. Неоргайические материалы. 1978. -Т. 14.-№ 12.-С. 2181−2184.
  113. , А.Е. Физика и технология сегнетокерамики / А. Е. Панич, М.Ф., Куприянов. Ростов-на-Дону: Изд-во Рост. гос. ун-та, 1989. — 180 с.
  114. , В.А. Физические проблемы конденсаторных материалов со структурой типа пирохлора / В. А. Исупов II Журнал технической физики. 1997. -Т. 67.-№ 10. -С. 47−50.
  115. , С.А. Новые высокотемпературные пьезоэлектрические материалы на основе титаната свинца / С. А. Гриднев, С. П. Остапенко В.А. Исупов //Применение пьезоактивных материалов в промышленности. Л.: ЛДНТП, 1988. -С. 46−52.
  116. Получение и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок титаната, свинца / А. С. Сидоркин, А. С. Сигов, A.M. Ховив, С. О. Яценко, О. Б. Яценко //Физика твердого тела. 2000. — Т. 42. — Вып. 4. — С. 727−732.
  117. Perez, J. High-quality PbZr052Ti048O3 films prepared by modified sol-gelroute at low temperature / J. Perez, P. M. Vilarinho, A. L. Kholkin II Thin Solid Films. -2004. -V. 449. № 1−2. — P. 20−24.
  118. Growth of oriented Pb (ZrxTi, x)03 thin films on glass substrates by pulsedtlaser deposition / P. Verardil, M. Dinescu, F. Craciun, R. Dinu, M.F. Ciobanu II Appllied physics. 1999. — A69. — P. 837−839.
  119. Brankovich, Z. PZT ceramics obtained from mechanochemically synthesized powders / Z. Brankovich, G. Brankovich, J.A. Varela //. Journal of materials science: Materials in electronics. 2003. — № 14. — P. 37−41.
  120. , А.А. Физические основы конструирования, технологии РЭА и микроэлектроники / А. А. Штернов. М.: Радио и связь, 1981. — 248 с.
  121. , A.JI. Радиационная стойкость SiC и детекторы жестких излучений на его основе / A.JI. Лебедев, A.M. Иванов, Н. Б. Строкам II Физика и техника полупроводников. 2004. — Т. 38. — Вып. 2. — С. 129−150.
  122. Рентгеновская корректировка пороговых напряжений в производстве МДП интегральных схем / В. Р. Гитлин, С. Г. Кадменскйй, М. Н. Левин, С. С. Остроухое, А. В. Татаринцев И Вестник ВГУ: Сер. Физика, математика. 2002. — № 1. -С. 5−12.
  123. , И.А. Кинетика точечных дефектов и процессы аморфизации в тонких пленках при облучении / ИА. Овидько, А. Б. Рейзис II Физика твердого тела. 2003. — Т. 45. — Вып. 9. — С. 1600−1602.
  124. , В.А. Радиационно-стимулированная диффузия в твердых телах / В. А. Степанов II Журнал технической физики. 1998.- Т. 68 — № 8-С. 67−72.
  125. , Е.В. Действие радиации на сегнетоэлектрики I Е.В. Пешиков. Ташкент: ФАН, 1972. — 134 с.
  126. , В.И. Взаимодействие мощного рентгеновского излучения с кристаллами сапфира и материалами на основе кварца / В. И. Барышников, Т. А. Колесникова, С. В. Дорохов // Физика твердого тела. 1997. — Т 39. — № 2. -С. 286−289.
  127. , Л.Н. Подвижность доменных стенок облученного тригли-цинсульфата / Л. Н. Камышева, О. М. Голицына, Т. Н. Подгорная // Физика твердого тела. 1998. — Т. 40. — № 7. с. 1321−1323.
  128. , ОМ. Релаксация радиационных дефектов в облученном триг-лицинсульфате / ОМ. Голицына, Л. Н. Камышева, С. Н. Дрождин И Физика твердого тела. 1998.-Т. 40.-№ 1.-С. 116−117.
  129. , А. У. Влияние у-облучения на диэлектрическую проницаемость иэлекропроводность кристаллов TlGaS2 / А. У. Шелег, К. В. Иодковская, Н.Ф. Кури-лович II Физика твердого тела. 2003. — Т. 45. — Вып. 1. — С. 67−70.
  130. , Л.Н. Влияние малых доз рентгеновского излучения на свойства триглицинсульфата, легированного хромом / Л. Н. Камышева, С. Н. Дрождин, О. М. Голицына // Физика твердого тела. 2002. — Т. 44. — Вып. 2. — С. 347−350.
  131. , И.А. Управляемый синтез гетерогенных систем: получение и свойства: монография / И. А. Аверин. Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2006.316 с.
  132. , И.П. Испарение и конденсация / И.П.-Xupc, Г. М. Паунд. М.: Металлургия, 1963.-325 с.
  133. , Т. Монокристаллические пленки / Т. Родин, Д. Уолтер. М.: Мир, 1966.-427 с.
  134. , Л.С. Материаловедение в микроэлектронике / Л.С. Палат-ник, В. К. Сорокин. М.: Энергия, 1977. — 280 с.
  135. , В.В. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов / В. В. Крапухин, И. А. Соколов, Г. Д. Кузнецов. М.: Металлургия, 1982.-352 с.. «
  136. , Ю.М. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов /Ю.М. Таиров, В. Ф. Цветков. -М.: Высш. шк.- 1983. 271 с.
  137. , В. Г. Управление характеристиками химически осажденных пленок сернистого свинца / В. Г. Буткевич, Е. Г. Глобус, Л. Н. Залевская // Прикладная физика. 1999. — № 2. — С. 52−56.
  138. , В. П. Фотоприемники и фотоприемные модули нового поколения / В. П. Пономаренко, А. М. Филачев II Прикладная физика. 2001. -№ 6.-С. 20−38.
  139. , В.Г. Фотоприемники и фотоприемные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца / В. Г. Буткевич, В. Д. Бочков, Е. Р. Глобус // Прикладная физика. 2001. — № 6. — С. 66−112.
  140. Stability of PbSe photodetectors mounted in hermetic gas-filled packagesunder different environmental conditions Электронный ресурс. / B.N. Drazhnikov,
  141. G.A. Kazantsev, V.S. Panyayeva // XVII Международная научно-техническая конtференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения: тез. докл., Москва, 27−31 мая 2002 г.- Режим доступа: http//www.orion-ir.ru/thesis-17-e.htm, свободный. I
  142. , Е.Г. Разработка элементной базы фотоэлектронных устtройств отображения видеоинформации / Е. Г. Дмитриев // Электроника. Наука, технология, бизнес, 2005. № 2. — С. 74−79.
  143. ГНИ РФ ФГУП „НПО „Орион““ Электронный ресурс. Режим дос' тупа: http//www.vimi, ru/orion, свободный.
  144. Компания „Уралсемисондактор“ Электронный ресурс. Режим доступа: http//home.ural.ru, свободный.
  145. Компания „Ю. Е. Интернейшнл“ Электронный ресурс. Режим доступа: http//www.yeint.ru, свободный.
  146. Компания Khalus Electronics Электронный ресурс. Режим доступа: http//khalus.com.ua, свободный.
  147. А.с. 1 445 278 СССР, МКИ4 С 30 В 23/02, 29/46. Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов / И. А. Аверин, О. Ф. Луцкая. № 4 249 794-заявл. 26.05.87- опубл. 15.08.87. Бюл. № 46.
  148. Особенности синтеза слоев твердых растворов на основе сульфида свинца/И.А. Аверин, Ю. Н. Блохин, О. Ф. Луцкая, С. Л. Милославов, М. А. Николова // Известия ЛЭТИ: сб. науч. тр. Л.: ЛЭТИ, 1984. — Вып. 338. — С. 75−79.
  149. , И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца: учеб. пособие /И.А. Аверин. Пенза: Изд-во Пенз. гос. унта, 1999. — 63 с.
  150. Термодинамика и кинетика испарения и конденсации в системе сульфид свинца сера / И. А. Аверин, Ю. Н. Блохин, О. Ф. Луцкая, КГ. Мелик
  151. Парсаданян II Известия ЛЭТИ: сб. науч. тр. JL: ЛЭТИ, 1983. — Вып. 322. -¦ С. 36−39.
  152. , И.А. Кинетические особенности роста эпитаксиальных слоев наtоснове сульфида свинца и его твердых растворов / И. А. Аверин, P.M. Печерская,
  153. B.В. Пряничникова II Вакуумные технологии и оборудование. Тонкие пленки в оптике и электронике: материалы V Междунар. конф. и XIV Междунар. симп.,
  154. Харьков, 22 27 апреля 2002 г. — Харьков, 2002. — С. 117−118.
  155. , И.А. Кинетические особенности роста эпитаксиальных слоев на основе соединений А4В6 / И. А. Аверин, P.M. Печерская // Оптика, оптоэлектроника и технологии: тр. Междунар. конф., Ульяновск, 17−21 июня 2002 г. Ульяновск, 2002. — С. 6.
  156. Two-dimensional electron transport studied by electroluminescence / LA. t
  157. Averin, El. Allali, C.B. Sorensen, E. Veje II Nordic Symposium on Mesoscopic Electron Systems. Denmark: Fuglsocentret, 1993. — P. 138−147. '
  158. , И.А. Исследование свойств полупроводников методом катодо-люминесценции / И. А. Аверин, А. В. Белов, P.M. Печерская // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Сер. Естественные науки. 2002. — № 1. -С. 144−149.
  159. , В.К. Слоисто-ступенчатый механизм роста микрокристаллов в конденсатах монохалькогенидов свинца / В. К. Сорокин, О. В. Правдина II Известия• АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1985. — Т. 21. — № 1. — С. 32−36.
  160. Екатеринбург, 29 марта 4 апреля 2002 г. — Екатеринбург, 2002. — С. 546−548.
  161. , И.А. Управление составом многокомпонентных систем / И. А. Аверин, P.M. Печерская II Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Сер. Естественные науки. 2006. — № 5. — С. 184−190.
  162. Основные свойства твердых тел: метод, указания к лаб. работам по курсу „Физика твердого тела“ / Сост. И. А. Аверин, С. П. Медведев. Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2003. — 53 с.
  163. , И.А. Исследование свойств эпитаксиальных слоев твердых растворов на основе сульфида свинца / И. А. Аверин, Ю. Н. Блохин, О. Ф. Луцкая II Известия ЛЭТИ: сб. науч. тр. Л.: ЛЭТИ, 1986. — Вып. 365. — С. 47−51.
  164. , И.А. Термодинамическое исследование условий синтеза слоевтвердых растворов PbS^Se^ / И. А. Аверин, Ю. Н. Блохин, О. Ф. Луцкая // Известия АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1988. -Т. 24. — № 2. — С. 219−222.
  165. Stringfellow, G.B. Calculation of ternary and quaternary III-V phase diagrams / G.B. Stringfellow II Cryst. Growth. 1974. — V. 24. — P. 21−34.
  166. Laugier, A. Termodynamics and phase diagram calculations in II-VI and IV-VI ternary systems using an associated solution model / A. Laugier II Revue de Phu-sique Appliquee. 1973. — V. 8. — P. 259−270.
  167. , В.Б. Гетерогенные равновесия в технологии полупроводниковых материалов/В.Б. Уфимцев, А.А. Лобанов-М.: Металлургия, 1981.-215 с.
  168. , И.А. Исследование инверсии типа электропроводности в эпи-таксиальных слоях сульфида свинца квазихимическим методом / И. А. Аверин, О. Ф. Луцкая, Д. А. Яськов II Электронная техника. Сер. Материалы. 1984. -Вып. 11(196).-С. 34−37.
  169. , И.А. Применение квазихимического подхода к условиям метода „горячей стенки“ при получении слоев твердых растворов / И. А. Аверин, О. Ф. Луцкая // Электронная техника. Сер. Материалы. 1986.- Вып. 10. — С. 45−49.
  170. , Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников /Б.Ф. Ормонт. М.: Высш. шк., 1982. — 528 с.
  171. , В.М. Основы физической химии / В. М. Глазов М.: Высш. шк., 1981.-456 с.
  172. , А.А. Краткий справочник физико-химических величин / А. А. Равдель, A.M. Пономарева. Д.: Химия, 1983. — 231 с.'
  173. Томашик, 3. Ф. Термодинамический анализ взаимодействия соединений AUBV1 и AlvBvl / З. Ф. Томашик, В. Н. Томашик, В. И. Грыцив II Известия АН СССР:
  174. Сер. Неорганические материалы. 1980. — Т. 16. — № 4. — С. 635−637.
  175. , Л.В. Термодинамические свойства’индивидуальных веществ /
  176. Л.В. Грувич, И. В. Вещ, В. А. Медведев. М.: Наука, 1979. — Т. 2. — 341 с.
  177. , И.А. Кинетика процессов самодиффузии в структурах на основе твердых растворов сульфид свинца селенид свинца / И. А. Аверин, P.M. Печер-ская II Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Сер. Естественные науки.-2006.-№ 5.-С. 178−183.
  178. , И.А. Кинетические особенности роста металлических пленок / И. А. Аверин, P.M. Печерская II Надежность и качество: тр. Междунар. симп., Пенза, 26 мая 1 июня 2003 г. — Пенза, 2003. — С. 350.
  179. , С.Ю. Расчет энергии активации поверхностной самодиффузии атомов переходных металлов / С. Ю. Давыдов // Физика твердого тела. 1999. -Т. 41.-№ 1.-С. 11−13.
  180. Rhodin, T.N. Single Crystal Films / T.N. Rhodin, D. Walter, под ред. M.H. Francombe, H. Sato. New York: Pergamon Press, 1964. — 337 p.
  181. , B.H. Физико-химические процессы в технологии РЭА / В. Н. Черняев. М.: Высш. шк., 1987. — 376 с.
  182. , И.А. Управление качеством резистивных пленочных структур на стадии роста / И. А. Аверин, P.M. Печерская // Надежность и качество: тр. Междунар. симп., Пенза, 24 31 мая 2004 г. — Пенза, 2004. — С. 315−317.
  183. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме / Ю. З. Бубнов, М. С. Лурье, Ф. Г. Старое, Г. А. Филаретов. -М.: Сов. Радио, 1975. 160 с.
  184. , Р.В. Расчет характеристик взаимодействия ионных кристаллов с металлами / Р. В. Потерин, В. В. Прудников II Вестник Омского ГУ, 1997. -Вып. 4.-С. 24−26.
  185. , И.А. Моделирование технологических процессов при выполнении лабораторных работ / И. А. Аверин II Университетское образование: сб. материалов V Междунар. науч.-метод. конф. Пенза, 2001. — Ч. 2. — С. 28−29.
  186. Рез, И. С. Диэлектрики. Основные свойства и применение в электронике / И С. Рез, Ю. М. Поплавко. М.: Радио и связь, 1989. — 288 с.
  187. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / В. М. Кулаков, Е. А. Ладыгин, В. И. Шаховцов и др.- под ред. Е. А. Ладыгина. М.: Сов. Радио, 1980. — 224 с.
  188. , И.А. Взаимосвязь состав свойства сегнетокерамики типа ЦТС / И. А. Аверин, P.M. Печерская IIXVII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков: тр., Пенза, 26 июня — 01 июля 2005 г., — Пенза, 2005. — С. 216.
  189. , И.А. Управление свойствами сегнетокерамики ЦТС с различным составом / И. А. Аверин, P.M. Печерская II XVII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков: тр., Пенза, 26 июня 01 июля 2005 г. — Пенза, 2005. -С. 215.
  190. , И.А. Управление свойствами твердых растворов PbTi^Zr^Ch посредством внешних воздействий / И. А. Аверин, P.M. Печерская II Физика твердого тела. 2006.-Т. 48.-№ 6. — С. 1096−1098.
  191. Averin, I.A. Control of the properties of P^Ti^Zr,^)Ог solid solutions by external disturbances / I.A. Averin, R.M. Pecherskaya II Physics of the Solid State. -2006.-V. 48.-№.6.-P. 1166−1168.
  192. Averin, I.A. External factors effect upon ferroelectric ceramics properties / I.A. Averin, R.M. Petcherskaya, A.N. Golovyashkin И Six International Seminar on ferroelectric physics.-Voronezh, 1994.-P. 103.
  193. Влияние дестабилизирующих факторов на электропроводность сегнетокерамики / И. А. Аверин, Р. М. Печерская, В. В. Коршунов, С. Е. Телъпов И Электронная техника. Сер. Материалы. 1988. — Вып. 3(289). -'С. 17−18.
  194. , И.А. Влияние рентгеновского излучения на свойства сегнетокерамики на основе ЦТС / И. А. Аверин, P.M. Печерская IIXII Всесоюзная конференtция по физике сегнетоэлектриков: тез. докл. Ростов-на-Дону, 1989. — Т. 3. -С. 72.
  195. Averin, I.A. Degradation processes in PZT ferroelectric ceramics Interna1 tional symposium / I.A. Averin, R.M. Petcherskaya II Domain structure of ferroelectricand related materials. Volgograd, 1989. — P. 114.348
  196. Averin, I.A. Properties of irradiated ferroelectric ceramics /1.A. Averin, R.M. Petcherskaya II Electronic ceramics production and properties: Proceedings of the International conference. — Riga, 1990. — P. 46.
  197. Averin, I.A. Ferroelectric ceramics properties X-ray controlled handling / I.A. Averin, R.M. Petcherskaya II Electronic ceramics production and properties: Proceedings of the International conference. — Riga, 1990. — P. 133.»
  198. , И.А. Исследование стабилизации пьезоэлектрических датчиков / И. А. Аверин, P.M. Печерская, С. П. Медведев И МикроэЛектронные датчики в машиностроении: тез. докл. Всесоюз. конф. Пенза, 1990. — С. 69.
  199. , В.Ф. Вероятностное моделирование: учеб. пособие для вузов / Цветков В. Ф. Рязань: РТИ, 1989. — 64 с.
  200. , М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Гласс- под ред. В. В. Леманова, Г. А. Смоленского -М.: Мир, 1981. 652 с.
  201. , В.М. Структурные превращения в тонких пленках / В. М. Иевлев, ЛИ. Трусов, В. А. Холмянский. М.: Наука, 1975. — 321 с.
  202. , И.А. Контролируемое управление электропроводностью керамики ЦТС / И. А. Аверин, P.M. Печерская // XIII Всесрюзная конференция по физике сегнетоэлектриков: тез. докл., Тверь, 15−19 сентября 1992 г. Тверь, 1992. -С. 128.
  203. Averin, I.A. Complex investigation of ferroelectric ceramics properties I LA. Averin, R.M. Petcherskaya, V.F. Tilles II International Seminar on relaxor ferroelectrics. -Dubna, 1996.-P. 35.
  204. Averin, I.A. Model of X-radiated PZT-type ferroelectric ceramics conduction / I.A. Averin, A.N. Golovyashkin, R.M. Petcherskaya I I VII Международный семинар по физике сегнетоэлектриков (ISFP-7): тез. докл. Казань, 1997. — С. 92−93.
  205. Averin, I.A. Peculiarities of the dynamic measurements of ferroelectrics characteristics / I.A. Averin, R.M. Petcherskaya, V.F. Tilles II 7-th Russia/CIS/Baltic/Japani
  206. Symposium on ferroelectricity: Book of abstracts. St. Peterburg, 2002. — P. 139.
  207. Averin, I.A. Electro-physical characteristics of PZT irradiated ferroelectric ceramics / I.A. Averin, R.M. Petcherskaya II 10th European Ferroelectricity Conference. Cambridge UK, 2003. — P. 65.
  208. Averin, I.A. Electrical conductivity of PZT ceramics / I.A. Averin, R.M. Petcherskaya И The XXI International Conference on relaxation phenomena in solids (RPS-21). Voronezh, 2004. — P. 35.
  209. , Б.М. Физика диэлектрических материалов: учеб. пособие для вузов / Б. М. Тареев. М.: Энергоиздат, 1982. — 320 с.
  210. , P.M. Релаксационные явления в активных диэлектриках: монография / P.M. Печерская. Пенза: Изд-во Пенз. гос. техн. ун-та, 1994. — 72 с.
  211. , И.А. Стабилизация характеристик пленочных резисторов на основе хромоникелевых соединений / И. А. Аверин, P.M. Печерская И Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Сер. Технические науки. 2006. -№ 6. -С. 12−19.
  212. , И.А. Получение и исследование свойств пленочных резисторов со стабильными электрическими характеристиками / И. А. Аверин И Надежность и качество 2001: тр. Междунар. симп., Пенза, 21−31 мая 2001 г.- Пенза, 2001. -С. 346−348.
  213. , JI.C. Основы пленочного полупроводникового материаловедения / JJ.C. Палатник, В. К. Сорокин. -М.: Энергия, 1973. -296 с.
  214. Real time spectroellipsometry study of the interaction of hydrogen with ZnO during ZnO/a Si (l — x) C (x)H interface formation H. An, Y. Lu, C.R. Wronski, R.W. Collins // Applied Physics Letters. — 1994. — V. 64(24).-P. 3317−3319.
  215. , И.А. Контролируемое изменение эксплуатационных характери-, стик чувствительных элементов и их временной стабильности / И. А. Аверин, P.M.
  216. Печерская И Нано- и микросистемная техника. 2007. — № 1. — С. 20−23.
  217. , Л.А. Гибридные интегральные схемы / Л. А. Коледов, Э. М. Ильина. М.: Высш. шк., 1987. — 95 с.
  218. , И.А. Элементы для первичной передачи информации / И. А. Аверин, P.M. Печерская // Перспективные технологии в. средствах передачи информации: материалы VI Междунар. науч.-техн. конф., Владимир, 20 22 апреля 2005 г. — Владимир, 2005. — С. 135.
  219. , И.А. Влияние рентгеновского излучения на электрофизические свойства тонкопленочных резисторов / И. А. Аверин, РМ. Печерская // Надежность и качество: тр. Междунар. симп., Пенза, 27 мая 2 ирня 2002 г. — Пенза, 2002. -С. 376−377.
  220. , А. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник / А. Милне, Д. Фойхт. М.: Мир, 1975 — 432 с.
  221. Richard, J. Device application of IV-VI compound semiconductor films / J. Richard, R.B. Schoolar I I Journal of vacuum science and technology. 1972. -V. 9.-№ 1.-P. 225−233.
  222. Honke, D.K. Epitaxial PbSe Schottky barrier diodes for infrared detection / D.K. Honke, H Holloway И Appllied Physics letters. — 1974.- V. 24.- № 12-P. 633−635.
  223. Schoolar, R.B. Composition tuned PbS^Se^. Schottky barrier infrared detectors / R.B. Schoolar, J.D. Jensen, G.M. Black II Appllied Physics letters. — 1977. -V. 31.-№ 9.-P. 620−622.
  224. Jensen, J.D. Surface charge transport in PbS^Se^ and Pb^Sn^Se epitaxialfilms / J.D. Jensen, R.B. Schoolar II Journal of vacuum science and technology. -1976.-V. 13. -№ 4. P. 920−925.
  225. A.c. 1 455 947 СССР, МКИ4 H 01 L 21/363. Способ получения диодных полупроводниковых структур на основе соединений AwBvl / Аверин И. А., Луцкая О. Ф. № 4 271 223- заявл. 29.06.87- опубл. 01.10.88. Бюл. № 4.
  226. Holloway, Н. Unconventional thin films IV-VI photodiodes structures / Я Holloway II Thin solid films. 1979. — V. 58. — № 1. — P. 73−78.
  227. , Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках / Б. М. Аскеров. Л.: Наука, 1970. — 301 с.
  228. , С.А. Эффективная масса плотности состояний электронов в твердых растворах сульфида свинца / С. А. Алиев, К. Ш. Кахраманов, С. И Мячин II Известия АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1982. — Т. 17. — № 4. -С. 549−552.
  229. Зи, С. М. Физика полупроводниковых приборов / С. М. Зи. М.: Мир, 1984.-Т. 1−2.-655 с.
  230. Quasi-static growth of PbS epitaxial films / V. Paic, M. Paic, K. Duh et al II Thin solid films.-1972.-V. 12.-№ 4.-P. 419−425.t
  231. , В.К. О наведенной током фотоэдс в слоях сернистого свинца /
  232. B.К. Адамчук, Р. Я. Берлага // Физика твердого тела. 1962. — Т. 4. — № 9.1. C. 2382−2384.
  233. Rogalski, A. PbTe photodiodes prepared by the hot wall evaporation technique / A. Rogalski, W. Kaszuba, W. Larkowski II Thin solid films. 1983. — V. 103. -№ 4.-P. 343−353.
  234. Thermal limitations in PbSnTe detectors / L.N. Devaux, H. Kimura, M.J. Sheets II Infrared Physics. 1975. — V. 15. — № 4. — P. 271−277.
  235. , B.B. Полупроводниковые приборы / В. В. Пасынков, JI.K. Чиркин, А. Д. Шинков. М.: Высш. шк., 1984. — 431 с. '
  236. Johnson, M.R. Detectivity limits for diffused junction PbSnTe detectors / M.R. Johnson, R. A, Chapman, J.S. Wrobel II Infrared Physics. 1975. — V. 15. — № 4. -P. 317−329.
  237. , И.А. Исследование электрических характеристик барьеров Шоттки на основе эпитаксиальных слоев сульфид свинца селенид свинца /И.А. Аверин // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Сер. Технические науки. — 2006. — № 6. — С. 5−11.
  238. , Э.Х. Контакты металл полупроводник / Э. Х. Родерик. — М.: Радио и связь, 1982. — 209 с.
  239. Schottky barrier formation on (Pb, Sn) Te ILS. Buchner, T.S. Sun, B.A. Beck et al 11 Journal of vacuum science and technology. 1979. — V. 16. — № 5. -P. 1171−1173.
  240. Fario, M. V. Sputtering thin films of Pb^Sn^Te for infrared detectors application / M.V. Fario, W.L. Wilson II Infrared Physics. 1979. — V. 19. — № 6. -P. 609−615.
  241. , Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов /Я.А. Федотов. М.: Сов. Радио, 1970. — 591 с.
  242. , И.А. Оптоэлектронные приборы на основе соединений А4В6 / И. А. Аверин, P.M. Печерская II Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: тр. VI Междунар. конф., Сочи, 4−8 октября 2004 г. Ульяновск, 2004.-С. 203−204.
  243. , Р.Д. Фотоприемники видимого и ИК-диапазонов / Р. Д. Киеса. -, М.: Сов. Радио, 1985. 325 с.
  244. Richard, J. Epitaxial lead sulfide photovoltaic cells and photoconductive films / J. Richard, R.B. Schoolar II Applied Physics letters. 1970. — V. 16. — № 11. -p. 446−449.
  245. Применение методов структурного и спектрального анализов в микроэлектронике: метод, указания к лаб. работам / Сост. И. А. Аверин, С. П. Медведев, P.M. Печерская. Пенза: Пенз. политех, ин-т, 1988. — 31 с.
  246. , JI.M. Рентгенофазовый анализ / Я. М. Ковба, В. К. Трунов. М.: Изд-во МГУ, 1976.-232 с.
  247. Исследование материалов и элементов микроэлектроники: метод, указания к лаб. работам / Сост. И. А. Аверин, P.M. Печерская, В. Г. Тихомиров, В. А. Щетинков. Пенза: Пенз. политех, ин-т, 1990. — 46 с.'
  248. Исследование основных характеристик твердого тела: метод, указания к лаб. работам по курсу «Физико-химические основы микроэлектроники» / Сост. И. А. Аверин, С.П. Медведев', под. ред. P.M. Печерской.-- Пенза: Пенз. политех, инт, 1991.-51 с.
  249. , И.А. Особенности электромагнитной обстановки в местах эксплуатации учебной техники / И. А. Аверин, А. В. Печерский II Университетское образование: сб. статей IX Междунар. науч.-метод. конф., Пенза, 14−15 апреля 2005 г. Пенза, 2005. — С. 426−428.
  250. , И.А. Материалы микроэлектронньрс устройств: учеб. пособие / И. А. Аверин, С. П. Медведев, P.M. Печерская. Пенза: Пенз. полит, ин-т, 1993. -65 с.
  251. , И.А. Информационные технологии при многоуровневой подготовке специалистов / И. А. Аверин, В. А. Мещеряков, P.M. Печерская И Педагогическая информатика. 2005. -№ 2. — С. 19−27.
  252. , И.А. Комплекс программно-аппаратных средств для отладки микропроцессорных устройств на базе 580 серии / И. А. Аверин, P.M. Печерская И Микропроцессоры в системах контроля и управления: тез. докл. Пенза, 1991. -С. 20−21.
  253. , И.А. Автоматизация исследования электропроводности сегнетоэлектриков / И. А. Аверин, P.M. Печерская И XVII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков: тр. конф., Пенза, 26 июня 01 июля 2005 г. — Пенза, 2005.-С. 214.
  254. Автоматизированный лабораторный стенд для исследования полупроводников методом эффекта Холла с дистанционным доступом по сети Internet /г
  255. И.А. Аверин, В. Б. Абрамов, Ю. М. Кузнецов, О. В. Карпанин, С. П. Медведев, P.M.I
  256. , А.А. Поляков II Человеческое измерение в информационном обществе: тез. докл. Всерос. науч.-практ. конф., Москва, 29 октября 01 ноября 2003 г. — М., ' 2003.-С.121.
  257. Автоматизированный лабораторный стенд для исследования твердыхгтел методом эффекта Холла Электронный ресурс. / И. А. Аверин, P.M. Печерская, г
  258. С.П. Медведев, В. Б. Абрамов, О. В. Карпанин, A.M. Метальников, С. В. Мурашкин, В. А. Соловьев //Компьютерные учебные программы и инновации. 2005. — № 5. -Режим доступа: http//ofap.ru, свободный.
  259. Акт об использовании результатов диссертационной работы в производстве и научно-исследовательских работах361t1. УТВЕРЖДАЮ
  260. Председатель комиссии, / / узаместитель генерального директора ФГУП НИИФИпо научной работе, кандидат технических наук, доце^-^^^^^- А. В. Блинов Члены комиссии:1. Главный технолог
  261. Начальник научно-исследовательского комплекса
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!