Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского

Диссертация: Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Разработаны технологические основы выращивания полых цилиндрических монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского, что позволяет выращивать монокристаллы кремния с внутренним диаметром 30−38 мм, толщиной стенки 3−5 мм, плотностью дислокаций не о 2 выше (1−5)-10 см, удельное электрическое сопротивление (УЭС) 0,02 Ом-см, разброс значений УЭС не более 10%. На основе полученных… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Метод Чохральского
      • 1. 1. 1. Теория метода
      • 1. 1. 2. Тепловые условия роста
      • 1. 1. 3. Форма и свойства монокристаллов
    • 1. 2. Метод Поганского
    • 1. 3. Получение профильных монокристаллов методом Степанова
      • 1. 3. 1. Сущность метода
      • 1. 3. 2. Конструкции формообразователей
      • 1. 3. 3. Устойчивость процесса роста
      • 1. 3. 4. Тепловые условия роста
      • 1. 3. 5. Дефекты профильных монокристаллов
    • 1. 4. Выводы и постановка задачи
  • ГЛАВА 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТРУБЧАТОЙ ФОРМЫ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО
    • 2. 1. Расчет высоты столбика расплава при выращивании монокристаллов по методу Чохральского и ее влияние на постоянство диаметра растущего кристалла
    • 2. 2. Исследование процессов теплообмена в замкнутой системе и определение возможности получения полых кристаллов
    • 2. 3. Решение сопряженных задач теплообмена с учетом реальной геометрии теплового узла
    • 2. 4. Моделирование распределения температуры в модернизированном тепловом узле и в системе цилиндрическая затравка—расплав при различных положениях тигля
    • 2. 5. Выводы по главе 2
  • ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ ВЫРАЩИВАНИЯ И СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ ТРУБЧАТОЙ ФОРМЫ
    • 3. 1. Исследование условий выращивания монокристаллов кремния трубчатой формы методом Чохральского
      • 3. 1. 1. Экспериментальная апробация расчетного теплового узла
      • 3. 1. 2. Разработка методики определения температуры расплава в тигле
      • 3. 1. 3. Исследование технологических процессов получения профильных монокристаллов при различных формах, размерах и методах крепления затравок
      • 3. 1. 4. Технология выращивания профильных монокристаллов
    • 3. 2. Влияние технологических факторов на геометрические размеры профильных монокристаллов
    • 3. 3. Исследование структуры выращенных профильных монокристаллов
      • 3. 3. 1. Рентгеноструктурное исследование совершенства полученных профильных цилиндрических кристаллов
      • 3. 3. 2. Методика подготовки выращенных монокристаллов для металлографических исследований
      • 3. 3. 3. Металлографическое исследование профильных монокристаллов
    • 3. 4. Разработка методики измерения удельного электрического сопротивления цилиндрических монокристаллов. Влияние технологических факторов на удельное сопротивление
    • 3. 5. Изготовление выпрямительного диода на выращенных профильных монокристаллах кремния
    • 3. 6. Предложения по использованию стандартных тиглей 152 и 200 мм

Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Постоянный рост потребления электроэнергии во всех отраслях мировой и отечественной экономики вызывает необходимость её оптимального распределения, эффективного преобразования и использования.

Распределение электроэнергии, управление технологическими процессами и агрегатами производится при помощи устройств и систем промышленной электроники. Такие системы широко применяют в преобразовательных устройствах электростанций, силовых сетях питания металлургических плавильных и обрабатывающих агрегатов, устройствах питания и управления железнодорожного транспорта и др.

Основными дискретными элементами систем и устройств промышленной электроники являются силовые полупроводниковые приборы — выпрямительные диоды, тиристоры, транзисторы, и т. д.

Развитие конструкций дискретных приборов, в частности, в области силовой промышленной электроники идет по пути увеличения рабочих токов и напряжений. Повышения рабочего тока отдельного прибора достигают за счет увеличения площади полупроводниковой структуры, увеличения рабочего напряжения — за счет применения высокоомного кремния и внесения в конструкцию прибора дополнительных элементовфасок различных видов на краях полупроводниковой пластины, охранных колец и р-n переходов. Одновременно повышают качество диэлектрика, закрывающего области выхода краев рабочих р-n переходов, либо потенциального барьера металл-полупроводник [1].

Недостатком таких плоских планарных конструкций приборов является ряд электрофизических эффектов, возникающих при приложении к прибору прямого и обратного напряжения. При протекании рабочего тока его плотность выше у одного из электродов, чья площадь меньше из-за фасок и охранных колец по краям полупроводниковой пластины. Для эффективного отвода тепла, выделяющегося при работе прибора, нижний электрод необходимо выполнять в виде массивного металлического теплокомпенсатора. Пайка полупроводниковых пластин большой площади на металл вызывает механические напряжения в полупроводнике из-за разницы коэффициентов термического расширения припоя, металла и полупроводника. При приложении к прибору плоской конструкции обратного напряжения возникает так называемый «краевой эффект» — повышение плотности электрического поля у краев электродов, что приводит к снижению величины рабочего напряжения по сравнению с величиной расчетного значения напряжения пробоя и обуславливает увеличение тока утечки.

Однако конструирование дискретных полупроводниковых приборов на основе монокристаллических структур традиционной плоской конфигурации не является единственно возможным вариантом дальнейшего развития элементной базы силовой электроники.

В российских и зарубежных источниках [2−6] имеются сообщения о том, что для создания твердотельного электронного прибора, возможно, использовать полупроводниковые структуры иной, неплоской конфигурации. Так, например. Фирма Ball Semiconductor (США) для производства приборов и микросхем использует сферические гранулы диаметром 1−1,2 мм/ поверхность которых является основой для формирования структуры прибора.

В СССР в 1985 году было выдано авторское свидетельство на конструкцию сверхмощного полупроводникового прибора, изготовленного на основе монокристалла кремния в виде тонкостенного полого цилиндра [2].

Силовые токоподводящие металлические контакты располагают по внешней и внутренней поверхности структуры в виде колец одинаковой формы и площади.

При включении прибора такой конструкции (например, выпрямительного диода) в прямом направлении обеспечивается равномерное протекание рабочего электрического тока от контакта к контакту, что обеспечивает более низкий уровень электротепловой деградации полупроводника. Непланарная конструкция позволяет организовать эффективное охлаждение прибора за счет снижения теплового сопротивления конструкции корпуса и движения хладагента внутри такого корпуса. Охлаждение прибора при эксплуатации возможно с помощью протока хладагента сквозь канал внутри самого прибора, что позволит отказаться от массивных металлических термокомпенсаторов, особенно для приборов на 50−100 А и выше. При включении диода в обратном направлении формируется область пространственного заряда (ОПЗ) с равномерным однородным распределением электрического поля в активном цилиндрическом слое кремния, чем ограничивается эффект сгущения линий поля Е у краев металлических электродов, что повышает напряжение пробоя без введения в конструкцию фасок и охранных колец до номинального значения, определяемого степенью легирования полупроводника. Равномерное распределение плотности электрического поля между электродами снижает величину тока утечки.

Перечисленные преимущества непланарной конструкции обеспечивают приборам нового поколения более высокий уровень рабочих характеристик и эксплуатационных свойств.

Однако преимущества приборов на основе цилиндрического непланарного кремния могут быть реализованы только в том случае, если качество полупроводниковых непланарных композиций, на основе которых изготавливается прибор новой конфигурации соответствует требованиям, предъявляемым к полупроводниковым материалам, используемым для производства полупроводниковых приборов.

Получение монокристаллических заготовок в виде труб для изготовления полых цилиндрических подложек возможно несколькими способами — механической резкой с помощью специального инструмента из слитков, выращенных методом Чохральского или бестигельной зонной плавкой, либо выращиванием профильных монокристаллов из расплава газофазной эпитаксией, методом Степанова.

К сожалению, этими методами не удается получить непланарные композиции соответствующего качества или в процессе получения большой процент монокристаллического кремния идет в отходы. Методом Степанова сложно добиться кристаллографического совершенства получаемых профильных монокристаллов из-за большого числа дефектов кристаллической решетки и наличия посторонних включений из материала формообразователя, а так же неравномерности распределения легирующих примесей в объеме монокристалла.

Целью настоящей работы является разработка способа выращивания профилированных монокристаллов кремния из расплава без формообразователя.

Постановка задач:

— расчёт процессов теплопереноса в системе «полый цилиндрический кристалл-расплав» в процессе роста и в элементах конструкции теплового узла ростовой установки;

— разработка элементов теплового узла, позволяющего стабильно выращивать профилированные полые трубчатые монокристаллы кремния, пригодные для изготовления на их основе силовых выпрямительных диодов большой мощности;

— исследование влияния тепловых условий выращивания цилиндрических полых монокристаллов кремния на параметры их структуры и распределение удельного электросопротивления;

— изготовление опытных образцов выпрямительных диодов на основе полученных полых трубчатых монокристаллов кремния. Научная новизна работы:

На основании расчетов процесса теплообмена в системе «цилиндрическая полая затравка-расплав кремния в тигле» установлены общие закономерности процесса выращивания монокристаллов кремния в виде полых цилиндров методом Чохральского без формообразователя: температура расплава внутри цилиндрической затравки Тцснтра превышает температуру кристаллизации расплава кремния в зоне касания расплава ее торцом;

— равенство удельных тепловых потоков «q» к внутренней и внешней поверхностям растущего трубчатого монокристалла;

— величина градиента температуры по вертикальной оси системы цилиндрическая затравка — монокристалл исключает возникновение термоупругих напряжений, приводящих к образованию дислокаций.

На основе результатов расчета теплопередачи в системе цилиндрическая полая затравка — расплав создан ростовой узел новой конструкции для установки «Редмет-10М».

Впервые методом Чохральского выращены полые монокристаллы кремния марки КЭФ-0,02 цилиндрической формы с плотностью дислокаций л не выше (1−5)-10 см и разбросом удельного электрического сопротивления по объёму монокристалла не более 10%.

Получено решение № 2 007 112 010/15(13 056) о выдаче патента РФ по заявке на изобретение от 01. 08. 2008 «Способ выращивания полых цилиндрических монокристаллов кремния на основе способа Чохральского и устройство для его осуществления».

Практическая ценность работы:

Разработаны технологические основы выращивания полых цилиндрических монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского, что позволяет выращивать монокристаллы кремния с внутренним диаметром 30−38 мм, толщиной стенки 3−5 мм, плотностью дислокаций не о 2 выше (1−5)-10 см, удельное электрическое сопротивление (УЭС) 0,02 Ом-см, разброс значений УЭС не более 10%. На основе полученных монокристаллов возможно создание силовых выпрямительных диодов большой мощности, в которых охлаждение осуществляется пропусканием хладагента сквозь прибор по центральному каналу корпуса. Экспериментальные непланарные выпрямительные диоды имеют улучшенные электрические параметры и сниженное в несколько раз тепловое сопротивление корпуса по сравнению с корпусами планарных диодовтребуют радиаторов уменьшенной массы для охлаждения прибора по сравнению с существующими аналогами.

Результаты диссертационной работы внедрены на ОАО «Подольский химико — металлургический завод» г. Подольск. Основные положения, выносимые на защиту:

1. Результаты расчета температурных полей в системе «цилиндрический полый монокристалл — расплав» в ростовом узле для проведения процесса выращивания профилированных монокристаллов кремния в виде полых цилиндров по методу Чохральского;

2. Теоретическое обоснование метода выращивания профилированных монокристаллов кремния в виде полых цилиндров методом Чохральского;

3. Технологические основы процесса выращивания монокристаллов кремния в виде полых цилиндров из расплава, обеспечивающие получение структуры профильных монокристаллов кремния со следующими параметрами: постоянный внешний диаметр, постоянная толщина стенки, разброс значений удельного электрического сопротивления не более 10%,.

3 2 плотность дислокаций не выше (1−5) — 10 см". Апробация работы:

Основные результаты, полученные в диссертации обсуждались:

1. VII Московский Международный салон инноваций и инвестиций, г. Москва, февраль 2007.

2. Конференция «Промышленные технологии», Италия, г. Римини, сентябрь 2007 г.

3. Конференция «Приоритетные направления развития науки, технологий и техники», Египет, Шарм-эль-шейх, ноябрь 2007 г.

Публикации:

Результаты исследований опубликованы в 4 научных работах, защищены патентом РФ.

3.7 Общие выводы.

1. Основываясь на результатах математического моделирования установлены общие закономерности и условия стабильного роста цилиндрических полых монокристаллов кремния методом Чохральского без формообразователя. Произведенные расчеты позволили установить распределение температуры в расплаве, в тигле и процессы тепло — и массопереноса в системе — «элементы теплового узла — расплав кремния в тигле — цилиндрический полый монокристалл».

2. В соответствии с результатами математического моделирования созданы дополнительные узлы для установки «РЕДМЕТ ЮМ» и разработаны основы технологии получения профилированных монокристаллов кремния в виде тонкостенного полого цилиндра методом Чохральского без формообразователя.

3. По разработанным основам технологии впервые методом Чохральского получены профилированные монокристаллы кремния с внутренним диаметром 25−38 мм, толщиной стенки 3−5 мм. Полученные кристаллы имеют плотность дислокаций не выше (1−5)-10″ см ~ и равномерный разброс удельного электрического сопротивления (УЭС) по объему и длине кристалла (не более 10%).

4. Результаты моделирования распределения температуры в тепловых узлах показали, что монокристаллы в виде полых цилиндров можно получать методом Чохральского без формообразователя не только в тиглях малого диаметра (60мм), но и в тиглях стандартных размеров (диаметром 152 и 200 мм).

5. На основе полученных монокристаллов кремния цилиндрической формы при совместном участии ГТУ «Московский институт стали и сплавов», ГОУ ВПО «Северо-Осетинский государственный университет имени К. JI. Хетагурова», ООО «Кромка», ООО «Научно-производственное предприятие «Томилинский электронный завод» были изготовлены экспериментальные образцы цилиндрических выпрямительных непланарных диодов на рабочее напряжение 80−100 В и рабочий ток 100 150 А.

Изготовленные образцы превосходят ближайший аналог — планарные силовые выпрямительные диоды типа Д 141−100 штыревого исполнения по ряду параметров: величина прямого падения напряжения Unp снижена на 25%, с 1,4 В до 1,1 В при величине рабочего тока I раб 100А, величина токов утечки I обр. при Upa6 = 80 В снижена в 10 раз с 100 мкА до 10 мкА при температуре 130°Степловое сопротивление конструкции корпуса прибора снижено в 5 раз, с 0,1 до 0,02°С/ Wмасса радиатора охлаждения прибора уменьшена в 6,5 раза, с 0,65 кг до 0,1 кг.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.В. «Кремниевая силовая электроника: состояние и перспективыразвития» // Материалы электронной техники. 2000. № 4. С.9−15.
  2. А.Ф., Евсеев А. А. Полупроводниковый прибор // Авторскоесвидетельство СССР № 1 207 345. кл HAL 29/06. 1985, опубл. 10.06.97. бюл.16.
  3. Т.Я. «Основы теории объемных гетеропереходов какэлементов функциональной электроники» // Тезисы докладов на первой конференции «Функциональная электроника» АН СССР, Ленинград, 1990. С. 18.
  4. П.И., Затуловский JI.M., Костычев А. С. и др. Получениепрофилированных монокристаллов и изделий способом Степанова. Ленинград, Наука, 1981. 280с.
  5. В.В., Соколов И. А., Кузнецов Г. Д. Физико-химические основытехнологии полупроводниковых приборов. М.: Металлургия, 1982.-352 с.
  6. Akira Ishikava «Transistor on Spherical Surface», Ball Semiconductor Anc.,
  7. October, 15, 1998. www.ballsemi.com
  8. В. А. Устойчивый рост кристаллов. М. Наука Гл. Ред. Физ-мат.1. Лит. 1988 240 с.
  9. А. Р., Александрова Г. И., Воронкова Г. Н., Ильин М. А., и др.взаимодействие примесей редкоземельных элемнтов с углеродом в кремнии.- Изв. АН СССР, неорг. мат., 1978, 14, № 1, с. 85−88.
  10. Н. Т., Бочкарев Э. П., Власенко Л. С. Гришин В. П. И др.
  11. Исследование примесей Но, Gd, Yb в кремнии.- Изв. АН СССР неорг. мат., 1978, 14 № 4, с. 614−617.
  12. А. Я. Нашельский. Технология полупроводниковых материалов. М.1. Металлургия 1987.
  13. Digges Т. G. et. al. J. Cryst. Growth, 1980, v. 50, p. 865.
  14. Ciszek T. F., J. Appl. Phys., 47, 440 (1976).
  15. Wilcox W. R., Dyty R. L., J. Heat. Trans., 88, 45 (1966).
  16. Rea S. N., Wakefield G. F., Conference of the International Solar Energy1. Society, Winnipeg (1976).
  17. Ю. M. Таиров, В. Ф. Цветков Технология полупроводниковых идиэлектрических материалов. М. Высшая школа 1990. С 129−131.
  18. Kobayashi N., J. Cryst. Growth. 1980. V. 52. P. 425.
  19. О. M., Смирнов В. А. И др., Материалы IX совещ. По получениюпрофилированных кристаллов и изделий способом Степанова и их применению в народном хозяйстве. Л. ЛИЯФ. 1982. С. 131.
  20. В. Н., Освенский В. Б., СтаршиноваИ. В., Матер. Всесоюз.
  21. Совещания по получению профильных кристаллов и изделий способом Степанова и их применение в народном хозяйстве. Л. ФТИ, 1986. С. 215.
  22. F. М., Padovani F. A., in: Semiconductor Silicon 1973, ed. H. R. Huff and R. R. Burgess, 1973, p. 75.
  23. Witt A. F., Gatos H. C., J. Electrochem. Soc., 115, 808 (1966).
  24. Morizane К., Witt A. F., Gatos H. C., J. Electrochem. Soc., 113,51 (1966).
  25. Имеется перевод в кн.: Проблемы роста кристаллов.- М.: Мир, 1968, с. 251−261.
  26. С. А., Лубе Э. JL, Амброк А. Г. и Пеллер В. В. Телевизионнаяизмерительная система на базе ЭВМ для исследования процесса роста по способу Степанова. Изв. АН СССР, Т.49, № 12, с 2324—2328.
  27. Gurtner К. J., Rittinghaus К. F., Seeger A., Uelhoff W. J. Cryst. Growth, 1972, v. 13/14, p. 619.
  28. О Копе D. F., Kwap T. W., Gulitz L., Bednowitz A. L., Cryst. Growth, 1972, v. 13/14, p. 624.
  29. Pat. 962 553. (Germany), Verfahren zur Herstellung von einkristallinen
  30. Halbleiterkorpern in Form von Hohlzylindern durch Ziehen aus der Schmelze. Hamburg, 1957.
  31. А. В. Выращивание монокристаллов определенной формы. Изв1. АН СССР.
  32. А. В. ЖТФ, 1959, 29, 381.
  33. Шах-Будагов А. Л., Степанов А. В., ЖТФ, 1959, 29, 394.
  34. А. В. Будущее металлообработки. Лениздат, 1963.
  35. А. В. Получение изделий непосредственно из расплава. М., «Знание», 1966.
  36. А. В. Вестник машиностроения, 1959, № 11.
  37. А. В., Гольцман Б. М. Изв. АН СССР, отд техн наук, металлургия и топливо., 1959, № 5.
  38. А. В. Автоматизация процессов в машиностроении. Горячая обработка металлов. Т. II. М., Изд-во АН СССР, 1962, 26.
  39. Ученые записки Ленинградского гос. пед. ин-та им. Герцена, 1965, 625.
  40. В. М., Гольцман Б. М., Степанов А. В. И др. Изв. вузов, цветная металлургия, 1966, № 2, 154.
  41. В. М., Гольцман Б. М., Донской А. В., и др. Изв. вузов, цветная металлургия, 1966, № 3, 138.
  42. А. В. Изв. АН СССР, серия физ., 1969, 33, № 4, 12.
  43. С. П., Изв. АН, серия физическая, 2004, том 68, № 6, с 758 759.
  44. С. В., Степанов А. В. Получение монокристаллов германия определенной формы. Физ. тв. тела. 1965, т. 7, с. 194−199.
  45. Материалы I совещания по получению полупроводниковых монокристаллов способом Степанова и перспективам их применения в приборостроении, Ленинград (1967 г.), Л., ФТИ АН СССР, 1968.
  46. С. В., Коптев Ю. И., Степанов А. В., ФТТ, 1966, 8, 2461.
  47. С. В., Коптев Ю. И., Степанов А. В., ФТТ, 1966, 8, 569.
  48. П. И. Форма и свойства кристаллов, выращиваемых из расплавапо способу Степанова. В сб.: Рост кристаллов. М.: Наука, 1980. 13, с. 171−179
  49. В. Б., Левинзон Д. И., Иноземцев А. В., и др. Распределение легирующей примеси на фронте кристаллизации при выращивании крупногабаритных монокристаллов способом Степанова. Изв. АН СССР, серия физическая, т. 52, № 10, 1988, с. 1973−1976.
  50. Н. В., Брантов С. К., Татарченко В. А., Эпельбаум Б. М. Особенности образования включений SiC в кремниевых лентах, выращиваемых по способу Степанова. Изв. АН СССР. Неорган, матер., 1982, т. 18, с. 181.
  51. Ю. Г., Никаноров С. И., Выращивание профилированных кристаллов при капиллярном формообразовании расплава. Сб. ЦНИИ «Электроника», 1979, с. 3−30.
  52. Mat. Res. Bull., 1974, v. 7, № 8, pp. 731−737.
  53. H. В., Брантов С. К., Татарченко В. А., Люкс Б., Выращиваниепрофилированных кристаллов кремния по способу Степанова с использованием различных вариантов нагрева. Изв. АН СССР, серия физическая, т. 47, № 2, с. 351−355.
  54. В. А., Бренер Е. А., Устойчивость процесса кристаллизации из расплава при капиллярном формообразовании. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1976, т. 40, № 7, с. 1456−1467.
  55. Г. В., Татарченко В. А., Левинзон Д. И., Управление процессом капиллярного формообразования монокристаллов, выращиваемых из расплава. Изв. АН СССР, Сер. физ., 1973, т. 37, № 11, с. 2288−2291.
  56. П. И., Затуловский Л. М., Костыгов А. С., и др. Получение профилированных монокристаллов и изделий способом Степанова. Л.: Наука, 1981, с. 3−81.
  57. В. Б., Мильвидский М. Г., Иноземцев А. В., Сидоренко Н. В., Математическое моделирование процесса выращивания крупногабаритных монокристаллов германия способом Степанова. Рост кристаллов. М. 1983 г., с 4- 11.
  58. Лейбович B.C., Динамика формообразования кристаллов по способу Степанова, Изв. АН СССР. Сер. физ. 1983. 47, N 2, с. 219−229 ,
  59. А. В., Цвинский С. В., Получение монокристаллов германия определенной формы. Изв. АН СССР. Физ. тв. тела, 1965 г, т. 7, с. 194 199.
  60. Mat. Res. Bull., 1974, v. 7, № 2. pp. 345−348.
  61. J. Ciyst. Growth, 1977, v. 42, pp. 473−482.
  62. J. Cryst. Growth, 1977, v. 42, pp. 447−452.
  63. Mat. Res. Bull., 1971, v. 6, № 7, pp. 571−580.
  64. Mat. Res. Bull., 1971, v. 6, № 7, pp. 581−590.
  65. Mat. Res. Bull., 1971, v. 6, № 8, pp. 681−690.
  66. В. А. Влияние давления расплава на устойчивость процесса кристаллизации по способу Степанова. Изв. АН СССР, сер. физ. т. 47, № 2, 1983.
  67. В. А. ФХОМ, 1973, № 6, с. 47.
  68. В. А. ИФЖ, 1976, т. 30, с. 532.
  69. В. А., Бренер Е. А. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1976, т. 340, № 7,с. 1456.
  70. В. А. В сб.: Рост кристаллов. М.: Наука, 1980, т. 13, с. 160.
  71. В. А., Бренер Е. А. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1979, т. 43, с. 1926.
  72. Tatarchenko V. A., Brener Е. A. J. Crystal. Growth, 1980, v. 50, p. 33.
  73. Tatarchenko V. A. J. Crystal. Growth, 1977, v. 37, p. 272.
  74. Antonov P. I., Nikanorov S. P., Tatarchenko V. A The growth of controlled profile crystals by Stepanov method, J. Cryst. Growth, 1977, vol. 42, p. 440 452.
  75. В. А. В сб.: Рост кристаллов. М.: Наука, 1980. 13, с. 161−169.
  76. J. Elektron. Mater., 1975, v. 4, № 2, pp. 255−279.
  77. J. Cryst. Growth, 1977, v. 39, № 1, pp. 1−16.
  78. J. Appl. Phys., 1976, v. 47, № 10, pp. 4384−4393.
  79. J. Cryst. Growth, 1977, v.42, pp. 453−465.
  80. Ciszek T. F., Schwuttke G. H. Thermal balancing via distributed inert-gas stream from high-meniscus ribbon crystal growth. J. Cryst. Growth., 1977. 42. p. 483−489.
  81. С. К. Исследование процесса выращивания кремниевых лент израсплава по способу Степанова. Автореф. канд. дисс., п. Черноголовка, 1980.
  82. Pat. 2 730 161 (BRD). Vorrichtung zum ziehen eines Kristals. Mackintosh B. H., JewettD. N., 1978.
  83. В. M., Гольцман Б. М., Степанов А. В. Однородное охлаждение тонкостенных изделий, вытягиваемых из расплава. В кн.: Вопросы кристаллизации и физики твердого тела. Ученые записки ЛГПИ им. Л. И. Герцена, 1965, 265, с. 90−104.
  84. В. М., Гольцман Б. М., Донской А. В., Степанов А. В. Локальное охлаждение тонкостенных изделий, вытягиваемых израсплава. В кн.: Вопросы кристаллизации и физики твердого тела. Ученые записки ЛГПИ им. JI. И. Герцена, 1965, 265, с. 105−117.
  85. А. С., Татарченко В. А., Степанов А. В. О конвективном охлаждении образцов, полученных из расплава способом Степанова. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1972, 36, № 3, с. 481−485.
  86. Kalejs J. P., Mackintosh В. H., Surek Т. High speed EFG of wide silicon ribbon. J. Cryst. Growth., 1980, 50, № 1. p. 175−192.
  87. H.B., Брантов C.K., Люкс Б., Татарченко В. А. Выращивание профилированных кристаллов кремния по способу Степанова с использованием различных вариантов нагрева. Изв. АН СССР. Сер. физ. 1983. 47, N2, с. 351−355.
  88. Е. М. Thermal sensitivity and stability of EFG silicon ribbon growth. J.
  89. Cryst. Growth., 1980, 50, № 1. p. 102−113.
  90. Stormont R. W., Surek Т., Taylor A. S. The growth of silicon tubes by EFG process. J. Cryst. Growth., 1980, 50, № 1. p. 200−211.
  91. С. В., Собакарь Г. А., Александров Б. Н. Kristall und Technik, 1973, № 8, с. 621.
  92. X. С., Приходько Л. В., Смирнов С. И. Кристаллография, 1979, № 24, с. 359.
  93. Ynoue Т., Kamatsu Н. Kristall und Technik, 1979, № и, с. 1511.
  94. А. В., Засимчук И. К. Изв. АН СССР, Сер. физ., 1980, № 44, с. 304.
  95. П. И., Бахолдин С. И., Васильев М. Г., Тропп Э. А., Юферев В.
  96. С., Изв. АН СССР, Сер. физ., 1980, № 44, с. 269.
  97. С. А., Лубе Э. Л., Амброк А. Г., Пеллер В. В. Телевизионнаяизмерительная система на базе ЭВМ для исследования процесса роста по способу Степанова. Сер. физ., 1985, № 12, т. 49, с. 2324−2328.
  98. Т. F., Schwuttke G. Н. Growth and characterization of silicon ribbons produced by a capillary action shaping technique. Phys. status solidi (a), 1975, v. 27, № 1, p. 231.
  99. H. В., Брантов С. К., Татарченко В. А. Получение кремниевыхпластин вытягиванием из расплава с применением формообразователя. Физ. и хим. обработки материалов, 1978, № 1. с. 79−84.
  100. J. P., Cretella M. С., Wald F. V. Effect of ambient gas changes duringgrowth on properties of EFG silicon ribbon. J. Electrochen. Soc., 1980, 127, № 3,p. с 113.
  101. Nozaki Т., Yatsurugi Y., Akiama N. Cjncentration and behavior of carbon in semiconductor silicon. J. Electrochen. Soc., 1970, v. 117, № 12, p. 1566.
  102. Craney R. E., Varker С. I. The erosion of material in molten silicon. J. Electrochen. Soc., 1976, v. 123, № 6, p. 846.
  103. Kuroda E., Matsuda M., Maki M. Growth and characterization of silicon ribbons crystals grown with wetting and non-wetting dies. Phys. status solidi (a), 1978, v. 48, № l, p. 105.
  104. В. А., Остроумов M. А., Свит Г. Ф. Термодинамические свойства веществ. Справочник. JL: Химия, 1977.
  105. Ravi К. V. The growth of EFG silicon ribbon. J. Cryst. Growth., 1977, 39, № l.p.1−16.
  106. Jang К. H., Schwuttke G. H. Analysis of vapor-deposited silicon carbide films on silicon ribbon surfaces. Phys. status solidi (a), 1978, v. 48, № 2, p. 335 343.
  107. Hanoka J. I., Bathey B. A. Combined quantitative EBIC and ion microprobe analysis of SiC particles in EFG ribbon. Proc. 14-th IEEE Photovolt. Spec. Conf., 1980, p. 478−483.
  108. Swartz I. C., Surek Т., Chalmers B. The EFG Process applied to the growth of silicon ribbons. J. Electron. Mat., 1975, 4, № 2, p. 225−279.
  109. Schwuttke G. H. Low cost silicon for solar energy application. Phys. Stat. Solid (a), 1977, 43, № 1, p. 43−51.
  110. Rao С. V. H., Bates H. E., Ravi К. V. Electrical effects of SiC inclusions in EFG silicon ribbon solar cell. J. Appl. Phys., 1976, 47,№ 6, p. 2614−2619.
  111. Ciszek T. F., Schwuttke G. H., Jang K. Electrical and structural characterization of silicon ribbon produced through capillary action sharping. J. Cryst. Growth., 1978, 43, № 3. p.329−335.
  112. Surek Т., Hari RaO С. В., Swartz J. C., Garone L. C. Surface morphology and shape stability in silicon ribbons grown by the edge-defined, film-fed growth (EFG) process. J. Electrochen. Soc., 1977, v. 124, № 1, p. 112−123.
  113. Ciszek Т. F., Melt growth of crystalline silicon tubes by a capillary action shaping technique. Phys. Stat. Solid (a), 1975, 32, № 2, p. 521−527.
  114. H.B., Брантов C.K., Татарченко B.A., Энельбаум Б. М. Особенности образования включений SiC в кремниевых лентах, выращиваемых no способу Степанова. Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1982. 18, № 2, с. 181−184.
  115. Н. И., Бузынин А. Н., Заичко В. В., Семин В. В. Выращивание лент Si методом Степанова. Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1978. 14, № 4, с. 603−606.
  116. Jewett D. N. Recent development in the growth of silicon ribbon by the Stepanov technique. Proc. 13-th IEEE Photovolt. Spec. Conf., 1978, p. 376 377.
  117. П. И., Галактионов В. В., Крымов В. М., Юферев Б. С. Расчет термоупругих напряжений при выращивании лент германия способом Степанова. Изв. АН СССР, Сер. физ., 1976, № 40, с. 1419−1425.
  118. RaO С. V. Н. N., Cretella М. С., Wald F. V., Ravi К. V. Imperfection and impurities in EFG silicon ribbons. J. Cryst. Growth., 1980, 50, № 1. p.311−319.
  119. Brice J. C. The growth of crystal from liquids. Amsterdam, Noth-Holland Publ. Co., 1973, p. 381.
  120. Baeri P., Fote G., Poate J. K., Campisano S. U., Cullis A. G. Orientation and velocity dependence of solute trapping in Si. Appl. Phys. Lett., 1981, 38, № 10, p.800−802.
  121. П.И., Никаноров С. П., Регель В. Р. Применение способа Степанова для выращивания полупроводниковых монокристаллов.Процессы роста полупроводн. кристаллов и пленок. Новосибирск.,!981, с. 122−132.
  122. П.И., Затуловский JI.M., Костыгов А. С., Левинзон Д. И., Никаноров С. П., Пеллер В. В., Татарченко В. А., Юферев B.C. Получение профилированных монокристаллов и изделий способом Степанова, Л.: Наука. 1981,280 с.
  123. С. Н., Ginley D. S. Passivation of grain boundaries in polycrystalline silicon. Appl. Phys. Lett., 1979, 34 № 5, p. 337−340.
  124. Valle J. L., Floras C., Duechas F. Hydrogenation effects in east polycrystalline silicon p-n junction solar cells. Proc. 14-th IEEE Photovolt. spec, conf., 1980, p. 202−207.
  125. Robinson P. H., D Aliello P. V. The effect of atomic hydrogen passivation on polycrystalline silicon epitaxial solar cell. Appl. Phys. Lett., 1981, 39 № 1, p. 63−64.
  126. R. Т., Lu M. C., Westbrook R. D., Jelesson G. E. Effect of lithium on the electrical properties of grain boundaries in silicon. J. Appl. Phys. Lett., 1981, 38 № 8, p. 628−630.
  127. Mandurach M. M., Saraswat К. C., Halms C. R. Effect of annealing of the electrical properties of polycrystalline silicon. J. Electrochen. Soc., 1980, v. 127, № 8, p. 386−392.
  128. Magee T. J., Leung C., Kawayoshi H. Low-temperature redistribution and gettering of oxygen in silicon. J. Appl. Phys., 1981, 52 № 8, p. 5392−5394.
  129. Но С. Т., Wald P. V. Some aspects of the effect of heat treatment of minority carrier diffusion length in low receptivity p- Type silicon. Phys. Stat. Solid (a), 1981, 68, № 1, p. 103−107.
  130. В.В.Крапухин «Технология материалов электронной техники», «МИСиС», М-1995г., стр. 320.
  131. В. Н. Выращивание профильных полупроводниковых монокристаллов. — М.: Металлургия, 1977.
  132. Э.М. Аналитические методы в теории теплопроводности твердых тел: Учеб. пособие. М.: Высшая школа, 2001. 550 с.
  133. В.В.Крапухин «Физико-химические технологии полупроводниковых материалов.», «Металлургия», М-1982г., 493 стр.
  134. Н.А. Верезуб, А. И. Простомолотов «Исследование теплопереноса в ростовом узле процесса Чохральского на основе сопряженной математической модели», Журнал «Материалы электронной техники»,№ 3,2000 г.
  135. JI. Кожитов, Т. Кондратенко, В. Крапухин и др. Исследование теплового поля процесса роста профильного монокристалла кремния на основе сопряженной математической модели. //Известия вузов. Материалы электронной техники.—2005.—№ 3.
  136. Н.А. Верезуб А. И. Простомолотов // Материалы электронной техники. № 3, 2000., с. 28−34.
  137. Заявка № 2 007 112 010/15(13 056) с решением о выдаче патента на изобретение от 03. 04. 2007. Способ выращивания полых цилиндрических монокристаллов Si на основе метода Чохральского и устройство для его осуществления. Кожитов Л. В., Кондратенко Т. Т.,
  138. В. В., Казимиров Н. И., Сорокин С. JL, Тарадей В. А., Блиев А. П., Силаев И. В.
  139. А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов. — М.: Высшая школа, 1974.
  140. В. Т., Дубровина А. Н. Методы исследования структуры полупроводников и металлов.—М.: Металлургия, 1978.
  141. Травление полупроводников, /перевод с анг. С. Н. Горина.—М.: Мир, 1965.
  142. Методы исследования структуры. Металлографические методы исследования: Учебное пособие / В. Т. Бублик, А. Н. Дубровина, Г. М. Зимичева и др.—М.: МИСиС, 1984.
  143. Н. Ф., Концевой Ю. А. Измерение параметров полупроводниковых материалов.—М.: Металлургия, 1970.
  144. Е. Н., Гаража Е. В., Распределение скоростей в расплаве при выращивании кристаллов методом Чохральского. Электронный научно технический журнал. «Физико-химический анализ свойств многокомпонентных систем». Вып 4. 2006 г.
  145. Т.Т., Гришко А. С. Митин В.В., Чигирь С. Н. «Известия вузов. Материалы электронной техники.» 2005, № 3. С. 53−58.
  146. Получение профильных монокристаллов кремния трубчатой формы. Блиев А. П., Силаев И. В., Кожитов JI.B., Кондратенко Т. Т. Фундаментальные исследования. № 12 2007 г., с. 519.
  147. В.Н.Маслов «Выращивание профильных полупроводниковых монокристаллов», «Металлургия», М-1977г., стр. 328.
  148. Металловедение, термообработка и рентгенография: Учебник для вузов. Новиков И. И., Строганов Г. Б., Новиков А. И. М.: «МИСиС», 1994. -480 с.
  149. Д.К., Таннер Б. К. Высокоразрешающая рентгеновская дефрактометрия и топография / Перевод с англ. И. Л. Шульпиной, Т. С. Аргуновой СПб.: Наука, 2002. — 274.
  150. Силовые диоды на основе монокристаллов кремния цилиндрической (трубчатой) формы. //Электроника и электрооборудование транспорта. № 5, 2007 г., с. 19. Бабак А. Г, Мишакин Н. И., Кожитов JI. B, Силаев И. В., Блиев А. П., Кондратенко Т. Т., Курбатов А.В.
  151. Leo Kozhitov, Timofey Kondratenko etc. «Nonplanar semiconductor devices with closed space-charge region» Международная выставка, Германия, Нюрнберг, 2006, 4 ноября — серебряная медаль.
  152. Тепло- и массообмен при получении монокристаллов / П. К. Конаков, Г. Е. Веревочкин, Л. А. Горяинов и др.—М.: Металлургия, 1971.
  153. С. С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков.— М.: МИСиС, 2003.
  154. Силовые полупроводниковые приборы на базе непланарного кремния. //Фундаментальные исследования. № 12 2007 г., с. 167. Блиев А. П., Силаев И. В., Кожитов Л. В., Кондратенко Т.Т.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!