Π”ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌΡ‹, курсовыС, Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚Ρ‹, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅...
Брочная ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² ΡƒΡ‡Ρ‘Π±Π΅

ΠœΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ΠΎΠΎΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ эллипсомСтричСский комплСкс для получСния ΠΈ исслСдования наноструктур Π² установкС молСкулярно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ эпитаксии

Π”ΠΈΡΡΠ΅Ρ€Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΡΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½ΠΎ ΠΎΡ€ΠΈΠ³ΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ΅ обСспСчСниС, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ процСссом роста наноструктур Π² ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ молСкулярно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ эпитаксии. Алгоритмы основаны Π½Π° Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ эллипсомСтрии Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ. ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΡΠ²ΠΎΠ»ΡŽΡ†ΠΈΡŽ эллипсомСтричСских ΡƒΠ³Π»ΠΎΠ² j/ ΠΈ А, вычисляСт оптичСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ структуры, ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ роста ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹ Π² Π±Π»ΠΎΠΊ управлСния… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

  • ГЛАВА 1. Π­Π›Π›Π˜ΠŸΠ‘ ΠžΠœΠ•Π’Π Π˜Π― И ΠœΠΠ“ΠΠ˜Π’ΠžΠžΠŸΠ’Π˜Π§Π•Π‘ΠšΠ˜Π™ Π­Π€Π€Π•ΠšΠ’ ΠšΠ•Π Π Π: Π’Π•ΠžΠ Π˜Π―, ΠœΠ•Π’ΠžΠ”Π«, ΠŸΠ Π˜Π›ΠžΠ–Π•ΠΠ˜Π―. ΠžΠ‘Π—ΠžΠ  Π›Π˜Π’Π•Π ΠΠ’Π£Π Π«
    • 1. 1. ОсновноС ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ эллипсомСтрии. ΠŸΡ€ΡΠΌΠ°Ρ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ная Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ
    • 1. 2. ΠŸΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ магнитооптичСский эффСкт ΠšΠ΅Ρ€Ρ€Π°
  • §-1.3.Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹Π΅ схСмы эллипсомСтров ΠΈ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²
  • ΠŸΠΎΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΊΠ° Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ
  • ГЛАВА 2. Π­Π›Π›Π˜ΠŸΠ‘ΠžΠœΠ•Π’Π Π˜Π§Π•Π‘ΠšΠΠ― ΠœΠ•Π’ΠžΠ”Π˜ΠšΠ Π˜Π‘Π‘Π›Π•Π”ΠžΠ’ΠΠΠ˜Π― НАНОБВРУКВУР
    • 2. 1. ОписаниС ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ установки
    • 2. 2. ΠšΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ качСства ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠ΅ΠΊ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ex situ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ эллипсомСтрии
    • 2. 3. ИсслСдованиС Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… стадий роста ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Fe ΠΈ Si Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ°Ρ… монокристалличСского крСмния
    • 2. 4. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΡ показатСля поглощСния ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ крСмния
    • 2. 5. РСшСниС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ эллипсомСтрии для систСм (Fe/Si Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊ Π³Π»Π°Π²Π΅ 2
  • ГЛАВА 3. Π£Π‘Π’ΠΠΠžΠ’ΠšΠ Π”Π›Π― Π˜Π—ΠœΠ•Π Π•ΠΠ˜Π― ΠŸΠžΠ’Π•Π Π₯ΠΠžΠ‘Π’ΠΠžΠ“Πž ΠœΠΠ“ΠΠ˜Π’ΠžΠžΠŸΠ’Π˜Π§Π•Π‘ΠšΠžΠ“Πž Π­Π€Π€Π•ΠšΠ’Π ΠšΠ•Π Π Π
  • §-Π—Π›. Бтруктурная схСма ΠΈ ΠΎΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹
    • 3. 2. Π‘Π»ΠΎΠΊ пСрСмагничивания ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π°
    • 3. 3. Π˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€ΠΏΡ€Π΅Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΡ ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…
    • 3. 4. ИсслСдованиС двухслойных систСм ΠžΡƒ (1.Ρ…)β„–Ρ…/β„–
  • Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊ Π³Π»Π°Π²Π΅ 3
  • ГЛАВА 4. ΠŸΠ ΠžΠ“Π ΠΠœΠΠž — ΠΠŸΠŸΠΠ ΠΠ’ΠΠ«Π™ ΠšΠžΠœΠŸΠ›Π•ΠšΠ‘ Π”Π›Π― Π£ΠŸΠ ΠΠ’Π›Π•ΠΠ˜Π― ΠŸΠ ΠžΠ¦Π•Π‘Π‘ΠžΠœ РОБВА И Π˜Π‘Π‘Π›Π•Π”ΠžΠ’ΠΠΠ˜Π― НАНОБВРУКВУР Π’ Π‘Π’Π•Π Π₯Π’Π«Π‘ΠžΠšΠžΠœ Π’ΠΠšΠ£Π£ΠœΠ•
    • 4. 1. Π˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€ΠΏΡ€Π΅Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΡ ΡΠ²ΠΎΠ»ΡŽΡ†ΠΈΠΈ эллипсомСтричСских ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ роста структур {^Π΅/ 5/)ΠΏ
    • 4. 2. Автоматизированная систСма управлСния испаритСлями Π² ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ молСкулярно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ эпитаксии
      • 4. 2. 1. Аппаратная Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ систСмы управлСния испаритСлями
      • 4. 2. 2. ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Π°Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ систСмы управлСния испаритСлями
    • 4. 3. ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Ρ‹ΠΉ эллипсомСтричСский комплСкс
  • Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊ Π³Π»Π°Π²Π΅ 4
  • РЕЗУЛЬВАВЫ Π ΠΠ‘ΠžΠ’Π« И
  • Π’Π«Π’ΠžΠ”Π«

ΠœΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ΠΎΠΎΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ эллипсомСтричСский комплСкс для получСния ΠΈ исслСдования наноструктур Π² установкС молСкулярно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ эпитаксии (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Π’ Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя вСсьма Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»Π΅Π½ вопрос исслСдования свойств повСрхностСй Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΡ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ достаточно Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ пСрспСктиву использования Π² ΡƒΡΡ‚ройствах наноэлСктроники. Однако, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ свою спСцифику. Π’ Ρ‡Π°ΡΡ‚ности, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ наноструктур Π² ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡΡ… свСрхвысокого Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ°, встаСт ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° контроля ΠΈΡ… ΡΠ²ΠΎΠΉΡΡ‚Π² in situ нСпосрСдствСнно Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ изготовлСния — исслСдованиС Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… структур ex situ Π½Π° Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π΅ Π·Π°Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡƒΡŽ Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Π² ΡΠ²ΡΠ·ΠΈ с Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠΉ химичСской Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ области. Π—Π΄Π΅ΡΡŒ большоС прСимущСство ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ оптичСскиС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹, Ρ‚.ΠΊ. Π½Π΅ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ влияния Π½Π° ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π΅Ρ† ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ использовании in situ нСпосрСдствСнно Π² ΡΠ²Π΅Ρ€Ρ…высоковакуумной ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Π΅. Π’ Ρ‡Π°ΡΡ‚ности, извСстСн ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ эллипсомСтрии, основанный Π½Π° Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π΅ измСнСния поляризации свСта ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π°. Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚Π΅Π½ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ магнитооптичСского эффСкта ΠšΠ΅Ρ€Ρ€Π° (ΠœΠžΠšΠ•). Π£ ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² схоТи оптичСскиС схСмы ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ, Π° ΠΏΠΎ Π½Π°Π±ΠΎΡ€Ρƒ измСряСмых ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΎΠ½ΠΈ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Π°. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ эллипсомСтрии ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для измСрСния оптичСских постоянных прСломлСния ΠΈ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ для измСрСния Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΡ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ ΠœΠžΠšΠ• примСняСтся для изучСния ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… свойств ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°. Оба ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΡΡŽΡ‚ нас, Ρ‚.ΠΊ. ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π΅Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ, Π½Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ свойства ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° ΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ достаточной Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Π’ ΡΡ‚ΠΎΠΉ связи достаточно ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π»Π΅ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ выглядит идСя создания установки, ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π² ΡΠ΅Π±Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ эллипсомСтрии ΠΈ ΠœΠžΠšΠ•.

НастоящСС диссСртационноС исслСдованиС посвящСно Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ установки, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠΈ управлСния тСхнологичСским процСссом молСкулярно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ эпитаксии Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ связь эллипсомСтр — Π±Π»ΠΎΠΊ управлСния испаритСлСй. ДиссСртация состоит ΠΈΠ· Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ… Π³Π»Π°Π².

Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ Π³Π»Π°Π²Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈ Ρ‚СорСтичСский ΠΎΠ±Π·ΠΎΡ€ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² эллипсомСтрии ΠΈ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ооптичСского эффСкта ΠšΠ΅Ρ€Ρ€Π°. ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ схСмы Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ эллипсомСтров ΠΈ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ².

Π’ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π³Π»Π°Π²Π΅ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π° ΠΎΡ€ΠΈΠ³ΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠ° исслСдования свойств структур (Fe/Si)n ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ эллипсомСтрии. Π˜ΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ однослойныС ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ Fe, Si, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ многослойныС структуры Fe/Si.

Π’ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅ΠΉ Π³Π»Π°Π²Π΅ описана установка, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ измСрСния магнитооптичСского эффСкта ΠšΠ΅Ρ€Ρ€Π° in situ, Ρ‚. Π΅. нСпосрСдствСнно Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ Π²ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ напылСния.

Π’ Ρ‡Π΅Ρ‚Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΠΉ Π³Π»Π°Π²Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎ-Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ комплСкс, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ структуры с Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ свойствами. Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ основано Π½Π° ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ тСхнологичСских Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΏΠΎ ΡΠ»Π»ΠΈΠΏΡΠΎΠΌΠ΅Ρ‚ричСским измСрСниям ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ.

РЕЗУЛЬВАВЫ Π ΠΠ‘ΠžΠ’Π« И Π’Π«Π’ΠžΠ”Π«.

1. На Π±Π°Π·Π΅ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ эллипсомСтра Π›Π­Π€-757 создана новая установка, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… эллипсомСтричСских ΡƒΠ³Π»ΠΎΠ² |/ ΠΈ, А Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ in situ повСрхностный магнитооптичСский эффСкт ΠšΠ΅Ρ€Ρ€Π°. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π° Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΉ оптичСской ΠΈ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ооптичСской Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π° нСпосрСдствСнно Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ напылСния.

2. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π±Π»ΠΎΠΊ управлСния Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²ΠΎΠΌ Π² ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ молСкулярно — Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ эпитаксии «ΠΠ½Π³Π°Ρ€Π°», ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² испаритСлСй, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠ΅ΠΊ ΠΏΠΎ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρƒ ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ Π½Π° Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅.

3. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½ΠΎ ΠΎΡ€ΠΈΠ³ΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ΅ обСспСчСниС, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ процСссом роста наноструктур Π² ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ молСкулярно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ эпитаксии. Алгоритмы основаны Π½Π° Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ эллипсомСтрии Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ. ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΡΠ²ΠΎΠ»ΡŽΡ†ΠΈΡŽ эллипсомСтричСских ΡƒΠ³Π»ΠΎΠ² j/ ΠΈ А, вычисляСт оптичСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ структуры, ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ роста ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹ Π² Π±Π»ΠΎΠΊ управлСния испаритСлями.

4. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π° новая эллипсомСтричСская ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠ° исслСдования наноструктур (Fe/Si)n. Π’ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ осущСствлСно in situ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ слоСв Fe ΠΈ Si ΠΏΡ€ΠΈ ростС наноструктур Fe/Si. ВыявлСн островковый рост Fe ΠΈ Si Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ΅ Si ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ радиус островка.

5. Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ Π°ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ комплСкса ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ тСрмичСского испарСния Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ΅ Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ наноструктуры (Fe/Si)n с ΠΏ=1-Π³-5, однослойныС ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ Fe, Ni, Dy Ρ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈ 0,5-^50 nm, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ сплава Dy (iX)Nix. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π΅ Fe 0,5 nm, Ρ‡Ρ‚ΠΎ соотвСтствуСт Π΄Π²ΡƒΠΌ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ½Ρ‹ΠΌ слоям, имССтся Ρ„Π΅Ρ€Ρ€ΠΎΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ упорядочСниС ΠΏΡ€ΠΈ Π’=300 К. ПлСнки 0Ρƒ (1Ρ…)β„–Ρ… Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ исслСдованы нСпосрСдствСнно Π² ΡΠ²Π΅Ρ€Ρ…высоковакуумной ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ напылСния с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ повСрхностного ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΠ΄ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ эффСкта ΠšΠ΅Ρ€Ρ€Π°. Π‘Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΠΎΠ²Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„Π΅Ρ€Ρ€ΠΎΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ упорядочСния Π² ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ°Ρ… Π’Ρƒ (1Ρ…)β„–Ρ…/β„– ΠΏΡ€ΠΈ Ρ… > 0.05, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅.

Автор Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ°Π΅Ρ‚ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π±Π»Π°Π³ΠΎΠ΄Π°Ρ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ своСму Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ€ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŽ, Π΄ΠΎΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎ-матСматичСских Π½Π°ΡƒΠΊ, профСссору ΠžΠ²Ρ‡ΠΈΠ½Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρƒ Π‘Π΅Ρ€Π³Π΅ΡŽ Π“Π΅Π½Π½Π°Π΄ΡŒΠ΅Π²ΠΈΡ‡Ρƒ Π·Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΡƒ, Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΡƒ ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅. Π—Π° ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠΈ экспСримСнта Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽ ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π₯удякову АлСксСю Π•Π²Π³Π΅Π½ΡŒΠ΅Π²ΠΈΡ‡Ρƒ, Π’Π°Ρ€Π½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρƒ Π‘Π΅Ρ€Π³Π΅ΡŽ НиколаСвичу ΠΈ Π—Π°Π±Π»ΡƒΠ΄Π΅ Π’Π»Π°Π΄ΠΈΠΌΠΈΡ€Ρƒ НиколаСвичу. ΠžΡΠΎΠ±ΡƒΡŽ Π±Π»Π°Π³ΠΎΠ΄Π°Ρ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽ Π¨Π²Π΅Ρ†Ρƒ Π’Π°ΡΠΈΠ»ΠΈΡŽ АлСксандровичу Π·Π° Ρ†Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ мСтодичСскиС указания ΠΈ ΠΊΠΎΠ½ΡΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ. Π—Π° ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€ΠΏΡ€Π΅Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ магнитооптичСских ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽ Π±Π»Π°Π³ΠΎΠ΄Π°Ρ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ЭдСльман Π˜Ρ€ΠΈΠ½Π΅ БамсоновнС. Π‘Π»Π°Π³ΠΎΠ΄Π°Ρ€ΡŽ Π·Π° ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ всСх сотрудников Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠΈ ЀМЯ Π˜Π½ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡƒΡ‚Π° Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΈ Π‘О РАН ΠΈ Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠΈ эллипсомСтрии Π˜Π½ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡƒΡ‚Π° Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² Π‘О РАН.

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π° Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌ ОЀН 2.4.2 «Π‘ΠΏΠΈΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ°», комплСксного ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π° Π‘О РАН № 3.5, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π³Ρ€Π°Π½Ρ‚Π° РЀЀИ 07−03−320.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст

Бписок Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹

  1. А.Π’., Π‘Π²ΠΈΡ‚Π°ΡˆΠ΅Π² К. К. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ эллипсомСтрии. Новосибирск: Наука, 1979. — 423 с.
  2. Π›.Π”., Π›ΠΈΡ„ΡˆΠΈΡ† Π•. М. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΠΊΠ° ΡΠΏΠ»ΠΎΡˆΠ½Ρ‹Ρ… срСд. М.: Π€ΠΈΠ·ΠΌΠ°Ρ‚Π³ΠΈΠ·, 1982. — 621 с.
  3. Fujiwara Н. Spectroscopic Ellipsometry. Principles and Application. -Wiley, 2007. 369 p.
  4. P., Π‘Π°ΡˆΠ°Ρ€Π° H. ЭллипсомСтрия ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ свСт. М.: ΠœΠΈΡ€, 1981.-583 с.
  5. Π’.А., Π Ρ‹Ρ…Π»ΠΈΡ†ΠΊΠΈΠΉ Π‘. Π’. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ эллипсомСтрии Π² Π½Π°ΡƒΠΊΠ΅ ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅ // АвтомСтрия. 1997. -№ 1. — Π‘. 5−21.
  6. Aspnes D.E., Studna А.А. Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV // Phys. Rev. B. 1983. — V. 27. — № 2. — P. 985−1010.
  7. Vina L., Cardona M. Optical properties of ultraheavily doped germanium: Theory and experiment // Phys. Rev. B. — 1986. — V. 34. № 4. -P.2586−2598.
  8. Vina L., Cardona M. Effect of heavy doping on the optical properties and the band structure of silicon // Phys. Rev. B. 1984. — V. 29. — № 12. — P. 6739−6751.
  9. De Sande J.C.G., Afonso C.N., Escudero J.L. et al. Optical properties of laser-deposited a-Ge films: a comparison with sputtered and e-beam-deposited films // Appl. Opt. 1992. — V. 31. — № 28. — P. 6133- 6138.
  10. Aspnes D.E., Studna A.A., Kinsborn E. Dielectric properties of heavily doped crystalline and amorphous silicon from 1.5 to 6.0 eV // Phys. Rev. B. 1984. — V. 29. — № 2. — P. 768−780.
  11. Suto K., Adachi S. Optical properties of ZnTe // J. Appl. Phys. 1993. — V. 73,-№ 2.-P. 926−931.
  12. Aspnes D.E., Kelso S.M., Logan R. A. Bhat R. Optical properties of
  13. AlxGaixAs // J. Appl. Phys. 1986. — V. 60. — № 2. — P. 754−767.
  14. Vina L., Umbach C., Cardona M., Vodopyanov L. Ellipsometric studies of electronic interband transition in CdxHgixTe // Phys. Rev. B. 1984. — V. 29. -№ 12. — P. 6752−6760.
  15. Arvin H., Aspnes D.E. Nondestructive analysis of CdxHgixTe (x=0.00, 0.20, 0.29, and 1.00) by spectroscopic ellipsometry // J. Vac. Sei. Technol. A. 1984. -V. 2. -№ 3. -P.1316.
  16. Burkhard H., Dinges H. W., Kuphal E. Optical properties of In (.xGaxPi. yAsy, InP, GaAs, and GaP determined by ellipsometry // J. Appl. Phys. -1982.-V. 53.-P. 655−662.
  17. Biswas D., Lee H., Salvador A. et. al. Characterization of InxGaixP/GaAs grown by gas source molecular-beam epitaxy (0.35 < x < 0.60) by spectroscopic ellipsometry // J. Vac.Sei. Technol B. 1992. — V. 10. — № 2. -P. 962.
  18. Meyer F., Bootsma G. A. Ellipsometric investigation of chemisorption of clean silicon (111) and (100) surfaces // Surf. Sei. 1969. — V.16. — P. 221−233.
  19. Aliev. V.S., Kruchinin V. N., Baklanov M. R. Adsorption of molecular fluorine on the Si (100) surface: an ellipsometric study // Surf. Sei. 1996. — V. 347.-P. 97−104.
  20. Kruchinin V. N., Repinsky S.M., Shklyaev A.A. Monosilane adsorption and initial growth stages of silicon layers on the (100) and oxidized silicon surfaces // Surf. Sei. 1992. — V.275. — P. 433−442.
  21. Almeida L.A., Johnson J.N., Benson J.D. et al. Automated compositional control of HgixCdxTe during MBE using in situ spectroscopic ellipsometry // J. of Electronic Materials. V.27. — № 6. — P. 500−503.
  22. Butler S.W., Stefani J., Sullivan m. et al. Intelligent model-based control system employing in situ ellipsometry // J. Vac. Sei. Technol. A. 1994. V. 12.- № 4.-P. 1984.
  23. Duncan W.M., Henck S.A., Kuehne J. W. et al. High-speed spectral ellipsometry for in situ diagnostics and process control // J. Vac. Sei. Technol B. 1994. — V. 12. — № 4. — P. 2779
  24. Aspnes D.E. New developments in spectroellipsometry: the challenge of surface // Thin. Sol. Films. 1993. — V. 233. — P. 1−8.
  25. Kircher J., Gopalan S., Cardona M. Optical properties of the Y-Ba cuprates: mainly a band structure point of view // Spectroscopic Ellipsometry: Proc. Of the 1st Int. Conf. Paris, France, Jan. 11−14, 1993. — P. 522.
  26. Kircher J., Cardona M., Zibold A. et al. Optical investigation of room-temperature chain ordering in YBa2Cu307// Phys. Rev. B. 1993. — V. 48. -№ 13.- P. 9684−9688.
  27. Brink D.J., Lee M. E. Ellipsometry of diffractive insect reflectors // Appl. Opt. 1996. — V. 35. — № 12. — P. 1950−1955.
  28. Moog E.R., Bader S.D., Montano P.A. et al. Search for ferromagnetism in ultrathin epitaxial films: Cr/Au (100), Cr/Cu (100), and Fe/Cu (100) // Superlattices and Microstructures. 1987. — V. 3. — № 4. — P. 435−443.
  29. Bader S.D. Surface magneto-optic Kerr effect // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 1991. — V.100. — P. 440−454.
  30. Zak J., Moog E.R., Liu C., Bader S.D. Kerr effects // Journal of Magnetism and Magnetic Materials 1990. — V.89. — P. 107−128.
  31. Zak J., Moog E.R., Liu C., Bader S.D. Kerr rotation and ellipticity for Sand P-polarized light. // Phys. Rev. Lett. 1990. — V.43. — P. 6423−6450.
  32. Zak J., Moog E.R., Liu C., Bader S.D. Kerr effects // Journal of Magnetism and Magnetic Materials 1990. — V.88. — P. 261−290.
  33. А. Π’. ΠžΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ свойства ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ². M: Π€ΠΈΠ·ΠΌΠ°Ρ‚Π³ΠΈΠ·, 1961. — 464 с.
  34. Bader S.D. Qiu Z.Q. Surface magneto-optic Kerr effect (SMOKE) // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 1999. — V.200. — P. 664−678.
  35. Falicov L.M., Pierce D.T., Bader S.D., Gronsky R. SMOKE system. //
  36. Mater. Res. 1990. — V5. — P. 1299−1306.
  37. Bader S.D. SMOKE experiment. Experimental approaches // Proc. IEEE. -1990.-V.78.- P. 909−912.
  38. Ballentine C.A., Fink R.L., Araya-Pochet J. Erskine J.L. Vacuum magnet // Apple. Phys. 1989. — V.49. -P.677−685.
  39. Qian J.P., Wang G.C. Magnetic materials // Journal of Vacuum Sci. Technology. 1990. — V.8. — P.27−40.
  40. Edelman I.S., Kim P.D., Turpanov I.A., Morozova T.P., Betenkova A.Ja., Zabluda V.N., Bondarenko G.M. Kerr rotation and magnetic circular dichroism in Co/Si02 multilayers. 11 J. Magn. Mater. 1996. — V 109. — P. 1.
  41. Montano P.A., Fernando G.W., Cooper B.R. et al. Ferromagnetic and nonmagnetic phase of Fe on Cu. // Phys. Rev. Lett. 1988. — V.59. -P.l 041−1050.
  42. Liu C., Moog E.R., Bader S.D. Magneto-optical properties of Fe films // Phys. Rev. Lett. 1988. — V.60. — P. 2422−2436.
  43. Liu C., Bader S.D. The growth of Fe on Pd (100) // J. Appl. Phys. 1990. -V.67.-P. 57−58.
  44. Liu C., Bader S.D. The growth of Fe on Ru (0001) // Phys. Rev. Lett. 1990. -V.41.-P. 553.
  45. United States Patent № 5 311 285, Measuring method for ellipsometric parameter and ellipsometer / Oshige Π’., Yamada Π’., Kazama A.- published 10.05.1994.
  46. ΠŸΠ°Ρ‚. 2 302 623 Российская ЀСдСрация, ЭллипсомСтр / БпСсивцСв Π•. Π’., Π Ρ‹Ρ…Π»ΠΈΡ†ΠΊΠΈΠΉ Π‘. Π’., Π¨Π²Π΅Ρ† Π’.А.- ΠΎΠΏΡƒΠ±Π». 10.07.2007, Π‘ΡŽΠ». № 19.
  47. Krafft C.S., R.M. Josephs and D.S. Crompton. Magneto-optical Kerr effect hysteresis loop measurements on particulate recording media // IEEE Transaction on Magnetics. 1986. — V. MAG-22. — N. 5. — p. 662−664.
  48. United States Patent № 4 922 200, Apparatus for measuring hysteresis loop of magnetic film / Jackson L.D., Hills Π’., Moms D., Nagi T.J.- published0105.1990
  49. United States Patent β„– № 4 816 761, Apparatus for measuring the hysteresis loop of hard magnetic films on large magnetic recording disk / Josephs R.M.- published 28.03.1989
  50. Wrona J., Stobiecki Π’., Rak R., et al. Kerr magnetometer based on a differential amplifier // Phys. stat. sol. (a). 2003. — V. 196. — № 1. — P. 161−164.
  51. ΠœΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»ΡΡ€Π½ΠΎ-лучСвая эпитаксия ΠΈ Π³Π΅Ρ‚Сроструктуры.: ΠŸΠ΅Ρ€. Ρ Π°Π½Π³Π»./ Под Ρ€Π΅Π΄. JL Π§Π΅Π½Π³Π°, К ΠŸΠ»ΠΎΠ³Π°, — М: ΠœΠΈΡ€, 1989 584 с.
  52. Π’.П., НСизвСстный И. Π“., Π“Ρ€ΠΈΠ΄Ρ‡ΠΈΠ½ Π’. А. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ наноэлСктроники. Новосибирск, 2000. — 331с.
  53. Π“. Π‘., Π’ΠΎΠ»ΠΊΠΎΠ² Н. Π’., Кононов Π’. П. ВлияниС оптичСского излучСния Π½Π° ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ рСзонанс Π² Ρ‚рСхслойных ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ°Ρ… Fe/Si/Fe // Письма Π² Π–Π­Π’Π€.- 1998.-Π’. 68.-№ 4, — Π‘. 287−291.
  54. ВСхничСскоС описаниС ΠΈ ΠΈΠ½ΡΡ‚рукция ΠΏΠΎ ΡΠΊΡΠ»ΠΏΠ»ΡƒΠ°Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ эллипсомСтра Π›Π­Π€-751М. -Новосибирск, 2002. 50 с.
  55. ВСхничСскоС описаниС ΠΈ ΠΈΠ½ΡΡ‚рукция ΠΏΠΎ ΡΠΊΡΠΏΠ»ΡƒΠ°Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ установки «ΠΠ½Π³Π°Ρ€Π°». Новосибирск, 1986. — 72 с.
  56. Shvets V. A, Chikichev S.I., Pridachin D.N. et al. Ellipsometric study of tellurium molecular beam interaction with dehydrogenated vicinal silicon surfaces // Thin solid Films. 1998.-V. 313−314.-P.561−564.
  57. H.B., ΠŸΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ½ Π“. Π‘., ΠŸΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΠΎΠ²ΡΠΊΠΈΠΉ Π“. А. ΠΈ Π΄Ρ€. ΠœΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ΠΎΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π² ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π΅
  58. E11O0.7PbO0.3MnO, (монокристалл)/Π’Π΅ (ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ°) // Письма Π² Π–Π’Π€. 2003. — Π’.29. — № 5. Π‘.54−60.
  59. Π•. Π“., Кононов Π’. П., ПопСл Π’. М., ВСпляков Π£. И., Π₯удяков А. Π•. ΠœΠΎΠ΄Π΅Ρ€Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ установки молСкулярно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ эпитаксии «ΠΠ½Π³Π°Ρ€Π°» для получСния ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ ΠΈ ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² // ПВЭ. — 1997.-№ 2.- Π‘. 141.
  60. Ishizaka A., Shiraki Y. Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon MBE // J. Electrochem. Soc.: Electrochemical science and technology. 1986. — V. 133. — № 4. — P. 666−671.
  61. JI., ΠœΠ°ΠΉΠ΅Ρ€ Π”. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° повСрхности ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΡ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ. -М: ΠœΠΈΡ€, 1989.-344 с. 60.http://isp.nsc.ru
  62. Aspnes D.E., J.B. Theeten, F. Hottier. Investigation of effective-medium models of microscopic surface roughness by spectroscopic ellipsometry // Phys. Rev. B. 1979. — V. 20. — № 8. — P. 3292−3304.
  63. D.E. Aspnes. Microstructural information from optical properties in semiconductor technology // SPIE. 1981. — Optical Characterization Techniques for Semiconductor Technology. — Vol. 276.
  64. Π“. Π’. Π Π΅Π½Ρ‚Π³Π΅Π½ΠΎΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ флуорСсцСнтный Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ, слоСв ΠΈ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ. ΠŸΡ€Π΅ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ‚ ИЀБО-16Π€. — ΠšΡ€Π°ΡΠ½ΠΎΡΡ€ΡΠΊ, 1974. -40 с.
  65. Установка молСкулярно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ эпитаксии «ΠΠ½Π³Π°Ρ€Π°». Новосибирск, ИЀП Π‘ ΠžΠ ΠΠ, 1986.
  66. Π‘.Н., Π›Π΅ΠΏΠ΅ΡˆΠ΅Π² А. А., ΠžΠ²Ρ‡ΠΈΠ½Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² Π‘. Π“. ΠΈ Π΄Ρ€. Автоматизация тСхнологичСского оборудования для получСния многослойных структур Π² ΡΠ²Π΅Ρ€Ρ…высоком Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ΅ // ПВЭ. — 2004. — № 6. Π‘. 125.
  67. А.Π‘. АвтоматичСскоС Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅. М.: Π’Ρ‹ΡΡˆΠ°Ρ школа, 1986. -351 с.
  68. Π‘.Н., ΠŸΠ°Ρ€ΡˆΠΈΠ½ А.Π‘, ΠžΠ²Ρ‡ΠΈΠ½Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² Π‘. Π“. ΠΈ Π΄Ρ€. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ характСристики однослойных ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡΠ»ΠΎΠΉΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Fe/Si, 98ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… тСрмичСским испарСниСм Π² ΡΠ²Π΅Ρ€Ρ…высоком Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ΅ // Письма Π² Π–Π’Π€. 2005. — Π’. 31. — № 22. — Π‘. 1−8.
  69. Π”ΠΆ. Π“., Π€ΠΈΠ½ΠΊ К. Π”. ЧислСнныС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹. ИспользованиС Matlab. -М.: Π’ΠΈΠ»ΡŒΡΠΌΠ΅, 2001.-713 с.
  70. А. М., ΠšΠ»ΠΈΠ½Π°Ρ‡Ρ‘Π² Н. Π’., ΠœΠ°Π·ΡƒΡ€ΠΎΠ². Π’. М. ВСорСтичСскиС основы построСния эффСктивных АБУ Π’П // http://model.exponenta.ru/autoreg.ziphttp://model.exponenta.ru/auto reg. html
  71. Π”.Π“. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ-рСгуляторы Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹.http ://icm-tec .сот/
  72. Ким Π”. П. ВСория автоматичСского управлСния. М: Π€ΠΈΠ·ΠΌΠ°Ρ‚Π»ΠΈΡ‚, 2003.- 288 с.
  73. Π§. Π₯Π°Ρ€Π±ΠΎΡ€ Π . БистСмы управлСния с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связью. -М.: Лаборатория Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Π½ΠΈΠΉ, 2001. 616 с.
  74. Π’. А. Попов Π•.П. ВСория систСм автоматичСского управлСния. — Π‘Пб: ΠŸΡ€ΠΎΡ„Π΅ΡΡΠΈΡ, 2003. — 752 с.
  75. Π‘.Н., Bartolome J., Sese J. ΠΈ Π΄Ρ€. Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ эффСкты ΠΈ Π½Π°ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ многослойных ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… наноструктур (Fe/Si)n // Π€Π’Π’. 2007. — Π’. 49. -β„–.8, — Π‘. 1401.
  76. Π’.А., БпСсивцСв Π•. Π’., Π Ρ‹Ρ…Π»ΠΈΡ†ΠΊΠΈΠΉ Π‘. Π’. Анализ статичСской схСмы эллипсомСтричСских ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ // ΠžΠΏΡ‚ΠΈΠΊΠ° ΠΈ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€. 2004. -Π’.97. — № 3.-Π‘. 514−525.
  77. Π›. И. ΠšΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ шагового двигатСля. http://radiotech.by.ru/Shematic PCB/Avtomatika/step motor. htm
  78. Choi B.-Ch., Folsch S., Farle M. et al. Correlation of the magnetic properties with structure and morphology in ultrathin Fe films grown on Cu (311)// Phys. Rev. B. 1997. — V. 56. -№ 6. -P. 3271.
  79. C.H., ΠŸΠ°Ρ€ΡˆΠΈΠ½ A.C., ΠžΠ²Ρ‡ΠΈΠ½Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² Π‘. Π“. ΠΈ Π΄Ρ€. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ характСристики однослойных ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡΠ»ΠΎΠΉΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ
  80. Π‘.Н., ΠšΠΎΡΡ‹Ρ€Π΅Π² H.H. БистСма управлСния испаритСлями Π² ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ молСкулярно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ эпитаксии «ΠΠ½Π³Π°Ρ€Π°» // Π‘Π±ΠΎΡ€Π½ΠΈΠΊ тСзисов дСсятой всСроссийской Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€. студСнтов-Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΈ ΠΌΠΎΠ»ΠΎΠ΄Ρ‹Ρ… ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹Ρ… «Π’ΠΠšΠ‘Π€-10». Москва, 2004. — Π‘. 1036.
  81. Π‘.Н., ΠšΠΎΡΡ‹Ρ€Π΅Π² H.H. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ однослойных ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡΠ»ΠΎΠΉΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… структур Fe ΠΈ Si Π² ΡΠ²Π΅Ρ€Ρ…высоком Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ΅ // Π’Π΅Π·. Π΄ΠΎΠΊΠ». VII ВсСрос. Π½Π°ΡƒΡ‡. ΠΊΠΎΠ½Ρ„. «Π Π΅ΡˆΠ΅Ρ‚нСвскиС чтСния». ΠšΡ€Π°ΡΠ½ΠΎΡΡ€ΡΠΊ, 2003. — Π‘ 114−115.
  82. H.H., Π’Π°Ρ€Π½Π°ΠΊΠΎΠ² Π‘. Н. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ эллипсомСтрии Π² Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ получСния Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΡ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Fe ΠΈ Si // Π‘Π±ΠΎΡ€Π½ΠΈΠΊ тСзисов дСвятой всСроссийской Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€. студСнтов-Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΈ ΠΌΠΎΠ»ΠΎΠ΄Ρ‹Ρ… ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹Ρ…. «Π’ΠΠšΠ‘Π€-9». ΠšΡ€Π°ΡΠ½ΠΎΡΡ€ΡΠΊ, 2003. — Π‘. 590−591.
  83. Π‘.Н., ΠšΠΎΡΡ‹Ρ€Π΅Π² Н. Н. ИсслСдованиС процСсса роста Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΡ… слоСв крСмния in situ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ эллипсомСтрии // Π’Ρ€ΡƒΠ΄Ρ‹ мСТвузовской Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎΠΉ конфСрСнция «ΠœΠΎΠ»ΠΎΠ΄Π΅ΠΆΡŒ ΠΈ Π½Π°ΡƒΠΊΠ° — Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅ тысячСлСтиС». — ΠšΡ€Π°ΡΠ½ΠΎΡΡ€ΡΠΊ, 2003. Π‘. 317.
  84. Н.Н., Π’Π°Ρ€Π½Π°ΠΊΠΎΠ² Π‘. Н. ИсслСдованиС Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΡ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Fe ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ эллипсомСтрии // Π‘Π±ΠΎΡ€Π½ΠΈΠΊ тСзисов дСсятой всСроссийской Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€. Π‘Ρ‚ΡƒΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²-Π€ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΈ ΠΌΠΎΠ»ΠΎΠ΄Ρ‹Ρ… ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹Ρ… «Π’ΠΠšΠ‘Π€-10». -Москва, 2004. Π‘. 191−192
  85. H.H., Π’Π°Ρ€Π½Π°ΠΊΠΎΠ² C.H., ΠžΠ²Ρ‡ΠΈΠ½Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² Π‘. Π“., Π₯удяков А. Π•. Автоматизированная систСма управлСния испаритСлями Π² ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ молСкулярно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ эпитаксии // ΠœΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ всСроссийского совСщания «ΠšΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ 2006». — ΠšΡ€Π°ΡΠ½ΠΎΡΡ€ΡΠΊ, 2006. — Π‘. 112
  86. Kosyrev N.N., Kolechin V.A., Zabluda V.N., Hudyakov A.E., Edelman I.S. and Ovchinnikov S.G. In situ SMOKE Measurements in ultrahigh vacuum by ellipsometry // Euro-Asian symposium «Magnetism on a nanoscale». -Kazan, 2007.-P. 264
  87. Н.Н., ΠžΠ²Ρ‡ΠΈΠ½Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² Π‘. Π“. Π€Π΅Ρ€Ρ€ΠΎΠΌΠ°Π³Π½Π΅Ρ‚ΠΈΠ·ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Π² Π΄Π²ΡƒΡ…слойной структурС Dy(i.X)Nix/Ni: магнитооптичСскиС измСрСния in situ // Письма Π² Π–Π­Π’Π€. 2008. — Π’. 88. — № 2. — Π‘. 152−154.
  88. Π‘.Н., ΠšΠΎΠΌΠΎΠ³ΠΎΡ€Ρ†Π΅Π² Π‘. Π’., Bartolome J., Sese S., ΠžΠ²Ρ‡ΠΈΠ½Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² Π‘. Π“., ΠŸΠ°Ρ€ΡˆΠΈΠ½ А. Π‘., ΠšΠΎΡΡ‹Ρ€Π΅Π² Н. Н. ИзмСнСниС намагничСнности ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡΠ»ΠΎΠΉΠ½Ρ‹Ρ… наноструктур Fe/Si Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ синтСза ΠΈ ΠΏΠΎΡΡ‚ростового Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π° // ЀММ. 2008. — Π’. 106. — № 1. — Π‘. 54−58
  89. Edelman I., Ovchinnikov S., Markov V., Kosyrev N., Seredkin V.,. Khudjakov A, Bondarenko G., Kesler V. Room-temperature ferromagnetism in Dy films doped with Ni // Physica B. 2008. — V. 403. — № 18. — P. 3295−3301.
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ