Физическое моделирование наноструктуры переходного элемента ИЛИ-HE (НСТЛ)
В схемотехнике для технической реализации функции Пирса (логической функции ИЛИ-HE) необходимо объединить инверторы по выходам. Число инверторов равняется числу логических входов элемента ИЛИ-HE (подробно синтез данной модели описан в главе 7). Это структура, которая расположена на области р[:. Структуре переходного элемента ИЛИ-HE с поверхностными переходами (слоистой структуре) соответствует… Читать ещё >
Физическое моделирование наноструктуры переходного элемента ИЛИ-HE (НСТЛ) (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Уравнение синтеза
Синтез математической модели элемента ИЛИ-HE (НСТЛ) осуществляется из моделей ИИ.
Воспользуемся моделью инвертора размерностью N=4 (содержащей 4 полупроводниковые области) (9.4):
В схемотехнике для технической реализации функции Пирса (логической функции ИЛИ-HE) необходимо объединить инверторы по выходам. Число инверторов равняется числу логических входов элемента ИЛИ-HE (подробно синтез данной модели описан в главе 7).
В результате синтеза получается абстрактная математическая модель размерностью N—5 (9.5).
Размерность модели зависит от количества логических входов (т) и определяется по формуле: N = 3 + т.
Генерация наноструктуры
В соответствии с вышеописанными алгоритмами генерации структуры возможны 4iV пространственных структур данного элемента, то есть их количество составляет 45 = 1 024.
Воспользуемся структурой, которая в данный момент наиболее технологична, то есть отличается легкостью и дешевизной реализации.
Это структура, которая расположена на области р[:. Структуре переходного элемента ИЛИ-HE с поверхностными переходами (слоистой структуре) соответствует структурная формула (9.6).