Статические характеристики идеализированного транзистора в схеме ОЭ

При включении ОЭ входные ВАХ могут быть получены из уравнения (IV.2.8b) с учетом очевидного равенства.

V_k = V_be-V_ce:

где AV = ф._;. ln[(P_v + Р,)/+Р_;)]Такимобразом, входные ВАХ аналогичны ВАХ идеализированного диода с тепловым током l'_s — /₁₅(P_V +Р,) / Р / (р _v + 1), сдвинутым вдоль оси напряжений V_hi. на величину ДБ (рис. IV.2.6, а, б). Обычно р _v «Р_;, и /* ~/₁₅/ р,. Если V_cr = 0, то ДЕ = 0 и входная ВАХ проходит через начало координат. При V_ce > ~ [3 + ln (p _v / р,) | ф_г ВАХ сдвигается вправо на матую величину Д V = <�р_г 1п (1 + Р_Л, /Р_;) = ~ ср₇ ln ((3_л, / р,). При V_a, < 0 входные ВЛХ сдвигаются в сторону меньших напряжений. Эта величина уже не является малой и при V_ce <~ —3(р_г составляет AV ~-V_ce.

Рис. IV.2.6. Входные ВАХ идеализированного кремниевого транзистора при включении ОЭ в мелком (а) и крупном (б) масштабах.

Выходные ВАХ (рис. IV.2.7) с учетом очевидного равенства V_k = V_he — V_ce могут быть получены из уравнений (IV.2.86) и (IV.2.8b) путем исключения напряжения V_be

где

• — тепловой ток коллектора в схеме ОЭ. Отметим следующие свойства выходных ВАХ в схеме ОЭ, представленных на рис. IV.2.7.
• 1. При Iи = 0 и V_ce > ~ 3(р_г ток коллектора

*.

2. При 1_В «рдт/^о и напряжении.

ток коллектора не зависит от напряжения V" и составляет.

Этот режим соответствует закрытому коллекторному переходу V_lk < —Зф₇, т. е. нормальному режиму работы транзистора.

Рис. IV.2.7. Выходные ВАХ идеализированного кремниевого транзиетора при включении ОЭ Структура выражения (IV.2.21a) показывает, что при закрытом коллекторном переходе ток коллектора складывается из управляемого тока р_Л,/_в и неуправляемого тока /_со. Идеализированный транзистор является идеальным источником тока. Коэффициент усиления тока (3_Л, можно измерить, используя соотношение.

Из соображений симметрии ясно, что в инверсном режиме при -V_ce > ~ Зф₇ ln (l +1 / Р _v) выполняется равенство где - тепловой ток эмиттера в схеме ОЭ. Соотношения (IV.2.17) — (IV.2.22) с учетом (IV.2.9) показывают, что для описания выходных ВАХ транзистора в схеме ОЭ удобно заменить параметры 1_Е0 и 1_С0 параметрами 1_Е0 и /_со, которые связаны между собой уравнением.

3. Область выходных ВАХ, где 1_С > 0 (в отличие от включения ОБ) целиком располагается в I-om квадранте (см. рис. IV.2.7). Нулевому значению коллекторного тока соответствует напряжение.