Динамические характеристики транзисторов

Переход транзистора из выключенного состояния во включенное (и наоборот) происходит не мгновенно, а в течение определенного для каждого типа транзистора времени. Инерционность переходных процессов обусловлена инерционностью процессов изменения концентрации носителей электрических зарядов в структуре транзистора и наличием в ней внутренних (собственных) емкостей.

Включение и выключение биполярного транзистора.

Предположим, что в момент времени t = t{) (рис. 1.12) в базу биполярного транзистора от источника тока управления поступает импульс тока с идеально крутым фронтом и значением IB[ > 1Вш. Так как напряжение на входной емкости СВЕ не может измениться скачком, начинается процесс ее заряда до некоторого напряжения, при котором начинается увеличение тока базы непосредственно в структуре транзистора (момент tx). Этот процесс определяет время задержки на включение td (ony В момент времени t = t2 заряд в базе достигает граничного значения Q^, соответствующего наступлению режима насыщения. Рост ic и спад иСЕ практически прекращаются. Время увеличения тока коллектора до значения Isat называют фронтом включения транзистора (?,•), а время включения ton = td (on) + tri. К моменту времени t = t3 в базе накапливается заряд QH = 0^и + AQ, где AQ — величина избыточного заряда.

Предположим, что в момент времени t = t_A в базу насыщенного транзистора поступает отрицательный (запирающий) импульс тока -1_В2. Под воздействием этого тока начнется интенсивное рассасывание избыточного заряда, что обусловливает интервал задержки па выключение t_{d (o}ny В момент времени t = t₃ транзистор выходит из состояния насыщения. Время спада тока коллектора определяет фронт выключения транзистора (^-), а время выключения t₀jf = + tp Из-за наличия собственной выходной емкости транзистора восстановление выходного напряжения и_СЕ заканчивается позже момента времени t = ?_б, когда i_c = 0.