Испарение летучего растворителя[4]

В летучем растворителе В в герметичной ампуле расположен тигель с раствором-расплавом нелетучего компонента А. Создадим распределение температур по высоте этой ампулы. Необходимо поддерживать температуры Т1, Т2 и градиент температур T постоянными по высоте тигля, который содержит раствор. В нижней части ампулы начальная температура T3 соответствует условию, что при T3 давление паров над поверхностью раствора, находящейся при температуре T1 равно давлению пара чистого компонента В. Если медленно понижать температуру Т3, то в нижней части ампулы начнется конденсация паров компонента В, а концентрация его в растворе начнет понижаться. Далее в этой области создаётся пересыщение, благодаря испарению компонента В, которое приводит к появлению зародышей кристалла. В то время как компонент В будет растворяться (из-за понижения температуры T3) область пересыщения постепенно будет сопровождаться ростом кристалла и перемещаться от дна к поверхности тигля, а состав раствора все время будет изменяться. От скорости изменения состава раствора зависит скорость роста кристалла, т. е. она зависит от скорости испарения. Зарождение кристаллов происходит самопроизвольно. Процесс следует проводить при очень малых скоростях роста, это позволяет получить несколько хорошо развитых кристаллов. Для того чтобы выращивать кристаллы этим методом, необходимо добиться совершенной стабилизации и регулирования температур. Явным преимуществом этого метода является отсутствие механических перемещений.