Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Технология изготовления монокристаллов вольфрамата свинца с улучшенными сцинтилляционными характеристиками

Диссертация: Технология изготовления монокристаллов вольфрамата свинца с улучшенными сцинтилляционными характеристиками
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Актуальность проблемы. Развитие современной физики и химии высоких энергий невозможно без регистрации и измерений параметров излучений высоких энергий. Сцинтилляционный метод регистрации ядерных излучений охватывает широкий круг вопросов, связанных с определением характеристик этого излучения. Монокристаллические сцинтилляторы по сравнению с другими имеют целый ряд неоспоримых преимуществ… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Механизмы сцинтилляции и ее характеристики. 6 Сравнительный анализ различных сцинтилляторов
    • 1. 2. Кристаллическая структура вольфрамата свинца
    • 1. 3. Сцинтилляционные свойства вольфрамата свинца. Влияние 24 процессов дефектообразования на сцинтилляционные свойства
    • 1. 4. Поведение компонентов систем РЬ→№-0 и РЬ-Мо-О при 35 высоких температурах
    • 1. 5. Выводы. Постановка задачи
  • ГЛАВА 2. Описание базового технологического процесса. 41 Оборудование
  • Глава 3. Анализ влияния процессов дефектообразования на люминесцентные и сцинтилляционные свойства кристаллов вольфрамата свинца
  • Глава 4. Выбор состава компонентов шихты и технологических режимов выращивания кристаллов вольфрамата свинца
  • Глава 5. Вопросы ресурсосбережения и стабильности технологического процесса
  • Глава 6. Методы контроля и измерений сцинтилляционных параметров кристаллов
    • 6. 1. Контроль фотоэлектронного выхода
    • 6. 2. Контроль временных и энергетических характеристик 86 сцинтилляций

Технология изготовления монокристаллов вольфрамата свинца с улучшенными сцинтилляционными характеристиками (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность проблемы. Развитие современной физики и химии высоких энергий невозможно без регистрации и измерений параметров излучений высоких энергий. Сцинтилляционный метод регистрации ядерных излучений охватывает широкий круг вопросов, связанных с определением характеристик этого излучения. Монокристаллические сцинтилляторы по сравнению с другими имеют целый ряд неоспоримых преимуществ — высокую радиационную стойкость, механическую прочность и др. Среди монокристаллических, сцинтилляторы на основе кислородных соединений обладают специфическими физико-химическими и эксплуатационными свойствами — возможностью получения монокристаллов с плотностью 7−10 г/см3 и короткими временами высвечивания, лежащими в диапазоне 1−100 не. Монокристаллы волъфрамата свинца по сравнению с другими известными сцинтилляционными монокристаллами обладают повышенной радиационной стойкостью и высоким временным разрешением. Хорошо известно, что люминесцентные свойства кристаллов являются структурно-чувствительными, то есть определяются локальными нарушениями периодической структуры решетки. В данном случае решение технологических задач лежит в области управления количеством и видом дефектов. Для химических соединений дефектность зависит не только от задаваемых внешних параметров кристаллизации — температуры, скорости кристаллизации, химического состава исходных компонентов, — но и от состава и давления газовой фазы, находящейся в контакте с растущим кристаллом. Поэтому разработка и усовершенствование технологии выращивания монокристаллов РЬ>Ю4 с заданными свойствами является актуальной проблемой.

Работа выполнялась по программам Международного научно-технического центра (Москва) № 354, 354 В и 1718.

Цель работы заключалась в разработке и усовершенствовании технологии выращивания кристаллов РЬ>Ю4 с заданной дефектностью, которая определяет качественные характеристики кристалловоптическую однородность, световой выход сцинтилляций, прочность к механическим воздействиям.

Научная новизна работы заключается в том, что на основе анализа дефектов кристаллической структуры и их влияния на характеристики радиолюминесценции были разработаны новые рецептуры шихты и режимы выращивания монокристаллов, которые обеспечивали высокий выход кристаллов с заданными потребительскими свойствами.

Предложено использование добавок оксидов лантана, иттрия и ниобия, предотвращающих образование оптически активных дефектов, которые ответственны за наведенное поглощение в кристаллах и, как следствие, за ухудшение световыхода. Обоснованы нужные концентрации добавок в составе шихты. Установлены процессы образования дефектов нестехиометрии, связанные с диспропорционированием РЬ>№ 04, которые существенно уменьшаются при использовании для выращивания кристаллов в качестве исходного сырья вместо оксида свинца (РЬО) РЬз04. Обоснованы требуемые соотношения РЬз04 и >Юз. Найдено, что добавки молибдена в виде РЬМо04 приводят к существенному увеличению светового выхода и смещению максимума суммарной интенсивности люминесценции к длине волны 520 нм. Обоснована требуемая концентрация РЬМо04 в составе шихты.

Практическая значимость работы. Усовершенствована промышленная технология выращивания сцинтилляционного монокристалла РЬ>Ю4 по методу Чохральского диаметром до 50 мм и длиной до 270 мм. Данная технология обеспечивает световой выход ~29 фотоэлектронов/МэВ, максимум люминесценции, отвечающий длине волны 520 нм. Выбраны соотношения компонентов шихты, технологические параметры процесса выращивания: состав газовой среды (азот или аргон) с примесью кислорода, ориентация затравки относительно расплава и скорость охлаждения монокристалла после окончания процесса выращивания. Реализованная технология является ресурсосберегающей, так как позволяет увеличить число кристаллизаций из одного тигля с 6 до 14, а также повторно использовать кристаллы, забракованные по механическим повреждениям и отходы резки кристаллов.

Разработана методика контроля сцинтилляционных характеристик кристаллов (светового выхода, длительности сцинтилляций). По результатам исследований реализовано производство сцинтилляционных кристаллов для применения на ускорителе нового поколения LHC (ЦЕРН). Годовой выпуск составляет 3−3.5 тыс. штук стоимостью ~1 млн. US $.

Технологические решения защищены двумя патентами РФ. Публикации и апробация результатов. Основные положения, результаты и выводы работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: Международная конференция по неорганическим сцинтилляторам и их применению (1997, Shanghai, China- 1999, Москва- 2001, Chamonix, France- 2003, Valencia, Spain,.) — IEEE'2000 Nuclear Science Symposium (2000, Lyon, France).

Сцинтилляторы, описанные в диссертации, представлялись на выставке научно-технических достижений проводимой Международным научно-техническим центром (Москва) в ЦЕРНе в 2001 г. По теме диссертации опубликовано 11 печатных работ. Из них два патента РФ и 4 статьи.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, шести глав, заключения и списка литературы. Общий объем работы составляет 107 страниц, включая 27 рисунков, 13 таблиц и Приложения.

Список литературы

содержит 95 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. На основе анализа процессов дефектообразования и их влияния на люминесцентные свойства разработана и внедрена технология производства сцинтилляционных элементов с высокими эксплуатационными характеристиками на основе монокристаллов вольфрамата свинца.

2. Показано, что в процессе роста кристаллов в них появляются дефекты нестехиометрии, обусловленные вакансиями кислорода и свинца. Установлено, что для радиолюминесценции наиболее нежелательными из них являются дефекты, обусловленные вакансиями кислорода. Легирование кристаллов оксидами трехвалентных редкоземельных металлов и использование для синтеза РЬ304 вместо РЬО приводит к снижению концентрации этих дефектов и улучшению светового выхода сцинтилляций.

3. На основе полученных данных предложены и обоснованы составы компонентов шихты (>ЛЮ3:РЬэ04 в молярном отношении 3:1) с добавками оксидов иттрия, лантана или ниобия в количестве от 0.001 до 0.1 вес.%. Определены наиболее эффективные технологические режимы роста кристаллов: состав газовой среды (N2 или Аг и 0.1 об.% 02), пространственное ориентирование затравки, кристаллографическая, ориентация направления роста (0−10° по отношению к оси 'а'), скорость охлаждения монокристалла после окончания процесса менее 150 °С/час, температурный интервал 1110−1150 °С, скорость вращения кристалла 1−50 об/мин, а скорость вытягивания 1−12 мм/час.

4. Разработан новый сцинтиллятор на основе вольфрамата свинца, включающий помимо добавок оксидов иттрия, лантана или ниобия добавки молибдена (0.03−0.08 вес.%), что позволяет сместить характеристики его люминесценции в более удобную для регистрации длинноволновую область спектра.

5. Показано, что разработанные решения приводят к ресурсосбережению, так как позволяют увеличить число кристаллизаций из одного тигля с 6 до.

14, а также повторно использовать кристаллы, забракованные по механическим повреждениям и отходы резки кристаллов. 6. Разработана методика контроля сцинтилляционных характеристик кристаллов: светового выхода и длительности сцинтилляций. Данная методика существенно уменьшает время испытаний и повышает точность результатов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Физическая энциклопедия //Большая российская энциклопедия / Гл. ред.
  2. A.M. Прохоров. М. 1998. Т. 5. С. 41.
  3. Klienknecht K.//Detektoren fur Teilchenstrahlung/ B.G. Teubner. Stuttgart, 1987. P.320.
  4. А.И. Ахиезер, Н. Ф. Шульга. Электродинамика высоких энергий в веществе. М.: Наука. 1993. С. 344.
  5. М.А. Кунахов, Г. Ширмер. Атомные столкновения в кристаллах. М.: Атомиздат. 1980. С. 192.
  6. Ю.В. Готт Взаимодействие частиц с веществом в плазменных исследованиях. М.: Атомиздат. 1978. С. 272.
  7. A., Korzhik М., Lecoq P. //Inorganic scintillators and Their Applications /Eds.: Auffray, R. Chipaux, P. Lecoq et al. //North-Holland, 2002. P.381.
  8. Murk V., Natozov В., Yarochevich N. Complex oxides: Electron excitations and their relaxation.// Radiation measurements. -1995.- V. 24.- PP. 371 374.
  9. P., Dafinei I., Auffray E. // Preprint CERN-PPE/94−225, CMS TN/94−308, December 1994.
  10. Henderson В., Imbusch G.F. Optical Spectroscopy of Inorganic Solids. Clarendon, Oxford. 1989. P.460.
  11. Ю.К., Махмедов Т. Г., Осико B.B., Прохоров A.M., Сакун
  12. B.П., Щербаков И. А. Исследование природы безызлучательной релаксации энергии возбуждения в конденсированных средах с высоким содержанием активатора. // ЖЭТФ. -1976.- Т. 71, вып.12. -С. 478 497.
  13. Suzuki Н., Tambrello T., Melcher C.L. UV and gamma-ray excited luminescence of cerium-doped rare-earth oxyorthosilicates. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. -1992. -V.A320.- P.P.263 272.
  14. И. В., Полингер В. З. Вибронные взаимодействия в молекулах и кристаллах. М.: Наука, 1983. 273 С.
  15. Д. Введение в теорию поля лигандов. М.: Мир. 1964. 360 с.
  16. Morrison С. A. Host dependence of the rare-earth energy separation 4f-4f'. nlll J. Chem. Phys. -1980. -V.72, № 2.- P.P. 1001−1002.
  17. Bettinelli M., Moncorge R.//Journ. Luminescence.- 2001.- V. 92.- P.287.
  18. P. // Journ. Luminescence. -2000. -V. 91.- P.91.
  19. Borisevich A., Korzhik M., Lecoq P. Luminescence of Ce doped oxygen crystalline compounds based on Hf and Ba. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res.-2003. V. A497.- P.P.206 209.
  20. A.A., Шульгин Б. В., Москвин A.C. Ванадиевые кристаллофосфоры. М.: Наука. 1976. 179 С.
  21. А.А., Кара-Ушанов Ф.Ф., Паршин В. В. // Тр. Института химии АН СССР, Ур. отд. 1973. Т. 25. С. 71.
  22. М.В., Алексеев Ф. П. Луцик В.И. Сложные оксиды молибдена и вольфрама с элементами I-IV групп. М.: Наука, 1990, 256 С.
  23. V.G., Fedorov A.A., Korzhik M.V. // Inorganic scintillators and their application/ Eds.rF.D. Notaristefani et al. Charmonic, France. 1992. P.361.
  24. Кристаллы сцинтилляторов и детекторы ионизирующих излучений на их основе /J1.B. Отрощенко, С. Ф. Бурачас, Л. П. Гальчинский и др. Киев: Наукава Думка. 1998. 310 С.
  25. Zang Y. Holzwarth N.A.W., Williams R.T. Electronic band structures of the scheelite CaMo04, CaW04, PbMo04 and PbWCV/ Phys. Rev. В.-1998, № 20.-V.57. -PP. 12 738−12 750.
  26. Murk V. Electron excitation in PbWCV/ J. Phys.: Condens. Matter. -1996. V. 9.- P.P. 231−238.
  27. Niki M., Bohacek P., Mihokova E., Rosa J., Martini M. et.al. The doping of PbWC>4 in in shaping its scintillator characteristics // Radiation Measurements.-2001.- V. 33.- P.P.705−708.
  28. A.A., Трунев B.K., Спицин B.H. Фазовые диаграммы некоторых систем LiR(W04)2 R2(W04)3 (R=P.3.3.)// Докл. АН СССР.-1972.- Т.207, N6.- С. 1409 — 1412.
  29. С. В. Подберезская Н.В. Стабильные катионные каркасы в структуре фторидов и оксидов. Новосибирск: Наука. 1984.- 64 С.
  30. Kroger F.A. Some Aspects of the Luminescence of Solids. Elsevier Publ. Co. Amsterdam-New-York. 1948.
  31. E., Oeder R., Scharmann A. // Phys. Stat. Sol. (B) -1978.- V. 89. -P.375.
  32. E., Schwabe D., Scharmann A. // Z. Phys. -1978. V. -B30. -P.305.
  33. Bohm M., Erb О., Scharmann A. // Phys. Stat. Sol. (A).- 1984.- V.84. -P.291.
  34. Oeder R., Scharmann A., Schwabe D., Vitt В. Growth and properties of PbW04 and Pb (W04)i-XMo04)^ mixed crystals. // J.Crystal. Growth.- 1978.-V.43. -P.P.537−540.
  35. Kobayshi M., Ishii M., Usuki Y. PbW04 scintillator at room temperature. // Heavy scintillators for scintific and industrial applications / Eds.:F.De Notaristefani, P. Lecog, M. Schneegans, Frontiers. 1992. P.375.
  36. Nagornaya 1., Ryzhicov V. Fast scintillator based on large «heavy» tungstate single crystals //Heavy scintillators for scientific and industrial applications /Eds.: F. De Notaristefani, P. Lecog, M. Schneegans, Frontiers. 1992. P.367.
  37. Korzhik M.V. PbW04 scintillator. Current status of R&D //Inorganic scintillators and their applications / Eds.: P. Dorenbos, C. W. E. Eijk. Delft University Press, 1995. -P.P. 241−248.
  38. Annenkov A., Kostilev V., Liogun V. etal. Progress in R&D of PbW04 for CMS ECAL //Inorganic scintillators and thei applications / Eds.: Yin Zhiwen, Li Peijun, Feng Xiqi et al. Shanghai, September, 1997.- P.P. 362−367.
  39. Auffray E., Devies G., Lecoq P. et.al. Status of PWO crystals from Bogoroditsk after one year of preproduction for CMS-ECAL// Inorganic scintillators and thei applications / Ed. V. Mikhailin. Moscow State University.-2000.- V.236.- P.P. 201−205.
  40. Auffray E., Lecoq P., Korzhik M. et. al. Improvement of several propertiesof lead tungstate with different doping ions // CMS NOTE 97/54, July 8, 1997.
  41. Annenkov A.A., Korzhik M.V., Lecoq P. Lead tungstate scintillation material. //Nucl. Instr, Meth. Phys. Res. -2002. -V. A490.- P.P.30 50.
  42. E. Г. Фотопроводимость и люминесценция в кристаллах со структурой шеелита. //ФТТ.- 1981. -Т. 23, № 3.- С. 2514−2516.
  43. Annenkov A. A., Fedorov A. A., Galez P. et. al. The influence of additional doping on the spectroscopic and scintillation parameters of PbW04 crystals// Phys. Stat. Sol. (A). -1996. V. 156.- P.P. 493−504.
  44. M. V., Pavlenko V. В., Timoshenko T. N. et al. Spectroscopy and origin of radiation centers and scintillation in PbW04 crystals // Phys. Stat. Sol. (A). -1996. -V. 154.- P.P. 779−788.
  45. Kobayashi M., Usuki Y., Ishi M. et. al. Radiation hardness of doped PbW04 // Inorganic Scintillators and Their Application / Ed. V. Mikhailin. Moscow State University, 2000. P.P. 137−146.
  46. Baccaro S., Borgia В., Cavallari F. et. al. // Journ. Luminescence. -1997. -V. 72−74. -P. 748.
  47. Baccaro S., Barone L. M., Borgia B. et al. The influence of defect states on scintillation characteristics of PbWO^/ Radiation and Def. Solids. -1999.1. V. 150.-P.P. 15−19.
  48. Lammers M. J., Zhang Y. C., Abraham Y. Inorganic scintillators and ther applications / Ed.: V. Mikhailin. Moscow State University.- 2000.- P. 118.
  49. Han B., Feng X., Hu G. et. al. Annealing effects and radiation damage mechanism of PbW04 single crystals // J. Appl. Phys. -1999. -V. 86.- P. 3571.
  50. Baccaro S., Borgia B. Dafinei I. et al. Tungstate Crystals // Proc. Int. Workshop on Tungstate Crystals, Rome, October 12−14,1998.- P.393.
  51. Lin Q., Feng X., Man Z., Shi Z., Zhang Q. Formation of the 350 nm intrinsic color center in PbW04 crystals // Phys. Stat. Sol. (A).- 2000.-V. 181, № 1 -P.P. 1−3.
  52. Baccaro S., Bohacek P., Borgia B., Cecilia A., Dafinei I., Diemoz M. et.al. Influence of La3±dopping on radiation hardness and thermoluminescence characteristics of PbW04 // Phys. Stat. Sol. (A). -2000.- V. 178, № 2. P.P. 799−804.
  53. Niki M., Nitsch K., Hubler J. et.al. // Phys. Stat. Sol. -(B). 1997. -V. 196.-P. 7.
  54. Niki M., Rosa J., Nitsch K. et. al. // Mat. Sei. Forum. -1997. -V. 239−241.-P. 271.
  55. Lin Q., Feng X., Man Z. Computer simulation of intrinsic defects in PbW04 // Phys. Rev. B. -2001. -V. 63.- P.P. 134 105−134 112.
  56. Shi C., Wei Y., Yang X. et. al. // Chem. Phys. Lett. -2000. -V. 328. -P. 1
  57. Zhu W. L, Feng X. Q., Huang Y. L., Lin Q.S., Wu Z.H. Doping mechanism of heavy doped PbW04: La3+// Phys. Stat. Sol. (A). -2002. -V. 193, № 2 -P.P. 211−216.
  58. Shpinkov I. N., Kamenskikh I. A., Kirm M., Kolobanov V.N., Mikhailin V.V., Vasilev A.N., Zimmere G. Optical function and luminescence quantum yield of lead tungstate //Phys. Stat Sol. (A). -1998. -V. 170,№ 1.-P.P. 167−173.
  59. Itoh M., Yakota H., Horimoto M., Fujita M., Usuki Y. Urbach rule in PbW04 // Phys. Stat. Sol. (B). -2002. -V. 231.- P.P. 595−600.
  60. Sumi К, Toyazawa Y. //J. Phys. Soc. Japan. -1971. -V. 31.- P. 342.
  61. Murk V., Nikl M., Mihokova E., Nitsch K. A study of electron excitations in CaW04 and PbW04 single crystals// J. Phys.: Condens. Matter.- 1997.-V9.-P.P.249−256.
  62. Nikl M., Nitsch K., Polak K. et. al. Slow components in the photoluminescence and scintillation decays of PbW04 single crystals// Phys. Stat. Sol. (B). -1996. -V. 195. -P.P.311−316.
  63. Chupka W.A., Berkowitz J., Giese C.F. Vaporization of Beryllium Oxide and Its reaction with Tungsten// J.Chem. Phys. -1959. -V. 30, N3. -PP. 827−834.
  64. Bennett S.L., Lin S.S., Cilles P.W. // J. Phys. Chem.- 1974.- V.78, N 3.-P.266.
  65. Balducci G., Gigli G., Guido M. The vapor composition of europium-tungsten-oxygen molecules // High Temp. Sci.- 1977.- V.9, N 3.- P.P. 149−153.
  66. Balducci G., Gigli G., Guido M. Thermodynamic study of gaseous ternary europium-tungsten-oxygen molecules// J. Chem. Phys.- 1977.- V. 67, N 1.- P.P. 147−151.
  67. А.Г., Ратьковский И. А. О существовании тяжелых молекулярных форм в паровой фазе системы Sn02- 2W03. В кн.: Химия и химическая технология., Минск: Вышэйшая школа. 1982, вып. 17, С. 126.
  68. Drowart J., Colin Е., Exsteen G. Mass-spectrometric study of the vaporization of lead monoxide. Dissociation energy of PbO// J. Chem. Soc., Faraday Trans.- 1965.- V. 61, N 511, pt 7.- P. P.1376−1383.
  69. E.K., Чижиков Д. М., Цветков Ю. В. О составе пара из оксида свинца.//Докл. АН СССР- 1968.-Т. 181,№ 1.-С. 158−159.
  70. Д. М. Казенас Е.К., Цветков Ю. В. // Изв. АН СССР, Металлы.-1969.-№ 5, С. 57.
  71. F. М., Germs Н. С. Z. // Inorg. Alig. Chem. 1921.- V. l 19.- P. l57.
  72. Н. П., Беляев И. Н. Исследование системы Bi203 WO3 -РЬО // Журнал Неорг. Хим. 1962.- т. VII, вып. 11.- С. 2591−2525.
  73. Л.А., Герасимов Я. И., Резухина Т. Н., Симанов Ю. П. Равновесие вольфрамата свинца с водородом и термодинамические характеристики PbW04. // Докл. АН СССР.- I960.- Т.131, № 5. -С.1130 -1134.
  74. Д.М., Казенас Е. К., Цветков Ю. В. // Докл. АН СССР.- 1968, т. 181, № 1, с. 158.
  75. The Electromagnetic Calorimeter. Technical Design Report. CERN. LHCC 07 33. CMS TDfc.- 13 of December. 1997.
  76. А.А. Процессы роста кристаллов. M.: РХТУ им. Д. И. Менделеева, 1999.-176 с.
  77. Р. Теория вероятностей: Математическая статистика. Статистический контроль качества. М.: Мир. 1970. 368 С.
  78. Mills F. Statistical methods. New-York: Columbia University. 1955. 304 P.
  79. И.Г., Венецкая В. И. Основные математико-статистические понятия и формулы. М.: Статистика. 1979. 447 С.
  80. Alves F., Hofstaetter A., Leiter F. et.al. Green emitting molybdate complexes in PbW04- results of an ODMR study// Radiation Measurements.-2001. -V.33.- P.P.641−644.
  81. Bohm M., Henecker F., Hofstaetter A., Luh M., Meyer В. K., Sharmann A., Metag V., Novotny R., Kondratiev О. V., and Korzhik M. V. Shallow Electron
  82. Traps in the Scintillator Material PbWC>4 and their Correlation to Thermally Stimulated Luminescence, in Tungstate Crystals. / Proc. Intern. Workshop on Tungstate Crystals (Eds. S. BACCARO, B. BORGIA, I. DAFINEI, E. LONGO), Roma, P. 141, 1998 M.
  83. Hofstaetter A., Alves F., Bohm M. et.al.Spectroscopic characterization of the defects in tungstate scintillators // Proceedings of IX Int. Conference SCINT'99., August 16−20, Moscow State University. 1999. -P.P.128−136.
  84. A., Bohm M., Borisevich et.al. // Proceedings of IX Int. Conference SCINT'99., August 16−20, Moscow State University, 1999.- P.98.
  85. Vedda A., Martini M., Meinardi F. et.al. // Proceedings of IX Int. Conference SCINT'99., August 16−20, Moscow State University. 1999. -P.309.
  86. Laguta V.V., Rosa J., Zaritski M. I., Niki M., Usuki Y.// J. Phys. Condensed Matter. -1998.- V.10.- P. 7293.
  87. Laguta V.V., Hofstaetter A., Meyer B.K., Martini M., et.al. Photoinduced (W04) -La center in PbW04: Electron spin resonance and thermally stimulated luminescence study //Phys. Rev. (B).- 2000.-V.62.-P.P.10 109−10 114.
  88. Williams R.T., Yochum H.M., User K.B. et.al. Picosecond and nanosecond time-resolved study of luminescence and absorption of CdW04 and PbWO^/ Proceedings of IX Int. Conference SCINT'99., August 16−20, Moscow State University. 1999. -P.P.336−341.
  89. Millers D., Chernov S., Grigorieva L. et.al. Luminescence and transient absorption of doped PbW04 scintillator crystals// Proceedings of IX Int. Conference SCINT'99., August 16−20, Moscow State University. 1999.-P.P.613.618.
  90. Annenkov A.N., Auffray E., Korzhik M.V., Lecoq P., Peigneux J.-P. On the origin of the transmission damage in lead tungsate crystals under irradiation// Phys. Stat. Sol (A). -1998. -V.170, № 1 -P.P.47−62.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!