Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Повышение эффективности операции разрезания заготовок из хрупких неметаллических материалов путем активации элементов технологической системы

Диссертация: Повышение эффективности операции разрезания заготовок из хрупких неметаллических материалов путем активации элементов технологической системы
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Экспериментально подтвержден сделанный в главе 2 вывод о влиянии наложения интенсифицирующих УЗ-колебаний на качество отрезанных пластин. Установлено, что наибольшую эффективность показал способ разрезания неметаллических заготовок с наложением на последние УЗ-колебаний перпендикулярно вектору скорости врезной подачи отрезного круга (? = 90°): шероховатость поверхности пластин после операции… Читать ещё >

Содержание

  • Список основных сокращений и символов

ГЛАВА 1. ТЕХНОЛОГИЯ И ТЕХНИКА РАЗРЕЗАНИЯ СЛИТКОВ И ЗАГОТОВОК ИЗ ХРУПКИХ НЕМЕТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ. ЦЕЛЬ И ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЙ.

1.1. Место операции разрезания в современных технологических процессах изготовления изделий из хрупких неметаллических материалов.

1.2. Технология и техника разрезания слитков и заготовок из хрупких неметаллических материалов на пластины.

1.2.1. Многолезвийное разрезание.

1.2.2. Разрезание бесконечной ленточной пилой.

1.2.3. Разрезание абразивом с помощью проволоки.

1.3. Разрезание слитков и заготовок из хрупких неметаллических материалов алмазными отрезными кругами с наружной режущей кромкой.

1.4. Разрезание заготовок на пластины алмазными отрезными кругами с внутренней режущей кромкой.

1.5. Способы повышения эффективности разрезания отрезными кругами АКВР.

1.6. Выводы. Цель, задачи исследований.

ГЛАВА 2. ТЕОРЕТИКО-ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА РАЗРЕЗАНИЯ ЗАГОТОВОК АЛМАЗНЫМИ ОТРЕЗНЫМИ КРУГАМИ.

2.1. Математическая модель формирования параметров качества пластин на операции разрезания заготовок кругами АКВР.

2.1.1. Формирование прогиба пластин.

2.1.2. Математическая модель формирования нарушенного слоя на операции разрезания слитков кругами АКВР.

2.2. Аналитическое решение задачи теплообмена при разрезании неметаллических заготовок отрезными кругами АКВР

2.3. Численное решение задачи теплообмена при разрезании неметаллических заготовок отрезными кругами АКВР.

2.4. Численное моделирование тепловой напряженности процесса разрезания с применением устройств активации.

2.5. Выводы

ГЛАВА 3. МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. НАУЧНАЯ АППАРАТУРА И ^ ОБОРУДОВАНИЕ.

3.1. Показатели эффективности процесса разрезания.

3.2. Контролируемые параметры. Методы и средства измерения.

3.3. Условия проведения исследований и техника эксперимента

3.4. Метрологическая оценка показателей эффективности процесса разрезания.

3.5. Планирование экспериментов, состав и количество опытов.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ОПЕРАЦИИ РАЗРЕЗАНИЯ ЗАГОТОВОК ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ.

ОПЫТНО-ПРОМЫШЛЕННЫЕ ИСПЫТАНИЯ.

4.1. Влияние состава и способа подачи СОТС на микро-и макрогеометрию пластин и производительность разрезания заготовок кругами АКВР.

4.2. Исследование влияния наложения УЗ-колебаний на заготовку на качество отрезанных пластин и производительность операции разрезания кругами АКВР.

4.3. Исследование влияния наложения УЗ-колебаний на заготовку на производительность разрезания и качество отрезанных пластин при одновременной подаче аэрозоли перед зоной резания.

4.4. Опытно-промышленные испытания технологии разрезания заготовок из хрупких неметаллических материалов кругами АКВР с наложением УЗ-колебаний на заготовку и подачей в зону резания аэрозоли.

4.5. Источники и методика расчета экономической эффективности.

4.6. Выводы.

Повышение эффективности операции разрезания заготовок из хрупких неметаллических материалов путем активации элементов технологической системы (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Стремительное развитие полупроводниковой электроники, создание новых видов и классов приборов, резкое уменьшение размеров их активных областей заметно отразилось на росте требований к качеству изготовления полупроводниковых подложек, что привело к повышению уровня развития техники и технологической оснащенности операций обработки заготовок из полупроводниковых материалов по сравнению с обработкой заготовок из других неметаллических материалов. В связи с этим анализ технологии обработки заготовок из полупроводниковых материалов дает наиболее полное представление о процессах обработки заготовок из хрупких неметаллических материалов.

Операция разрезания заготовок из хрупких неметаллических материалов на пластины, являясь основной заготовительной операцией, в ходе выполнения которой происходит формообразование пластин, не может обеспечить требуемого их качества. В силу технологической наследственности дефекты микрои макрогеометрии пластин переносятся с заготовительной операции (разрезания) на отделочные (алмазное и химико-механическое полирование). Поэтому важно уже на операции разрезания получить пластины с наименьшими дефектами.

Уменьшение размеров элементов современных интегральных схем позволяет увеличить плотность упаковки приборов на полупроводниковой пластине, что приводит к ужесточению требований не только к качеству поверхностного слоя (толщине нарушенного слоя и шероховатости поверхности), но и к геометрическим и электрофизическим параметрам полупроводниковой пластины (толщине, клину, прогибу). Исследования также показывают, что толщина наращиваемых эпитаксиальных пленок зависит от величины и формы прогиба пластины, поэтому выход годных кристаллов зависит от геометрических параметров полупроводниковых пластин. Обеспечение минимального прогиба пластины после разрезания — основное условие для качественного проведения литографического процесса на готовых подложках.

Наблюдающаяся в последние годы тенденция к увеличению диаметров подложек и плотности размещения на них элементов топологии в свою очередь приводит к ужесточению требований к гео-ц метрической форме и качеству поверхностей пластин. Следовательно, проблема получения на операции разрезания совершенных пластин становится еще более актуальной.

Существенно улучшить характеристики отрезанных пластин можно путе*м рационального применения смазочно-охлаждающих технологических средств (СОТС), роль которых, как обязательного элемента технологического обеспечения операции разрезания, об-щепризнана. Между тем, несмотря на то, что применение тонкораспыленных жидкостей на операциях механической обработки показало в свое время значительную технологическую эффективность, возможность и эффективность применения на операции разрезания заготовок из хрупких неметаллических материалов в качестве СОТС аэрозоли не исследованы. Не выявлена также эффективность ультразвуковой активации при разрезании. В связи с этим необходимы исследования, направленные на разработку различных способов УЗой активации элементов технологической системы (ТС) при разрезании и выявление их технологической эффективности.

В настоящей диссертационной работе представлен комплекс теоретико-экспериментальных исследований влияния наложения УЗ-колебаний на элементы ТС и использования в качестве СОТС аэрозоли на качество пластин из неметаллических материалов и производительность операции разрезания заготовок (слитков) из этих материалов.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Результаты теоретико-экспериментальных исследований: влияния тепловой напряженности процесса разрезания на формирование макрои микропрофиля пластин из хрупких неметаллических материаловвлияния различных способов подачи аэрозоли в зону резания на тепловую напряженность процесса разрезания, толщину нарушенного слоя, шероховатость и прогиб отрезанных пластинформирования нарушенного слоя, микрои макрогеометрии пластин в ходе разрезания заготовок (слитков) с наложением интенсифицирующих УЗ-колебаний.

2. Результаты экспериментальных исследований влияния на качество пластин и производительность разрезания способа подачи аэрозоли в зону обработки и ее расходаналожения УЗ-колебаний на заготовку в процессе разрезанияналожения УЗ-колебаний на заготовку в процессе разрезания и одновременной подачи аэрозоли в зону обработки.

3. Результаты опытно-промышленных испытаний и внедрения разработок в промышленность.

4.6. Выводы.

1. Экспериментально подтвержден вывод о влиянии способа подачи (расположения сопел относительно режущей кромки и разрезаемой заготовки) и расхода аэрозоли на качество отрезанных пластин, полученный в главе 2.

2. Установлено, что для повышения качества поверхности и точности формы пластин на операции разрезания монокристаллического кремния 076 мм кругами АКВР наиболее эффективно подавать перед зоной резания аэрозоль на режущую кромку отрезного круга параллельно его оси с расходом 0,4 дм /ч, а после зоо ны резания — СОЖ поливом с расходом 1 дм /мин. При этом уменьшаются: прогиб пластин f в 2,1 раза, отклонение от параллельности сторон пластины An — в 1,7 раза, толщина нарушенного слоя — в 2,7 раза и шероховатость поверхности пластин по параметрам Ra, Rmax и Rz — на 60%.

3. Доказано, что с увеличением скорости врезной подачи отрезного круга Vs при использовании аэрозоли точность формы отрезанных пластин повышается: f уменьшается в 1,6 раза, a An — на 29%, толщина нарушенного слоя hp уменьшается в 2 — 2,3 разаRa — в 1,6 — 1,8 разаRmax — в 1,4 — 1,7 раза и Rz — на 55 — 68%.

4. Экспериментально подтвержден сделанный в главе 2 вывод о влиянии наложения интенсифицирующих УЗ-колебаний на качество отрезанных пластин. Установлено, что наибольшую эффективность показал способ разрезания неметаллических заготовок с наложением на последние УЗ-колебаний перпендикулярно вектору скорости врезной подачи отрезного круга (? = 90°): шероховатость поверхности пластин после операции разрезания со скоростью врезной подачи 60 мм/мин уменьшилась по параметру Ra по сравнению с традиционным разрезанием в 2,1 разатолщина нарушенного слоя уменьшилась в 1,4 разаснизились средний шаг неровностей по вершинам S и по средней линии Sm на 35% в результате «подшлифовки» поверхности пластины торцом режущей кромки кругапри повышении скорости врезной подачи уменьшились прогиб и отклонение от параллельности пластин за счет защемления режущей кромки круга в (1,5 — 1,9) раза. Предлагаемый способ разрезания позволил повысить производительность операции разрезания за счет увеличения скорости врезной ф подачи Vs с 30 до 60 мм/мин.

Доказано, что наложение УЗ-колебаний на заготовку при разрезании кругами АКВР с одновременной подачей аэрозоли перед зоной резания позволяет по сравнению с традиционным разрезанием повысить производительность за счет увеличения врезной подачи Vs до 60 мм/мин (с 30 мм/мин при традиционной технологии), при этом качество отрезанных пластин так же улучшилось — шероховатость поверхности по параметру Ra снизилась в 2,0 раза, средний шаг неровностей профиля по средней линии Sm и вершинам S уменьшились в 1,2 раза, снизился прогиб пластин f и отклонение от параллельности An соответственно в 2,9 и 2,7 раза, а толщина нарушенного слоя hp уменьшилась на 70%. Разработаны и внедрены на ООО «Элекс» технологические рекомендации по разрезанию монокристаллического кремния отрезными кругами с внутренней режущей кромкой и устройства для подачи аэрозоли в зону резания и наложения УЗ-колебаний на заготовку. Ожидаемый годовой экономический эффект от внедрения составил 17 605 руб. (в расчете на один станок).

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертационной работе выполнен комплекс теоретико-экспериментальных исследований эффективности наложения интенсифицирующих УЗ-колебаний на элементы ТС и использования в качестве СОТС аэрозоли на качество пластин из неметаллических материалов и производительность операции разрезания заготовок (слитков) алмазными отрезными кругами с внутренней режущей кромкой. Поставленная в работе цель достигнута. В результате исследований получены новые выводы и практические результаты.

1. Разработана математическая модель формирования параметров микрои макрогеометрии пластин в процессе разрезания слитков и заготовок отрезными кругами АКВР. Адекватность модели реальному процессу доказана экспериментально.

2. Разработана математическая модель тепловых процессов при контактном взаимодействии отрезного круга АКВР и заготовки на операции разрезания заготовок из хрупких неметаллических материалов. В моделях учтено комплексное влияние СОЖ и способов её подачи на тепловое состояние контактирующих объектов. Адекватность разработанных моделей подтверждена удовлетворительным согласованием результатов численного расчёта с результатами эксперимента.

3. Разработаны алгоритм, методика и программы для численного расчёта температурных полей контактирующих при разрезании объектов. Получены соотношения для шагов разностной сетки, обеспечивающие сходимость и устойчивость решения.

4. Проведено численное моделирование процесса разрезания с использованием в качестве СОТС аэрозоли, по результатам которого выявлены параметры устройства и его месторасположения относительно зоны резания, обеспечивающие наибольшую технологическую эффективность. Экспериментально подтвержден вывод.

0 влиянии способа подачи (расположения сопел относительно режущей кромки и разрезаемой заготовки) и расхода аэрозоли на качество отрезанных пластин. Установлено, что для повышения качества поверхности и точности формы пластин на операции разрезания монокристаллического кремния 076 мм кругами АКВР наиболее эффективно подавать перед зоной резания аэрозоль на режущую кромку параллельно оси отрезного круга с расходом 0,4 дм3/ч, а после зоны резания — СОЖ поливом с расходом.

1 дм3/мин.

5. Проведено численное моделирование процесса разрезания с наложением на заготовку интенсифицирующий УЗ-колебаний, в результате которого выявлено рациональное значение амплитуды и направление колебательных смещений заготовки. Экспериментально подтвержден вывод о влиянии наложения интенсифицирующих УЗ-колебаний на качество отрезанных пластин. Наибольшую эффективность показал способ разрезания неметаллических заготовок с наложением на последние УЗ-колебаний с амплитудой 6 мкм перпендикулярно вектору скорости врезной подачи отрезного круга.

6. Экспериментально доказано, что с увеличением скорости врезной подачи отрезного круга Vs при использовании аэрозоли точность формы отрезанных пластин повышается: f уменьшился в 1,6 раза, An — на 29%, hp — в 2 — 2,3 раза, Ra — в 1,6 — 1,8 раза, Rmax — в 1,4 — 1,7 раза, Rz — на 55 — 68%.

7. Доказана высокая технологическая эффективность операции разрезания кругами АКВР с наложением УЗ-колебаний на заготовку перпендикулярно вектору скорости врезной подачи круга с одновременной подачей аэрозоли перед зоной резания, что позволяет по сравнению с традиционным разрезанием повысить производительность за счет увеличения скорости врезной подачи Vs. При этом качество отрезанных пластин также улучшилось — шероховатость поверхности по параметру Ra снизилась в 2,0 раза, средний шаг неровностей профиля по средней линии Sm и вершинам S уменьшились в 1,2 раза, снизились прогиб пластин f и отклонение от параллельности An в 1,2 раза, а толщина нарушенного слоя hp уменьшилась на 70%.

8. Разработаны и внедрены на ООО «Элекс» (г. Ульяновск) технологические рекомендации по разрезанию монокристаллического кремния отрезными кругами с внутренней режущей кромкой и устройства для подачи аэрозоли в зону резания и наложения УЗ-колебаний на заготовку. Ожидаемый годовой экономический эффект от внедрения 17 605 руб (в расчете на один станок).

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.с. 1 013 297 СССР, МКИ В28Д 1/04. Устройство для резки строительных материалов / В. А. Александров, М.А. Алексе-енко, В. М. Сердюк. 1983. — Бюл. № 15.
  2. А.с. 1 143 601 СССР, МКИ В28Д 1/12. Устройство для демпфирования пильных дисков / Г. С. Белоусов, В. М. Колин, Ю. Я. Часовщиков. 1985. — Бюл. № 9.
  3. А.с. 1 174 278 СССР, МКИ В28Д 7/00. Устройство для демпфирования колебаний отрезных кругов / Г. Д. Стасюк, В. Ю. Петрахин, Б. И. Чурсин. 1985. — Бюл. № 31.
  4. А.с. 1 186 504 СССР, МКИ В28Д 7/00, 1/04. Устройство для стабилизации вращающейся дисковой пилы / В. А. Басанько, В. А. Александров, М. А. Алексеенко, Н. Т. Гулая. 1985. -Бюл. № 39.
  5. А.с. 1 276 518А1 СССР, МКИ В28Д1/04, 7/02. Устройство для распиловки материалов / П. Г. Сувалян, Т. А. Оганесян, Г. К. Абрамян, А. М Абрамян- НПО «Камень и силикаты». — Заявл. 15.12.86, Бюл. № 46.
  6. А.с. 1 302 048 СССР, МКИ B24D 5/12. Абразивный отрезной круг / Н. И. Толкачев, Ю. В. Панков, В. Л. Приходько, А. А. Гасанов, B.C. Разоренов. 1987. — Бюл. № 24.
  7. А.с. 1 361 869 СССР, МКИ В28Д 5/00. Способ резки цилиндрических слитков на пластины / А. И. Татаренков, В. В. Рогов, М. А. Дмитреев, Е. Н. Шереметьев. 1986. — Бюл. № 14.
  8. А.с. 1 416 321 СССР, МКИ В28Д 1/04. Звукоизолирующее устройство для отрезного круга / В. М. Колин. 1988. — Бюл. № 30.
  9. А.с. 1 507 579 СССР, МКИ B28D 5/00. Устройство для резки хрупких материалов / С. С. Ерошин, В. В. Гаврилюк, Г. И. Га-лигузов, В. П. Сорока. 1989. — Бюл. № 24.
  10. А.с. 1 642 650 СССР, МКИ В28Д 1/04, 1/00. Способ изготовления пильного диска / JI.M. Макарян, JI.M. Мурадян, Г. Б. Шекян. 1989. — Бюл. № 21.
  11. А.с. 1 657 386А1 СССР, МКИ В28Д 5/00. Устройство для резки полупроводниковых материалов / М. С. Ерошин, Л. А. Каширина, С. В. Петров и др.- Ворошиловградск. машино-строит. ин-т. Заявл. 23.06.91, Бюл. № 23.
  12. А.с. 1 705 095А1 СССР, МКИ В28Д 1/00. Способ резки твердых и хрупких материалов / JI.B. Худобин, М. А. Белов, О. Г. Крупенников. 1992. — Бюл. № 2.
  13. А.с. 252 908 СССР, МКИ В28Д 1/04. Пила / И. Ю. Зборовский, Б. Л. Осетинский, Г. М. Шор, М. Д. Левин. 1967. -Бюл. № 5.
  14. А.с. 334 081 СССР, МКИ В28Д 1/04. Дисковая пила для разрезания строительных материалов / A.M. Орлов, В. П. Александров, Ю. И. Сычев. 1972. — Бюл. № 12.
  15. А.с. 408 817 СССР, МКИ B28d 1/04. Устройство для натяжения кольцеобразной пилы с внутренней режущей кромкой / А. Н. Теслев, В. В. Бурко. 1973. — Бюл. № 48.
  16. А.с. 482 314 СССР, МКИ В28Д 1/04, 7/00. Устройство для разрезания строительных материалов / В. П. Александров, A.M. Орлов, Ю. И. Сычев. 1975. — Бюл. № 32.
  17. А.с. 667 405 СССР, МКИ В28Д 1/12. Способ распиловки твердых каменных пород / К. С. Варданян, Г. М. Баграмян, А. К. Варуанян. 1975. — Бюл. № 15.
  18. А.с. 737 222 СССР, МКИ B28d 1/04. Устройство для установки и натяжения кольцеобразной пилы с внутренней режущей кромкой / А. Т. Хмелев, В. В. Баронин. 1980. — Бюл. № 20.
  19. А.с. 872 282 СССР, МКИ В28Д 7/00, 1/04. Устройство для стабилизации алмазного диска / В. А. Александров, М. А. Алексеенко, В. М. Сердюк. 1981. — Бюл. № 38.
  20. В.В. Разработка и исследование инструментальных головок с упругим элементом для механической обработки германия и кремния: Дис.. канд. техн. наук. -Брянск: БИТМ, 1979. 254 с.
  21. В.П. Физика прочности и пластичности поверхностных слоев материалов / В. П. Алехин. М.: Наука, 1983. -241 с.
  22. A.JI. Алмазная обработка оптических деталей / A.JI. Ардамацкий. Л.: Машиностроение, 1978. — 232 с.
  23. С.М. Определение эффективной поверхностной энергии разрушения хрупких материалов / С. М. Баринов, С. Н. Гревцев // Заводская лаборатория. 1978. — № 11. — С. 1376- 1378.
  24. К. Ю. Численные методы анализа и метод конечных элементов / К. Ю. Бате, Э. А. Вильсон. М.: Стройиздат, 1982. 448 с.
  25. Ю.Б. О характере и глубине нарушений в подложках GaP, обусловленных механической обработкой / Ю. Б. Белоусова, А. Т. Аинько, Т. И. Ольховикова // Электронная техника. Сер.6. — 1976. — Вып.2. — С. 25 — 28.
  26. А.В. Термодинамика и теплопередача /А.В. Болгарский, Г. А. Мухачёв, В. К. Щукин. — М.: Высшая школа, 1975.-495 с.
  27. В.А. Производство полупроводниковых приборов / В. А. Брук, В. В. Гартенин, А. И. Курносов. М.: Высш. Шк., 1973.-264 с.
  28. Ю.А. Температурная зависимость упругих постоянных кремния / Ю. А. Буренков, С. П. Никаноров // Физика твердого тела. — 1974. — Вып. 5. С. 1496 — 1498.
  29. Д.Б. Алмазная обработка технической керамики / Д. Б. Ваксер, Н. В. Никитков, В. Б. Рабинович. JL: Машиностроение, 1976. — 159 с.
  30. Н.Б. Справочник по теплофизическим свойствам газов и жидкостей / Н. Б. Варгафтик. М.: Наука, 1972. -720 с.
  31. П.А. Корреляционно-регрессионный анализ статистических данных при исследовании технологических процессов на ЭВМ «Электроника-В» / П. А. Вельмисов. -Ульяновск: УлПИ, 1984. 34 с.
  32. Влияние нагрузки и температуры на микротвердость хрупких материалов / В. И. Корбань, Л. Л. Бурман, В. В. Рогов и др. // Сверхтвердые материалы. 1984. — № 4. — С. 54 — 57.
  33. Л.Л. Полирование структур кремний двуокись кремния — поликристаллический кремний / Л. Л. Врублевский, И. И. Зайцев, Е. Б. Бычков // Электронная техника. -Сер.2. Полупроводниковые приборы. — 1979. — № 3. — С. 41 — 46.
  34. Вычислительные методы в механике разрушения: Пер. с англ. / Под ред. С. Атлури. М.: Мир, 1990. — 392 с.
  35. Г. М. Струйное охлаждение инструментов распыленными жидкостями / Г. М. Гаврилов, А. А. Смирнов. — Куйбышев: Куйбышевское книжное изд-во, 1966. — 108 с.
  36. К.Г. Приготовление косых срезов тонких пленок методом травления / К. Г. Гарцман // Приборы и техн. экспе-рим. 1979. — № 4. — С. 271 — 272.
  37. С.К. Разностные схемы (введение в теорию) / С. К. Годунов, B.C. Рябенький. М.: Наука, 1977. — 440 с.
  38. В.И. Выбор оптимального натяжения алмазных кругов с внутренней режущей кромкой / В. И. Голиков, С. С. Ерошин, B.JI. Приходько // Синтетические алмазы. — 1973. — Вып. 1(25).-С. 49−51.
  39. В.М. О влиянии условий полирования кремниевых пластин на плотность поверхностных состояний / В. М. Голубев, М. В. Долгополов, Н. И. Фирсов // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. — 1974. — Вып.7. — С. 103.
  40. С.С. Температурная зависимость микротвердости элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений AmBv. / С. С. Горелик, Ю. М. Литвинов, М. Г. Лозинский // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. -1975.-Вып. 5.-С. 54−57.
  41. ГОСТ 14 005–75. Единая система технологической подготовки производства. Методы расчетов экономической эффективности. Введ. 13.10.1977. — М.: Изд-во стандартов, 1977.-45 с.
  42. ГОСТ 26 004–83. Круги алмазные отрезные с внутренней режущей кромкой. Технические условия. — М.: Мин-во стан-костроит. и инструм. пром-сти, 1984. 10 с.
  43. З.Ю. Справочник по технологии микроэлектронных устройств / З. Ю. Готра. Львов: «Каменяр», 1986. — 288 с.
  44. В.М. Перспектива развития неразрушающих методов контроля качества поверхности кремниевых структур / В. М. Дьячков, М. Ю. Литвинов // Электронные материалы. -Сер.8. 1975. — Вып. 11(41). — С. 33 — 35.
  45. Ши. Численные методы в задачах теплообмена / Ши Дяньмо. М.: Мир, 1988. — 544с.
  46. Д.Г. Физические основы процесса шлифования / Д. Г. Евсеев, А. Н. Сальников. — Саратов: Саратовский гос. ун-т, 1975.- 128 с.
  47. В.В. Научные основы повышения технологической эффективности СОЖ на операциях шлифования: Дис.докт. техн. наук: 05.02.08, 05.03.01. / Ульяновский политехи. институт, — Ульяновск, 1988. 472 с.
  48. Х.М. Стружкообразоваие при микрорезании твердых хрупких неметаллических материалов / Х. М. Зайфарт, А. А. Марченко // Сверхтвердые материалы. 1980. -№ 5.- С. 55.
  49. В.П. Интенсификация процессов резки полупроводниковых материалов алмазными кругами / В. П. Запорожский, П. А. Павлов, B. J1. Приходько // Электронная техника. Сер. Материалы. — 1985. — Вып 10(209). — С. 65 -67.
  50. В.П. Обработка полупроводниковых материалов: Учеб. Пособие для сред. ПТУ / В. П. Запорожский. -М.: Высшая школа, 1988. 181 с.
  51. А.А. Физико-химические основы размерной обработки полупроводников. Механическая обработка / А. А. Захаров. Красноярск, 1995. — 167 с.
  52. .Г. Направленная резка монокристаллов арсени-да галлия / Б. Г. Захаров // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. — 1984.- Вып.3(188). — С. 26−31.
  53. Инструкция по определению экономической эффективности от внедрения новых смазочно-охлаждающих жидкостей для обработки металлов резанием. М.: НИИМаш, 1980. -43 с.
  54. Исследование влияния процессов резки на структурное совершенство и механическую прочность монокристаллических материалов: Отчет о НИР (заключ.) / Запорож. индустр. ин-т- Руководитель Приварников О. А. Инв. № 2 890 066 937. — Запорожье: ЗИИ, 1989. — 100 с.
  55. Исследование механической прочности пластин монокристаллического кремния при разных видах обработки поверхности / В. К. Гаврилюк, Э. А. Концевой и др. // Электронная техника. — Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1976. -Вып. 1 (103).-С. 19−26.
  56. Исследование нарушенного слоя пластин арсенида галлия после механической обработки / А. В. Емельянов, B.C. Пави-лайнен и др. // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. — 1971. — Вып.1. — С. 125 — 128.
  57. Исследование причин возникновения механических разрушений кремниевых подложек и структур, а процессе их получения: Отчет о НИР (заключ.) / Запорож. индустр. ин-т- Руководитель Приварников О. А. Инв. № 2 860 069 250. -Запорожье: ЗИИ, 1986. — 68 с.
  58. К вопросу о возможности управления глубиной нарушенной зоны при резании полупроводникового материала / С. В. Ключников, В. Б. Короткое, Ю. Н. Лазюк, Н. В. Одинцов // Физика трибологических систем. Иваново, 1988. — С. 8 — 13.
  59. А.Б. Механическая обработка полупроводниковых материалов / А. Б. Камнев, Б. А. Лапшинов. М.: Московск. ин-т электронного машиностроения, 1990. — 60 с.
  60. В.И. Обработка монокристаллов в микроэлектронике / В. И. Карбань, Ю. И. Борзаков. М.: Радио и связь, 1988.- 103 с.
  61. Н.А. Аппаратура контроля геометрических параметров и удельного сопротивления полупроводниковых пластин / Н. А. Кибартас, В. И. Постылев // Зарубежная электронная техника. 1981. — № 12. — С. 50 — 72.
  62. Н.А. Контроль геометрических параметров и состояния поверхности полупроводниковых пластин / Н. А. Кибартас, Л. Д. Лытко // Зарубежная электронная техника. -1984.-№ 12.-С. 49- 84.
  63. Н.Л. Контроль параметров полупроводниковых пластин / Н. А. Кибартас, В. А. Попов // Зарубежная электронная техника. 1989. — № 5. — С. 66 — 96.
  64. Кив А. Е. Примесные комплексы генераторы дефектов /
  65. A.Е. Кив, В. Н. Соловьев // Физика твердого тела. 1980. — Т. 22. — вып.9. — С. 2575 — 2577.
  66. Е.С. Математическая модель тепловых процессов при совмещённом шлифовании заготовок / Е. С. Киселёв,
  67. B.Н. Ковальногов // Современные технологии в машиностроении: сборник материалов научно-практической конференции. Пенза: ПТУ, 1999. — С. 77 — 79.
  68. Е.С. Теплофизика правки шлифовальных кругов с применением СОЖ / Е. С. Киселев. Ульяновск: УлГТУ, 2001.- 170 с.
  69. М.И. Охлаждение и смазка распыленными жидкостями при резании металлов / М. И. Клушин, В. М. Тихонов, Д. Н. Троицкая. — Горький: Волго-Вятское книжное изд-во, 1966. 124 с.
  70. М.И. Смазочно-охлаждающие жидкости для обработки металлов резанием / М. И. Клушин. М.: НИИмаш, 1979.-96 с.
  71. Н.Н. Численное исследование теплового состояния абразивного круга и алмазного инструмента в процессе правки с применением смазочно-охлаждающих технологических сред / Н. Н. Ковальногов, Е. С. Киселёв // Труды
  72. Минского международного форума по тепломассообмену. Т. 9.-Минск. ИТМО, 1996.
  73. Н.Н. Численный расчёт теплового состояния системы вращающегося и неподвижного тел при их механическом контакте / Н. Н. Ковальногов, Е. С. Киселёв // Заводская лаборатория, 1996. № 11. — С. 53 — 57.
  74. А.С., Филонов И. П., Климович Ф. Ф. Обработка пластин на модернизированном станке мод. Ю1М3 105.004 / А. С. Козерук, И. П. Филонов, Ф. Ф. Климович. // Электронная пром-ть. 1996. — № 4. — С. 67 — 68.
  75. А.И. Проектирование маршрутов изготовления деталей с учетом технологического наследования / А. И. Кондаков, А. С. Васильев // Изв. Вузов машиностроения. — 1998.-№ Ю-12.-С. 31−41.
  76. Ю.А. Контроль механической прочности полупроводниковых материалов / Ю. А. Концевой, Э. А. Фаттахов // Электронная промышленность. 1975. — Вып. 4. — С. 60 — 64.
  77. Ю.А. Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов / Ю. А. Концевой, В. Д. Кудин. М.: Энергия, 1973. — 144 с.
  78. Ю.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур / Ю. А. Концевой, Ю. М. Литвинов. М.: Радио м связь, 1982. — 240 с.
  79. Ю.А. Прочность монокристаллического кремния / Ю. А. Концевой, Э. А. Фаттахов // Электронная техника. Сер.6. Материалы. — 1970. — Вып.5. — С. 143 — 144.
  80. Ю.А. Прочность полупроводниковых материалов / Ю. А. Концевой, Э. А. Фаттахов, Л. В. Андреева // Электронная техника. Сер.6. Материалы. — 1971. — Вып.1. — С. 75.
  81. О.Г. Влияние технологических параметров операции разрезания заготовок из полупроводниковых материалов на качество готовых подложек / О. Г. Крупенников, А. Е. Дормушев // Вестник УлГТУ. 1998. — № 2. — С. 83 -87.
  82. О.Г. Повышение качества пластин из полупроводниковых материалов путем их комбинированной обработки / О. Г. Крупенников, А. Е. Дор. мушев // Сборник трудов Новгородского гос. техн. университета. Н. Новгород, 1997.-С. 208−210.
  83. О.Г. Применение гидростабилизирующих устройств на операциях разрезания заготовок из неметаллических материалов / Крупенников, А. Е. Дормушев // Сборник трудов конференции. Волжский, 1997. — С. 162 — 164.
  84. А.И. Механическая обработка полупроводниковых материалов / А. И. Курносов. М.: Электроника, 1970. -64 с.
  85. А.И. Технология производства полупроводниковых и интегральных микросхем. 3-е издание, перераб. и доп. / А. И. Курносов, В. В. Юдин. М.: Высш. Шк., 1986. -367 с.
  86. .М. Интенсификация процесса шлифования с применением ультразвуковой энергии / Б. М. Левин, В. И. Малышев // ЭИ НИИН и ТЭ автопром. Автомобилестроение. -Тольятти, 1988. 54 с.
  87. Ф.И. Нарушение структуры германия и арсенида галлия при механической обработке / Ф. И. Леднева, Б. Г. Захаров // Электронная техника. Сер.6. — 1973. — Вып. 1. — С. 93 — 101.
  88. Ю.М. Исследование глубины нарушенных слоев в пластинах полупроводниковых соединений АШВУ / Ю. М. Литвинов, Ф. Р. Хашимов // Электронная техника. -Сер. Материалы. 1984. — Вып. 4(189). — С. 51 — 54.
  89. Ю.М. Контроль глубины нарушенного слоя полированных пластинах методом микротвердости / Ю. М. Литвинов, С. Л. Одинцов // Электронная техника. Сер.6. -1975. -№ 11.-С. 66−72.
  90. Д.В. Структура приповерхностного слоя механически обработанных кристаллических материалов в связи с механизмом абразивного изнашивания / Д. В. Лоцко, Ю. В. Мильман // Трение и износ. 1993. — 14. — № 1. — С. 73 — 84.
  91. И.А. Технология производства интегральных микросхем / И. А. Малышева. М.: Радио и связь, 1991. — 344 с.
  92. А.И. Влияние ультразвука на физико-механические и режущие свойства металло-алмазных композиций / А. И. Марков, Е. И. Ивкин, Г. А. Романов // Пробл. машиностр. и надеж, машин. 2001. — № 2. — С. 58 — 67.
  93. А.И. Ультразвуковая обработка материалов / А. И. Марков. — М.: Машиностроение, 1980. 237 с.
  94. А.И. Ультразвуковое резание труднообрабатываемых материалов / А. И. Марков. М.: Машиностроение, 1968.-365 с.
  95. Е.Н. Основные направления в развитии теории резания абразивным, алмазным и эльборовым инструментом / Е. Н. Маслов. М.: Машиностроение, 1975. — 48 с.
  96. Е.Н. Теория шлифования материалов / Е. Н. Маслов. М.: Машиностроение, 1974. — 319 с.
  97. Метод определения числа работающих алмазных зерен в кругах для резки природного камня / В. А. Александров, Н. А. Алексеенко, С. А. Благоверная, Н. В. Корнеев // Сверхтвердые материалы. 1989. — № 6. — С. 35 — 38.
  98. Механическая обработка деталей из керамики и ситаллов / В. А. Хрульков, В. А. Тародей, А .Я. Головань и др. Саратов: Изд. Саратовского ун-та, 1975. — 352 с.
  99. Механическая обработка полупроводниковых материалов / О. Н. Бочкин, В. А. Брук, С.Н. Никифорова-Денисова и др.- Под ред. О. Н. Бочкина. М.: Высшая школа, 1983. — 149 с.
  100. Механические нарушения в процессе резки монокристаллов алмазным кругом с внутренней режущей кромкой / В. В. Рогов, Т.Ф. Русак- Ред. ж. сверх, тв. матер. АНУССР. Киев, 1990. — 5 с. — Деп в ВИНИТИ 01.08.90, № 4402-В90.
  101. А. Теплопроводность твердых тел, жидкостей, газов и их композиций / А. Миснар. М.: Мир, 1968. — 464 с.
  102. .И. Восстановление режущей способности алмазного круга при резке полупроводниковых материалов / Б. И. Мовшиц, В. В. Нифонтов, Л. И. Гора // Цветные металлы. ~ 1989. № 9. — С. 79−81.
  103. .И. Оценка влияния усилий при резке слитков полупроводниковых материалов на глубину нарушенного слоя поверхности пластин / Б. И. Мовшиц, О. А. Приварников, В. В. Нифонтов // Цветные металлы. 1989. — № 2. — С. 82 — 84.
  104. Е.М. Метод конечных элементов в механике разрушения / Е. М. Морозов. М.: Наука, 1980. — 254 с.
  105. Е.Н., Зернин М. В. Контактные задачи механики разрушения / Е. М. Морозов, М. В. Зернин. М.: Машиностроение, 1999. — 544 с.
  106. Никифорова-Денисова С. Н. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектронной техники. В 10 кн.: Учеб. пособие. Кн.4: Механическая и химическая обработка / С.Н. Никифорова-Денисова. М.: Высшая школа, 1989.-95 с.
  107. Обработка неметаллических материалов: Сб. науч. тр. / АН УССР, Ин-т сверхтв-х мат-в. Киев, 1982. — 147 с.
  108. Обработка полупроводниковых материалов / В.И. Кар-бань, П. Кой, В. В. Рогов и др.- Под ред. Н. В. Новикова. -Киев: Наукова думка, 1981. 254 с.
  109. В.В. Предельное равновесие хрупких тел с трещинами / В. В. Панасюк. Киев: Наукова думка, 1968. — 315 с.
  110. В.В. Распределение напряжений около трещин в пластинах и оболочках / В. В. Панасюк. Киев: Наукова думка, 1976. — 443 с.
  111. Д.А. Вибрационная проволочная сложноконтурная резка пластин из хрупких труднообрабатываемых неметаллических материалов / Д. А. Панов, JI.H. Филимонов // Св. тв. материалы. 1990. — № 6. — С. 67 — 71.
  112. А.Г. Стойкость алмазных дисков при разрезке полупроводниковых материалов / А. Г. Патратьев // Станки и инструмент. 1965. — № 9. — С. 35 — 36.
  113. В.А. Особенности абразивной и химической обработки поверхности полупроводников / В. А. Перевощиков, В. Д. Скупов. Ниж. Новгород: Изд. ННГУ, 1992. — 198 с.
  114. М.А. Справочник по алмазной обработке стекла / М. А. Перерозин. М.: Машиностроение, 1987. — 224 с.
  115. Г. А. К вопросу учета влияния осевой жесткости отрезных алмазных кругов на ширину пропила и прямолинейность реза / Г. А. Петасюк // Сверхтвердые материалы. -1998. 2. -С. 50−57.
  116. Г. А. Об увеличении осевой жесткости кругов АКВР / Г. А. Петасюк, В. П. Запорожский // Сверхтвердые материалы. 1991. — № 4. — С. 48 — 50.
  117. Г. А. Точность разрезания полупроводниковых пластин алмазными кругами / Г. А. Петасюк // СТИН. 1998. — № 3. — С. 24−27.
  118. Производство кремниевых подложек для больших интегральных схем / Ю. Д. Чистяков, А. И. Пекарев, А. Н. Бурмистров и др. // Зарубежная электронная техника. — 1986. № 4.-С.3−62.
  119. Ю.Г. Тонкораспыленное охлаждение режущих инструментов / Ю. Г. Проскураев, В. Н. Петров. М.: МАШГИЗ, 1962.- 112 с.
  120. Пух. В. П. Прочность и разрушение стекла / В. П. Пух. -Л.: Наука, 1973. 156 с.
  121. Распыливание жидкостей / В. А. Бородин, Ю. Ф. Дитякин, Л. А. Клячко, В. И. Ягодин. М.: Машиностроение, 1967. -264 с.
  122. Расчеты экономической эффективности новой техники: Справочник / Под общ. ред. К. М. Великанова. Л.: Машиностроение, 1990. — 448 с.
  123. А.Н. Определение количества режущих зерен / А. Н. Резников, О. Б. Федосеев // Изв. ВУЗов машиностроения, 1978. -№ 11. С. 127 — 130.
  124. А.Н. Температура и охлаждение режущих инструментов / А. Н. Резников. Куйбышев, 1959. — 487с.
  125. В.В. Обрабатываемость хрупких неметаллических материалов / В. В. Рогов, Л. Л. Бурман // Алмазы и св. тв. материалы. 1980. -№ 1. — С. 1−3.
  126. В.В. Финишная алмазно-абразивная обработка неметаллических деталей / В. В. Рогов. Киев.: Наукова думка, 1985.-264 с.
  127. Э.В. Оценка качества поверхности деталей, подвергнутых шлифованию / Э. В. Рыжов, В. А. Ляшко, М. М. Потемкин // Сверхтвердые материалы. 1995. — № 1. — С. 52 -55.
  128. А.А. Теория разностных схем / А. А. Самарский. М.: Наука, 1989. — 394 с.
  129. JI.А. Очистка подложек в вакууме (2−4)10"5 мм.рт.ст. / Л. А. Сейдман // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1974. — Вып. 7. — С. 61 — 63.
  130. М.Ф. Работоспособность алмазных кругов / М. Ф. Семко, М. Д. Узунян, Ю. А. Сизый. Киев.: Техника, 1983. -95 с.
  131. В.А. Тепловые процессы при шлифовании и управление качеством поверхности / В. А. Сипайлов. М.: Машиностроение, 1978. — 167 с.
  132. Смазочно-охлаждающие жидкости при резании металлов / Г. С. Андреев, Г. В. Бокучава, Л. А. Бражман и др. М.: МАШГИЗ, 1961.-292 с.
  133. Е.А. Определение нарушений структуры при финишных обработках полупроводниковых пластин / Е. А. Созонтов, Б. Г. Захаров, В. М. Устинов // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. — 1984. — Вып. 4(189). — С. 35 — 39.
  134. В.М. Моделирование динамических процессов при шлифовании неорганического стекла / В. М. Сорокин, В. В. Глебов // Наука производству. — 1998. — С. 50 -53.
  135. Справочник по производственному контролю в машиностроении / Под ред. А. К. Кутая. Л.: Машиностроение, 1974.- 676 с.
  136. А.Г. Влияние технологического наследования на качество поверхностного слоя деталей машин / А. Г. Суслов,
  137. A.С. Васильев, С. О. Сухарев // Изв. Вузов машиностроения.- 1999.-№ 1.-С. 69−76.
  138. Таблицы физических величин: Справочник / Под. ред. И. К. Кикоина. М.: Атомиздат, 1976. — 1008 с.
  139. Теория тепломассообмена / С. И. Исаев, И. А. Кожинов,
  140. B.И. Кофанов и др.- Под ред. А. И. Леонтьева. М.: Высшая школа, 1979.-495 с.
  141. Тепло- и массобомен. Теплофизический эксперимент: Справочник / Е. В. Аметистов, В. А. Григорьев, Б. Т. Емцев и др.- Под общ. ред. В. А. Григорьева и В. М. Зорина. М.: Энергоиздат, 1982. — 512 с.
  142. тв. тел, жидкостей, газов и их композиций / Под. ред. М. Миснар. М.: Мир, 1968. — 464 с.
  143. Теплофизика механической обработки / А. В. Якимов, П. Т. Слободяник, А. В. Усов и др. Одесса: Лыбидь, 1991. — 240
  144. Теплофизические свойства веществ / Под.ред. Н.Б. Вар-гафтика. — М. JL: Госэнерогоиздат, 1956. — 367 с.
  145. Технология полупроводникового кремния / Под ред. Э. С. Фалькевича. М.: Металлургия, 1992. — 406 с.
  146. Технология СБИС: в 2 кн. / К. Пирс, А. Адаме, J1. Кац и др.- Под ред. С. Зи- Пер. с англ. Ю. Д. Чистакова. М.: Мир, 1986.-2 Т.
  147. Травление полупроводников: Пер. с англ. М.: Мир, 1965.-384 с.
  148. Ультразвук. Маленькая энциклопедия / Под ред. И.П. Го-ляминой. М.: «Советская энциклопедия», 1979. — 400 с.
  149. А.В. Технология возможности повышения эффективности процесса шлифования материалов, предрасположенных к трещинообразоваию / А. В. Усов, И. С. Козовой // Изв. вузов машиностроения. 1994. — № 4 — 6. — С. 119.
  150. М.Я. Состояние поверхностного слоя материалов после алмазной и эльборовой обработки / М. Я. Фукс, Н. К. Беззубенко, Б. М. Свердлова. Киев: Вища школа, 1979. -159 с.
  151. В.Ю. Совершенствование технологии резки монокристаллов кремния путем использования анизотропии его механических свойств: Дис.. канд. техн. наук. М.: МИ-ЭТ, 1985. — 187 с.
  152. В.Н. Ультразвуковая размерная обработка материалов / В. Н. Хмелев, Р. В. Барсуков, С. Н. Цыганок. Барнаул: АлтГТУ, 1999. — 119 с.
  153. Г. И. Физико-химические и теплофизические свойства смазочных материалов / Г. И. Чередниченко, Г. Б. Фройштетер, П. М. Ступак. JL: Химия, 1986. — 224 с.
  154. В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров / В. Н. Черняев. М.: Радио и связь, 1987. — 464 с.
  155. Ю.Д. Физико-химические основы технологии^ микроэлектроники / Ю. Д. Чистяков, Ю. П. Райнова. М.: Металлургия, 1979. — 408 с.
  156. Г. В. Работа алмазного круга при разрезке тонких пластин / Г. В. Шуваев, О. Н. Репин // Электронная техника.- Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. 1976. — Вып. 6. — С. 3 — 6.
  157. Г. В. Резка неметаллических материалов алмазными кругами / Г. В. Шуваев, В. К. Сорокин, Ю. Н. Зимицкий.- М.: Машиностроение, 1989. 80 с.
  158. Bergstrom R.P. Going beyond finishing / R.P. Bergstrom // Manuf. Eng. 1984. — 93. — № 6. — P. 48 — 49.
  159. Biegalski Henzy K. Badania odchilenia rzeczywistego kierunku ruchu sciernicyod zadanego / Henzy K. Biegalski, Feld Mieczystaw. // Arch. Technol. Maszi autom Arch. Bud. Masz.- 1997.- 17.-№ 2.-P. 9- 17.
  160. Buttner A. Ein Beitrag zum Scharfen von Innenlochsagen / A. Buttner, R. Hinrichs // IDR. 1991. -№ 3. — P. 171 — 175.
  161. Chandra S. Effects of grinding variables on the residual stresses / S. Chandra, P.C. Pandey, S.K. Aggarwal // J. Inst. Eng. (India) Mech. Eng. Div. 1971. — 51. — № 7. — Pt. 4. — P. 160- 164.
  162. Diamant Trennscheibe fur Aussparungen ist auch an den Seiten beschichzet // Maschinmarkt. 1998. — 104. — № 31. — P. 64.
  163. Effect of Ultrasonic Vibration in Micro-Route Grinding / Mizuno Masahiro, Hamada Tomokazu, Iyama Toshirou, Syojikatsuo, Kiriyagawa Tsunemoto // Nihon kikai gakkai roubunshu. C=Trans. Jap.Soc. Mech.Eng.C. 1994. — 60. — № 580.-P. 4349−4354.
  164. Grinding and — slicing technique as an advanced technology for silicon wafer slicing / H.K. TOnshoff, B. Karpuschewski, H. Hartmann, C. Spengler // Mach. Sci. And Technol. — 1997. — 1. -№ i.c. 33 -47.
  165. Haas R. Ultrasonic erosion allows three- dimensional shaping / R. Haas // Interceram. 1988. — 37. — № 2. — P. 35 — 38.
  166. High-precision Slicing with ID-blade / Mizuno Masahiro, Iyama Toshirou, Hoshi Junji, Tamaki Jun’ichi // Nihon kikai gakkai roubunshu. C=Trans. Jap.Soc. Mech.Eng.C. 1997. — 63. -№ 614.-P. 3641 -3646.
  167. Innenlochsage fur Silizium-Wafer // Maschine. 1989. — 43. -№ 1 -2.-P. 80.
  168. Jaukowiak M., Waliqora W. Ceramic materials heating by laser beam / M. Jaukowiak, W. Waliqora // 6 Medzinar. konf.: Tehnologia '99. Bratislava, 1999. — P. 495 — 498.
  169. Jiang Zhougwei. Monitoring and evaluation of blade cutting silicon ingot / Jiang Zhougwei, Chonan Seiji, Kawashima Kazuo, Muto Koji // Nihon kikai gakkai roubunshu. C = Trans.Jap.Soc. Mech. Eng.C. 1999. — 65. — № 638. — P. 143 -149.
  170. Konig W. Trennschleifen von Hochleistungskeramik / W. Konig, E. Verlemann, A. Wagemann // IDR. 1992. — № 3. — P. 165- 171.
  171. Laserlicht macht Keramik weich // Elek. Masch. 1999. — 78. — № 9. — P. 8 — 10.
  172. Masayasu Kojima. New Wafer Slising Equipment / Masayasu Kojima, Atsushi Tomizawa, Junichi Takase, Hattori Hideo, Matani Mitsuo // Seimitcu kogaku kaisi = J. Jap. Soc. Precis. Eng. 1990. — 56. — № 6. — P. 1052 — 1057.
  173. Matsui Seiki. Slitting of semiconductor materials / Matsui Seiki, Sybji Katniso, Teramoto Hitoshi // Сэймицу когаку кай-си = J.Jap. Soc. Precis.Eng. 1987. — 53. — № 7. — P. 1051 — 1056.
  174. Matsushita H. Surface defects in GaAs Wafer processes / H. Matsushita, J. Kikawa // The Furukawa Electric Co. 1990. -№ 6. — P. 448−455.
  175. Meek R.L. ID-Diamondsawing damage to germanium and silicon / R.L. Meek, M.C. Huffstutler // J.Elektrochem. Soc. -1969. V. l 16. — № 6. — P. 893 — 898.
  176. Mizuko Masahiro. High-precision Slicing with ID-blade / Mizuko Masahiro, luama Toshirou, Hoshi Junji // Nihon Kikai gakkai ronbun Shu. C=Trans/ Jap Soc. Mech. Eng. c., 1997. 63 -№ 614.-P. 3641 -3646.
  177. Mizuno Masahiro. Studies on high precision slicing with ID-blade: Compliance of ID-blade / Mizuno Masahiro, Iyama Toshirou, Hoshi Junji, Tamaki Jun’ichi // Nihon kikai gakkairoubunshu. C=Trans. Jap.Soc. Mech.Eng.C. 1998. — 64. — № 623.-P. 2756−2761.
  178. Moove D. Ultrasonic impact grinding / D. Moove // Nontraditional Mach.Conf.Proc, Cincinnati, Ohio, 2−3 DEC, 1985. Metals Park (Ohio). 1986. — P. 137 — 139
  179. Mucke K. Sprodharte Werkstoffe prozebsicher bearbeiten / K. Mucke//Ind. Anz. — 1999. — 121. ~ № 23 — 24. — P. 32.
  180. Nabuesi Ogino. Technique of handling of silicic plates for integrated chips / Ogino Nabuesi // Sie Kikay Koganu. — 1986. — № 9.-P. 80−87.
  181. Pat. 164 715 Poland, МКИ5 HO 1L21/304. Pita drutowa / Yurek Marek, Fronc Krzysztof- Instytut Fizyki Polskiej Akademij Nauk, Warshawa. № 290 848- Заявл. 28.06.91- Опубл. 31.10.94.
  182. Pat. 3 111 166 Japan, МКИ5 B24B27/06. Method of cutting wafers / Kanda Torahiko- Nihon denki k.k. — № 1−24 551- Заявл. 20.09.89 // Kokay tokke koho. Сер. 2(3). — 1991. — 18. — P. 573 -576.
  183. Pat. 4 699 118 USA, МПК6 B24B053/00. Apparatus for dressing cutting edge / Tsuruta Shoji, Minami Hideaki, Ohhata Yoshinori, Sakai Shinsuke. № 6 066 176- Заявл. 18.03.86- Опубл. 13.10.87- Приор. 29.03.85.
  184. Pat. 48 469 Japan, МКИ5 B24B27/06. Takahasy Ysuhupo, Inadzaku Nobuo. Method of cutting wafers / Nihon koge k.k. -№ 2−108 460- Заявл. 03.07.86 // Kokay tokke koho. Сер. 2(3). — 1992.-2.-P. 471 — 477.
  185. Pat. 4 850 311 USA, МПК6 B28D001/04. Saw for cutting thin disks / Balck Juergen. № 3 639 700- Заявл. 13.11.87- Опубл. 25.07.89- Приор. 20.11.86.
  186. Pat. 4 852 304 USA, МКИ5 B24B7/00. Apparatus and method for slicing a wafer / K. Honda, S. Sawafuji- Tokyo Seimitsu Co., Ltd.-Опубл. 01.08.89.
  187. Pat. 4 894 956 USA, МКИ5 B24B7/00. Apparatus and method for slicing a wafer / K. Honda, S. Sawafuji- Tokyo Seimitsu Co., Ltd.-Опубл. 23.01.90.
  188. Pat. 4 896 459 USA, МКИ5 B24B007/00. Apparatus for manufacturing thin wafers of hard, non-metallic material such as for use as semiconductor substrates / Brandt Georg. Заявл. 09.05.88- Опубл. 30.01.90.
  189. Pat. 4 926 836 USA, МКИ5 B24B53/00. Method of and apparatus for dressing cutting edge of cut-off wheel / Mitsubishi Kinzoku, Kobushiki Kaisha. Заявл. 22.05.90.
  190. Pat. 4 930 486 USA, МКИ5 В 24B53/007. Blade cutting method for hard brittle material / Kuromatsu Akio- Applied Magnetic Lab. Co., Ltd. № 266 703- Заявл. 03.11.88- Опубл. 05.06.90- Приор. 03.03.87.
  191. Pat. 493 166 Japan, МКИ5 B24 B27/06. Method of a cutoff of fragile materials / Takeuti noriuki, Komi Naoesi. № 2−208 196- Заявл. 08.08.90- Опубл. 25.03.92 // Кокай токкё кохо. Сер. 2(3), 1992. — 17. — С. 555 — 560.
  192. Pat. 5 000 156 USA, МПК6 В24В053/65. Method and device for dressing an inner peripheral blade in a slicing machine / Honda Katsuo, Inamura Masato. № 6 332 087- Заявл. 15.02.89- Опубл. 19.03.91- Приор. 15.02.88.
  193. Pat. 5 025 593 USA, МПК6 B28B049/16. Slicing machine and control method thereof / Kawaguchi Keishi, Hamasaki Tatsumi, s
  194. Tadera Yoshihiro, Yamazaki Sachio. № 637 056- Заявл. 13.01.89- Опубл. 25.07.91- Приор. 18.01.88.
  195. Pat. 5 189 843 USA, МКИ5 B24B49/00.Wafer slicing and grinding machine and method of slicing and grinding wafers / Steere Robert E.- Silicon Technology Corp. № 5 752 281- Заявл. 30.08.90- Опубл. 03.03.93- НКИ 51/165.76.
  196. Pat. 5 351 444 USA, МКИ5 B24B7/00. Blade trach control system / Steere Robert E., Silicon Technology Corp. № 951 391- Заявл. 25.09.92- Опубл. 04.10.94- НКИ 491/69.
  197. Pat. 5 390 446 USA, МКИ5 B24B1/00. Grinding method and grinding machine / Kazui Shinichi, Ogino Hiroyuki, Morita Kenji. № 900 572.
  198. Pat. 558 236 USA, МПК6 B24B1/00. Apparatus and method for manufacturing wafer / Kagamida Takeshi, Tokyo Seimitsu. Co. Ltd. -№ 415 509- Заявл. 03.04.95- Опубл. 10.12.96- Приор. 02.06.94.
  199. Pat. 5 582 536 USA, МКИ5 B24B001/00. Apparatus and method for manufacturing wafer / Kagamida Takeshi. Заявл. 03.04.95- Опубл. 10.12.96.
  200. Pat. 5 584 745 USA, МПК B24B1/00. Method of machining nitride ceramics products / Nishioka Takao, Matsumuma Kenji, Yamakawa Akira. Sumitomo Electric Ind., Ltd. № 162 302.
  201. Pat. 5 595 522 USA МКИ6 B24B49/00. Semiconductor wafer edge polishing system / Simpson Vikki S., Gullett Tom G., Medders Jerry B. № 178 186.
  202. Pat. 5 595 529 USA, МКИ6 B24B7/24. Dual column abrading machine / Cesna Joseph V., Day Lawrence O. Speedfam Corp. -№ 218 611.
  203. Pat. 5 931 147 USA, МПК6В08ВЗ/04. Method of cutting a workpiece with a wire saw / Miyazaki Takeshiro, Tsubata Yoshikazy, Kawakita Akio. № 08/711 671- Заявл. 04.09.96- Опубл. 14.09.99- Приор. 06.09.95- № 7 229 476.
  204. Pat. 5 932 993 USA, МПК7 B26 Dl/14. Ultrasonic vibration cuter. / Ultex Corp., Sato Shigeru, Ishii Ruoichi. № 08/834 993- Заявл 07.04.97.
  205. Pat. 6 316 967 Japan, МКИ4 B24B27/06. Method of cutting wafers / Matsumoto Hirosi, Matsusita Denki Sange. — № 61 156 616- Заявл. 03.07.86.
  206. Pat. 665 380 Switzerland, МКИ4 В26Д1/46. Dispositif de sciage dune pleceen materlau dur ou fragile / Hauser Charles. -№ 830/86- Заявл. 28.02.86- Опубл. 13.05.88.
  207. Pat. 678 298 Switzerland, МКИ5 B23D5/00. Dispositif de sciage par fils / Hauser Charls. № 1747/88- Заявл. 09.05.88- Опубл. 30.08.91.
  208. Pat. 679 464 Switzerland, МКИ5 B23 D55/00. Dispositif de sciage par fils pour la production / Hanser Charles. № 1197/89- Заявл. 03.04.89- 0публ.28.02.92.
  209. Rajurkar K.R. Microremoval of ceramic material in the precision Ultrasonic machining / K.R. Rajurkar, Z.Y. Wang, A. Kuppattan // Precis. Eng. 1999. — 23. — № 2. — P. 73 — 78.
  210. Struth W.F. Diamantscharter schhiff Frennf solavelemente bruchfrei / W.F. Struth // Ind. Anz. — 1994. — 116. — № 8. — P. 60.
  211. Struth W.F. Wafer slicing by internal diameter sawing / W.F. Struth, K. Steffens, W. Konig // Precis Eng. 1988. — 10. — № 1. -P. 29−34.
  212. Tanovik L.S. Process derived from diamond grain penetration into ceramic / L.S. Tanovik // Tribol. Ind., 1997. 19. — № 1. -P. 19−22.
  213. Timantilla pinnoitettu lanka aukoo uusia uria // Konepejamies. 1988.-41. -№ 11.-P. 38 -39.
  214. Tonshff H.K. Grundlagen und Technologe des ID-Trennschleifens / H.K. Tonshff, E. Brinksmeier, W.V. Schmieden // Maschinenbau. 1988. — 17. — № 1. — p. 23, 25 -29.
  215. TOnshoff H.K. Hauchdunne Plattchen mit der Drahtsage frennen / H.K. TOnshoff // Feinwerktechn Messtechn. 1992. -100.-№ 6.-C. 254.
  216. Tonshoff H.K. Prazisionsbearbeitung von monokristallinem Silizium / H.K. Tonshoff, M. Klein // VDI Berichte. 1991. — № 933.-P. 29−78
  217. TOnshoff H.K. Verfahrens-vergleich zum Trennsehleifen von Silizium / H.K. TOnshoff, H.G. Wobker // IDR: Ind. Diamanfen Rdsch. 1995. — 29. — № 1. — P. 38 — 42.
  218. Ultrasonic machining and polishing extrude hone // Mod. Mach. Shop. — 1998. — 71. — № 3. — P. 338 — 339.
  219. Werner P.G. Mehrblatt Punktkontakt Schaukelsagen (MPS) bietet hochste Schnittreten und Bearbeitungsgiitn. Trennen sproder Werkstoffe in groBfleching-dtinne Abschnitte / P.G. Werner // wtProd. und Manag. 1994. — 84. — № 3. — P. 91 — 95.
  220. МЕТОДИКА ЧИСЛЕННОГО РАСЧЕТА ТЕПЛОВОГО СОСТОЯНИЯ ОТРЕЗНОГО КРУГА АКВР И ЗАГОТОВКИ В ПРОЦЕССЕ РАЗРЕЗАНИЯ
  221. Блок 1. Генерация разностной сетки
  222. Обеспечивается ввод исходных данных, приведенных в табл. П. 1.1.1. П. 1.1. Исходные данные1
  223. CDK рад/с Угловая скорость вращения круга
  224. Vs мм/ми Скорость врезной подачи отрезного круга10 nK н с-1 Частота вращения отрезного круга11 A Минимальный шаг сетки
  225. M3r MM Количество узлов радиальной сетки заготовки в первом приближении
  226. Мзх Количество узлов аксиальной сетки заготовки в первом приближении
  227. Определяем шаг сетки режущей кромки в окружном направлении АфрК в первом приближении:1001. Афрк = arccosdpK 21. Vs • n1рк
  228. Определяем количество NpK расчетных точек по окружности режущей кромки круга2:1. NK =2.711. Афрк, 4. Уточняем Афрк:1 В соответствии с рис. 38.
  229. Здесь и далее угловые скобки означают округление до ближайшего целого.2.к1. Афрк= —•рк
  230. Шаг сетки заготовки в окружном направлении Дср3 приравниваем шагу сетки режущей кромки в окружном направлении Афрк:1. Лфз =АФрк
  231. Определяем шаг интегрирования по времени:11. Ат =nk-NpK
  232. Определяем количество узлов на радиальной сетке режущей кромки круга:(dPKi-dpK2)1V1 ркгг 2 зг •
  233. Определяем количество узлов на радиальной сетке заготовки:
  234. M3rr=d3-M3r- если Мзгг четное, то Мзгг= Мзгг +1.
  235. Определяем количество узлов на аксиальной сетке режущей кромки круга:1. Мркхх — hpK • Мзх, если Мркхх- четное, то Мркхх = Мркхх +1.
  236. Определяем количество узлов на аксиальной сетке заготовки:1. M3xxl=L3-M3X-если M3XXL-четное, то M3JcxL = M3XXL +1−3xxh —рк '^зх'r3i =если M3xxh- четное, то M3xxh = M3xxh +1-зххп —П 'ЗХ 'если мзххп- четное, то Мзххп = Мзххп +1.
  237. Вычисляем радиальные координаты расчетных точек заготовки:2J Мзп
  238. Вычисляем радиальные координаты расчетных точек режущей кромки круга: dpK2, dpKl-dpK2 л Л • 1 я Z Z-Mpj^j.
  239. Вычисляем аксиальные координаты расчетных точек заготовки: хзк = —— (k —1), к= 1,., M3XXL1. МзххЬ
  240. Вычисляем аксиальные координаты расчетных точек режущей кромки круга:1. Vk =ЬП+ТГ--(к1)' к= Ь м
  241. Определяем количество узлов на радиальной сетке корпуса круга:1. Mm =—если Мзгг — четное, то Мзгг= Мзгг +1.
  242. Определяем количество узлов на аксиальной сетке корпуса круга:1. Мкхх — hK*M3X, если М,^ четное, то М^ = М^ +1.
  243. Вычисляем радиальные координаты расчетных точек корпуса круга: рк!,рк1 Л 1 • 1 Л/Г r"i=—•= 1. м
  244. Вычисляем аксиальные координаты расчетных точек корпуса круга: xKk=hn + hpK2"hK+^^-(k-l), k=l,., Mmркхх
  245. Блок 2. Начальные данные и теплофизические свойства СОЖ и воздуха
  246. Обеспечивается в удобной для пользователя форме ввод исходных данных, приведённых в табл. П. 1.2.1. П. 1.2. Исходные данные1. Обозна- Ед. Описаниечение изм.1 2 3 4
  247. Pz Н Эмпирическая (или иная) зависимость для расчета касательной составляющей силы резания
  248. Тж К Температура СОЖ, подаваемой в зону резания
  249. Тв к Температура окружающего воздуха1 2 34 Рж (Т) кг/м35 MD Па-с6 Сж (Т) Джкг-К7 UT) Вт8 м-К1. Ргок (Т) г/м39 Спж (Т) Джкг-К10 Вт11 м-К1. TS (P) К12 Па-с13 Св (Т) Джкг-К14 UJ) Втм-К15 sc м216 ёж м3/с17 УкЬ Ук2> рад1. УкЗ, Ук418 УзЬ Уз2 рад
  250. Зависимость плотности СОЖ от температуры Зависимость динамической вязкости СОЖ от температуры1
  251. Зависимость удельной теплоёмкости СОЖ от температуры1
  252. Зависимость теплопроводности СОЖ от температуры
  253. Зависимость плотности паров СОЖ от температуры1 Зависимость удельной теплоёмкости паров СОЖ от температуры1
  254. Зависимость теплопроводности паров СОЖ от температуры11. Кривая насыщения СОЖ
  255. Зависимость динамической вязкости воздуха от температуры
  256. Зависимость теплоёмкости воздуха от температуры
  257. Зависимость теплопроводности воздуха от температуры
  258. Площадь выходного сечения сопла для подачи СОЖ поливом
  259. Объёмный расход СОЖ через сопло
  260. Угловые координаты сектора круга, орошаемого СОЖсм. рис. 5)
  261. То же заготовки (см. рис. 5)
  262. Из управляющего модуля получаем номер j = JK расчётного элемента круга и номер j = J3 расчётного элемента заготовки, находящихся в рассматриваемый момент времени в контакте.
  263. Количество расчётных точек круга, попадающих в сектор уК1<�ф< ук1'/ Ук1Nжрк 11. Афгде скобки { | означают округление до целого в меньшую сторону.
  264. Количество расчётных точек круга, попадающих в сектор ук3<�ф< ук:1. У КЗNжрк 21. Аф1 По данным работы 154.
  265. Количество расчётных точек заготовки, попадающих в сектор Уз1—ф— Ъ21. Дср
  266. Скорость истечения СОЖ из сопла: иж Sc
  267. Скорость жидкости относительно круга: и0к = (<°гРк иж 'cos ai)
  268. Скорость жидкости относительно заготовки: и0з =иж -cosaj.
  269. Длина дуги режущей кромки круга, орошаемой СОЖ:1рк1 = 2 (Урк2—Урк)>рк2 = —~~' (урк4 ~ УркЗ)•
  270. Длина дуги заготовки, орошаемой СОЖ: h =у'(Уз2-Уз1)
  271. Общее число расчетных точек на поверхности режущей кромки круга, омываемых СОЖ: жрк — -^жрк1жрк2 •
  272. Общее число расчетных точек на поверхности режущей кромки круга, соприкасающихся с воздухом:1. N =N -N1. А ^ врк х рк ^ жрк •
  273. Общее число расчетных точек на поверхности заготовки, соприкасающихся с воздухом: вз — N3 — .
  274. Модуль А. Теплоотдача от жидкости к поверхности режущей кромки круга АКВР
  275. Средняя температура TpKWi поверхности режущей кромки, омываемой СОЖ, для всех номеров к по толщине режущей кромки круга: а) если Jpic2> JPKi, тоТpKwlk1. Е т, хт pKMpK, j, k 'жрк j=JpKlб) иначеТN
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!