Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Исследование неравновесных электронных процессов в германии с примесями халькогенов

Диссертация: Исследование неравновесных электронных процессов в германии с примесями халькогенов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Из анализа спектров фотопроводимости определены энергетические зазоры между нейтральным атомом халькогена, однократно ионизованным, возбужденными состояниями и зоной проводимости германия. В соответствии с этими данными, возбужденное состояние теллура связано с Г-точкой, а серы, селена с L-точкой зоны Бриллюэна германия. Если в исходный низкоомный материал n-или р-типа ввести глубокую примесь… Читать ещё >

Содержание

  • Стр. .Л
  • Глава I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 2. Зонная структура германия и кремния
    • 1. 2. Теория примесных центров в полупроводниках
    • 1. 3. Поведение примесей халькогенов в германии
    • 1. 4. Возбужденные состояния халькогенов в германии
    • 1. 5. Твердые растворы Gei. x Six
    • 1. 6. Влияние глубоких примесей на процессы в р-n переходах
  • Глава II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБРАЗЦОВ
    • 2. 1. Оптические методы исследования — основные положения
    • 2. 2. Установка для оптических измерений
    • 2. 3. Установка для измерения эффекта Холла
    • 2. 4. Установка для определения времени жизни в полупроводниках
    • 2. 5. Установка для регистрации вольтамперных характеристик
    • 2. 6. Технология получения материалов с заданными свойствами и изготовление образцов
    • 2. 7. Источники погрешностей при записи оптических спектров
  • Глава III. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
    • 3. 1. Исследование образцов германия методом эффекта Холла
    • 3. 2. Фотопроводимость германия легированного Те, Se, S
    • 3. 3. Фотопроводимость твердых растворов Geix Six с примесями
  • Те и Se
    • 3. 4. Электрические свойства германиевых p-i-n — структур с примесями халькогенов
    • 3. 5. Исследование релаксационных свойств p-i-n — диодов Ge: Se
    • 3. 6. Примесная фотопроводимость в германиевых p-i-n — диодах с примесями Те, Se, S
    • 3. 7. Обсуждение экспериментальных результатов

Исследование неравновесных электронных процессов в германии с примесями халькогенов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Кремний и германий уже давно являются основными материалами для производства полупроводниковых приборов. Хорошо отработана технология получения монокристаллов Si и Ge очень высокой степени чистоты, но в реальных кристаллах всегда присутствуют дефекты, которые и определяют многие свойства полупроводников. Типичный точечный дефект — введенный в решетку полупроводника атом другого химического элемента, т. е. атом примеси. Легирование Ge и Si элементами Ш-V группы Периодической системы приводит к появлению в запрещенной зоне энергетических уровней, лежащих вблизи границ зон с энергиями порядка 0,01 эВ, это «мелкие» примеси. Уровни элементов VI группы лежат глубоко в запрещенной зоне, это «глубокие» примеси. При этом влияние глубоких центров на параметры полупроводниковых материалов гораздо разнообразнее, чем мелких. Так, например, в 5-омном n-кремнии (NMen=1015cm" 3) изменение концентрации мелкой примеси на 1% практически не скажется на параметрах материала, но наличие золота с концентрацией Nrn =0,01 NMCT.~ 1013см" 3 приведет к значительному уменьшению времени жизни носителей [81].

Глубокие примесные уровни в полупроводниках могут являться как центрами прилипания, так и рекомбинации. Следовательно, их введение может увеличивать скорость рекомбинации, резко уменьшая времена жизни неосновных носителей тока, что необходимо для увеличения быстродействия активных элементов некоторых полупроводниковых приборов, в частности, инжекционных лазеров.

Если в исходный низкоомный материал n-или р-типа ввести глубокую примесь в концентрации, сравнимой с концентрацией исходной мелкой примеси, то вследствие перераспределения носителей тока между мелкими и глубокими примесными состояниями можно получить компенсированный материал с высоким удельным сопротивлением.

Примеси S, Se, Те в германии и кремнии имеют энергии ионизации, соответствующие «окнам» прозрачности атмосферы при 3,5 и 10 мкм, что делает эти материалы перспективными для создания фотоприемников ИК-излучения.

Как известно, Ge и Si образуют твердые растворы во всем диапазоне концентраций. По мере увеличения содержания Si в сплаве ширина запрещенной зоны и энергия ионизации примеси постепенно растет. Используя твердые растворы Ge-Si, легированные глубокими примесями, можно получить материал с точно регулируемой длинноволновой границей фотопроводимости.

Фотоприемники с очень узкой спектральной областью чувствительности могут быть построены на основе использования переходов электронов в возбужденные состояния примеси.

Кроме прикладного интереса, полупроводники с глубокими уровнями являются прекрасным модельным объектом для проверки теоретических представлений. Начиная с 50-х годов, опубликовано большое число работ по расчету зонной структуры полупроводников, энергетических спектров примесей, сечения поглощения и сечения захвата. Сравнение результатов теории и эксперимента дает хорошее совпадение для мелкого примесного центра, прекрасное для возбужденных состояний, но погрешность вычислений параметров глубокого центра составляет 0,5 эВ [43]. До сих пор не существует адекватной модели глубокого примесного центра. Поэтому экспериментальные работы по исследованию поведения глубоких примесей в полупроводниках, в частности в Ge, являются актуальными.

Перспективы получения новых экспериментальных данных для развития представлений о природе глубоких примесей в полупроводниках и возможность новых технических приложений таких материалов стимулируют продолжение исследований в данном направлении.

Цели и задачи работы.

Основная цель диссертационной работы — экспериментальное исследование неравновесных электронных процессов в германии, легированном серой, селеном, теллуром и кремнием. Для достижения поставленной цели были сформулированы следующие задачи:

1. Создание экспериментальных установок для оптических измерений, для исследования эффекта Холла, измерения времени жизни неравновесных носителей, регистрации вольтамперных характеристик.

2. Освоение технологических процессов получения монокристаллов германия, легированных халькогенами и кремнием, структур с p-i-n-переходами различными методами: горизонтальной перекристаллизацией, газотранспортной эпитаксией, диффузией.

3. Исследование спектров примесной фотопроводимости полученных кристаллов и структур с различными уровнями легирования.

4. Изучение электрических и релаксационных свойств примесей халькогенов в кристаллах и p-i-n-структурах.

5. Теоретический анализ полученных результатов, выяснение причин различий в поведении примесей S, Se, Те в германии.

Структура и содержание диссертации.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и списка используемой литературы из 134 наименований. Работа изложена на 143 страницах, включая 44 рисунка.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Проведенные исследования неравновесных электронных процессов в германии с примесями халькогенов и кремния позволили получить ряд новых данных о физических явлениях, происходящих с участием глубоких многозарядных примесей.

1. Впервые в спектрах фотопроводимости германия обнаружены спектральные линии переходов электронов с ионов халькогенов в возбужденные состоянияпричем, возбужденное состояние теллура характеризуется положительным синглетом, а сера, селен вносят несколько пиков отрицательной полярности. Амплитуда фотосигнала в области особенностей сильно зависит от степени компенсации халькогенов мелкой акцепторной примесью галлия. Определены степени компенсации, оптимальные для наблюдения возбужденных состояний.

2. Из анализа спектров фотопроводимости определены энергетические зазоры между нейтральным атомом халькогена, однократно ионизованным, возбужденными состояниями и зоной проводимости германия. В соответствии с этими данными, возбужденное состояние теллура связано с Г-точкой, а серы, селена с L-точкой зоны Бриллюэна германия.

3. Возбужденное состояние однократно ионизованного теллура связанное с Г-точкой зоны Бриллюэна германия является резонансным. После оптического возбуждения электрон переходит путем туннелирования в абсолютный минимум зоны проводимости и увеличивает сигнал фотопроводимости.

4. Возбужденные состояния (ВС) однократно ионизованных примесей серы и селена локализованы в L-точке зоны Бриллюэна. Их отрицательный вклад в фотопроводимость (ФП) объяснен изменением симметрии примесного центра после возбуждения, и последующего возврата его в основное состояние.

5. В спектрах ФП твердых растворов Gei. xSix х=(1,5−4,5)%, легированных теллуром и селеном, обнаружены аналогичные линии ВС и увеличение энергий ионизации и связи с ростом процентного содержания кремния.

6. Совместное введение в решетку германия атомов теллура и селена дало аддитивный вклад в спектр фотопроводимости. Следовательно, наблюдавшиеся ранее линии в спектрах обусловлены одиночными атомами в узлах кристаллической решетки, а не многоатомными комплексами какого-либо типа.

7. Для повышения фоточувствительности образцов, была изготовлена и исследована серия p-i-n-диодов, легированных халькогенами. На образцах с примесью серы выявлено еще два новых возбужденных состояния, на образцах с селеном — пять. Обнаружены линии переходов электронов из возбужденных состояний валентной зоны на уровень нейтрального селена. Возбужденные состояния идентифицированы в соответствии с результатами теоретической работы Фолкнера [18].

8. Обнаружено и объяснено соответствие спектральной линии перехода в ВС иона теллура гауссиану, а серы, селена — лоренциану.

9. Анализом комплекса электрофизических параметров халькогенов объяснено различие спектров возбужденных состояний ионов теллура и серы, селена: первый вызывает релаксацию решетки германия, вторые — дисторсию.

10. Выполненный теоретический расчет спектральной зависимости сечения фотоионизации примеси селена в германии и сопоставление с экспериментальным спектром, показало, что волновая функция электрона может быть представлена центральной частью в виде 8-функции и кулоновского шлейфа.

11. В p-i-n-диоде Ge: Se по измеренной температурной зависимости времени релаксации фотопроводимости определена энергия ионизации селена, являющегося центром прилипания.

12. Измеренная спектральная зависимость времени релаксации фотопроводимости в примесной области в пределах точности эксперимента остается постоянной и резко снижается в области фундаментальных переходов.

13. Напряжение смещения килогерцовой частоты, приложенное к pin — диоду Ge. Se, вызывает расщепление вольтамперной характеристики, что объясняется электрической перезарядкой примесных состояний в базе структуры и накоплением заряда инжектированных носителей.

14. Определены оптимальные температурные и временные режимы легирования германия при диффузии, газотранспортной эпитаксии, горизонтальной перекристаллизации. Измерены коэффициенты растворимости халькогенов в германии, сегрегации, коэффициенты диффузии.

15. Создан комплекс аппаратуры для изготовления легированных образцов, исследования электрических, фотоэлектрических, релаксационных характеристик полупроводников с глубокими уровнями.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ.

1. Радчук Н. Б., Ушаков А. Ю. Особенности ФП германия с примесью теллура // П Респ. конф. по фотоэл. явл. в полупр.: Тез. докл., — Одесса, 1982. — С.199.

2. Радчук Н. Б., Ушаков А. Ю. Особенность в спектре фотопроводимости германия, легированного теллуром // ФТП. — 1982. — Т. 16, Вып. 10. — С. 1855.

3. Радчук Н. Б., Ушаков А. Ю. Устройство для измерения концентрации носителей заряда в проводящих материалах // Авт. свид. № 1 112 316 — 1984 г.

4. Радчук Н. Б., Ушаков А. Ю. Возбужденные состояния примеси Se в Ge // ФТП. — 1985. — Т. 19, Вып. 4. — С. 749−750.

5. Радчук Н. Б., Ушаков А. Ю. Возбужденные состояния примесей халькогенов в германии // Микроэлектронные устройства. Проектирование и технология: Межвузовский сборник, г. Красноярск: Кр. ПИ, 1988. — С. 107−110.

6. Ушаков А. Ю., Радчук Н. Б., Штеренгас P.M. Фотопроводимость, связанная с примесью теллура в германии // ФТП. — 1995. — Т. 29, Вып. 3. — С. 483−486.

7. Ушаков А. Ю., Радчук Н. Б., Штеренгас P.M. Возбужденные состояния серы и селена в германии // ФТП. — 1995. — Т. 29, Вып. 4. — С. 754−756.

8. Штеренгас P.M., Радчук Н. Б., Ушаков А. Ю. Энергетические спектры примесей халькогенов в германии // Рос. Конф. «Инновационные наукоемкие технологии для России»: Тез. докл., — С. Петербург, 1995, ч.9 — С. 129.

9. Штеренгас P.M., Радчук Н. Б, Ушаков А. Ю. Примесная фотолюминесценция халькогенов в германии // там же, — С. 130.

10. Ushakov A.Yu., Radchuk N.B., Shterengas R.M. Excited states of chalcogen impuries in Ge // 18 th International Conference on Defects in Semiconductors. -Japan, Sendai.- 1995. — P. 128.

П.Ушаков А. Ю., Штеренгас P.M., Радчук Н. Б. Энергетические спектры возбужденных состояний примесей халькогенов в германии // 2-я Рос. конф. по физике полупроводников: Тез. докл., — Зеленогорск, 1996. — С. 154.

12. Ушаков А. Ю., Штеренгас P.M., Штеренгас JI.M., Радчук Н. Б., Возбужденные состояния ионов халькогенов в германии // ФТП. — 1998. — Т. 32, Вып. 2.-С. 155−158.

13. Радчук Н. Б., Ушаков А. Ю. Бесконтактный метод экспресс-измерения времени жизни неосновных носителей в полупроводниках // Всерос. научн. конф. ФПП-2002: Тез. докл., — С. Петербург, 2002. — С. 228.

14. Ушаков А. Ю., Радчук Н. Б. Бесконтактное измерение времени жизни // 17-я Межд. н-т. конф. по фотоэл. и приб. ночн. видения: Т.д., — Москва, 2002. С. 60.

15. Радчук Н. Б., Ушаков А. Ю. Энергетические спектры халькогенов в сплавах GexSij. x // VII-я Всерос. конф. по пробл. науки и высш. шк. «Фунд. иссл. в техн. универс.»: Тез. докл., — С. Петербург, 2003. — С. 252−253.

16. Радчук Н. Б., Ушаков А. Ю. Оптические переходы возбужденных состояний халькогенов в германии // Межд. конф. «Оптика, оптоэлектроника и технологии»: Тез. докл., — Ульяновск, 2003. — С. 71.

17. Радчук Н. Б., Ушаков А. Ю. Бесконтактный метод измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках // ПТЭ. — 2003. — N 3. — С. 112−115.

18. Радчук Н. Б., Ушаков А. Ю. Примесная фотопроводимость халькогенов в твердых растворах Gei. xSix // ФТП. — 2005. — Т. 39, Вып. 5. — С. 550−551.

19. Радчук Н. Б., Ушаков А. Ю. Оптические переходы в германиевых p-i-n-структурах // IX Всерос. конф. по пробл. науки и высш. шк. «Фунд. иссл. в техн. универс.»: Тез. докл., — С. Петербург, 2005. — С. 138−139.

20. Радчук Н. Б., Ушаков А. Ю. Рекомбинационные процессы в германии с примесью селена // Межд. конференция «Опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы»: Тез. докл., — Ульяновск, 2005. — С. 84.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.М. Зонная структура полупроводников. М.: Наука, 1978. -328 с.
  2. Arthur J.B., Baynham А.С., Fawcett W., Paige E.G.S. Optical absorption due to free holes in germanium: a comparison of theory and experiment // Phys. Rev. -1966.-V. 152.-P. 740−745.
  3. Zwerdling S., Button K.J., Lax В., Roth L.M. Internal impurity levels in semiconductors: experiments in p-type silicon // Phys.Rev.Lett.- 1960.-V.4. P.173.
  4. Mckelvey J.P. Solid state and semiconductor physics. New York: Harper and Row, 1966.-217 p.
  5. Levinger В., Frankl D. Cyclotron resonance measurements of the energy band parameters of germanium // Journ. Phys. Chem. Solids. 1961. — V.20, N3,4. — P. 281−288.
  6. Hensel J., Hasegawa H., Nakayama M. Cyclotron resonance in uniaxially stressed silicon. Nature of the covalent bond // Phys. Rev. -1965. -V.138, N1A. -P.225−238.
  7. .П., Сейсян Р. П., Варфаломеев A.B. Осцилляции магнетопоглощения и экситонные состояния в германии // Труды IX Международной конференц. по физике полупроводников. 1968. -М.: Академия наук, Ленинград. — С. 287.
  8. Т., Иопгада А., Саваки Н. Плотность состояний и хвосты зон в минимумах (ООО) и (100) сильно легированного германия // Труды IX Международной конференц. по физике полупроводников. 1968. -М.: Академия наук, Ленинград. — С. 114.
  9. MacFarlane G.G., McLean T.P., Quarrington J.E., Roberts V. Fine structure in the absorption-edge spectrum of Si // Phys. Rev. 1958. — V. 111. — P. 1245.
  10. А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978.- 615с.
  11. Бонч-Бруевич B.JI., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. — 672 с.
  12. Peierls R. Zur Theorie des Diamagnetismus von Leitungselektronen // Z. Phys. -1933.-B.80.-S. 763.
  13. Wannier G. The structure of electronic excitation levels in insulating crystals // Phys. Rev. -1937. V. 52. — P. 191.
  14. Adams E.N. The crystal momentum as a quantum mechanical operator // J.Chem. Phys. 1957.-V. 21.-P. 2013.
  15. С.И. Метод эффективной массы электрона в кристалле // ЖЭТФ. -1946. Т. 16. — С. 933−936.
  16. Kohn W. Shallow impurity states in silicon and germanium // Solid State Phys. -1957.-V. 5.-P. 257.
  17. Faulkner R.A. Higher donor excited states for prolate-spheroid conduction bands: a reevaluation of silicon and germanium // Phys. Rev. 1969. — V. 184, N 3. — P. 713−721.
  18. Jones R.L., Fisher P. Spectroscopic study of the deformation-potential constants of group-Ш acceptors in germanium // Phys. Rev. 1970.- V. B2. — P. 2016.
  19. Ning Т.Н., Sah C.T. Multivalley effective-mass approximation for donor states in silicon. I. Shallow-level group-V impurities // Phys. Rev. 1972. — V. B4. — P.3468.
  20. А.Б. Теория глубоких центров в полупроводниках // ФТП. 1974. -Т. 8, Вып. 1.-С.З.
  21. Breitenecker М., Sexl R., Thirriing W. On the effective mass approximation // Zs. Phys. 1964. — V. 182.-S. 123.
  22. Glodeanu A. Helium-like impurities in semiconductors // Phys. St. Sol. 1967. — V. 19.-K43.
  23. Castner T.G. Configuration mixing of subsidiary minima: corrections to the ground-state wave function for donors in silicon // Phys. Rev.- 1970. -B2.- P.4911.
  24. Wilson D.K., Feher G. Electron spin resonance experiments on donors in silicon. III. Investigation of excited states by the application of uniaxial stress and their importance in relaxation processes // Phys. Rev. -1961. V. 124. — P. 1068−1083.
  25. Kohn W., Luttinger J.M. Theory of donor states in Si // Phys. Rev.- 1955. V. 98, N. 4.-P. 915−922.
  26. Bebb H.B., Chapman R.A. Application of quantum defect techniques to photoionization of impurities in semiconductors // J. Phys. Chem. Sol. 1967. — V. 28, N. 10.-P. 2087−2097.
  27. Bebb H.B., Chapman R.A. Theory of deep impurity centers in semiconductors // Proc. 3rd Int. conf. on photoconductivity: New York. Pergamon Press, 1971. — P. 245.
  28. Lucovsky G. On the photoionization of deep impurity centers in semiconductors // Solid State Commun. 1965. — V. 3, N. 9. — P. 299−302.
  29. Дж. Теория энергетической зонной структуры. -М.: Мир, 1969.
  30. У. Псевдопотенциалы в теории металлов. -М.: Мир, 1969.
  31. Glodeanu A., Gartner P., Rusu P. A bi-particle theory of local states in non-metallic crystals by using the pseudopotential method // Rev. Roum. Phys. 1974. -V. 19.-P. 921.
  32. Hermanson J., Phillips J.C. Pseudopotential theory of excitation and impurity states // Phys. Rev. 1966. — V. 150. — P. 652.
  33. И.М. О вырожденных регулярных возмущениях. 1. Дискретный спектр// ЖЭТФ. -1947. Т. 17. — С. 1017−1025.
  34. И.М. О вырожденных регулярных возмущениях. П. Квази-непрерывный и непрерывный спектры //ЖЭТФ. 1947. — Т. 17. — С.1076−1089.
  35. Koster G.F., Slater J.C. Wave functions for impurity levels // Phys. Rev. 1954. -V. 95, N. 5.-P. 1167.
  36. Koster G.F., Slater J.C. Simplified impurity calculation // Phys. Rev. 1954. — V. 96, N. 5.-P. 1208−1223.
  37. CallawayJ, Hughes A.J. Localized defects in semiconductors // Phys. Rev. 1967. -V. 156.-P. 860.
  38. Bethe H.A. Termaufspaltung in Kristallen // Ann. Phys. 1929. — V. 3. — РЛ 33.
  39. Людвиг Дж, Вудбери Г. Электронный спиновый резонанс в полупроводниках. М.: Мир, 1964.
  40. В.Н., Свидзинский К. К. Акцепторные примеси замещения в полупроводниках// ФТП. -1971. Т. 5. — С. 1865.
  41. Watkins G.D., Messmer R.P. Treatment for a deep level in a semiconductor // Proc. 10 th Int. conf. on the Physics of semiconductors, MIT, Cambridge, Pub. CONF 700 801 USAEC: National Technical Information Service, Springfield, Virginia, 1970.-P. 623.
  42. .А., Панкратов О. А. Электронная структура точечных дефектов в полупроводниках А4В6 //ЖЭТФ. 1985. — Т. 88, Вып. 1. — С.280.
  43. Phillips J.C. Dielectric theory of impurity binding energies, I. Group V donors in Si and Ge // Phys. Rev. 1970. — V. B1. — P. 1540.
  44. Phillips J.C. Dielectric theory of impurity binding energies, П. Donor and isoelectric impurities in GaP. // Phys. Rev. 1970. — V. Bl. — P. 1545.
  45. А.Э., Ильин Н. П., Мастеров В. Ф. Аналитическое решение проблемы глубокого центра методом непрерывных дробей // ФТП. 1983. -Т. 17, Вып. 10.-С. 1823.
  46. В.Ф. Глубокие центры в полупроводниках // ФТП. 1984. — Т. 18, Вып. 1. — С. 3.
  47. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977. — 562 с.
  48. .И., Бахадырханов М. К., Городецкий С. М., Куликов Г. С., Компенсированный кремний. -Л.: Наука, 1972. 121 с.
  49. Pantelides S.T. The electronic structure of impurities and other point defects in semiconductors //Rev. Mod. Phys. 1978. — V. 50, N. 4. — P. 797−858.
  50. Tyler W.W. Deep level impurities in germanium // Proc. of the 1958 Intern. Conf. on Semicond.: Rochester, Aug. 18−22, J.Phys.Chem. Solids. -1959. -V.8. p.59−65.
  51. Newman R., Tyler W. Photoconductivity in germanium // Solid State Phys. -1959. V.8.-P.49.
  52. К.Д., Литовченко H.M., Миселюк Е. Г. Захват и прилипание электронов на положительно заряженных атомах теллура в германии // ФТТ. -1963. Т. 5, Вып. 3. — С. 942−944.
  53. В.Д., Косенко В. Е. Диффузия теллура в германии ФТТ. 1962. -Т. 4, Вып. 6.-С. 1627−1631.
  54. Susila G. Recombination in tellurium-doped n-type germanium // Proc. Nuclear Phisics solid state phys.: Sumpos, Bombay 1968. 3. -P.411.
  55. Pearton S.J. A study of deep metal- related centers in germanium by capacitance spectroscopy // Solid-State Electronics. 1982.- V. 25, N. 6. — P. 499−503.
  56. Н.И., Беглов Б. И., Самойлова B.H. // Отрицательное смещение границы примесной фотопроводимости германия с теллуром ФТП. 1985. -Т. 19, Вып. 2.-С. 336.
  57. И.М., Гужова И. П., Беглов Б. И. Фотоэлектрические характеристики германия, легированного теллуром // Физ. электроника. Республиканский межведомственный научно-технический сборник. Львов: В. школа, 1977. -Вып.14. — С. 43−45.
  58. Д.А., Заболотникова Г. А., Солнышкова В. И. Исследование примесных состояний серы, селена и теллура в германии // Легированные полупроводниковые материалы М.: Наука, 1985. — С. 13−16.
  59. Ю.А., Прокопенко В. М., Тальянский В. И. Об энергетических уровнях Se в Ge //Письма в ЖЭТФ. 1984. — Т. 39, Вып. 3. — С. 126−129.
  60. А.Ш., Хабибуллаев П. К., Хакимов З. М., Левин А. А. Об энергетических уровнях Se и комплекса с его участием в Ge // Письма в ЖЭТФ. 1985. — Т. 41, Вып.8. — С. 348−349.
  61. Pearton S.J. The electronic states of some metal impurities in germanium // Aust. J.Phys. 1982. — V. 35, N 1. — P.53−58.
  62. Grimmeiss H.G., Larsson K, Montelius L. Hydrogen-like excited states of a deep donor in germanium // Solid State Commun. 1985. — V.54, N. 10. — P.863−865.
  63. Grimmeiss H.G., Montelius L., Larsson K. Chalcogens in germanium // Phys. Rev. 1988. — V. B37, N. 12. — P. 6916−6928.
  64. Janzen E., Stedman R., Grossman G., Grimmeiss H.G. High resolution studies of sulfur- and selenium-related donor centers in silicon // Phys. Rev. 1984. — V. B29, N.4.-P. 1907−1918.
  65. M., Бургуэн Ж Точечные дефекты в полупроводниках, Теория М.: Мир, 1984.-263 с.
  66. Kogan S.M., Lifshits Т.М. Photoelectric spectroscopy a new method of analysis of impurities in semiconductors // Phys. Status Solidi (a). — 1977. — V. 39. — P. 11.
  67. Grimmeiss H.G., Kleverman M. Spectroscopic studies of point defects in silicon and germanium // 2nd Int. Autumn Meet. Proc.: Getter, and defect Eng. Semicond. Technol. (GADEST 87): Garzau, Oct. l 1−17, 1987, — Frankfurt Oder, 1987.- P.43−51.
  68. Ramdas A.K., Rodriguez S. Spectroscopy of the solid-state analogues of the hydrogen atom: donors and acceptors in semiconductors // Rep. Prog. Rhys.- 1981. -V. 44, N. 12.-P. 1297−1387.
  69. Reuszer J.H., Fisher P. An optical determination of the ground-state splittings of group-V impurities in germanium // Phys. Rev. 1964. — V. 135, N. 4A. — P. A1125-A1132.
  70. Grimmeiss H.G. Deep energy levels in semiconductors // Proc. 17th Int.Conf.on Defects in Semiconductors: San Francisco, Calif., Aug.6−10, 1984. New York, Berlin, Heidelberg, Tokyo, 1984. — P.589−600.
  71. Grimmeiss H.G. Optical experiments on deep centers in semiconductors // Helvetica Physica Acta. 1983. — V. 56, N. 1−3. — P. 317−327.
  72. Nilsson G., Nelin G. Phonon dispersion relations in Ge at 80K, // Phys. Rev. -1971. V. B3, N. 2. — P. 364−369.
  73. М.Я. Электронные приборы на основе твердого раствора Ge-Si. -Баку: ЭЛМ, 1986. 140 с.
  74. Herman F., Glickaman M., Parmenter B. Semieonduct. alloys progress in semiconductors // 1957. — V. П, pt. I, London, Helwood.
  75. Е.Ф., Мельников E.A., Сутченков A.A., Левадний А. И., Филиков В. А. Зонная структура твердых растворов германия и кремния // ФТП. 1983. -Т. 17, Вып. 5, С. 769−772.
  76. Yohnson E.R., Christian S.M. Some properties of germanium-silicon alloys // Phys. Rev. 1954. — V. 95. — P.560.
  77. M.B., Лютович К. Л., Панов М. Ф., Пихтин А. Н., Попов В. А. Параметры зонной структуры твердых растворов SixGei.x // ФТП. 1990. — Т. 24, Вып. 9.-С. 1604−1607.
  78. Landolt Н, Borstein R. Numerical data and functional relationships in science and technology//New Series. Semiconductors., Subv. A.N.Y. 1982. — V. 17.
  79. Г. К., Ганиев A.C., Шахтахтинский М.Г // Изв. АНАзССР, серия физ. тех. и мат. наук. — 1980. -N. 1. — С. 651.
  80. Л.С., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Ленинград: Наука, 1981. — С. 176.
  81. Юм-Розери В., Рейнор Г. В. Структура металлов и сплавов // М.: Металлургиздат, 1959. — С. 56−81.
  82. Г. К., Ганиев А. С., Шахтахтинский М.Г Энергетический спектр донорных состояний теллура в монокристаллах твердых растворов германий-кремний // ФТП. 1979. — Т. 13, Вып. 12. — С. 2297−2301.
  83. Ma Q.M., Wang K.L., Schuman J.N. Band structure and symmetry analysis of coherently grown Sii. xGex alloys on oriented substrates // Phys. Rev.B. 1993. -V. 47, N. 14. -P.1936−1953.
  84. Sah C. T, Noyce R.N., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n junctions and р-n janction characteristics // Proc. ШЕЕ. 1957. -45. — P. 1228.
  85. Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А. Ю. Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями. Ташкент.: ФАН, 1981.-С. 199.
  86. Bakanowski А.Е., Forster J.H. Electrical properties of gold-doped diffused silicon computer diodes // Bell syst. techn. journ. 1960. — V. 39. — P. 87.
  87. Ghandhi S.K., Thiel F.L. The properties of nichel in silicon // Proc. IEEE. 1969. -57.-P. 1484.
  88. Р.Ф., Сурис P.A., Шенкерман A.B. Электрические свойства переходов, образованных примесями с глубокими уровнями // ФТП. 1970. -Т. 4, Вып .11. — С. 2088−2098.
  89. P.M., Исследование возбужденных состояний примесей халькогенов в германии: канд. диссертация, 1995,150 с.
  90. Э.З., Пахомов А. А., Яссиевич И. Н. Модель глубокого примесного центра в многодолинных полупроводниках // ЖЭТФ. 1987. — Т. 93, Вып. 4. -С. 1410−1418.
  91. Munakata С., Honma N., Itoh Н. A nondestructive method for measuring lifetimes for minority carriers in semiconductor wafers using frequency-dependent ac photovoltages // Jap. J. of Appl. Physics. 1983. — V. 22, N. 2. — P. L103-L105.
  92. A.M. Теория дефектов в твердых телах. -М.: Мир, 1978. Т. 1. -569 с.
  93. Grimmeiss H.G., Janzen Е, Larsson К. Multivalley spin splitting of Is states for sulfur, selenium and tellurium donors in silicon // Phys. Rev. 1982. — V. B25, N. 4. — P. 2627−2632.
  94. Hall L.H., Bardeen J., Blatt F.J. Infrared absorption spectrum of germanium // Phys. Rev. 1954. — V .95. — P. 559−561.
  95. Grimmeiss H.G., Janzen E., Skarstam B. Electronic properties of selenium-doped silicon // J. Appl. Phys. 1980. — V. 51, N. 17. — P. 3740−3745.
  96. М.Г., Хуцишвили Э. В. Твердые растворы полупроводниковой системы германий-кремний. Тбилиси.: Мецниереба, 1985. — 175 с.
  97. А.Н., Никитин В. А. О выборе нормалей и методов градуировки призменных ИК-спектрометров // УФН. 1955. — Т. 61, Вып. 5. — С. 3.
  98. Reiss Н. Chemical effects due to the ionization of impurities in semiconductors // J.Chem. Phys. 1953. — V. 21. P. 1209.
  99. Reiss H., Fuller C.S., Morin F.J. Chemical interactions among defects in germanium and silicon // Bell Syst.Techn. J. 1956. — V. 35. — P. 535.
  100. Fuller C.S. Diffusion of donor and acceptor elements into germanium // Phys. Rev. 1952. — V. 86, N. l.-P. 136−137.
  101. Grimmeiss H.G., Janzen E. Chalcogen impurities in silicon. Deep centers in semiconductors // S.Pantelides. 1986. — Chapter 2. — P.87−146.
  102. Bergman K., Grossmann G., Grimmeiss H.G., Stavola M., McMurray R.E. Applicability of the deformation-potential approximation to deep donors in silicon // Phys. Rev. -1989. V. В 39, N. 2. — P. 1104−1119.
  103. И.В. Оптика спектральных приборов. JI.: Машиностроение, 1975.312 с.
  104. К.И. Спектральные приборы. Ленинград: Машиностроение, 1977. — 365 с.
  105. Л. Природа химической связи. М.Л.: Госхимиздат 1947. — 433 с.
  106. А. Введение в теорию и приложения квантовой механики. М.: Мир, 1984. — 359 с.
  107. О. Принципы лазеров. М.: Мир, 1990. — 558 с.
  108. . Квантовые процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1986. — 304 с.
  109. А.А. Фотоионизация глубоких примесных центров в полупроводниках// ФТП. 1976. — Т. 10, Вып. 10. — С. 1872−1878.
  110. Bebb Н.В. Application of the quantum -defect method to optical transitions involving deep effective-mass-like impurities in semiconductors // Phys. Rev. -1969.-V. 185.-P. 1116.
  111. И.А., Морозова B.A., Ярцев B.M. О сечении фотоионизации акцепторных уровней золота в германии п-типа // ФТП. 1973- Т. 7. — С. 1712.
  112. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями, под ред. Фистуля В. И. М.: Металлургия, 1987. — 229 с.
  113. А.С., Гринберг А. А. Учет кулоновского взаимодействия в модели Луковского при фотоионизации положительно и отрицательно заряженных примесных центров // ФТП. 1976. — Т. 10. — С. 1159.
  114. Свойства элементов, справочник под ред. Самсонова Г. В. М.: Металлургия, 1976. — 599 с.
  115. Ridley В.К. The photoionisation cross section of deep level impurities in semiconductors // J. Phys. — 1980. — V. C13. — P. 2015.
  116. E.M., Лифшиц T.M., Сидоров В. И. Фотоэлектрическая спектроскопия, полный качественный анализ остаточных примесей в полупроводнике // ФТП. 1973. — Т. 7, Вып. 5. — С. 986.
  117. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: физ.-мат. лит., 1963. — 495 с.
  118. А.А. Температурная зависимость времени жизни неравновесных носителей тока в полупроводниках при рекомбинации на многозарядных центрах // ФТТ. Сб. статей. 1959. — т. П, 192 с.
  119. Hall R.N. Recombination of electrons and holes in germanium // Phys. Rev. -1952.-V. 87.-P. 387.
  120. Ш. Адирович Э. И., Гуро Г. М. Характеристические времена электронных процессов в полупроводниках // ДАН СССР. 1956. — Т. 108. — С. 417.
  121. Физические величины, под ред. Григорьева И. С. и Мейлихова Е. З. М.: Энергоатомиздат, 1991. — 1232 с.
  122. И.М., Рыжик И. М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. -М.: Наука, 1971.
  123. J. С. Dielectric definition of electronegativity // Phys. Rev. Lett. 1968. -V. 20. — P. 550.
  124. C.C. Электроотрицательность элементов и химическая связь. -Новосибирск: Изд. Сиб. отд. АН СССР, 1962. 196 с.
  125. С.С. Структурная рефрактометрия. М.: Изд. МГУ, 1959. 223 с.
  126. .В. Основы общей химии. СПб, М.:Лань, 2003, т.1, т.2.
  127. У. Введение в физику полупроводников. М.: ИЛ, 1959.
  128. Д.С., Гринберг А. А. Оптические переходы между уровнями глубокого примесного центра // ФТП. 1978. — Т. 12, Вып. 8. — С. 1582.
  129. М.Г., Пенин Н. А., Соловьев Н. Н. Влияние элекгрон-фононного взаимодействия на ширину линий спектра возбужденных состояний иона Zn" в германии // ФТП. 1985. — Т. 19, Вып. 3, С. 512.
  130. В.И., Шалимов В. В. Фотоионизация глубоких примесных центров в полупроводниках // ФТП. 1977. — Т. 11, Вып. 8, С. 1505.
  131. Я.С., Рознерица Я. А., Чебан А. Г. Сечение фотоионизации глубоких центров в компенсированных полупроводниках // ФТП. 1973. — Т. 7, Вып. 2, С. 304.
  132. Р. Квантовая теория света. М.: Мир, 1976. — 488 с.
  133. Ф., Пастори Парравичини Дж. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах. М.: Наука, 1982. — 391 с.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!