Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Основы технологии получения кремниевых структур с объемными элементами методом жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента

Диссертация: Основы технологии получения кремниевых структур с объемными элементами методом жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Многие технологические проблемы создания и получения дискретных полупроводниковых приборов также были бы сняты или существенно ослаблены при наличии конкурентоспособного технологического метода, позволяющего создавать активные элементы в объеме кристалла. К таким приборам относятся стабилитроны и диоды различного назначения, стабис-торы, варикапы, кремниевые фотоэлектропреобразователи (ФЭП… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Литературный обзор и постановка задачи исследований
    • 1. 1. Обзор методов получения кремниевых структур с объемными элементами
    • 1. 2. Обоснование выбора технологического метода
    • 1. 3. Анализ известных способов ЖЭГТ кремния с использованием дискретных зон
    • 1. 4. Аппаратурное оформление способов ЖЭГТ кремния на основе дискретных зон
    • 1. 5. Постановка задачи исследований
  • Выводы
  • 2. Исследование и разработка способов формирования дискретных зон в кремниевых подложках
    • 2. 1. Общие замечания
    • 2. 2. Исследование причин невоспроизводимого формирования дискретных зон методом избирательного смачивания
    • 2. 3. Способ формирования дискретных зон избирательным смачиванием подложки бинарными расплавами А1Ме
    • 2. 4. Способ формирования зон из тонкого вертикального слоя раствора — расплава
    • 2. 5. Оптимизация обработки поверхности кремния перед формированием дискретных зон
    • 2. 6. Обоснование применения предложенных способов и технологические схемы их реализации
  • Выводы
  • 3. Исследование основных закономерностей ЖЭГТ кремния с использованием дискретных зон
    • 3. 1. Общие замечания
    • 3. 2. Исследование особенностей кинетики трехкомпонентных дискретных зон на основе алюминия в кремнии
    • 3. 3. Исследования особенностей кинетики жидкофазной эпитаксии кремния из тонкого вертикального слоя раствора-расплава
    • 3. 4. Разработка и исследование способа стабилизации траектории дискретных зон в кремнии
    • 3. 5. Особенности ЖЭГТ кремния с переменным градиентом температуры
      • 3. 5. 1. Теоретические исследования миграции тонких зон
      • 3. 5. 2. Особенности кинетики дискретных зон при ЖЭГТ кремния с переменным градиентом температуры
    • 3. 6. Общие требования к технологическому процессу и схемы операций ЖЭГТ кремния с дискретными зонами
  • Выводы
  • 4. Разработка высокопроизводительного термического оборудования для ЖЭГТ с дискретными зонами
    • 4. 1. Общие замечания
    • 4. 2. Разработка термического модуля для формирования дискретных зон на поверхности кремниевых подложек
    • 4. 3. Разработка термического модуля для эпитаксиапьного наращивания
      • 4. 3. 1. Конструкция шестипозиционного нагревательного устройства для миграции дискретных зон
      • 4. 3. 2. Компьютерное моделирование теплового поля резистивного излучателя тепла
      • 4. 3. 3. Разработка нагревающего устройства для ЖЭГТ цилиндрического типа с осевой симметрией
  • Выводы
  • 5. Свойства локальных эпитаксиапьных каналов, структур с объемными элементами и приборов на их основе
    • 5. 1. Общие замечания
    • 5. 2. Экспериментальные исследования электрофизических свойств эпитаксиальных каналов и прилегающих областей исходного кристалла
      • 5. 2. 1. Кристаллическое совершенство структур с объемными элементами
      • 5. 2. 2. Исследование зависимости концентрации легирующих примесей в эпитаксиальных каналах от условий их формирования
    • 5. 3. Электрические свойства кремниевых структур с объемными элементами и приборов на их основе
      • 5. 3. 1. Структуры с разделительными р+ областями для силовых полупроводниковых приборов на токи до 100 Л
      • 5. 3. 2. Структуры для солнечных батарей, работающих в условиях широких диапазонов освещенности и температуры
    • 5. 4. Перспективы применения разработанной технологии для создания трехмерных БИС и силовых ИС
  • Выводы

Основы технологии получения кремниевых структур с объемными элементами методом жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

В последние годы в полупроводниковой электронике выявлен ряд проблем, решение которых традиционными технологическими методами затруднено или невозможно по принципиальным соображениям. Эти проблемы, обусловленные, главным образом, использованием только приповерхностных областей исходной подложки, имеют место в технологических процессах изготовления как микроэлектронных схем (ИС), так и дискретных полупроводниковых приборов.

Так, неизбежным следствием планарной технологии получения ИС является использование более 96% полупроводникового материала в подложке лишь в качестве механического опорного слоя. Это приводит к недоиспользованию для полезных целей объема и тыльной поверхности подложки, к дополнительным трудностям в организации межэлементной разводки и к усложнению пространственной компоновки ИС, а также применению контактов, затеняющих часть фоточувствительных элементов и матриц полупроводниковых источников энергии.

Многие технологические проблемы создания и получения дискретных полупроводниковых приборов также были бы сняты или существенно ослаблены при наличии конкурентоспособного технологического метода, позволяющего создавать активные элементы в объеме кристалла. К таким приборам относятся стабилитроны и диоды различного назначения, стабис-торы, варикапы, кремниевые фотоэлектропреобразователи (ФЭП), тензо-датчики и датчики температуры, полевые транзисторы и др. При этом, наряду с новыми возможностями в конструировании этих приборов, формирование активных р-n переходов в областях кристалла, не затронутых механической обработкой и не подверженных влиянию различных поверхностных эффектов, позволило бы приблизить к теоретическим значения электрических параметров приборов, повысить их стойкость к воздействию различного рода внешних факторов.

Отмеченные выше проблемы могут быть в значительной степени преодолены при использовании в технологии получения базовых структур ИС и дискретных приборов метода жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента (ЖЭГТ) на основе зон линейной и точечной форм. Этот метод позволяет получать как многослойные структуры, так и структуры со встроенными в объем кристалла каналами цилиндрической, трубчатой и других форм. При использовании подходящих растворителей миграция жидких дискретных зон в кристалле осуществляется при сравнительно невысоких температурах (900−1200 °С) со скоростью 50−500 мкм/ч, направление движения зон в кристалле определяется градиентом температуры, концентрация вводимой в кристалл примеси регулируется в широких пределах составом и размером жидких зон.

В последние годы предприняты неоднократные попытки применить метод ЖЭГТ на основе дискретных зон для решения ряда задач полупроводниковой фотоэнергетики и силовой полупроводниковой электроники. Апробация данных разработок в промышленных условиях показала актуальность постановки задачи по созданию и исследованию основ универсальной технологии, обеспечивающей приемлемый процент выхода годных структур, высокую производительность и энергетическую эффективность. Вместе с тем практический интерес это предложение может вызвать только при наличии методики воспроизводимого процесса ЖЭГТ на тонких дискретных зонах размером в несколько микрометров. Для разработки такой технологии недостаточно изученными оказались процессы формирования дискретных зон уменьшенных геометрических размеров на поверхности кристалла, стадия их погружения в кристалл, процессы, влияющие на стабильность движения дискретных зон в кристалле.

Актуальной является также и задача создания высокопроизводительного оборудования для реализации метода ЖЭГТ. Известное оборудование для миграции дискретных зон не удовлетворяет условиям серийного производства, что затрудняет освоение метода ЖЭГТ на перспективных направлениях.

Цель и задачи исследования

Целью диссертационной работы является разработка физико-металлургических основ технологии получения кремниевых приборных структур с объемными элементами методом ЖЭГТ, обеспечивающей приемлемый процент выхода годных приборных структур при высокой производительности процесса.

Для достижения поставленной цели необходимо:

1. Исследовать процессы формирования дискретных зон избирательным смачиванием зонообразующим расплавом поверхности кремниевой подложки, выявить причины невоспроизводимости этого процесса и условия их устранения.

2. Разработать эффективные методики воспроизводимого нанесения материала тонких жидких дискретных зон на поверхность подложки.

3. Исследовать основные закономерности кинетики ЖЭГТ кремния на основе тонких дискретных зон.

4. Исследовать причины траекторной нестабильности миграции дискретных зон. Разработать методики, обеспечивающие стабильную миграцию дискретных зон в кремнии.

5. Определить принципы конструирования и разработать высокопроизводительное термическое оборудование для получения кремниевых структур с объемными элементами методом ЖЭГТ.

6. Исследовать кристаллическое совершенство и электрофизические свойства формируемых эпитаксиальных каналов, локальных р+ областей, n-p±n структур и приборов на их основе.

Научная новизна работы:

1. Предложена модель процесса формирования жидких дискретных зон, учитывающая влияние температурно-временных режимов процесса на воспроизводимость смачивания кремния расплавом алюминия через окис-ную маску и локальное диффузионное растворение кремния в жидком алюминии. Выявлена корреляция между коэффициентом поверхностного натяжения зонообразующего материала на границе кристалл-расплав и шириной вскрытого окна в окисном слое, что позволило обосновать применение ряда металлов Периодической системы в качестве добавок в зонообразую-гций материал.

2. Исследовано влияние микрорельефа поверхности кремния перед стадией формирования тонких дискретных зон на воспроизводимость процесса. Найдены оптимальные параметры микрорельефа поверхности кремниевой подложки, при которых достигается ее наилучшее смачивание жидким металлом.

3. Впервые обнаружен и исследован эффект стабилизации процесса миграции дискретных зон в кристалле под действием пространственной локализации теплового потока, что позволило разработать новый подход повышения устойчивости миграции дискретных зон.

4. Выполнен анализ влияния на скорость миграции тонких дискретных зон пороговости кинетических процессов на межфазных границах дискретной зоны, на основании которого предложена методика применения переменного температурного градиента в подложке при ее вращении, обеспечивающая увеличение скорости и стабильности миграции тонких дискретных зон.

5. Разработаны научные основы технологического процесса изготовления объемных эпитаксиальных каналов и областей методом ЖЭГТ, позволяющего повысить воспроизводимость и улучшить качество структур.

Практическая значимость. В работе предложены и разработаны:

— способы воспроизводимого формирования дискретных зон, основанные на использовании малых добавок Ga и Sc в зонообразующий материал (патент N2026895 от 20.01.95 и А.с. N1669332 от 22.01.91);

— способ управления траекторией дискретных зон локализацией теплового потока в полупроводниковой подложке кремния, обеспечивающий высокую траекторную стабильность процесса термомиграции жидких зон (А.с. N 1 653 480 от 11.07.89);

— конструкции формирователя дискретных зон роторного типа и нагревающего устройства цилиндрического типа с осевой симметрией для термомиграции.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Модель процесса формирования дискретных зон применима: а) для нахождения критического значения ширины вскрытого окна г, ниже которого получить дискретную зону с воспроизводимыми параметрами не возможноб) для определения взаимосвязи глубины проникновения зонооб-разующего материала в кристалл с температурно-временными режимами процесса избирательного смачивания.

2.

Введение

добавок Ga и Sc, снижающих коэффициент поверхностного натяжения зонообразующего расплава на основе А1, позволяет: а) улучшить смачивание поверхности кремния раствором-расплавомб) уменьшить критическое значение ширины вскрытого окна гв) снизить температуру процесса формирования дискретных зонг) обеспечить необходимую стойкость маскирующего покрытия к образованию проколов.

3. Предложена методика струйно-абразивной обработки поверхности подложки, обеспечивающая оптимальные параметры ее микрорельефа ш ероховатость поверхности 0, 1< R < 0,2 МКМ И Глубину нарушенного СЛОЯ hT < 5 мкм) для воспроизводимого формирования тонких дискретных зон.

4. Обнаруженный эффект гарантированного подавления траекторией нестабильности процесса термомиграции дискретных зон при локализации теплового потока в местах дополнительной жидкой прослойки на тыльной поверхности подложки.

5. Применение импульсного вращения подложки относительно нагревающей поверхности с частотой 1−2 Гц и скважностью 2−4 позволяет при постоянной средней температуре процесса повысить скорость миграции тонких дискретных зон в 3−4 раза, а также их деформационную и траекторную стабильность, относительно стационарного режима ЖЭГТ.

6. Результаты исследования характеристик п-р±п структур с объемными эпитаксиальными областями и приборов на их основе, изготовленных с помощью ЖЭГТ.

7. Основы технологии и термическое оборудование для получения кремниевых структур методом ЖЭГТ.

Реализация результатов работы. Выполненные в диссертационной работе исследования связаны с госбюджетной и хоздоговорной тематикой кафедры физики ЮРГТУ (НПИ), направленной на решение поисковых и прикладных научно-исследовательских работ для ряда промышленных предприятий и научно-исследовательских институтов.

Технологический процесс изготовления кремниевых п-р±п структур и термическое оборудование для его реализации использованы в серийном производстве мезастеклопассивированных диодных «чипов» в ООО «Элемент-Преобразователь» (Украина, г. Запорожье) и фотоэлектрических преобразователей ОАО «Сатурн» г. Краснодар. Результаты настоящих исследований представляют практический интерес для ГНПП НЗПП с ОКБ (г. Новосибирск), АООТ ВЗПГ1 (г. Воронеж), ЗАО «Транзистор» (Армения, г. Ереван) и других предприятий специализирующихся на выпуске полупроводниковых приборов, ИМС и СИС, в которых могут найти применение структуры с объемными р±областями и каналами.

Результаты диссертационных исследований используются в учебном процессе ЮРГТУ (НПИ) при подготовке студентов по специальности 200 200 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы» .

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на объединенных научных семинарах проблемной лаборатории микроэлектроники, ОНИЛ «Микрометаллургии полупроводников», НИЛ «Кристалл» и кафедры физики ЮРГТУ (НПИ), научно-практических конференциях ученых ЮРГТУ (НПИ) — III Всесоюзной научно-технической конференции «Основные направления развития конструирования, технологии и исследования силовых полупроводниковых приборов» (г. Москва, 1991) — научно-практическом семинаре-выставке «Лазеры и современное приборостроение» (г. Санкт-Петербург, 1991) — молодежной научной конференции «XXI Гагаринские чтения» (г. Москва, 1995) — Российской научно-технической конференции «Новые материалы и технологии» (г. Москва, 1994) — международной научно-технической конференции «Инженерно-физические проблемы авиационной и космической техники» (г. Егорьевск, 1995) — I, II, III, IV и V Всероссийских научно-технических конференциях с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (г. Таганрог, 1994;1998).

Публикации и личный вклад автора. По материалам диссертации опубликовано 31 печатная работа, в числе которых 2 авторских свидетельства на изобретение, 1 патент РФ, 12 статей, включая 2 в центральных научных журналах, которые написаны в соавторстве и изложены в диссертационной работе (ссылки 121−151 в списке литературы). Материалы диссертации использовались в 5 отчетах о НИР.

Диссертационная работа выполнена под научным руководством доктора физико-математических наук, профессора Лозовского В. Н., который поставил задачи исследования и руководил работой на всех этапах.

По тематике диссертации автором лично выполнено следующее: построена модель процесса формирования дискретных зонразработаны алгоритмы и составлены программы на языке Pascal для реализации компьютерного моделирования процесса локального диффузионного растворения кремния в жидком алюминии в процессе формирования дискретных зон, а также теплового поля, создаваемого градиентным резистивным нагревателем. Проведены экспериментальные исследования основных закономерностей ЖЭГТ кремния с использованием дискретных зон. Сконструированы и изготовлены два термических модуля для ЖЭГТ.

При содействии Балюка А. В. проведены теоретические и экспериментальные исследования процессов формирования и термомиграции тонких зон, разработаны конструкции роторного формирователя жидких дискретных зон и цилиндрического градиентного нагревателя с осевой симметрией. Соавторы публикаций Балюк А. В., Князев С. Ю., Константинова Г. С. и Середин Б. М. принимали участие в постановке экспериментов и обсуждении полученных результатов исследований.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав (с аннотацией и выводами по каждой главе), общих выводов, списка цитируемой литературы из 185 наименований, 2 приложений. Работа изложена на 172 страницах, включая 95 рисунков и 1 таблицу.

Общие выводы.

1. Разработаны физико-металлургические основы нового технологического процесса изготовления базовых кремниевых структур с объемными элементами для дискретных полупроводниковых приборов и приборов микроэлектронного назначения. Предложенный процесс включает две основных технологических стадии: формирование дискретных зон избирательным смачиванием расплавом полупроводниковой подложки и миграцию зон в поле температурного градиента в объеме кристалла.

2. Предложена модель локального диффузионного растворения кремния в жидком алюминии в процессе формирования жидких дискретных зон через окисную маску, позволившая установить количественные соотношения, определяющие взаимосвязь:

— наименьшей ширины вскрытого окна с коэффициентом поверхностного натяжения, толщиной окисного слоя, плотностью раствора-расплава, конструкционными особенностями формирователя;

— глубины проникновения зонообразующего материал в кристалл с температурно-временными режимами процесса формирования зоны.

3. На основе указанной модели предложен и реализован способ формирования тонких (30−70 мкм) дискретных зон избирательным смачиванием подложки непосредственно из расплава жидкой фазы.

Показано, что введение добавок Ga и Sc, снижающих коэффициент поверхностного натяжения зонообразующего расплава на основе А1, позволяет снизить температуру процесса формирования дискретных зон, обеспечив необходимую стойкость маскирующего покрытия к образованию проколов. При этом специально созданные температурные условия в подложке способствуют погружению дискретных зон в объем кристалла.

4. Исследована кинетика миграции тонких дискретных зон в системе Si-Al-Ga и Si-Al-Sc. Экспериментально получены зависимости скорости миграции линейных зон от температуры процесса и толщины зон. Обнаружено, что при концентрациях добавок Ga и Sc в интервале (0,03−0,5 мас.%) наблюдается смещение диффузионного режима в область тонких зон (/к 15 мкм) и технологически значимое увеличение скорости зон в кинетическом режиме.

5. Предложен и реализован способ повышения устойчивости миграции дискретных зон, основанный на создании в кристалле температурных условий, гарантированно подавляющих траекторную нестабильность миграции дискретных зон. Впервые обнаружен и исследован эффект стабилизации процесса миграции дискретных зон под действием пространственной локализации теплового потока в заданных областях кристалла.

6. Предложен и реализован способ ЖЭГТ, основанный на создании переменного температурного градиента в подложке при неизменной ее средней температуре. Способ позволяет путем искусственного нарушения стационарности процесса снять ограничения метода ЖЭГТ по толщине дискретных зон, связанные с пороговыми эффектами на межфазных границах.

7. Предложены и реализованы конструкции двух компактных термических модулей для ЖЭГТ: а) роторный формирователь дискретных зон с регулируемым градиентом температуры от 0 до 20 град/см б) цилиндрический градиентный нагреватель, обеспечивающий стабильную миграцию ансамбля дискретных зон в объеме кристалла. Кроме того, для реализации нестационарного процесса ЖЭГТ дополнительно разработана конструкция градиентного модуля с осевой симметрией, позволяющая реверсировать направление градиента температуры в подложке при сохранении ее средней температуры.

8. Исследованы электрофизические свойства эпитаксиальных каналов, структур и приборов на их основе. Установлено, что применение зоно-образующих материалов с добавками компонентов, обеспечивающих снижение при ЖЭГТ коэффициента поверхностного натяжения на границе жидкость-кристалл, способствует ослаблению дефектообразования в кремнии. Исследованы электрофизические свойства п-р±п структур и полупроводниковых приборов, показаны преимущества разработанной технологии.

9. Разработанный базовый технологический процесс изготовления кремниевых структур с объемными элементами и термическое оборудование для его реализации использованы в опытном производстве интегральных ФЭП на ОАО «Сатурн» (г. Краснодар) и базовых структур с разделительными р+ областями для силовых полупроводниковых приборов на токи до 100 А в ООО «Элемент — Преобразователь» (Украина, г. Запорожье).

Показать весь текст

Список литературы

  1. Р. Элементы интегральных схем.: Пер. с анг. / Р. Миллер, Т. Кейминс. -М.: Мир, 1989. 630 с.
  2. Дж. ЭВМ пятого поколения: компьютеры 90-х годов: Пер. с англ.- М.: Финансы и статистика, 1985. 173 с.
  3. М. Современная технология и экономическое развитие Японии: Пер. с англ. М.: Экономика, 1986. — 264 с.
  4. Ю.П. Конструкции и технология микросхем (ГИС и БИС) / Ю. П. Ермолаев, М. Ф. Пономарев, Ю. Г. Крючков М.: Сов. радио, 1980. — 252 с.
  5. Я. Основы технологии СБИС: Пер. с японского / Под ред. В. Г. Ржанова. М.: Радио и связь, 1985. — 479 с.
  6. В.Г., Закс М. Б., Калашьян В. А. и др. // Гелиотехника. 1979.-№ 4.-С.14−18.
  7. А.А. Полупроводниковые твердые схемы / А. А. Колосов, Ю. И. Горбунов, Ю. Е. Наумов М.: Сов. радио, 1965. — 504 с.
  8. А.А. Технология кремниевых приборов. М.: Энергия. -1970. — 152 с.
  9. Заявка 2 270 677 Франция, МКИ-Н01Ь 021/22. Способ глубокой диффузии примеси в кремний. № 411 022. — Опубл. 9.01.76.
  10. Blunt P. Reliable thuristors and truacs in T0−220 plastik packages / / Electronic components and aplication. 1979. — V.2, Nol. — P.53−57.
  11. Заявка 60−54 774 Япония, МКИ-Н01Ь 021/225. Способ изготовления полупроводниковых элементов. № 53−2764. — Опубл. 02.12.85
  12. Заявка 60−103 670 Япония, МКИ-HOIL 021/225. Способ изготовления полупроводниковых приборов. -Опубл. 10.12.85
  13. Gibbon C.F., Povilonis E.I., Ketchow D.R. The Effect of Mask Edges on Dopant Diffusion info Semiconductors // J.Elecrochem. Soc.- v. l 19.1972. p.767.
  14. .И. Диффузия и точечные дефект в полупроводниках. -Л.: Наука, 1972. 384 с. 16. Заявка 59−117 174 Япония.
  15. Патент 2 085 897 Великобритания, H01L 021/22, 021/302, 021/78. Способ изготовления полупроводника.
  16. Патент 204 349 ГДР, H01L 021/225, 021/302. № 2 371 979. Способ изготовления глубоких диффузионных областей в силовых транзисторах. -№ 2 371 979. Опубл. 23.11.83.
  17. Pat. 4 104 086. United States, H01L 21/76, H01L 27/00. Method for forming isolated regions of silicon utilizing reactive ion etching / J. A. Bondur, H.B. Pogge. No 824 361. -Aug. 1, 1978.
  18. Заявка 60−101 945 Япония, Способ изготовления полупроводниковых приборов. Опубл. 10.08.85.
  19. Camisa R.L. FET Seitable for monoligic Integration, wiht Laser -Processeol ctate and Prain Via Connections / R.L. Camisa, G.C. Tayior, F.P. Cuomo // RCA Review, 1984. V. 45. — P.841−844.
  20. Смачивание и поверхностные свойства расплавов и твердых тел / Г. А. Григорьев, B.JT. Лапин, B.C. Балеевский и др/ Киев: Наукова думка, 1972. -С. 80.
  21. В.Ю. Плазмохимическое и ионно-плазменное травление микроструктур / В. Ю. Киреев, Б. С. Данилин, В. Н. Кузнецов. М.: Радио и связь, 1983. — 125 с.
  22. Лазеры в технологии / Под ред. М. Ф. Стельмаха М.: Энергия, 1975. — 139 с.
  23. Pat. 4 595 428 United States, H01L 021/228. Method for producing high-aspect ratio hollow diffused regions in a semiconductor body / T.R. Anthony, D.E. Houston, J.A. Loughran No.:567 708. -June 17, 1986.
  24. Pat. 4 437 109 United States. Silicon-on-sapphire body with conductive paths therethrough / T.R. Anthony, R.J. Connery, Jr.D. Hoeschele. March 13, 1984.
  25. Pat 4 515 642 United States, H01L 017/. Method of forming deep aluminum doped silicon by implanting Al and Si ions through alumina layer and device formed thereby. No.: 525 484. — May 7, 1985
  26. A.c. 649 270 СССР, МКИ-HOIL 21/263. Способ создания в кремнии слоев n-типа проводимости. № 2 467 255. — Опубл. 15.02.84.
  27. Заявка 3 511 363 ФРГ, МКИ-С30 В 31/20. Способ формирования путем нейтронного легирования в кремниевых пластинах областей с регулируемой степенью легирования.- № 3 511 363. Опубл. 09.10.86.
  28. Легирование полупроводников методом ядерных реакций / Л.С.
  29. , С.П. Соловьев, В.Ф. Стась, В. А. Харченко. Новосибирск: Наука, 1981. — 179 с.
  30. JI. Модификация свойств твердых тел ионными пучками / JI. Пранявичус, Ю. Дудонис. М.: Энергия, 1975. -156 с.
  31. Pat. 4 325 879 United States, С07С 117/00, С07С 121/86. Amino-14 steroid derivatives and process for preparation of the same / F.X. Jarreau, J.J. Koenig No.: 182 546. — Aug. 29, 1980.
  32. Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия / И. М. Скворцов и др. М.: Энергия, 1978. -138 с.
  33. В.М. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов / Под ред. Ж. И. Анферова / В. М. Андреев, J1.M. Долги-нов, Д. Н. Третьяков. М.: Советское радио, 1975. -328 с.
  34. Жидкофазная эпитаксия кремния / J1.B. Кожитов и др.- М.: Металлургия, 1989. -200 с.
  35. В.Б. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии / В. Б. Уфимцев, Р. Х. Акчурин М.: Металлургия, 1983. -222 с.
  36. В.Дж. Зонная плавка М.: Мир, 1970. — 366 с.
  37. В.Н. Зонная плавка с градиентом температуры М.: Металлургия, 1972. -240 с.
  38. В.Н. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов / В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, В. П. Попов. М.: Металлургия, 1972. -240 с.
  39. Заявка 2 249 443 Франция, MKH-H01L 023/52. Проходные электрические соединения полупроводниковых приборов и способ их получения. № 411 295. — Опубл. 27.06.75.42. А.с. 279 727 СССР.
  40. Заявка 2 249 440 Франция, MKH-H01L 023/52. Способ изготовления приборов типа заглубленный диод. № 411 022. — Опубл. 27.06.73.
  41. Nishimura Т. A trhee dimensional static RAM / Т. Nishimura, Y. Inoue, K. Sugahara et al. // 1985 Sympoium on VLSI Technology. Digest of Technical Papes, Kobe, 1985. P. 30−31.
  42. Р.Ш. Малкович. Математика диффузии в полупроводниках. -С.-П.: Наука, 1999. — 330 с.
  43. Современная кристаллография. -М.: Наука, -1980. -Т. 3. -470 с.
  44. Ю.В. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы / Ю. В. Панфилов, В. Т. Рябов, Ю. Б. Цветков -М.: радио и связь, 1988. -320 с.
  45. Свойства элементов. Справочник / Под ред. Самсонова Г. В. -М.: Металлургия, 1976. — 4.1. — 600 с.
  46. Pat. 4 024 566 United States, H01L 029/04 H01L 027/10. Deep diode device / T.R. Anthony, H.E. Cline. -No.: 645 672. May 17, 1977.
  47. Pat. 3 977 910 United States, H01L 007/34. Deep finger diodes / T.R. Anthony, H.E. Cline. No.: 545 531. — August 31, 1976
  48. Pat. 3 988 770 United States, H01L 29/04, H01L 23/48. Deep finger diodes / T.R. Anthony, H.E. Cline Appl. No.: 559 262. — Mar. 17, 1975.
  49. A.c. 116 836 СССР, МКИ-СЗОВЗЗ/ОО. Способ жидкостного травления полупроводниковых пластин. № 3 702 109. — Опубл. 23.07.85.
  50. Pat. 3 975 213 United States, H01L 21/225. High voltage diodes / T.R. Anthony, H.E. Cline. No.: 545 481. — August 17, 1976.
  51. Pat, 3 988 757 United States, H01L 29/88, H01L 29/90. Deep diode zeners / H.E. Cline, T.R. Anthony. No.: 568,920. — Apr. 17, 1975.
  52. Pat. 4 032 960 United States, H01L 027/02 H01L 029/04. Anisotropic resistor for electrical feed throughs / T.R. Anthony, H.E. Cline. -No.:545 482. -June 28, 1977.
  53. Pat. 4 082 572 United States, H01L 021/76 H01L 021/72. Process for making anisotropic resistor for electrical feed throughs / T.R. Anthony, H.E. Cline. No.: 721 537. — April 4, 1978
  54. Pat. 3 956 024 United States, H01L 7/34, H01L 7/00. Process for making a semiconductor varistor embodying a lamellar structure / H.E. Cline, T.R. Anthony. No.: 528 253. — Nov. 29, 1974.
  55. Pat. 4 032 965 United States, H01L 23/32, H01L 29/04, H01L 29/ 167. Semiconductor varistor embodying a lamellar structure / H.E. Cline, T.R. Anthony. No.:678 292. — Apr. 19, 1976.
  56. Pat. 3 956 026 United States, H01L 7/34, H01L 7/00. Making a deep diode varactor by thermal migration / H.E. Cline, T.R. Anthony. No.:528 235. — Nov. 29, 1974.
  57. Электроника. M.: Мир, 1977, — № 11. -C.7−8.
  58. Lischner D. Observations of the Temperature Gradient Zone Melting Process for isolatijng small devices / D. Lischner, H. Basseches, F. Daltroy // J. Electrochem. Soc. -1985. -V. 132, № 12. P. 2997−3001.
  59. Termomigration processing of isolations grids in power structures / T. Anthony, I. Boah, H. Chang, H. Cline. IEEE Transactions on Electron Devices, 1976.- V.23, No8. — P.818−823.
  60. Int. Electron Devices Meeting, Washington D.C., (Dec. 7−9, 1981), Tech. Dig.- New York, 1981. P. 66.
  61. Pat. 3 982 268 United States, H01L 29/06, H01L 27/04, H01L 29/04, H01L 23/48. Deep diode lead throughs / T.R. Anthony, H.E. Cline -No.: 558 221.-Sept. 21, 1976.
  62. Pat. 4 275 410 United States, H01L 23/48. Three-dimensionally structured microelectronic device / J. Grinberg, A. Jacobson, K. Chow. -No.: 964 547. -Jun. 23, 1981.
  63. Proc. Soc Photo-Opt. Instrum. Eng. 1981, No282.- P.64−72.
  64. Pat. 4 032 955 United States, H01L 029/72 H01L 029/00 H01L 029/ 04. Deep diode transistor / T.R. Anthony, H.E. Cline. No.: 712 716. — June 28, 1977.
  65. Pat. 3 988 764 United States, H01L 7/00, H01L 27/02, H01L 29/04, H01L 23/32. Deep diode solid state inductor coil / H.E. Cline, T.R. Anthony. -No.: 570 661. -Oct. 26, 1976.
  66. Pat. 4 024 565 United States, H01L 27/02, H01L 29/06. Deep diode solid state transformer / T.R. Anthony, H. E Cline. -No.:553 903. May 17,1977.
  67. Pat. 4 071 378 United States, H01L 021/225. Process of making a deep diode solid state transformer / T.R. Anthony, H.E. Cline. No.: 738 709. -January 31, 1978
  68. В.И. Трехмерные интегральные схемы / В. И. Рудаков, Ю. И. Горбунов, J1.A. Коледов // Обзоры по электронной технике. Сер. 3 Микроэлектроника / ЦНИИ Электроника. -1987. -Вып. 5 -48 с.
  69. Pat. 3 979 230 United States, H01L 021/228. Method of making isolation grids in bodies of semiconductor material / T.R. Anthony, H.E. Cline. No.: 519 913. -September 7, 1976.
  70. Pat, 3 988 762 United States, H01L 27/04, H01L 29/04, H01L 29/ 167, H01L 29/207. Minority carrier isolation barriers for semiconductor devices / T.R. Anthony, H.E. Cline. No.:474 033. -Oct. 26, 1976.
  71. Pat. 3 988 763 United States, H01L 27/04, H01L 29/04, H01L 7/00. Isolation junctions for semiconductors devices / Jr. Torreno, L. Manuel. -No.:556 726. -Oct. 26, 1976.
  72. Pat. 4 063 966 United States, H01L 021/208. Method for forming spaced electrically isolated regions in a body of semiconductor material / T.R. Anthony, H.E. Cline. No.: 676 994. -December 20, 1977.
  73. Pat. 4 006 040 United States, H01L 021/225. Semiconductor device manufacture / T.R. Anthony, H.E. Cline, Chang M.F. No.: 645 672. -February 1, 1977.
  74. Pat. 4 040 868 United States, H01L 21/225. Semiconductor device manufacture / T.R. Anthony, H.E. Cline, Chang M.F. No.:665 276. -Aug. 9, 1977.
  75. Pat. 4 108 685 United States, H01L 021/225. Semiconductor device manufacture / T.R. Anthony, H.E. Cline, Chang M.F. No.: 783 167. -August 22, 1978.
  76. Pat. 3 982 269 United States, H01L 29/04, H01L 27/04, H01L 7/00. Semiconductor devices and method, including TGZM, of making same / Jr. M. Torreno, Kurz, F. Bruno, E. Kurz-Beerli, K. Surinder. No.:526 225. -Sept. 21, 1976.
  77. В.А. Зонная перекристаллизация градиентом температуры как метод формирования твердотельных структур: Дис.. канд. физ.-мат. наук.- Ростов: РГУ, 1988.- 270 с.
  78. Е.С. Планарная технология кремниевых приборов / Е. С. Мазель, Ф. П. Пресс. М.: Энергия, 1974.- 383 с.
  79. В.Н. О стабильности фронта роста при кристаллизации методом движущегося растворителя / В. Н. Лозовский, В. П. Попов // Кристаллография.- 1970. -Т.15, № 1. -С.149−155.
  80. В.П. О погружении жидких включений в кристалл под действием градиента температуры / В. П. Попов, Л. Я. Малибашева // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: НПИ, 1974. -В.1. -С.39−44.
  81. Применение прецизионных масок для формирования мощных транзисторов / Черный Б. И. и др. // В кн.: Технология полупроводниковых приборов. Таллин: Валгус, 1982.- С. 180−183.
  82. А.с. 646 780 СССР. Способ изготовления полупроводниковых структур / В. Н. Лозовский, Н. И. Даровский, А. В. Балюк и др. № 2 318 694- Заявл. 20.06.76.
  83. А.с. 674 513 СССР. Способ получения полупроводниковых эпитаксиальных структур / В. Н. Лозовский, Н. И. Даровский, А. В. Балюк и др.-№ 2 631 683- Заявл. 20.06.78.
  84. А.с. 915 669 СССР. Способ изготовления полупроводниковых кремниевых структур / В. Н. Лозовский, Н. И. Даровский, А. В. Балюк и др. -№ 3 240 201- Заявл. 18.02.81.
  85. А.с. 1 131 260 СССР, МКИ С 30 В 19/02 Способ получения структур кремния / В. Н. Лозовский, В. А. Малибашев, Л. Я. Малибашева.-№ 3 604 231- Заявл. 04.04.88.
  86. А.с. 1 031 257 СССР, МКИ С 30 В 13/02 Способ получения дискретных структур на основе кремния / В. Н. Лозовский, В. А. Малибашев, Л. Я. Малибашева, — № 3 358 410- Заявл. 22.09.81.
  87. А.с. 118 461 СССР. Способ изготовления локальных металлических зон / В. Г. Майстренко, В. Н. Лозовский, Ю. В. Скоков, Н. И. Даровский. № 3 700 944- Заявл. 16.02.84.
  88. Cline H.E. Thermomigration of aluminium-rich liquid wires through silicon / H.E. Cline, T.R. Anthony // J.Appl.Phys.- 1976.- V.47, No6.- 23 322 336.
  89. Cline H.E. On the Thermomigration of liquid wires / H.E. Cline, T.R. Anthony // J.Appl.Phys.- 1978, — V.49, No5.- P.2777−2786.
  90. Anthony T.R. Random-walk of liquid droplets migration in silicon / T.R. Anthony., H.E. Cline // J.Appl.Phys.- 1976. V.47, No6. — P.2316−2324.
  91. Etchells R.D. Development of a three-dimensional circuit integration technology and computer architecture / R.D. Etchells, I. Grinberg, G.R. Nudd // Proc. SPIE. 1981. — V.282. -P.64−72.
  92. Pat. 4 012 236 United States, H01L 21/228. Uniform thermal migration utilizing noncentro-symmetric and secondary sample rotation / H.E. Cline, T.R. Anthony. No.:645 675. -Mar. 15, 1977.
  93. Pat. 4 087 239 United States, F27B 9/14. Apparatus for imparting combined centrosymmetric and noncentro-symmetric rotation to semiconductor bodies / H.E. Cline, T.R. Anthony. No.: 733 239. -May 2, 1978.
  94. Pat. 4 141 757 United States, H01L 21/228. Uniform thermomigration utilizing sample movement / H.E. Cline, T.R. Anthony. No.: 854 096. -Feb. 27, 1979.
  95. B.H., Попов В. П., Константинова Г. С., Ивков В. А. / / Рост кристаллов.- М., 1970. -Т.9.- С.114−118.
  96. .Д. Физико-химические основы смачивания и растекания / Б. Д. Сумм, Ю. В. Горюнов М.: Химия, 1976. — 231 с.
  97. Н.Ф. Исследование закономерностей диффузии кремния в жидких металлах и сплавах: Дис.. канд. хим. наук.- Новочеркаск: НПИ, 1973, — 149 с.
  98. В.И. Поверхностное натяжение жидких металлов исплавов: Справочник / В. И. Ниженко, Л. И. Флока. -М.: Металлургия, 1981. 208 с.
  99. JI.B. Адгезия и смачиваемость кремния расплавами олова с добавками кремния и алюминия / JI.B. Кожитов, В. В. Липатов // Изв. АН СССР. Металлы. 1985, № 3. -С. 68−69.
  100. The Effect of Sc Addition on A1 Recrystallization. V.V. Zakharov, V.I. Yelagin, T.D. Rostova. «5th International Conference on Aluminium Alloys», Grenoble, France, July 1−5 1996. -Grenoble, 1996.
  101. Л.Я. Механика погружения дискретных зон в кристалл под действием градиента температуры / Л. Я. Малибашева, В. П. Попов // Прикладная механика: Сб. науч. тр.- Новочеркасск: НПИ, 1974. -Т.319.-С.90−93.
  102. А.В. Разработка основ интегральной технологии и оборудования для изготовления кремниевых структур методом движущегося растворителя: Дисс.. канд. техн. наук.- Таганрог: ТРТИ, 1982.- 217с.
  103. В.И. Нагревательное устройство с плоскооднородным полем температурного градиента / В. И. Буддо, В. А. Малибашев, В. П. Попов // Физика конденсированных сред: Сб. науч. тр.- Новочеркасск: НПИ, 1974-Т.325. С.74−76.
  104. Заявка 60−24 549 Япония, МКИ3-Н05 36/10. Устройство для зонной плавки с градиентом температуры.
  105. Chang M. The application of temperature gradient zone melting to silicon wafer processing / M. Chang, R. Kennedy // J.Elecrochem. Soc V.128−1981.- P.2193−2198.
  106. В.А. Исследование возможности применения дискретных зон для ЗПГТ на воздухе / В. А. Малибашев, Л. Я. Малибашева // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр.- Новочеркасск: НПИ, 1981, — С.110−113.
  107. .М. Основы технологии жидкофазной эпитаксии кремния в поле температурного градиента на подложках повышенного диаметра: Дис.. канд. техн. наук.- Таганрог: ТРТИ, 1989.- 261с.
  108. Колебательные процессы на межфазных границах при ЗПГТ в стационарном тепловом поле / С. Ю. Князев, В. Н. Лозовский, А. В. Балюк, Л. М. Середин // Изв. вузов. Физика. -1995, № 3. -С. 68−73.
  109. С.Ю. Особенности кинетики боковой зонной перекристаллизации полупроводниковых кристаллов в поле температурного градиента / С. Ю. Князев, А. В. Балюк, Л. М. Середин // Изв. вузов. Физика. -1996, № 1. -С.67−71.
  110. А.В. Термическое оборудование для получения кремниевых эпитаксиальных п(р)-р+ структур / А. В. Балюк, JI.M. Середин, Б. М. Середин // Новочерк. политехи, ин-т- Новочеркасск, 1993. -28 с. -Деп. в ВИНИТИ 11.01.93, № 14-В93.
  111. Получение кремниевых стабилизирующих структур для ФЭП методом ЗПГТ / А. В. Балюк, JI.M. Середин, В. Г. Майстренко, А.И. Финти-сов // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр.- Новочеркасск: НПИ, 1991. -С.130−134.
  112. А.В. Получение и свойства базовых кремниевых структур для стабилизации напряжения солнечных батарей/ А. В. Балюк, JI.M. Середин / Новочерк. политехи, ин-т Новочеркасск, 1993. -23 с. -Деп. в ВИНИТИ 1.01.93, № 15-В93.
  113. С.Ю. Особенности кинетики зонной перекристаллизации с переменным градиентом температуры / С. Ю. Князев, А. В. Балюк, JI.M. Середин // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр.- Новочеркасск: НГТУ, 1993. -С.79−83.
  114. Исследование возможности получения радиационно-стойких структур силовых полупроводниковых приборов методом ЖЭГТ / А. В. Балюк, JI.M. Середин, Б. М. Середин, Т. Т. Мнацаканов // там же. С.84−89.
  115. Эпитаксиальные структуры для силовых тиристоров типа Т123−153 / А. В. Балюк, JI.M. Середин, Б. М. Середин, Ю. И. Сидоров // там же. -С.75−78.
  116. А.с. 1 653 480 СССР, МКИ3 Н 01 L 21/208/ В. Н. Лозовский, Г. С. Константинова, А. В. Балюк, Л. М. Середин. -1991.
  117. А.с. 1 669 332 СССР, МКИ3 Н 01 L 21/208/ В. Г. Майстренко, А. В. Балюк, В. Н. Лозовский, Л. М. Середин. -1991.
  118. Пат. 2 026 895 РФ, МКИ3 6 С 30 В 19/02.29/06/. Способ получения мультикристаллов кремния / В. П. Крыжановский, А. В. Балюк, J1.M. Середин, А. Н. Овчаренко, А. Н. Обуховский. -1995 Заявл. 11 июля 1991- Опубл. 20 января 1995, Бюл. № 2.
  119. А.В. Термический модуль для формирования дискретных зон на поверхности кремниевых подложек / А. В. Балюк, Л. М. Середин, Б. М. Середин // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр.- Новочеркасск: НПИ, 1999. -С.63−66.
  120. Л.М. Кремниевые СБ с ограничителями напряжения в энергетических установках летательных аппаратов / Л. М. Середин, А. В. Балюк // XXI Гагаринские чтения: Тез. докл. молодежной науч. конф, апр. 1995 г., М.: МГАТУ, 1995. -4.2. -С.71.
  121. Получение кремниевых структур с объемными элементами микроэлектронного назначения / В. Н. Лозовский, А. В. Балюк, Л. М. Середин, Б. М. Середин // Новые материалы и технологии: Тез. док. Рос. науч.-техн. конф., М., 1994. -С.44
  122. Металлические примеси в алюминиевых сплавах / А.В. Курдю-мов, С. В. Инкин, B.C. Чулков, Г. Г. Шадрин // М.: Металлургия, 1988. -143 с.
  123. Поверхностное натяжение алюминиевых сплавов и смачивание ими неорганических порообразующих наполнителей / E.JI. Фурман, А. В. Чегулин, А. Б. Финкелынтейн, С. П. Казанцев // Расплавы. -1995. -№ 2. -С. 27−31.
  124. Aluminium Scandium Alloys for Electronic Applications. H.G. Paris, T. Sandlers. «5th International Conference on Aluminium Alloys», Grenoble, France, July 1−5 1996. -Grenoble, 1996.
  125. L.S. Toropova, D.G. Eskin, M.L. Kharakterova and T.V. Dobatkina. Advanced Aluminum Alloys Containing Scandium. Structure and Properties, 1998.-192 p.
  126. L.S. Kramer. Reviews Sc-Al alloys // ASM International Journal «Advanced Materials & Processes». October 1997. -Vol. 152, No. 4.
  127. Cline H. E, Antoni T.R. Thermomigration of molten Ga in Si and GaAs / H.E. Cline, T.R. Antoni // I. of. Appl. Phys. -1979. -V.48, No6. -PP. 2196−2201.
  128. А.И. Металлы растворители для перекристаллизации кремния методом зонной плавки с градиентом температуры // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр., -Новочеркасск: НПИ. -1981. -С. 27−33.
  129. Характерова M. J1. Фазовые равновесия и свойства алюминиевых сплавов, содержащих скандий, кремний и медь: Автореф. дис.. канд. техн. наук. -М., 1994. -25 с.
  130. Н.Ю. Фазовый состав и свойства равновесных и бы-строзакаленных сплавов алюминия со скандием, цирконием и ниобием: Автореф. дис.. канд. хим. наук. -М., 1994. -28 с.
  131. Д.М. Хейпер. Рентгеновская дифрактометрия монокристаллов.-JL: Машиностроение, 1973. -151 с.
  132. A.M. Рентгеновская структурная диагностика в исследовании приповерхностных слоев монокристаллов / A.M. Афанасьев, П. А. Александров, P.M. Имамов.-М.: Наука, 1986. -92 с.
  133. В.Ю. Электропроводность насыщенных растворов Si в расплавах Al, Си, St / В. Ю. Гершанов, Б. М. Гуров, B.C. Зурнаджян // Изв АН СССР. Неорган, материалы. -1980. -Т. 16, № 7. -С.1146−1148.
  134. С.Ю. Неравновесный захват примеси при ЗПГТ в нестационарных тепловых условиях // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр.- Новочеркасск: НПИ, 1985. С. 133−135.
  135. С.М. Обработка и защита поверхности полупроводниковых приборов. -М.: Энергия, 1970. -296 с.
  136. Ю.П., Ганин Е. А., Царевский С. Н. Контактное термическое сопротивление. -М.: Энергия, 1977. -328 с.
  137. Я.С., Кружанов B.C. // Рост кристаллов. М., 1988. — Т. 17. — С. 130−142.
  138. Я.С., Кружанов B.C., Старухина J1.B. // Кристаллография. -1988. -Т. 33. -Вып. 4. С. 990−993.
  139. Е.Б. // Физика кристаллизации. -Калинин: КГУ, 1985. Вып. 8. — С. 28−36.
  140. Е.Б. Кинетика роста и растворения кристаллов. -J1.: Изд-во ЛГУ, 1979. -248 с.
  141. А.Г., Журавлев Ю. А., Рыжков Л. Н. Теплообмен излучение: Справочник. -М.: Энергоатомиздат, 1991. -432 с.
  142. А.А., Агасарян P.P. Сокращение ручного труда с помощью струйно-абразивной обработки. М.: Машиностроение, 1987. -32 с.
  143. В.Н. Метод определения скорости кристаллизации при зонной плавке с градиентом температуры / В. Н. Лозовский, В. А. Ивков, В. П. Попов Изв. Вузов. Физика. -1972. -Т. 4, -вып. 4. -С. 161.
  144. В.Н. О концентрации акцепторов в кремнии, легированном алюминием/ В. Н. Лозовский, А. И. Колесниченко, Б. М. Гуров // Электронная техника. Сер. Материалы. -1974. -Вып. 12. -С. 107−110.
  145. М.М. Солнечные элементы. -М.: Наука, 1987. -192 с.
  146. Baliga B.I. IEEE Transactions on Electron Devices. -1980. -V. 27, No 11. -PP. 2141−2145.
  147. С.И. Поверхностные явления в расплавах. М.: Металлургия, 1994. -С. 273−320.
  148. О.Г., Моисеев Л. Г. Испытания силовых полупроводниковых приборов. -М.: Энергоиздат, 1981. -200 с.
  149. В. Тиристоры: Пер. с нем. М.:Энергоатомиздат, 1985.-328 с.
  150. Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. -М.: Советское радио, 1963. -655 с.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!