Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Закономерности формирования резистивных свойств микроканальных пластин

Диссертация: Закономерности формирования резистивных свойств микроканальных пластин
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Микроканальные пластины (МКГТ) — компоненты электронной техники, предназначенные для работы в вакууме в качестве многоканальных детекторов, преобразователей и вторично-электронных усилителей пространственно-организованных потоков заряженных частиц и излучений. Благодаря ряду уникальных свойств МКП находят все возрастающее применение в различных областях науки и техники, прежде всего, как… Читать ещё >

Содержание

  • 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ АНАЛИЗ ИССЛЕДОВАНИЙ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ СТЕКОЛ
    • 1. 1. Требования к свинцовосиликатным стеклам как основному материалу микроканальных пластин
    • 1. 2. Механизмы электропроводности стекол
      • 1. 2. 1. Ионная проводимость стекол
      • 1. 2. 2. Электронная проводимость стекол
    • 1. 3. Сопротивление и коэффициент вторичной электронной эмиссии свинцовосиликатных стекол
    • 1. 4. Особенности перехода от свинцовосиликатных стекол к микроканальным пластинам
    • 1. 5. Выводы к главе 1
  • 2. УСТАНОВКИ, МЕТОДЫ И МЕТОДИКИ ОЦЕНКИ РЕЗИСТИВ-НЫХ СВОЙСТВ БАЗОВЫХ СТЕКОЛ, ОДНОЖИЛЬНЫХ СТЕКЛЯННЫХ СТЕРЖНЕЙ, ОДИНОЧНЫХ КАНАЛОВ И МИКРОКАНАЛЬНЫХ ПЛАСТИН
    • 2. 1. Технология изготовления микроканальных пластин и объекты исследования
    • 2. 2. Установка термоводородного восстановления
    • 2. 3. Климатическая камера диагностики резистивных свойств микроканальных пластин
    • 2. 4. Установка измерения резистивных свойств микроканальных пластин и дисков базовых стекол
    • 2. 5. Установка для исследования высокотемпературной проводимости микроканальных пластин и дисков базовых стекол
    • 2. 6. Вакуумная установка для диагностики резистивных свойств каналов микроканальных пластин
    • 2. 7. Установка для измерения сопротивления каналов микроканальной пластины с помощью двух зондов
    • 2. 8. Установка для измерения сопротивления одножильных стеклянных стержней
    • 2. 9. Измерение толщины восстановленного слоя свинцовосиликат- 75 ного стекла
    • 3. 0. Математическая обработка экспериментальных результатов
  • 3. РЕЗИСТИВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БАЗОВЫХ СТЕКОЛ, ОДНОЖИЛЬНЫХ СТЕКЛЯННЫХ СТЕРЖНЕЙ, ОДИНОЧНЫХ КАНАЛОВ И МИКРОКАНАЛЬНЫХ ПЛАСТИН
    • 3. 1. Требования к электрическим параметрам МКП. Расчет электрического сопротивления МКП
    • 3. 2. Влияние внешних факторов на резистивные свойства микроканальных пластин
    • 3. 3. Резистивные характеристики базовых стекол микроканальных пластин
    • 3. 4. Резистивные характеристики одиночных каналов микроканальных пластин
    • 3. 5. Резистивные характеристики пограничных и внутренних каналов микроканальных сот МКП
    • 3. 6. Переход от канала микроканальной пластины к одножильному стеклянному стержню. Предварительные оценки электрического сопротивления одножильного стеклянного стержня
    • 3. 7. Влияние высокотемпературной обработки одножильных стеклянных стержней на их электрическое сопротивление
    • 3. 8. Влияние техно-химической обработки одножильных стеклянных стержней на электрическое сопротивление

Закономерности формирования резистивных свойств микроканальных пластин (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Микроканальные пластины (МКГТ) — компоненты электронной техники, предназначенные для работы в вакууме в качестве многоканальных детекторов, преобразователей и вторично-электронных усилителей пространственно-организованных потоков заряженных частиц и излучений. Благодаря ряду уникальных свойств МКП находят все возрастающее применение в различных областях науки и техники, прежде всего, как усилители электронных изображений в электронно-оптических преобразователях (ЭОГТ), предназначенных для приборов ночного видения (ПНВ) [1−5]. МКП — особо сложное стеклянное изделие, требующее прецизионной технологии изготовления [5−9] и, поэтому на МКП налагается ряд жестких требований, таких как совершенство геометрической структуры каналов и однородность их усиления. Ситуация усложняется малыми размерами диаметра л л каналов МКП (до 5мкм) и огромной (10 м и выше) плотностью. Поэтому всего несколько производителей в мире способны выпускать качественные МКП.

Для нормального функционирования МКП должна обладать рядом вполне определенных электрофизических параметров, определяемых спецификой работы в составе ЭОП. Любое изменение этих параметров (вследствие погрешностей в технологии, либо из-за воздействия внешних и внутренних факторов на определенной стадии изготовления) приводит к ухудшению работоспособности МКП.

Для обеспечения лучших электронно-оптических параметров МКП требуется оптимально подобранная технология для используемых базовых стекол. Известно, что окончательное формирование резистивно-эмиссионного слоя (РЭС) каналов МКП происходит на этапе термоводородного восстановления (ТВВ). Варьируя параметрами температурных полок можно в большей или меньшей степени корректировать параметры МКП. Поэтому особенно актуально исследование влияния этого процесса. Однако не следует преуменьшать роль остальных операций технологической цепи, так как формирование параметров происходит на протяжении всего технологического маршрута изготовления МКП [1, 5−9]. Все электрофизические свойства стекла, в том числе и восстанавливаемость на этапе ТВВ, закладываются на стадии изготовления заготовок МКП и их последующей ТХО.

В связи с этим, решение проблемы формирования для МКП оптимальных электронно-оптических параметров выдвигает требование комплексного исследования закономерностей формирования резистивных свойств на всем технологическом маршруте производства.

Цель диссертации заключается в определении закономерностей формирования резистивных свойств МКП путем исследования заготовок МКП на основных этапах технологического процесса изготовления.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие основные задачи:

1. Изучить и проанализировать результаты исследований резистивных свойств поверхности свинцовосиликатных стекол и МКП, полученные разными методами и авторами.

2. Изготовить модули и разработать методики для измерения электропроводности МКП и ее заготовок.

3. Экспериментально исследовать влияние внешних факторов и основных технологических процессов на резистивные свойства базовых стекол в виде дисков, одножильных стеклянных стержней (ОЖС), а также МКП.

4. Предложить пути оптимизации технологии производства МКП с целью минимизации воздействия резистивного фактора на формирование дефектов электронного изображения.

Методы исследований. В работе использованы разработанные автором модули и методики определения резистивных характеристик заготовок.

МКП, а также схема моделирования технологических процессов производства МКП.

Научная новизна:

1. Установлено, что химическая обработка базовых стекол С87−2(6Ва-4) и С78−4(МО-34) и, следовательно, заготовок МКП влияет на высокотемпературную ионную проводимость, при неизменной энергии активации электропроводности.

2. Показано различие в свойствах (электрическое сопротивление) пограничных каналов (ПК) и внутренних каналов (ВК) микроканальных сот (МКС) МКП, обусловленное градиентом температур при радиационном нагреве перетягиваемого пучка ОЖС. Различие сохраняется на стадии ТВВ и при термическом отжиге в среде азота.

3. Выявлено влияние технологических процессов на сопротивление единичного канала МКП18−10, ОЖС и МКП18−10 в целом. Практическая ценность работы:

1. Разработаны оригинальные модули и методики оценки электрического сопротивления ОЖС и единичного канала в составе заготовки МКП.

2. Проведено моделирование техно-химических процессов в единичных каналах с использованием ОЖС. Смоделированы условия процесса вытяжки многожильных стеклянных стержней (МЖС) для ПК и ВК МКП с использованием ОЖС и показана основная причина различия их электрических свойств.

3. Полученные результаты применяются в технологическом процессе производства МКП, включая стадию хранения готовой продукции на атмосфере при относительной влажности не более 55%.

4. Результаты исследований диссертационной работы используются при выполнении НИОКР по теме «Миллиард» в ВТЦ «Баспик», г. Владикавказ.

На основе проведенного анализа полученных результатов по поведению электрического сопротивления на этапах технологического процесса изготовления МКП сформулированы требования к технологическим операциям, выполнение которых позволит улучшить электронно-оптические параметры МКП и решить проблемы минимизации дефектов электронного изображения, обусловленных резистивным фактором. Положения, выносимые на защиту:

1. Оригинальные модули и методики для изучения резистивных свойств ОЖС, единичного канала МКП, заготовок МКП и МКП в целом.

2. Причины падения электрического сопротивления МКП при рабочем напряжении в условиях работы прибора применения.

3. Влияние химической обработки базовых стекол на ионную проводимость.

4. Поведение сопротивления ПК и ВК на разных стадиях ТВВ и отжига в среде азота. Причины различия электрических параметров ПК и ВК.

5. Влияние высокотемпературной обработки на сопротивление ОЖС при ТВВ.

6. Влияние ТХО на сопротивление и толщину восстановленного слоя ОЖС при ТВВ.

Апробация результатов. Основные результаты докладывались на конференции «Естествознание и перспективные технологии 21 века» (Нальчик, 2001 г.), Региональной конференции «Вакуумная электроника на Северном Кавказе» (Нальчик, 2001 г.), Российской конференции «Приборы и техника ночного видения» (Нальчик, 2002 г.), Международном научно-практическом симпозиуме «Функциональные покрытия на стеклах» (Харьков, 2003 г.), Научном семинаре факультета микроэлектроники и компьютерных технологий КБГУ «Физика поверхности и проблемы микроэлектроники» (Нальчик, 2000;2003 гг.), Научном семинаре Владикавказского технологического центра БАСПИК (Владикавказ, 2000;2003 гг.).

Публикации. Результаты диссертационный работы опубликованы в 7 публикациях [10,12, 14−18].

Объем диссертации. Диссертация изложена на русском языке и состоит из введения, трех глав, заключения, библиографического списка использованной литературы (145) и приложения. Общий объем диссертации 136 страниц, 56 рисунков и 9 таблиц.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Разработаны оригинальные методики ориентированные на изучение резистивных свойств ОЖС, единичного канала МКП, заготовок МКП и МКП в целом. Показана возможность измерения электрических параметров МКП и их заготовок в атмосферных условиях с относительной влажностью не более 55%.

2. Установлены причины падения электрического сопротивления МКП при рабочем напряжении в условиях работы прибора применения. При высоких температурах (более 200°С) сопротивление МКП может уменьшиться в сотни раз вследствие ионной проводимости.

3. Показано, что химическая обработка базовых стекол и, следовательно, заготовок МКП влияет на высокотемпературную ионную проводимость при неизменной энергии активации электропроводности. Обработка в 5%-растворе NaOH и 0.1%-раствое HF способна изменить электрическое сопротивление (1.19МОм и ЪЪЗЪМОм соответственно для стекол С87−2(6Ба4) и С78−4(МО-34) при температуре 300°С) на два порядка.

4. Установлено, что пограничные и внутренние каналы МКП характеризуются различным поведением при ТВВ и отжиге в среде азота. ПК и ВК МКП с лучшими электрическими параметрами имеют минимальный разброс сопротивлений. Различие в электрических параметрах ПК и ВК закладывается на вытяжке МЖС. Это связано с различной интенсивностью диффузионных процессов в системе жила С78−5(Х-230)-оболочка С87−2(6Ба4) на поверхности и внутри перетягиваемого пучка ОЖС, обусловленной градиентом температур при радиационном нагреве.

5. Моделирование процесса вытяжки МЖС позволяет сделать вывод о том, что разные температуры предварительного отжига невытрав-ленных ОЖС вызывают разную динамику восстановления (увеличения проводимости) при ТВВ и окисления атомарного свинца (уменьшения проводимости) при отжиге в среде азота. Градиент температуры в 60 °C приводит к изменению сопротивления при ТВВ ОЖС в несколько раз (от 0.122−10хьОм до 0.549−1015 Ом).

6. Отжиг в среде технически чистого азота сформированного РЭС может отрицательно влиять на резистивные характеристики. Увеличение сопротивления при отжиге связано с окислением сегрегированного на внутреннюю поверхность канала свинца.

7. Показано, что соляная кислота создает пористый (капиллярный) слой в стекле С87−2(6Ба4), способствующий более глубокому проникновению водорода ('1мкм), а щелочной раствор прорабатывает эти капилляры, увеличивая удельную поверхность и, тем самым, улучшая условия доступа водорода. Это, в свою очередь, увеличивает толщину восстановленного слоя (9 мкм) и приводит к росту проводимости. Азотная кислота эффективно снимает верхний полуразрушенный слой, уменьшая пористость. В итоге получается более плотный поверхностный слой меньшей толщины (бмкм) с повышенной проводимостью.

Показать весь текст

Список литературы

  1. С.К. Микроканальные пластины для электронно-оптических преобразователей. -Владикавказ: СКГТУ, 1998. -196 с.
  2. П. ЭОП с канальным электронным умножением // Достижения в технике передачи и воспроизведения изображений. -М.: Мир, 1978.-Т. 1.-С. 13−87.
  3. В.Д., Лукьянов С. М. и др. Микроканальные пластины в экспериментальной физике (обзор) // Приборы и техника эксперимента.-1982. -№ 2.-С. 7−18.
  4. .И., Меламид А. Е. Канальные электронные умножители и микроканальные пластины // Итоги науки и техники. Серия «Электроника и ее применение». -1977. -Т. 5. -С. 102−133.
  5. С.К., Романов Г. П., Петровский Г. Т., Попов М. Н. Микроканальные пластины // Электронная промышленность. -1989. -№ 3. -С. 13−17.
  6. Д.К. Основы физики МКП, их параметры и применение // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. -М., 1983.-С. 9−13.
  7. Г. Т., Кулов С. К., Ягмуров В. Х. и др. О направлениях совершенствования конструкции и технологии МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. -М., 1990. -С. 220−224.
  8. Г. Т., Саттаров Д. К., Канчиев З. И. и др. Основные принципы технологии МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. -М., 1983. -С. 53−55.
  9. З.И., Кулов С. К., Кутасов В. А. и др. Новые направления технологии МКП // Оптический журнал. -1993. -№ 3. -С. 64−69.
  10. Ю.А., Гонов С. Ж., Хатухов А. А. Увеличение чувствительности ЭЛТ 11Л09И // Вестник Кабардино-Балкарского государственного университета. Сер. Физические науки. -Нальчик: Кабардино-Балкарский государственный университет, 2000. -Вып. 5. -С. 56−57.
  11. А.А., Ашхотов О. Г. Влияние внешних факторов на ре-зистивные свойства микроканальных пластин // Вакуумная электроника на Северном Кавказе: Тез. докл. региональной конф., 2429 сентября 2001 г. -Нальчик, 2001. С. 40.
  12. А.А., Макаров Е. Н., Ашхотов О. Г. Влияние отжига ОВЗ на внешний вид и параметры МКП. // Приборы и техника ночного видения: Тез. докл. Российской конф., 10−15 июля 2002 г. -Нальчик, 2002.-С. 61.
  13. А.А., Ашхотов О. Г. Резистивные характеристики базовых стекол МКП и их одиночных каналов // Микроканальные пластины. -Владикавказ, 2002. -С. 256−262.
  14. А.А., Ашхотов О. Г. Резистивные характеристики пограничных и внутренних каналов микроканальных сот МКП18−10 //
  15. Электронный журнал «Исследовано в России». -2003. -№ 24. -С. 245−259. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2003/024.pdf
  16. А.А., Ашхотов О. Г. Измерение сопротивления каналов микроканальных пластин с минимизацией токов утечки // Прикладная физика. -М, 2003. -№ 4. -С. 123−125.
  17. А.А., Ашхотов О. Г., Бояджиди В. Ю. и др. Влияние техно-химической обработки одножильных стеклянных стержней на электрическое сопротивление // Известия вузов. СевероКавказский регион. -2003. -№ 4. -С. 41−43.
  18. E.JI. Химический состав фазы, восстанавливающейся на поверхности высокосвинцовых стекол в процессе их термообработки в водороде //ЖПХ. -1965. -Т. 38, № 10. -С. 2192−2196.
  19. О.М., Саттаров Д. К., Смирнов О. М. и др. Исследование восстанавливающихся свинцовосиликатных стекол методом спектроскопии медленных электронов // Физ. и хим. стекла. -1981. -Т. 7, № 4. -С. 450−476.
  20. A.M. О режиме восстановления некоторых свинцовосиликатных стекол, используемых для изготовления микроканальных пластин // ОМП. -1974. -№ 9. -С. 41−45.
  21. Гречаник JI.А.//Вопросы радиоэлектроники. Сер. 1 «Электроника». -1962. -Вып. 9. -С. 109.
  22. Л.А. //ОМП. -1973. -№ 1. -С. 41.
  23. J.L. // Venes et refractaires. -1969. -V. 23, № 1. -P. 28−42.
  24. C.A., Мюллер Р. Л. Исследование электропроводности стекол. Система В203 + Na20 // ЖФХ. -1930. -Т.1, вып. 6. -С.625−661.
  25. А.Ф. Физика кристаллов. -М., 1929. -100 с.
  26. R.L. // Z. Phys. -1932. -N 1. -P. 407.
  27. .И., Мюллер Р. Л. Исследование электропроводности стеклообразных боратов щелочных металлов // ЖФХ. -1934. -Т. 5, вып. 7.-С. 1262−1271.
  28. В. //Z. Phys. -1933. -N 85. -Р. 717.
  29. Samsoen et Mondain-Monval // Compt. rendu. -1926. -N 187. -P. 967.
  30. Samsoen, Spaght, Parks // J. phys. Chem. -1934. -N 38. -P. 103.
  31. Schonborn // Z. Physik. -1924. -N 22. -P. 305.
  32. E. // Z. Elektrochem. u. angew. phys. chem. -1934. -N 40. -P. 541.
  33. K. //J. chem. Physics. -1933. -N 1. -P. 466.
  34. Joffe A. Tubandt. Handbuch d. Experimentalphysik // Z. Phys. -1930. -Т. I, s. 442. -P. 740.
  35. К. // Успехи физич. наук. -1926. -№ 5. -С. 294.
  36. R. u. Kaufler F. // Elektrochemie geschmolzener Salze. -1909. -Nl.-P. 60.
  37. W. // Physik. Chem d. Silikate. Leipzig, 1929. -S. 91.
  38. A. // Z. Elektrochem. -1924. -S. 30. -P. 440.
  39. M. //Z. Elektrochem. -1933. -S. 34, -P. 464.
  40. И.Г., Кузнецов A.JI., Бринберг B.A. Влияние небольших добавок окислов на электропроводность стекол // ЖФХ. -1950.-№ 11.-С. 20−24.
  41. К.С. // Изв. АН СССР. -1940. -№ 4. -С. 4−8.
  42. Химия твердого тела. Л., 1965.
  43. Р.Л. Электроповодность стеклообразных веществ. Л., 1968.-251 с.
  44. В.К. Влияние силы поля катиона на структуру и электрические свойства силикатных стекол // Стеклообразное состояние. -М.-Л.: Наука, 1995. -С. 280−283.
  45. В.К. Электрические свойства и структура литиевых, натриевых и калиевых силикатных стекол // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. -1967. -Т. 3, № 7. -С. 1224−1229.
  46. Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах: В 2 ч. -М.: Мир, 1982. -Ч. 1−2.
  47. В.В., Гладушко О. А. Особенности электропроводности щелочно-силикатных стекол // Стекло и керамика. -2002. -№ 1. -С. 7−9.
  48. О.А., Стрельцина М. В., Швайко-Швайковская Т.П. Свойства стекол и стеклообразующих расплавов: Справ.-Л.: Наука, 1973.-Т.1.-444 с.
  49. В.Х., Сигаев В. Н., Айнетдинова Р. И. и др. Зависимость электросопротивления малощелочных боросиликатных стекол от их состава // Физ. и хим. стекла. -1986. -Т. 12, № 1. С. 37−41.
  50. Voldan I. Vergleich der Entmischungsgebiete in den R20-Br203-Si02 Systemen // Proc. XI Intern. Congress on Glass. -Prague, 1977. -V. 2. -P. 57−67.
  51. Ф.Я., Аверьянов В. И., Вавилова B.T. и др. Области ме-тастабильной ликвации в системах K20(Rb20, Cs20)-B203-Si02 // Физ. и хим. стекла. -1981. -Т. 7, № 1. -С. 38−41.
  52. В.В., Титов A.JI., Василевская Т. Н., Порай-Кошиц Е.А. О структуре щелочеборатных стекол по данным рассеяния рентгеновских лучей под малыми углами // Физ. и хим. стекла. -1978. -Т. 4, № 6. -С. 633−642.
  53. Т.Н., Голубков В. В., Порай-Кошиц Е.А. О ликвации и субмикронеоднородной структуре стекол системы B203-Si02 //Физ. и хим. стекла. -1980. -Т. 6,№ 1. С. 51−59.
  54. А.П., Голубков В. В., Порай-Кошиц Е.А. О структуре расплавов натриево-боратной системы // Физ. и хим. стекла. -1981. -Т. 7, № 5.-С. 544−553.
  55. Porai-Koshits Е.А., Golubkov V.V., Titov А.P., Vasilevskaya T.N. The microstructure of some glasses and melts // J. Non-Crystalline Solids. -1982. -V. 49, N 1−3. -P. 143−156.
  56. И.А., Мурин И. В., Мельникова H.A. и др. Электрические свойства и строение стекол системы xNa20-(l-x)2Pb0-B203 // Физ. и хим. стекла. -2002. -Т. 28, № 4. -С. 340−347.
  57. И.А., Мурин И. В., Нараев В. Н. и др. О природе носителей электрического тока в бесщелочных стеклах на основе оксидов кремния, бора и фосфора // Физ. и хим. стекла. -1999. -Т. 25, № 5.-С. 593−612.
  58. H.K. // Bull. Bur. Standards. -1914. -N11. -P.359.
  59. M. // Sprechsaal. -1927. -N60. -P. 853.
  60. Н.Г., Евстропьев K.C., Кузнецов, А .Я. // ЖТФ. -1952. -№ 22. —С.1318.
  61. Бокшаи 3., Варга М. Поверхностная проводимость выщелоченных стекол // Физ. и хим. стекла. -1975. -Т. 1, № 6. -С. 24−26.
  62. A., Johansson G. // J. Electroanal. Chem. -1972. -N38. -P. 429.
  63. A. // Phys. Chem. Glasses. -1974. -N15. -P. 37.
  64. Denton E.P., Rawson H., Stanworth J.E. Vanadate glasses. // Nature. -1954. -V. 173, N4410. -P. 1030−1032.
  65. Baynton P.L., Rawson H., Stanworth J.E. Glasses based on oxides of molybdenium, tungsten and uranium //Nature. -1956. -V. 178, N 4527. -P. 910−911.
  66. Baynton P.L., Rawson H., Stanworth J.E. Semiconducting properties of some vans-date glasses // J. Electrochem. Soc. -1957. -V. 104, N 4. -P. 237−240.
  67. O.B., Павлова Г. А., Лев Е.Я., Леко Е. К. Силикатные стекла с электронной проводимостью // ЖТФ. -1957. -Т. 27, № 12. -С. 2702−2703.
  68. Weyl W.A. Coloured glasses. Sheffild, 1951. 541 p.
  69. Sterels J.M. Iron in glass. // Proc. Intern. Comrniss. of glasses. -1954. -V. 1, N 3. -P. 68−76.
  70. Mackenzie J.D. Semiconducting glasses // In: Modern aspects of the vitreous state.- London, 1964. -P. 126−148.
  71. И.Н., Файнберг Е. А., Гречаник JI.A. О характере изменения энергии активации и объемной электропроводности твердых стекол в связи с механизмом переноса тока // Электрические свойства и строение стекла. -M.-JI., 1964. -С. 30−35.
  72. Owen А.Е. Electrical properties of glasses. // J. Non-Crystalline Solids. -1977. -V. 25, N 1−3. P. 370−423.
  73. Chung C.A., Mackenzie J.D., Murawski L. Electrical properties of Semiconducting oxicle glasses // Rev. Chim. Miner. -1979. -T. 16, N8. -P. 308−327.
  74. Murawski L. Electrical conductivity of iron-containing oxide glasses //J. Mater. Sci. -1982. -V. 17, N 8. P. 2155−2163.
  75. К.К. Итоги симпозиума «Электрические свойства и строение стекла» // Стеклообразное состояние. -M.-JI., 1965. С. 273−277.
  76. К.К., Цехомский В. А. О влиянии щелочного окисла на электронную проводимость железосодержащих стекол // ФТТ. -1962. -Т. 4, № 12. -С. 3390−3395.
  77. А.А., Писаревский A.M., Шульц М. М., Никольский Б. П. Стеклянный электрод, чувствительный к изменению окислительного потенциала раствора // ДАН СССР. -1964. -Т. 154, № 2. -С. 404−406.
  78. Owen А.Е. Electronic conduction mechanism in glasses // Glass Industry. -1967. -V. 48, N 11. -P. 637−642.
  79. E.C., Панус B.P., Шульц M.M. Соотношение параметров электропроводности стекла и природа носителей заряда // Изв. АН СССР. Неорган, матер. -1975. -Т. 11, № 9. -С. 1681−1685.
  80. Trap H.J.L., Stevels J.M. Ionic and electronic conductivity of some new types glass-like materials // Phys. Chem. Glasses. -1963. -V. 4, N 5.-P. 193−205.
  81. Matt N F. Conduction in glasses containing transition metal ions // J. Non-Crystalline Solids. -1968. -V. 1, N 1. -P. 1−17.
  82. H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. -М., 1974. -427 с.
  83. A.M., Андреенко А. В. Электрохимия электронопроводящих оксидных стекол. Составы стекол и параметры электропроводности // Физ. и. хим. стекла. -1986. -Т. 12, № 2. -С. 129 142.
  84. Yoshida Т., Matsumoto К., Hirashima Н. Electric conduction and switching of the glass in the system CUO-V2O5-P2O5 // Yogyo-Kyokai-Shi. -1979. -V. 87, N 7. P. 349−355.
  85. Gzowski O., Murawski L., Lizak W., Binczycka H., Sawicki J. Electrical conductivity of phosphate glasses containing two transition metal oxides//J. Phys. Appl. Phys. -1981. -V. 14. -P. 77−80.
  86. Chomka W., Samatowicz D., Gzowski O., Murawski L. Internal friction and electrical conductivity of phosphate glass with two TM oxides //J. Non-Crystalline Solids. -1981. -V. 45. -P. 145−148.
  87. A.A., Коган B.E., Мясников И. А. и др. Электрическая проводимость стекол систем Ме’О-Ме'Ю-ВгОз // Физ. и хим. стекла. -1988. -Т. 14, № 5. -С. 787−789.
  88. P.P., Кузнецов A.M., Черненко А. А. Теория гомогенных и гетерогенных электродных процессов в жидкостях // Успехи химии. -1965. -Т. 34, № 10. -С. 1779−1812.
  89. P.P. Квантовая теория химических реакций в полярной жидкости. -М., 1973. -63 с.
  90. Cannon R.D. Electron transfer reactions. -London, 1980. -351 p.
  91. O.B. Электрические свойства стекол. -Л., 1962. -162 с.
  92. Hansen K.W. Semiconduction in iron phosphate glasses // J. Electro-chem. Soc. -1965. -V. 112, N 10. -P. 994−996.
  93. . B.A. Полупроводниковые стекла на основе окислов железа и титана: Автореф. дис. канд. техн. наук. -Л., 1966. -22 с.
  94. С.Е., Писаревский A.M., Асюнькина Т. Г., Шульц М. М. Титаносиликатные электронопроводящие стекла, включающие окислы щелочных металлов // Физ. и хим. стекла. -1975. -Т. 1, № 2. -С. 168−174.
  95. Hayashi Т., Saito Н. Structure and electrical properties of Ti02-Ti203-P205 glasses // Phys. Chem. Glasses. -1979. -V. 20, N 5. -P. 108−114.
  96. Nester H.H., Kingery N.D. Electrical conduction in vanadium oxide glasses // Congress on Glass. Brussels. VII Intern. -1965. -P. 106.106.10.
  97. Anderson R.A., MacCrone R.K. Electronic relaxation in the PbO-Si02-Fe203 glass system // J. Non-Crystalline Solids. -1974. -V. 14, N l.-P. 112−130.
  98. Rawal B.S., MacCrone R.K. Electrical conductivity and structure of barium boro-silicate glasses, containing Ti ions // J. Non-Crystallino Solids. -1978. -V. 28, N 3. -P. 347−368.
  99. Hamblen D.P., Weidel R.A., Blair G.E. Preparation of ceramic semiconductors from high vanadium glasses //J. Amer. Ceram. Soc. -1963. -V. 46, N 10. -P. 499−505.
  100. .И., Эфрос A.J1. Электронные свойства легированных полупроводников. М., 1979. -416 с.
  101. С.Е. Электрические и электродные свойства силикатных стекол, включающих окислы железа и титана: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. -Л., 1974. -24 с.
  102. С.Л., Евдокимова Т. Ф., Шишменцева Э. В. Электро-хромизм висмут-фосфатных стекол // Физ. и хим. стекла. -1982. -Т. 8, № 5.-С. 565−571.
  103. С.Л., Евдокимова Т. Ф., Солинов В. Ф., Шишменцева Э. Ф. Электронно-ионные процессы в электрохромных стеклах // Физ. и хим. стекла. -1978. -Т. 4, № 3. -С. 326−330.
  104. Г. С., Белюстин А. А., Писаревский A.M. Электродные свойства литиевожелезосиликатных стекол // Электрохимия. -1968. -Т. 4, № 11. -С. 1328−1335.
  105. Shun F., Zhou S., Chan F. Electrical properties of glasses in the Na20-Fe0n- B203-Si02 system // J. Non-Ciystalline Solids. -1982. -V. 52, N1−3.-P. 435−445.
  106. Austin I.G., Garbett E.S. Amorphous transition metal oxides // Electronic and structure properties of amorphous semiconductors. -London, 1973. -P. 393−408.
  107. D.J. // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1972. -V.19, № 3. -P. 74.
  108. A.M., Королев H.B., Тоисеева M.H. и др. Исследование состава поверхностного слоя и коэффициента вторичной электронной эмиссии свинцовосиликатных стекол // ОМП. -1980. -№ 4. -С. 11−13.
  109. Hill G.E. Secondary electron emission and compositional studies on channel glass surfaces // Adv. Electronics Electron Phys. -1976. -V. 40A. -P. 153−165.
  110. Д.К. // Прикладная химия. -1978. -T.51, № 4. -С. 933 935.
  111. Ю.Н. // Электронная техника. Сер. Материалы. -1975. -Вып. 1. -С. 87.
  112. A.M., Лобанова Н. В., Тоисева М. Н. и др. Исследование связи эмиссионных свойств свинцовосиликатных стекол с их составом и структурой // Физ. и хим. стекла. -1979. -Т. 5, № 5. -С.628−631.
  113. A.M., Шуба Ю. А. Измерение малых фототоков при исследовании фотоэлектронной эмиссии // Оптика и спектр. -1960. -Т. 9, № 5.-С. 631−634.
  114. Н.В., Меньшикова Е. М., Гинзбург С. К. и др. Послойный спектральный анализ изломов литой стали // ДАН СССР. -1975.-№ 5. -С. 1082−1084.
  115. С.С. Структурная рефрактометрия. -М., 1959. -223 с.
  116. Trap H.F.L., Stevels F.M. Les verres a conductibilite electronique, leurs proprietes et quelques applications en electronique // Verres et Refract. -1971. -V. 25, N 4/5. -P. 176−196.
  117. A.M., Тоисева M.H., Полухин B.H. и др. Влияние окислов металлов на свойства эмиттирующего слоя свинцовосиликат-ного стекла// Физ. и хим. стекла. -1981. -Т. 7, № 6. -С.705−711.
  118. В.И., Гречаник Д. А., Суздальева JI.C. Влияние А120з и Na20 на свойства силикатных стекол, содержащих свинец // Физ. и хим. стекла. -1975. -Т. 1, № 3. -С. 271−275.
  119. Trap H.J.L. Electronic conductivity in oxide glasses // Acta Electronica. -1971. -V. 14, N 1. -P. 41−72.
  120. Blodgett K.B. Surface conductivity of lead silicate glass after hydrogen treatment // J. Amer. Ceram. Soc. -1957. -V. 34, N 1. -P. 14−27.
  121. Н.Б., Волков Ф. С., Мурашов C.B. и др. Влияние структуры свинцовосиликатных стекол на их коэффициент вторичной электронной эмиссии // Физ. и хим. стекла. -1988. -Т. 14, № 5. -С. 686−690.
  122. А.Т., Никольский А. В., Мазуринский М. И. и др. Связь особенностей диффузии свинца с механизмом формирования поверхностного слоя в свинцовосиликатных стеклах и микроканальных пластинах // Письма в ЖТФ. -1991. -Т. 17, вып. 12. -С. 9−13.
  123. А. С. № 202 278. / Файнберг Е. А., Пановкина В. И., Дунаевская И. В. // БИ. -1967. -№ 19. -С. 69.
  124. З.И., Борина Р. П., Макарова Т. М., Исаева Е. А. Поверхность свинцовосиликатных стекол // ЖПХ. -1979. -Т. 52, вып. 8.-С. 1718−1724.
  125. .А., Алаев В. Я. Структура свинцовосиликатных стекол // Физ. и хим. стекла. -1990. -Т. 16, № 2. -С. 228−233.
  126. О.М., Костиков Ю. П., Новолодский В. А. и др. Исследование эмиссионными методами поверхности восстановленных свинцовосиликатных стекол // Физ. и хим. стекла. -1985. -Т. 11, № 3. -С. 326−330.
  127. А.Т., Никольский А. В., Мазурицкий М. И. и др. Сравнительный анализ состояния поверхности свинцовосиликатных стекол и микроканальных пластин // Физ. и. хим. стекла. -1991. -Т. 17, № 6. -С. 928−935.
  128. О.В., Канчиев З. И., Петровский Г. Т., Саттаров Д. К. Изменение свойств и структуры свинцовосиликатных стекол в ходе термического восстановления // ЖПХ. -1980. -Т. 53, № 5. -С. 977−983.
  129. Г. Т., Саттаров Д. К., Канчиев З. И. Структура и свойства восстановленных слоев на поверхности свинцовосиликатных стекол // Физ. и хим. стекла. -1981. -Т. 7, № 4. -С. 457−469.
  130. А.И., Моисеев В. В., Портнягин В. И. Современные методы анализа поверхности при изучении стекла // Физ. и хим. стекла. -1985. -Т. 11. № 1. -С. 3−23.
  131. А.А. Свойства силикатов // Физика и химия силикатов. -Л.: Наука, 1980. -С. 282.
  132. С.К. Технология микроканальных пластин: Рабочие стекла МКП и трансформация их свойств в техпроцессе изготовления МКП: В 2 ч. -Владикавказ: СКГТУ, 1999. -Ч. 2. -98 с.
  133. Bulkwill J.T. Manufacturing techniques for microchannel plates and their application in night vision image intensifiers // Pros. 24 Semp. Art glassflowing. Southfield, Mich. -Toledo, 1974. -P. 68−78.
  134. С.К. Технология микроканальных пластин: Системные основы технологии: В 2 ч. -Владикавказ: СКГТУ, 1999. -Ч. 1.- 89 с.
  135. Т.Д. Закономерности формирования и минимизация дефектов электронного изображения микроканальных пластин: Дисс. канд. техн. наук. -Владикавказ, 1999. -236 с.
  136. С.К., Алкацева Т. Д. Механизм электропроводности МКП. -Владикавказ: СКГТУ, 1999. -17 с.
  137. С.К. Газосодержание и газовыделение МКП -Владикавказ: Владикавказский технологический центр «Баспик», 2000. -С. 97.
  138. С.К. Качество поверхности МКП. -Владикавказ: Владикавказский технологический центр «Баспик», 2002. -С. 99.
  139. А.А. Резистивные свойства микроканальных пластин: Дисс. магистра техники и технологии. -Нальчик, 2001. -74 с.
  140. Т.Д., Кулов С. К. Влияние сопротивления каналов на сотовую структуру электронного изображения МКП // Электронные приборы и системы в промышленности: Тез. докл. Республ. научн. конф. -Владикавказ, 1994. -С. 144−145.
  141. Научно-технические отчеты по хоздоговорной теме № 607. Руководитель О. Г. Ашхотов. -Нальчик: Кабардино-Балкарский государственный университет, 2001−2003 г. г.
  142. Т. В., Дроздова И. А. Влияние условий получения пористых стекол на их структуру // Физ. и хим. стекла. -1995. -Т.21, № 2. -С. 199−209.
  143. С. К., Шныпиков А. Д. Химическая устойчивость некоторых силикатных стекол в растворах // Физ. и хим. стекла. -1976. -Т.2, № 5. -С. 460−465.
  144. В. А., Окатов М. А., Пальчевский В. В. и др. Ионообменное выщелачивание свинцовосиликатного стекла в растворах азотной кислоты // Физ. и хим. стекла. -1987. -Т. 13, № 3. -С. 470 472.127
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!