Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Физико-технологические основы управления процессами дефектообразования в кремниевых полупроводниковых структурах

Диссертация: Физико-технологические основы управления процессами дефектообразования в кремниевых полупроводниковых структурах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В третей главе проводятся исследования особенностей диффузии после термообработок в ионнолегированных слоях кремния при использовании в качестве имплантантов таких легких примесей, как углерод и кислород. Анализируются особенности деформации решетки в ионнолегированных слоях до термообработок, а также влияние комплексооб-разователя кислорода на стабилизацию подсистемы точечных дефектов и процессы… Читать ещё >

Содержание

  • Введение. ?
  • Глава 1. Влияние структурных нарушений в активных областях кремния на основные параметры кремниевых полупроводниковых приборов. ?
    • 1. 1. Анализ эффективности использования статистического подхода к оценке влияния структурных дефектов на выход годных кристаллов на пластине
    • 1. 2. Оценка допустимых плотностей структурных дефектов разного вида в объеме активных областей приборов типа ФСЗС
    • 1. 3. Трансформация дефектов эпитаксиальных пленок в процессе изготовления мощных биполярных транзисторов и быстродействующих ИС на основе комплементарных биполярных транзисторов
    • 1. 4. Влияние структурных дефектов на параметры мощных высоковольтных МДП-транзисторов
  • Выводы. /0/

Глава 2. Особенности дефектообразования в монокристаллическом кремнии при термообработках и анализ возможности использования процессов преципитации кислорода для создания внутреннего геттера в пластинах кремния. Ид

2.1. Анализ уровней загрязнений в приповерхностных слоях кремниевых пластин и приборных структур. ц $

2.2. Модели процессов геттерирования. Определение понятия эффективности процесса геттерирования./¿>¿

2.3. Научно-технологические аспекты процессов внутреннего геттерирования. з'НЯ

-32.4. Технологические циклы формирования внутреннего геттера в пластинах кремния с разным содержанием кислорода в материале.¡-

2.5. Экспериментальная проверка эффективности предлагаемых моделей и технологических циклов формирования внутреннего геттера.

Выводы.?Щ

Глава 3. Исследование особенностей диффузии углерода в имплантированных слоях кремния. Анализ возможности и создание эффективного геттера для эпитаксиальных структур на основе использования слоев кремния, имплантированных легкими элементами.¿

3.1. Анализ особеннностей деформации решетки приповерхностных слоев кремния, имплантированных кислородом и углеродом.

3.2. Анализ особенностей перераспределения углерода в имплан-итрованных слоях при отжигах.^[

3.3. Анализ процессов дефектообразования в имплантированных углеродом и кислородом слоях кремния при отжигах.

3.4. Восходящая диффузия углерода в слоях кремния, имплантированных углеродом и кислородом, при постимплантационном отжиге.

3.5. Экспериментальная оценка геттерирующих свойств дефектных слоев, формирующихся в имплантированных кислородом и углеродом областях кремния.

Выводы.

Глава 4. Научно-технологические проблемы нового решения процессов получения двухслойных структур для высоковольтных МДП-транзисторов. Экспериментально-конструкторская разработка нового процесса и исследование структур, получаемых по новой технологии.

4.1. Физико-химические основы процессов прямого соединения пластин кремния.

4.2. Технологические особенности процессов термокомпрессионного соединения пластин кремния. ЗО]

4.3. Исследование свойств? границы раздела, а также особенностей многослойных кремниевых структур, формируемых прямым соединением пластин.3/^

4.4. Анализ параметров мощных МДП-транзисторов, сформированных на двухслойных структурах, изготовленных по разработанной технологии, и оценка эффективности процесса термокомпрессионного соединения пластин.

Выводы.?ет?

Физико-технологические основы управления процессами дефектообразования в кремниевых полупроводниковых структурах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Бурное развитие микроэлектроники и силовой электроники, четкая тенденция увеличения плотности и миниатюризации рабочих элементов, создание новейших перспективных, конструктивно сложных приборов, а также необходимость создания высокоэффективного промышленного производства современных полупроводниковых приборов продолжают оставлять актуальными вопросы влияния структурных дефектов материала на параметры и процент выхода годных приборов [ 1 ]. В данном случае речь идет о любом неконтролируемом изменении структуры активных областей приборов, как на уровне двухмерных и трехмерных структурных дефектов (дислокации, преципитаты, дефекты упаковки и т. д), так и на уровне собственных и примесных точечных дефектов, включая неравномерное распределение легирующей примеси в решетке материала.

Проблема несовершенств в структуре активных областей полупроводниковых приборов всегда вызывала большой интерес [ 2−4 ]. Этот интерес был обусловлен, во-первых, значимостью исследований процессов дефектообразования для конкретизации требований к исходным монокристаллам полупроводниковых материалов и эпитаксиальных структур на их основе, не говоря уже о том, что исследования такого рода могут помочь в решении рада вопросов материаловедения полупроводников. Во-вторых, изучение проблемы структурных несовершенств может привести к оптимизации самих технологических приемов изготовления приборных структур. Более того, подобные исследования могут помочь не только в усовершенствовании технологии приборов, но в ряде случаев подсказать нестандартные решения при разработке новых перспективных приборов.

—? ¦¦

С ростом интеграции полупроводниковых элементов, с переходом на работу с пластинами большого диаметра экономическая значимость таких вопросов резко возрастает [ 5 ]. В частности, перед реализацией современного высокоэффективного производства полупроводниковых приборов необходимо предварительная оценка возможного процента выхода годных кристаллов конкретного типа приборов с учетом всех технологических особенностей производства и, в частности, с учетом предполагаемого структурного совершенства рабочих областей прибора.

Поскольку кремний продолжает оставаться ведущим материалом при производстве полупроводниковых приборов [ 6 ], задачи кремниевой технологии являются наиболее актуальными. Несмотря на большое количество работ по структурным нарушениям в кремнии [ 2−4, 6−8 ], проблемы контролируемого управления дефектообразованием при производстве многих кремниевых приборов требуют дальнейшего рассмотрения, также необходимы дальнейшие исследования неравновесных процессов, протекающих при таких технологических операциях, как окисление, диффузия, ионное легирование, когда имеет место резкое превышение концентраций собственных точечных дефектов над равновесными значениями концентраций [ 9 ]. Решение этих задач позволит отечественному полупроводниковому производству не только снизить себестоимость и оптимизировать параметры и надежность выпускаемых приборов, но и приблизиться к решению проблем «инженерии» дефектов.

Целью данной работы является исследование и разработка физико-технологических основ управления степенью структурного совершенства активных областей кремниевых приборных структур для обеспечения высокого процента выхода годных кристаллов и стабильной реализации требуемых параметров кремниевых твердотельных приборов.

В соответствии со сформулированной проблемой в диссертационной работе решались следующие конкретные задачи:

1. Анализ возможностей статистического подхода к оценке влияния структурных дефектов в рабочих областях приборов на их качественное функционирование. Разработка общей методологии оценки возможного влияния различных видов структурных дефектов на выход годных кристаллов и определение для различных типов приборов допустимых плотностей дефектов разных видов в активных областях приборов, позволяющих получать приборы с требуемыми параметрами. Выбор оптимальных решений для управления дефектообразованием в активных областях приборов с целью обеспечения найденных допустимых значений плотностей разного вида дефектов в активных областях приборов.

2.Разработка моделей процессов геттерирования, позволяющих сделать некоторые оценки для количественной конкретизации понятия эффективности процесса геттерирования и определить плотности и особенности геттерирующих центров, которые надо сформировать в объеме пластин для обеспечения эффективной работы внутреннего геттера при формировании приборов типа ФСЗС.

3.Исследование влияния различных факторов на процессы преципитации кислорода в кремнии для выбора режимов термообработок для формирования внутреннего геттера в пластинах кремния с целью разработки технологической схемы формирования эффективного внутреннего геттера, стабильно обеспечивающего управление структурным совершенством активных приповерхностных областей кремния в приборах типа ФСЗС при использовании отечественного слиточного кремния.

4.Изучение характера диффузионных процессов и процессов де-фектообразования при термообработках в областях кремния, имплантированных углеродом и кислородом, с целью экспериментальной оценки геттерирующих свойств таких слоев. Выбор схемы и разработка эффективного технологического приема генерирования с использованием процессов ионной имплантации кислорода и углерода под эпитаксиальные структура с толщиной рабочегс (слоя 3−20 мкм для биполярных мощных транзисторов.

5.Разработка принципиально нового технологического процесса формирования многослойных кремниевых структур п-п±, р-р±, п-п+—р±типа, используемых в качестве подложек при изготовлении высоковольтных силовых МДП-транзисторов.

С учетом многогранности проблемы влияния структурных особенностей активных областей кремниевых приборов на их рабочие характеристики в данной работе рассматривалась проблема влияния структурных дефектов всех видов в основном на статические параметры приборов, контролируемые на стадии разбраковки кристаллов на пластине.

Диссертационная работа состоит из четырех глав, заключения, библиографии и приложения.

В первой главе анализируется, теоретически и экспериментально, влияние различных видов дефектов в активных областях кремниевых структур на основные параметры ряда кремниевых твердотельных приборов. Рассматривается эффективность использования вероятностного подхода для определения выхода годных кристаллов с учетом возможного негативного влияния структурных дефектов в активных областях на параметры приборов. Обоснован выбор типов приборов, анализируемых в работе, для комплексного решения поставленной задачи. Экспериментально продемонстрировано, что при решении данной задачи для всех типов рассматриваемых приборов можно оперировать двумя параметрами: допустимым количеством или плотностью дефектов разного вида в активных областях приборов, при которых возможно получение требуемых параметров, и площадью (или объемом) части кристалла прибора, для которых особенно критично воздействие дефектов. Разработана методика позволяющая оценивать процессы дефектообразования в активных областях приборных структур в процессе их изготовления, с помощью которой проведен анализ процессов дефектообразования при изготовлении рассматриваемых типов приборов с конкретизацией дефектов, наиболее негативных для каждого типа прибора. В частности, показано, что наличие в активных областях даже таких низких концентраций быстродиффундирующих металлов, как 5.1011−1013 см-3, может отрицательно сказаться на параметрах матриц ФСЗС — уровни темновых токов могут превысить допустимые.

На примере мощного п-р-пбиполярного транзистора СВЧ-диапа-зона показана прямая корреляция между качеством исходных эпитакси-альных пленок и процентом выхода годных кристаллов биполярных транзисторов по пластине. Проанализирована трансформация дефектов в активных областях быстродействующих аналоговых ИС на основе комплементарных биполярных транзисторов и определено направление технологического поиска для оптимизации процессов их изготовления.

На основе экспериментальных исследований структурных особенностей высокоомного слоя и анализа ВАХ стока высоковольтных мощных переключательных БМОП-транзисторов показано, что негативная роль структурных дефектов для силовых приборов не так существенна, как для прочих рассматриваемых типов приборов: только в случае превышения плотности окислительных дефектов упаковки, наличие которых характерно для активных областей данных транзисторов, величины 104 см-2, наблюдается ухудшение ВАХ стока. Анализ параметров этих приборов, особенностей традиционных технологических процессов их формирования и анализ характеристик исходных многослойных подложек, необходимых для их изготовления, показал, что использование традиционных методов формирования таких многослойных подложек осложня.

— гост, а в ряде случаев просто не позволяет получать требуемые параметры перспективных современных приборов этого типа.

Вторая глава посвящена разработке технологических основ процессов, стабильно обеспечивающих структурное совершенство приповерхностных активных областей высокочувствительных приборов типа ФСЗС и СБИС. Анализируются преимущества и недостатки процессов внутреннего геттерирования для технологических приборных циклов, включающих длительные высокотемпературные обработки, характерные для этих приборов. Значительное место в главе уделается разработке моделей процессов геттерирования, позволяющих делать некоторые количественные оценки процесса, и определению понятия эффективности процесса геттерирования. Расчетным путем определяются оптимальные плотности геттерирующих центров, которые надо создать в объеме пластин для обеспечения эффективной работы внутреннего геттера. Основная часть этой главы посвящена рассмотрению процессов преципитации кислорода в решетке кремния при различных термообработках с позиции возможности формирования в объеме пластин геттерирующей области за счет собственных ресурсов материала. Показано, что путем изменения концентраций собственных точечных дефектов в решетке при термообработках можно влиять на процессы фазовых переходов в системе 81−0. Теоретически обоснована и разработана гибкая технологическая схема, обеспечивающая стабильное формирование эффективно работающего внутреннего геттера. Экспериментально продемонстрирована способность геттерировать нежелательные примеси дефектами различной морфологии и структуры, формируемыми в объеме пластин. Глава заканчивается экспериментальным подтверждением эффективности разработанных технологических приемов методами нейтронно-активационного анализа и спектроскопии глубоких уровней.

В третей главе проводятся исследования особенностей диффузии после термообработок в ионнолегированных слоях кремния при использовании в качестве имплантантов таких легких примесей, как углерод и кислород. Анализируются особенности деформации решетки в ионнолегированных слоях до термообработок, а также влияние комплексооб-разователя кислорода на стабилизацию подсистемы точечных дефектов и процессы комплексообразования в приповерхностных слоях кремния при комнатной температуре. Большое внимание в этом разделе уделяется процессам дефектообразования в ионнолегированных слоях при постимплантационных отжигах в случае использования ионного легирования одним углеродом, одним кислородом и при двойном легировании этими примесями. Обнаружено явление восходящей диффузии углерода в имплантированных углеродом и кислородом слоях при определенном соотношении доз примесей. Рассматриваются модели, объясняющие наблюдаемые процессы дефектообразования в приповерхностных слоях кремния при различных режимах легирования. Экспериментально подтверждена эффективность использования для эпитаксиальных структур геттера, формируемого ионным легированием кислорода и углерода при определенном соотношении доз, определенном в данной работе как оптимальное.

Четвертая глава посвящена разработке нового технологического процесса формирования многослойных кремниевых структур, используемых в качестве подложек для силовых приборов. Предлагается технология, основанная на прямом соединении кремниевых пластин. Большая часть этой главы посвящена экспериментальным исследованиям структурных особенностей, электрофизических и механических свойств таких многослойных составных композиций. Проведены сравнительные исследования многослойных структур, полученных по разработанной технологии и с помощью эпитаксиального традиционного наращивания. Анализ проводился при использовании структур в качестве подложечного материала для формирования тестовых высоковольтных диодов стока, на основе использования традиционной технологии изготовления силовых ЭМОП-транзисторов. Проведены также исследования возможности использования различного слиточного кремния в качестве материала для формирования слоев двухслойных структур, получаемых по новой технологии термокомпрессионного соединения. Приводятся результаты широкого опробования в заводских условиях двухслойных структурно-лученных по новой технологии, для изготовления высоковольтных мощных п-канальных переключательных МДП-транзисторов.Разработана технология всего комплекса процессов изготовления двухи трехслойных структур термокомпрессионным соединением пластин, включая технологию получения исходных пластин требуемой геометрии и технологию механической обработки составных многослойных структур с обеспечением разброса толщины высокоомного рабочего слоя кремния < ±10% от расчетной величины. Разработанная технология применима для мелко-серииного производства таких структур. В этой главе также рассматривается схема и аппаратура неразрушающего контроля составных структур на наличие несоединившихся участков (пузырей) непосредственно после процесса соединения без дополнительной обработки поверхностей многослойных структур.

В заключении анализируются полученные в работе результаты и перспективы применения этих результатов для контролируемого управления структурным совершенством активных областей ряда кремниевых твердотельных приборов.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА РАБОТЫ.

1. На основании теоретического анализа выявлена ограниченность принятой статистической модели оценки влияния дефектов на параметры и качественное функционирование полупроводниковых приборов, основанной на рассмотрении среднестатистического дефекта, а не на дифференцированной оценке влияния каждого вида дефектов. На основании рассмотрения физики работы и технологии изготовления таких важнейших твердотельных полупроводниковых приборов, как структуры ФСЗС, ИС на основе комплементарных биполярных транзисторов, мощные биполярные и МДП-транзисторы выявлены наиболее характерные виды дефектов для активных областей этих приборов. В работе впервые для всех типов рассматриваемых приборов приведена сводная таблица, в которой даны допустимые плотности и размеры дефектов всех типов, обеспечивающих нормальное функционирование приборов. В частности, установлено, что для получения требуемых времен жизни неосновных носителей заряда в активных областях структур ФСЗС, наиболее чувствительных к структурному совершенству рабочих областей, концентрация рекомбинационно-активных примесей (Си, Ре, Аи, Сг) в этих областях не должна превышать 5Л010−5.10П см-3, что примерно на два порядка ниже значений концентраций, определенных в работе при исследовании рабочих областей структур, сформированных без использования геттерирующих приемов.

2. Рассмотрена модель, описывающая структуру с геттерирующими центрами (ГЦ) как двухслойную систему, в которой один, рабочий слой должен быть очищен от загрязняющих примесей, а второй слой должен удерживать эти примеси за счет наличия в нем источников упругих полей или центров зарождения новой фазы. Найдены теоретические соотношения, позволяющие впервые дать количественное определение понятию «эффективность процессов геттерирования». Найдены теоретические соотношения, позволяющие определить концентрации и размеры источничч~ ков упругих напряжений и зародышей новой фазы, обеспечивающие возможность очистки рабочего слоя до технологически требуемого уровня, в частности для структур ФСЗС уменьшение концентраций загрязняющих примесей на указанные два порядка. Получено экспериментальное подтверждение предложенной модели и найденных теоретических соотношений при использовании в качестве источников упругих полей частичных дислокаций дефектов упаковки и петель дислокационно-преци-питатных комплексов и в качестве зародышей второй фазы кислородных преципитатов.

3. Установлено, что эффективность процессов преципитации кислорода в кремнии зависит не только от состояния системы точечных дефектов (ансамбля точечных дефектов) в исходном материале, но и от изменения этого состояния на различных стадиях формирования двухслойных геттерирующих систем. Экспериментально установлено, что эффективным способом изменения состояния системы точечных дефектов являются термохимические обработки на первой стадий формирования двухслойной геттерирующей системы, влияющие на соотношение вакансий и междоузельных атомов кремния в объеме пластин на двух других последующих стадиях формирования двухслойной системы, или механические обработки, изменяющие на одной из стадий распределение упругих полей в двухслойных системах. Экспериментально показано, что путем изменения концентраций собственных точечных дефектов на первой стадии можно менять не только концентрацию, но и геттерирующие способности дефектов, образующихся в конечном итоге в пластинах.

4. Исследованы процессы диффузии и дефектообразования в подложках кремния, подвергнутых ионной имплантации углеродом и кислородом, для реализации эффективного геттера в условиях двухслойных эпитаксиальных структур. Впервые показано отсутствие диффузионного размытия пика углерода в имплантированных слоях кремния при отжигах, а также впервые показано наличие восходящей диффузии этой примеси (увеличение концентрации в 1,5−1,8 раз в максимуме пика на глубине при двойной имплантации и соотношении доз углерода и кислорода: Ос: Оо = 1:4. Экспериментально показано, что в случае наблюдаемой восходящей диффузии принципиально меняется картина дефектов в ионно-легированных слоях при отжиге: образуются плотные дислокационные петли междоузельного типа, упругие поля которых способны обеспечить сильный геттерирующий эффект.

5. Разработана модель формирования путем прямого термокомпрессионного соединения двух кремниевых пластин с гидрофильными поверхностями двухслойных структур, в которых каждый слой по своим электрофизическим свойствам, концентрации дефектов и термостабильности удовлетворяет требованиям к исходным двухслойным структурам для мощных высоковольтных МДП-транзисторов. Экспериментально определены необходимая степень гидрофильности поверхностей кремния и допустимые отклонения формы исходных пластин от идеальной плоской формы, обеспечивающие возможность получения сплошного соединения поверхностей с максимально большой площадью. Разработанная модель экспериментально подтверждена возможностью получения двухслойных монолитных структур типа п-п±, р-р± диаметром 76 и 100 мм с коэффициентом заполнения К (отношение площадей поверхности, по которой произошло образование монолита, ко всей поверхности пластин), равным 98−99%, что является доказательством высокого качества формируемых структур.

Научная новизна подтверждена 24-мя авторскими свидетельствами на изобретение и патентами РФ.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ РАБОТЫ.

1. Разработана новая комплексная контрольная методика анализа трансформации и влияния дефектов на работу приборов, позволяющая проанализировать всю совокупность дефектов, как присутствующих в исходном материале, так и появляющихся в активных областях на любой стадии изготовления прибора. Методика широко опробована в заводских условиях для анализа причин брака при контроле более 1000 матриц ФСЗС типа 1200ЦМ7 и 1200ЦМ12, а также линеек типа 1200ЦЛ и более 3000 «чипов» (кристаллов) мощных п-р-п биполярных транзисторов СВЧ-диапазона 2Т986. Методика была внедрена на ряде предприятий отрасли (завод «Элекс», г. Александровзавод «Пульсар»).

2. Разработана технологическая схема создания внутреннего, эффективно работающего геттера, а также контрольная методика, использование которой позволяет в процессе формирования области с геттерирующими центрами корректировать технологический процесс. Разработанная технология использовалась при отработке технологии матричного фоточувствительного прибора с зарядовой связью типа А-1157.

3. Разработаны технологии формирования геттера с использованием процессов ионной имплантации легких элементов для эпитаксиальных структур под мощные биполярные СВЧ-транзисторы. Разработанный процесс формирования геттера с использованием процессов имплантации был внедрен в технологию изготовления микросхем К-537РУ1, Б-537РУ1, 537РУ1 и КМ-537РУ1, что дало положительный эффект, заключающийся в снижении токов утечек и увеличении процента выхода годных на 5−7%.

4. Разработан процесс формирования внешнего механического геттера в сочетании со специальной термообработкой и контролем напряженного состояния пластин для эпитаксиальных структур, внедренный в технологию изготовления приборов КТ640, КТ642, КТ643. По новой технологии было изготовлено более миллиона кристаллов приборов, что дало положительный эффект, заключающийся в увеличении среднего количества годных приборов на пластине в 1,3 раза.

5. Разработанная специальная технология импульсного отжига кремниевых структур внедрена на изделии 2Т3132 (завод «Пульсар»), что привело к повышению выхода годных приборов с 32% до 38%.

6. Разработана новая технология получения многослойных кремниевых структур путем термокомпрссионного соединения пластин кремния. Технология является экологически чистой и успешно заменяет традиционную эпитакеиальную технологию формирования таких структур для мощных силовых приборов. Технология широко опробована на большом количестве структур (300−400 структур диаметром 76 мм) при формировании мощных высоковольтных МДП-транзисторов с пробивными напряжениями 800- 1000 В и рабочими токами 4−5А. Анализ готовых приборов показал, что среднее количество годных транзисторов, сформированных на экспериментальных структурах, по пробивному напряжению и величине остаточных токов возросло в 1,35 раза по сравнению с базовой технологией. Собранные приборы успешно прошли технологические отбраковочные испытания.

7. Разработаны Отраслевые Руководящие Материалы по методам контроля качества материала и поверхности кремниевых пластин (РМ.11.050.024−77- РМ.11.050.029−77), которые приказом МЭП N470 от 7.12.84 были введены с 1.01.86 в качестве методик контроля на большинстве предприятий отрасли.

Сумма экономического эффекта от использования разработок, проведенных автором работы, составила более двух миллионов шестисот (2 689 000) деноминированных рубля. Ожидаемая экономия в перспективе при возможном использовании всех результатов работы составит более шести миллионов деноминированных рублей.

Комплекс выполненных работ вносит значительный вклад в решение важнейшей научно-технической и хозяйственной задачи отечественной электронной промышленности — создание высокопроизводительных и эффективных, экологически чистых технологий получения материалов, необходимых для создания перспективных современных полупроводниковых приборов.

НА ЗАЩИТУ АВТОРОМ ВЫНОСЯТСЯ:

1. Принципы определения допустимых плотностей структурных дефектов разного вида в объеме активных областей полупроводниковых структур, обеспечивающих получение кремниевых твердотельных приборов типа ФСЗС, мощных биполярных и МДП-транзисторов, ИС на основе комплементарных биполярных транзисторов с требуемыми электрофизическими параметрами. Анализ процессов дефектообразования в кремниевых структурах при изготовлении рассматриваемых приборов, а также сопоставление допустимых плотностей и реальных значений плотностей дефектов в активных областях кремниевых структур, определенных в процессе исследований, позволили определить направление технологического поиска для обеспечения структурного совершенства активных областей для каждого рассматриваемого типа приборов.

2. Методика расчета коэффициента сегрегации, который отражает отношение растворимостей быстродиффундирующих примесей в приповерхностных активных областях и в объеме пластин с геттерирующими центрами. Расчет, проведенный с использованием данной методики, позволяет утверждать, что при значениях коэффициента сегрегации Ксег.>11 сформированный геттер работает эффективно. Ряд теоретических соотношений, позволяющих рассчитать концентрацию геттерирующих центров, которые надо создать в объеме пластин, чтобы концентрации дефектов в активных областях не превышали найденные допустимые значения.

3. Зависимости эффективности процессов преципитации кислорода в кремнии при отжигах от концентрации фонового углерода, степени пересыщения материала собственными точечными дефектами, температуры отжига. Методология технологического выбора последовательности и температуры отжигов для активной преципитации кислорода, а также технология формирования эффективного, пролонгированного во времени внутреннего геттера в объеме пластин для приборов типа ФСЗС, позволяющая учитывать особенности исходного слиточного материала.

4. Закономерности процессов дефектообразования и диффузионных процессов при отжигах в слоях кремния, имплантированных такими легкими элементами, как углерод и кислород. Экспериментально обнаруженное явление «восходящей» диффузии углерода при отжигах слоев, имплантированных кислородом и углеродом при соотношении доз этих примесей: Бс: 00 = 1: 4. Разработанный на основании исследований технологический процесс формирования геттера с помощью процессов ионной имплантации для эпитаксиальных кремниевых структур, используемых при изготовлении мощных биполярных транзисторов .

5. Физико-технологические аспекты процессов прямого соединения пластин кремния и разработанная на этой основе новая технология формирования многослойных кремниевых структур типа п-п±, р-р+, п-п±р±, используемых при изготовлении мощных высоковольтных МДП-транзисторов. Разработанная технология включает полный комплекс конструкторско-технологических решений и обеспечивает получение структур с минимальным разбросом по удельному сопротивлению и толщине высокоомного рабочего слоя, (±7% от номинала), а также обеспечивает получение требуемого технологического уровня структурного совершенства и термостабильности этого слоя. Эта технология позволяет успешно заменять традиционные, экологически вредные методы эпитаксиального наращивания толстых слоев кремния.

АПРОБАЦИЯ РАБкОТЫ.

Результаты исследований, составляющие содержание работы, докладывались и обсуждались на ряде Всесоюзных и Международных конференций, в частности на:

1. Симпозиуме: «Применение новых электронномикроскопических методов в технологии кристаллографии и минералогии», Научный Совет АН СССР по электронной микроскопии (Звенигород, Москва, 1980).

2. Всесоюзной научно-технической конференции: «Совершенствование технологии получения и исследования монокристаллов особо чистого полупроводникового кремния», МЦМ СССР (Москва, 1985).

3. 1Y Республиканской конференции: «Физические проблемы МДП-интегральной электроники» (Севастополь, 1990).

4. Всесоюзной конференции «Кремний 90» (Москва, 1990).

5. International Conference «Silicon'90» (Roznov pod Radhostem, November 1990).

6. 4-th Scientific and Business Conference on Silicon Technology, Photovol-taies and IR-Opties, (Czech Republic, Roznov, 1994).

7. Spring Meeting Materials Research Society (MRS), San Francisco, 1995.

8. Первой Всеросийской конфернции по материаловедению и физико-химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния «Кремний-96», Москва, 1996.

9. 5-th Scientific and Business Conference «Silicon'96» ,(Roznov, Czech Republic, 1996).

10. 1995 Spring Meeting E-MRS (Strasbourg, France, 1995).

11. E-MRS 1996 Spring Meeting (Strasburg, France, 1996).

12. NATO Advanced Research Workship on Early Stages of Oxygen Precipitai on in Silicon (Natherlands, 1996).

13. On «SCANNING 96» (Monterey, California, USA, 1996).

14. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology «GADEST' 97» (Spa, Belgium, 1997).

15. Minerals, Silicon and the 21st Century (Oman, 1998).

IlyOJiHKaiiHHH.

По материалам диссертации опубликовано более 50 работ в том числе 16 в ведущих мировых изданиях и получено 25 авторских свидетельств на изобретения и патенты РФ.

выводы.

В 4-ой главе работы проведены следующие исследования, осуществлен следующий комплекс конструкторско-технолоп-шеских разработок и получены следующие результаты:

1. Рассмотрен возможный механизм процессов прямого соединения пластин кремния с получением монолитных многослойных структур. Теоретически и экспериментально показано, что уже на стадии низкотемпературного введения поверхностей кремния в контакт пластины могут, деформируя друг друга, стягиваться поверхностями, что может компенсировать достаточно большое отклонения формы исходных пластин от идеальной. Определены допустимые отклонения геометрии пластин от идеальной формы, позволяющие получать соединение практически по всей площади соединяемых поверхностей.

Установлена зависимость между геометрическими отклонениями формы пластин и возникающими остаточными напряжениями в объеме получаемый структуры, которые могут приводит к протеканию пластической деформации на высокотемпературном этапе соединения.

Экспериментально проверена обоснованность сделанных расчетов по определению остаточных напряжений, которые могут возникнуть в пластинах в процессе их соединения,.

2. Проанализировано влияние подготовки поверхностей кремния к первому низктемпературному этапу соединения пластин, Экспериментально продемонстрировано значительное влияние режимов химической подготовки поверхностей кремния на возможность получения качественного монолитного соединения на втором высокотемпературном зтапае процесса.

Определены оптимальные составы для предварительной химической подготовки поверхностей кремния к соединению и схема введения поверхностей в контакт, позволяющие получать монолитные структуры практнхностей в контакт, позволяющие получать монолитные структуры практически без «пузырей» (К=96−98%) при использовании исходных пластин кремния диаметром 76 и 100 мм с изгибом и отклонением от плоскостности, включая периферию, не более 12−15 мкм и при использовании во время процесса помещений класса чистоты 1000.

3. Разработан технологический процесс термокомпрессионного соединения пластин, а также оригинальная конструкция необходимой оснастки, защищенные рядом патентов РФ и авторских свидетельств, для изготовления многослойных структур под силовую электронику, позволяющие реализовать принцип прямого соединения кремниевых пластин в заводских условиях. Разработанный процесс отличается высокой производительностью и не требует разработки специального оборудования для проведения термокомпрессионного соединения пластин.

4. Проведен комплекс исследований структурных особенностей, распределения легирующих, фоновых и загрязняющих примесей у границы соединения, электрофизических особенностей составных структур, формируемых по разработанной технологии термокомпрессионного соединения, проанализированы механических свойства таких структур.

Проведенные исследования показали, что новый способ получения многослойных структур для силовой электроники позволяет:

— управлять профилем концентрации носителей заряда на границе раздела слоев формируемых структур путем варьирования режимов процесса подготовки поверхностей к соединению;

— получать границы раздела слоев близкую к границе аналогичных структур, формируемых эпитаксиальным наращиванием;

— значительно улучшать структурное совершенство и термостабильность рабочих высокоомных слоев многослойных структур;

— получать двухслойные структуры с механической прочностью близкой к прочности монолитных кремниевых пластин. той же толщины.

5.Проведено широкое опробование разработанной технологии в заводских условиях при изготовлении тестовых и приборных партий кристаллов приборов силовой электроники, В частности:

— на большом количестве партий тестовых диодов экспериментально подтверждена возможность широкого использования двухслойных подложек, формируемых по разработанной технологии термокомпрессионного соединения, для изготовления мощных высоковольтных силовых приборов с обеспечением параметров, характеризующих основные режимы их функционирования: лавинного пробоя стокового перехода и последовательного сопротивление дрейфовой области стока;

— показано в результате итогового анализа параметров тестовых диодов, что использование нового технологического принципа получения исходных многослойных подложек позволяет получать выигрыш по выходу годных кристаллов по сравнению со стандартными приемами эпитак-сиального наращивания при изготовлении исходных подложек;

— экспериментально подтверждено результатами анализа заводских испытаний, что новая технология позволяет успешно формировать высоковольтные силовые МДП-транзисторы, причем использование новой технологии формирования исходных подложек позволяет получать более высокий выход приборов класса А, чем при использовании стандартных эпитаксиальных многослойных структур;

— экспериментально показано, что использование новой технологии подготовки исходных подложек позволяет повысить процент выхода годных кристаллов большой площади высоковольтных МДП-транзисторов по сравнению с обычной эпитаксиальной технологией, и, следовательно, подтверждена правильность выбранного подход при разработке научно-технологических основ управления свойствами активных областей силовых приборов.

6. Проведенные широкое опробование в заводских условиях двух-хслойных структур, сформированных по разработанной нами технологии, позволяет сделать вывод о возможности использования этой технологии для создания мощных сильноточных высоковольтных МДП-транзис-торов нового поколения, в частности для нового перспективного класса переключательных приборов — высоковольтных сильноточных ЮВТ-транзисторов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Основными результатами работы являются научно обоснованные физико-технологические решения для управления процессами дефектообра-зования в кремниевых полупроводниковых структурах, являющихся основой ряда современных твердотельных кремниевых приборов, внедрение которых вносит значительный вклад в ускорение научно-технического прогресса в одном из важнейших направлений — совершенствовании и разработки новых методов получения материалов полупроводниковй техники. Решение этих проблем способствует созданию элементной базы, необходимой для развития высокоэффективного полупроводникового производства приборов силовой электроники ^микроэлектроники.

В процессе работы были решены следующие основные задачи:

1. Определены на основании рассмотрения физики работы приборов и технологии их изготовления наиболее характерные виды дефектов, их допустимые плотности и размеры в активных областях ряда твердотельных кремниевых приборов: ФСЗС, мощных биполярных и МДП-транзисторах, ИС на основе комплементарных биполярных транзисторов. В частности, для ФСЗС наиболее характерными являются локальные двух-и трехмерные дефекты (ОДУ, дислокационные петли, преципитатно-дисло-кационные комплексы), соизмеримые по размерам с одной фоточувствительной ячейкой прибора, и скопления таких дефектов. Плотность указанных дефектов в активных областях не должна превышать 1−2.102 см-2, а концентрация собственных и примесных точечных дефектов в виде атомов загрязняющих быстродиффундирующих примесей в этих областях не должна превышать бЛО^-ЗЛО11 см-3 .

2. Предложен ряд теоретических соотношений (Глава 2, стр. 134−141), позволяющих впервые дать количественную оценку понятию «эффективность приема геттерирования», а также определить плотность и размеры геттерирующих центров, которые необходимо сформировать в нерабочих областях кремниевых пластин для обеспечения эффективной работы геттера и очистки активных областей приборов от загрязняющих примесей до технологически требуемого уровня, например нужный эффект может быть получен при наличии в объеме ДУ размером 8−9 мкм и плотностью более 10 7 см-3.

3. Определено, что эффективность процессов преципитации кислорода в кремни, определяющая возможность стабильного формирования внутреннего геттера для приборов типа ФСЗС, во многом зависит от состояния в решетке собственных точечных дефектов кремния и их комплексов, причем экспериментально показано, что изменяя режимы термохимической обработки пластин на одном из этапов формирования внутреннего геттера, можно менять состояние собственных точечных дефектов и их комплексов в объеме пластин на других этапах формирования геттерирующих центров и тем самым ускорять или замедлять процессы преципитации кислорода.

4. Разработана гибкая технологическая схема, позволяющая путем своевременной коррекции в зависимости от особенностей слиточного материалам режимов технологического цикла, стабильно формировать эффективно работающий внутренний геттера. Разработана металлографическая методика, позволяющая косвенно оценивать содержание фоновых примесей в слиточном кремнии.

5. Установлен нестандартный характер диффузионных процессов в слоях кремния, имплантированных углеродна также углеродом и кислородом — отсутствие диффузионного размытия пика углерода при отжигах, а также факт образования в таких слоях нетрадиционных для имплантированных слоев кремния дефектов. Установлен факт «восходящей» диффузии углерода при отжигах кремния, имплантированного углеродом и кислородом при соотношении доз: Вс: В0=1: 4.

6. Разработана технология формирования геттера для эпитаксиальных структур с толщиной эпитаксиального слоя 2−20 мкм с использованием ионной имплантации углеродом и кислородом, позволяющая формировать эффективный геттер при средних дозах и энергиях (Ос = 100млКл/см2, Во=400 мкКл/см2 и Е=300 кэВ) для эпитаксиальных структур применительно к мощным биполярным транзисторам СВЧ-диапазона.

7. Разработана физическая модель процесса получения многослойных структур прямым соединением пластин, заключающаяся в факте сцепления поверхностей кремниевых пластин практически по всей площади поверхностей при наличии отклонения в 10−15 мкм геометрической формы пластин от идеальной за счет деформации пластин поверхностным натяжением общего водяного КА-^стера, образующегося при введении в контакт гидрофильных поверхностей этих пластин. Разработана технология процесса получения прямым термокомпрессионным соединением пластин кремния двухслойных структур типа: п-п±, р-р± со слоями по своим электрофизическим свойствам, концентрации дефектов и термостабильности удовлетворяющим требованиям к исходным двухслойным структурам для мощных высоковольтных МДП-транзисторам.

Основным практическим результатом проведенных исследований и разработок является широкое опробование в заводских условиях и внедрение ряда решений, полученных в работе, в промышленную технологи)^ частности в технологию изготовления микросхем К-537РУ1, Б-537РУ1, транзисторов КТ640,. КТ642, изделия 2Т3132 и других. Разработанная контрольная методика анализа трансформации и влияния дефектов на работу приборов широко использовалась для анализа причин брака при контроля матриц и линеек ФСЗС. Широкое опробование многослойных структур, получаемых по разработанной технологии, в заводских условиях при изготовлении высоковольтных силовых ЭМОП-транзисторов показали, что новая технология по сравнению с традиционной технологией эпитаксиального наращивания позволяет получать более высокий выход высоковольтных приборов (приборы группы А), а также позволяет повысить в 1,3 раза выход годных кристаллов большой площади с одной многослойной подложки.

Экономический эффект от использования разработок диссертации составил более двух миллионов шестисот тысяч деноминированных рублей. Ожидаемая экономия в перспективе при возможности использования всех результатов работы составит более шести миллионов деноминированных рублей. Кроме того, использование разработанной технологии получения многослойных структур вместо традиционного эпитаксиального наращивания позволяет исключить ряд экологических проблем.

Работа по созданию новой технологии получения многослойных структур прямым соединением пластин была отмечена золотой медалью в Брюсселе на выставке «Брюссель-Эврика'95» .

— 368.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Abstracts Spring Meeting MRS. Symposium B. Defect and impurity engineered semiconductor and devices. April 17−21 1995, San Fracisco Marriett, pp. 38−79.
  2. К.Рейви «Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии», М., Мир, 1984, с 249ю
  3. LJastrzebski. «Origin and control of material defects in silicon VLSI technologies: An Overview».-IEEE Journal Solid-State Circuits", 1982, v. SC-17, N2, p. 105−117.
  4. Н. Н. «Свойства междоузельных атомов кремния». Сб. трудов Н-ого Совестско-американского семинара по ионному легированию", Новоросибирск, «Наука», 1980, с. 133−135.
  5. Г. Матаре -«Электроника дефектов в полупроводниках», Из-во «Мир» М., 1974, с.
  6. Feller W. An Introduction to Probability Theory and Its Applications, 3d, Wiley, New York, 1968.
  7. Stapper С. H. Jr. «On a composite Model to the I.C. Yield Problem», IEEE J. Solid State Circuits, SC 10, p. 537, 1975.
  8. W.W., Montgomery D.C. «Probability and Statistics in Engineering and Management Science», Wiley, New York, 1972.
  9. C.H. «Si Yield Modeling and Process Monitoring IBM"-J. Res. Devices, 20, p. 228, 1976.
  10. Л.С., Мещерякова T.M. „Изменение электрических свойств кремния под влиянием атмосферы точечных дефектов на дислокациях“. „ФТТ“, 1975, т. 17, N 7, с. 2200.
  11. С.А. „Исследование методов управления величиной статистического коэффициента передачи тока кремниевых планарно-эпи-таксиальных транзисторов“ „Электронная техника“, сер.2, „Полупроводниковые приборы“, 1981, вып. 2(145), с. 12−16.
  12. Р.А. Levine, W.F. Kosonocky, Е. Savoye and D. Batison in „Electron Imaging 84″, p. 46. Proceedings of the International Electronic Imaging Exposition and Conference, Boston, M.A. Sept, 1984, Institute Graphic Communication (1984).
  13. L. Jastrzebski, R. Soydan and G.W. Cuilen et.al. „Silicon Wafers for CC Imagers“. — J. Electrochem. Soc.: Solid State Science and Technology, 1987, v.134, N 1, pp. 212−221.
  14. L.Jastrzebski, P.A.Levine, A.D.Cope, W.N.Henry and D.F.Batison „Material Limitations which Cause Striations in CCD-images“ .- IEEE Transactions of electron Devices, v. ED-27, N 28, 1980, pp. 1694−1701.
  15. K.JI., Вахромеева Г. Г., Карпушин М. П., Васильева Л.А „Исследование причин возникновения видеодефектов изображения, получаемых с помощью ПЗС“. Сб. „Электронная техника“, сер.2, выпуск 5(140), 1980, с. 8−14.
  16. L.Jastrzebski. J. Crystal Growth, v. 63, 1983, p. 493.
  17. H. „Gettering in the silicon device technology. An eview“. 1-st International Autumn Schoori985, „Gettering and Engineering in the Semiconductor Technology (GADEST), edited by H. Richter, Garzau, October 8−18, 1985, GDR, p. 1−20.
  18. Secco dArogona F. J. of Electrochemical Society, v. 119, 1972, p. 948.
  19. T.Suzuki, N. Isawa, Y. Okubo and K. Hoshi in „Semiconductor Silicon 1981″, H.R.Huff, RJ. Kriegler and Y. Takeishi, Editors, p. 90. The Electrochemical Society Softbound Proceedings Series, Pennington, N J.(1981).
  20. А. „Физика силовых биполярных и полевых транзисторов“ -Ленинград, Энергоатомиздат, Лен. отделение, 1986, 216 с.
  21. А.С. „Бездислокационный кремний и создание современных полупроводниковых приборов“. Обзоры по электронной технике, сер. 2, ЦНИИ „Электроника“, Москва, 1979, с. 29.
  22. G.A., Rasher R.A. „The elimination of stacking faults by preoxidation gettering of silicon wafers.- J. Electrochem. Society, v. 123, N 4, 1976, p. 570.
  23. Г. З., Пекарев А. И., Чистяков Ю. Д., Бурмистров А. Н. „Гет-терирование точечных дефектов в производстве полупроводниковых приборов" — Зарубежная электронная техника, 11(245), 1981, ЦНИИ"Электроника“, Москва, с. 3−5, 24−25.
  24. Р.Г. „Несовершенства и активные центры в полупроводниках“ Из-во „Металлургия“, М., 1968, с. 255−260.
  25. Logan R.A., Pearson G.L., Kleinman D.A. J. Appl. Phys., v. 30, 1959, p.885.
  26. B.M., Тальянский В. И. „О взаимосвязи носителей тока с дислокациями в германии и кремнии“. ЖТЭФ, т. 78, вып. 2, 1980, с. 672−676.
  27. С., Ashburn P., Booker G.R., Nicholass К.Н. „Effects of dislocations on phosphorus emitter diffusion conduction and their effects on electrical characteristics of silicon planar n-p-n-transistors“. Phys. Status. Solidi. a, v. 52, 1979, p. 433−440.
  28. K.JI., Марунина Н.И."Исследование сильнолегированных областей кремния, полученных диффузией фосфора в различных окислительных средах. Сб. „Электронная техника“, сер. 2, вып. 2(161), 1983, с. 3−7.
  29. Nishida М."Effects of diffusion-induced dislocations on the excess low-frequency noise“. IEEE Transactions on Electron Devices, v. ED-20, N 3, 1973, p. 221−226.
  30. K.JI., Курмачев B.A., Моргулис Л.М.“ Исследование влияния дислокационных скоплений вокруг областей локальной диффузии на параметры мощных кремниевых транзисторов“. Сб."Электронная техника“, сер. 2, вып.1, 1981, с. 9−14.
  31. К.Л., Мордкович В. Н., Резник В .Я., Малышев В. А. -„Влияние галогеносодержащих добавок на структуру дефектов в активных областях диффузионных п-р переходов“. Сб „Электронная техника“ сер. 26, вып. 7(150), 1981, с. 1 8−24.
  32. A.M., Рубаха Е. А., Синкевич В. Ф. „Механизмы отказов и надежность мощных СВЧ транзисторов“. Обзоры по электронной технике, сер.2, выпуск 10(577), ЦНИИ"Электроника», Москва, 1978.
  33. С.Ю., Клейнфельд Ю. С., Синкевич В. Ф. «Влияние дислокаций на возникновение микроплазм и пробой полупроводниковых структур. Сб. „Электронная техника“, сер.2, вып., 1984, с.76−83.
  34. Патент РФ N 1 364 142, приоритет от 06.09.85.- „Способ выявления микродефектов кремния с ориентацией (111). Ав: Енишерлова-Вельяшева К.Л., РусакТ.Ф., Иноземцев С.А.
  35. Патент РФ N 1 639 341, приоритет от 28.02.89.- „Способ выявления дефектов на поверхности кремния“. Ав. гЕнишерлова-Вельяшева K. JL, Русак Т.Ф.
  36. Sirtl Е., Adler А. Z. Metalkunde, В 52, Н. 8,1961, S. 529.
  37. Александров Л.Н."Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок“, Из-во. Наука, Сибирское отд., Новосибирск, 1978, с. 134.
  38. О.Ф. и др. „Снижение деффектности диффузионных слоев“. „Электронная промышленность“, вып. 6, 1976, с. 46−48.
  39. В.В., Дьяконов В. П., Левин А.Б.и др. „Мощные высоковольтные транзисторы для бестрансформаторных источников питания“.- „Электричество“, 1986, N 3, с. 56−58.
  40. Ю.И., Гулякович Г. И., Полянин К. П. и др. „Микроэлектронные электросистемы. Применение в радиоэлектронике“. Под ред. Конева Ю. И., Из-во „Радио и связь“, М, 1987, 240 с.
  41. В.В., Бельков А, К» Политанский Л.Ф. «Методы расчета сопротивления сток-исток в открытом состоянии мощных УМОП-Транзисторов».-«Электронная техника», сер.2, вып. 5(178), 1985, с. 13−20,
  42. В.В., Бельков А, К" Политанский Л.Ф. «Оценка распределения сопротивления истоковых областей в мощных УМОП-транзисторах.-Сб."Электронная техника», сер.2, вып. 5(178), 1985, с. 26−32.
  43. R.C. «Light impurities and their interactions in silicon».
  44. Materials Science and Engineering B36(1996), p 1−12.i
  45. P.F., Pearce C.W. «A neutron activation analysis study of the sources of transition group metal contamination in the silicon device manufacturing process» J. of Electrochemical Society, v. 128, N 3, 1981, p. 630−637.
  46. K.JI., Марунина Н. И., Мордкович B.H., Шмелева Г. Г. «Загрязнение кремниевых подложек в процессе их продготовки». Сб. «Электронная техника», сер.2, вып. 5(148), 1981, с.3−8.
  47. К.Л., Марунина Н. И. «Неконтролируемые примеси в пластинах кремния и их перераспределение при геттерировании». Сб. «Электронная техника», сер 2, вып. 2(168), 1984, с. 10−15.
  48. Sabo E.J. Radioanalyticalls. Chem. No 19,1974, p. 23.
  49. Н.И., Эйдензон A.M., Роговой В.И."Влияние условий выращивания на формирование микродефектов в бездислокационном кремнии". -«Кристаллография», том 34, вып. 2, 1989, с. 461−480.
  50. L.E., Schmidt P.F., Pearce C.W. «Neutron activation study of a gettering treatment for Czhochralski silicon substrates». J. Electrochem. Society, v. 128, N36, 1981, p. 620−625.
  51. К.Л., Татаренков A.M., Куликаускис B.C., Русак Т. Ф. «Исследование поверхности пластин кремния после процессов полирования». -«Электронная техника», сер. 2, вып. 3(121), 1978, с. 3−13.
  52. В.А., Малкович Р. Ш. «О низкотемпературной диффузии золота в кремнии», ФТП, т. 16, N 4, 1982, с. 745−747.
  53. Kenji Ikuta and Takahiko Ohara «Lifetime evaluation of denuded zone quality and intrinsic gettering effect on heavy metals». Japanese J. of Appl. Physics, vol. 23, No 8, 1984, pp. 984−990.
  54. Hartiti В., Muller J-C. and Siffert P."Defect generation and gettering during rapid thermal processing". IEEE Transaction on electron devices, v. 39, No 1, January 1992, p. 96−105.
  55. Ш. Мыорарка «Силициды для СБИС», Москва,"Мир", 1986, 160 с.
  56. В.А., Богач Н. В. «Эффективность геттерирующих слоев при произвольных концентрациях быстродиффундирующих примесей в кремниевых подложках». Микроэлектроника, том 19, вып. 4,1990, с. 374−379.
  57. Gilles D., Weber E.R., Hahn S.K., Cho К. «Internal gettering of iron in CZ-silicon: model and quantitative analysis». «Defect control in Semiconductors», K. Samino (ed), Elsevier Science Publishers, B.V. (North-Holland), 1990, p.323−328.
  58. Monkowski J."Role of chlorine in silicon oxidation" (part 2) J. Solid-Stage Technology, v. 22, No 8, 1979, p. 113−119.
  59. H.A., Самохвалов M.M. «Диффузия и окисление полупроводников», М., «Металлургия», 1975, с. 244−304.
  60. .И. «Диффузия иточечные дефекты в полупроводниках», Из-во «Наука», Л., 1972, с. 158.68. «Технология СБИС».- М., Из-во «Мир», под редакцией С. Зи, книга 1, 1986, с. 276.
  61. В.И. «Распад пересышенных полупроводниковых твердых растворов». М., Металлургия, 1977, 240с.70. «Атомная диффузия в полупроводниках». Под редак. Д. Шоу, из-во «Мир», М., 1975, с. 248−405.
  62. A.M. «Физическая механика реальных кристаллов», Киев, из-во «Наукова Думка», 1981, с. 285−323.
  63. Дж. Лоте. «Теория дислокаций»: Пер. с англ., Под редакцией Надгориого Э. М. и др., М., Атомиздат, 1972, с. 100−114.
  64. К.Л., Шмелева Г. Г., Темпер Э.М."Влияние ряда факторов на процессы преципитации кислорода в кремнии".- «Неорганические материалы», т. 28, N 5, 1992, с. 936−941.
  65. J.G. «The precipitation of oxygen in silicon». Journal Crystal Growth, 65, 1983, p. 214−230.
  66. B.B., Мильвидский М. Г. «Роль кислорода в образовании микродефектов при выращивании бездислокационных кристаллов кремния» «Кристаллография», т.ЗЗ, вып 2, 1988, с. 471−475.
  67. Enisherlova K.L., Risak T.F., Mil’vidski M.G., Reznic V.J. «Effect of native point defects on morphology of gettering centers in CZ-silicon wafers». J. Materials Science and Engineering В 36, (1996), p. 120−124.
  68. Ю.А., Литвинов Ю. М., Фаттахов Э. А. «Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур», М, Из-во. «Радио и связь», 1982, с. 22.
  69. А.Х. «Дислокации и пластическое течение в полупроводниках». М, Металлургиздат, 1958, с.
  70. Ourmaru A. and Schroter W. J. of Appl. Phys. Lett., 45, 1984, p. 781.
  71. Silcook J.M., Tunstall W.J. Philosoph. Magazine, 10,1964 p. 361.
  72. Nes E. Acta. Met. 22, 1974, p. 81.
  73. Nes E., Solberg J.K. J. of Appled Physics, 44, 1973, p 486−488.
  74. Tan T.Y. «Intrinsic gettering in CZ silicon.- „Defect in silicon“ 11, Proceeding of the 2-nd Symposium on defects in silicon», 1988, p. 613−630.
  75. W. «An experimental estimation of silicon interstitial diffusivity». J. Applied Physics, v. 67(12), 15 June, 1990, p. 7624−7627.
  76. К.Л., Мильвидский М. Г., Резник В. Я. «Исследование процессов формирования окислительных дефектов упаковки».- Ж. «Кристаллография», том 21, вып. З, 1986, с. 510−518.
  77. Nauka К., Lagowski J., Gatos Н.С. and Ueda О. «New intrinsic gettering process in silicon based on interactions of silicon interstitials». J. of Appl. Physics, 60 (2), 1986, p. 615−621.
  78. К.Л., Мильвидский М. Г., Резник В. Я., Русак Т.Ф."Ис-следование особенностей формирования внутреннего геттера в кремниевыхструктурах". Сб. «Электронная техника», сер Материалы, вып. 6(260), 1991, с. 29−32.
  79. Kanji Taniguchi, Yoshiaki Shibata and Chihiro Hamaquchi."Theoretical model for self-interstitial generation of the Si-SiO2 interface during thermal oxidation of silicon". J. of Appled Physics, 65(7), 1989, p. 2723−2727.
  80. W.A., Hahn S., Ponce F.A. «Thermodinamic and kinetic considerations in the equilibrium shape for thermally induced microdefects on CZ-silicon». J. Appl. Phys. 59(9), 1986, p. 3255−3265.
  81. Н.И., Эйдензон A.M., Роговой В. И. «Влияние условий выращивания на формирование микродефектов в бездислокационном кремнии». Сб."Кристаллография", том 34, вып. 2, 1989, с. 461−469
  82. В.В., Енишерлова К. Л., Мильвидский М. Г. и др. «Особенности дефектообразования в абразивно обработанных пластинах кремния при отжиге». «Кристаллография», т. 33, вып. 5, 1988, с. 1314−1316.
  83. В. «Kinetics of growth of the oxidation stacking faults. The capture of interstitials by partial dislocations». J. Appl. Phys. 53(7), 1982, p. 4779−4785.
  84. Scott T. Dunham «Interstitial kinetics near oxidizing silicon interface». J. of Electrochemical Society, vol. 136, No 1, 1989, pp. 250−253.
  85. Tan T.Y., Gosele U., Morhead F.F. J. Appl. Phys. vol. 65(7), 1 April, 1989, pp. 2723−2727.
  86. К.Л., Мильвидский М. Г., Резник В. Я. «Исследование особенностей дефектообразования в приповерхностных слоях кремния при окислении». «Кристаллография», том. 31, вып. 3, 1986, с. 558−563.
  87. Hourai М., Nagashima Т., Kajita Е. et.al.in Semicond. Silicon, vol. 94−10, ed. H.R. Huff et. al.(Pennington: Electrochem. Society), 1994, p. 156.
  88. Sueoka K., Ikeda N., Yamamoto T. J. Applied Physics Letters, vol. 65, 1994, p. 1686.
  89. Itsumi М., Akiya H., Tomita M. et. al. Proc.2-nd Intern.Symposium. on Advanced Technology of Silicon Materials, ed. M. Umeno (Osaka University), 1996, p. 51.
  90. S., Matsushita Y., Kanamori M., Sizuka T. «Thermally induced microdefects in Czochralski grown silicon nucleations and growth behavior». Jap. J. Appl. Phys., v. 21, No 1, 1982, p. 1−12.
  91. Ю.М., Грииштейи П. М., Ильин M.A. и др. «Влияние углерода на образование термодоноров и преципитатов кислорода в бездислокационном кремнии». «Неорганические материалы», Изд. АН. СССР, т. 21, N 5, 1985, с. 744.
  92. Kaiser W., Frisch H.L., Reiss Н. Phys. Rev., v. 112, No 5,1958, p. 1546.
  93. Volter F.W., Digger T.G. J. Crystal Growth, v. 19, No 3, 1973, p. 215.
  94. V.V. «The key role of selfmterstitials in generation of oxygen thermal donors». Silicon'94, 4-th Scientific and business Conference on Silicon Technology, Photovoltaies and IR-Optics, Czech Republic, Roznov 8−11-th November, 1994, p. 2−40.
  95. Gosele V., Tan T.Y. «Thermal donor formation by the aglomeration of oxygen in silicon».- Material Res. Society, «Defects in semiconductor» 11, v. 14, 1983, p. 153.
  96. Hartzeil R.A., Schaake H.F. and Massey R.G. «A model that describes the role of oxygen, carbon and interstitials in silicon wafers during device processing». -Mat. Res. Society Symp. Proc., vol. 36, 1985 Materials Research Society, pp. 217 222.
  97. Huber W., Pogani M." The behavior of oxygen precipitates in silicon at high process temperature". J. of Electrochem. Society, v. 137, No 10, 1990, pp. 3210−3213.
  98. Falster R., Gambaro D., Cornara M. et. al.- E-MRS Spring Meeting, Strasbourg, 1995, p.
  99. В.В., Енишерлова К. Л., Мильвидский М. Г. и др. -«Кристаллография», том 34, N 4, 1989, с. 974−980.
  100. Ю9.Воронков В. В., Мильвидский М. Г., Резник В. Я. и др."Преципитация кислорода в кремнии с различными ростовыми микродефектами"-«Крис-таллография, т. 35, вып. 5, 1900, с. 1197−1204.
  101. Milvidskii M.G., Voronkov Y.V., Enisherlova K.L., Reznick V. Ja» The influence of interinsic point defects on getter formation in silicon wafers".- Solid State Phenomena, vols 57−58 (1997), pp. 109−114.
  102. B.B., Мильвидский М. Г., Резник В. Я. «Влияние ростовых микродефектов на преципитацию кислорода в бездислокационном кремнии"-„Кристаллография“, том 35, вып. 5, 1990, с. 1205−1212.
  103. Ав.св. N 1 088 593 „Способ термообработки Si и кремниевых структур“, приоритет от 19.11.1982. Авторы: Енишерлова-Вельяшева К. Л, Итальянцев А. Г., Смульский А. С, Мордкович В. Н., Иноземцев С.А.
  104. Ав.св. N 1 190 855 „Способ изготовления кремниевых полупроводниковых приборов“, приоритет от 29.03.84. Авторы: Енишерлова-Вельяшева К.Л., Верников М. А., Иноземцев С. А., Мордкович В. Н., Русак Т. Ф., Сопов О.В.
  105. Патент РФ N 1 499 627 „Способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины“, приоритет 22.12.87, Авторы: Енишерлова-Вельяшева К.Л., Русак Т. Ф., Мильвидский М. Г., Воронков В. В, Антонова И. А., Шмелева Г. Г.
  106. A.A., Дорджин Г. С., Лактюшкин В. Н., Садофьев Ю. Г. Обзоры по электронной технике, сер. 7, вып. (1202), 1986, с. 3−15.
  107. Spiegal J.Y., Declerck G.J. J. Solid State Electron., v. 21, No 9, 1981, p.869.
  108. К.Л., Концевой Ю. А., Беленов К. В., Донской Д. В. „Исследование эффективности некоторых приемов генерирования“. -Сб. „Полупроводниковые приборы“, сер. 2, выпуск. 1(198), 1989, с. 71−76
  109. А. 0"Примеси с глубокими уровням в полупроводниках». М, Мир, 1977, 562 с.
  110. Г. С., Лактюшкин В. Н., Сорокина М. В. «Релаксационная спектроскопия глубоких уровней». Обзоры по электронной технике, серия 7, выпуск 4(1434), М. ЦНИИ «Электроника», 1989, 73 с.
  111. Ohmi T.'Total room temperature wet cleaning of silicon surface".-Proceeding of the 3rd Workshop «Semiconductor Wafer Cleaning and Surface Characterization», Rist Research Institute of Industrial Science and Technology, Korea, 1996, p.3−22.
  112. B.A., Долгова T.A., Лейкин B.H., Панксен Л. Ю. Сб. «Электронная техника», Сер. Микроэлектроника, N 1(117), 1986, с. 92.
  113. К.Л., Мильвидский М. Г., Резник В. Я., Русак Т. Ф. -«Трансформация геттерирующих центров при термообработках кремниевых пластин». Кристаллография, том. 36, вып. 5, 1991, с. 1259−1266.
  114. Wong Н., Cheung N.W., Chu Р.К., Lou J. and Mayer J.W. J. Appl. Physics Letters, 52(1988), 1988, p. 1023.
  115. Skorupa W., Kogler R., Schmalz K., Bartsch H."Proximity gettering by Mev-implantation of carbon microstructure and carrier life-time measurements". -Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B55(1991), 1991, p. 224−229.
  116. Wong H., Loy J, Cheung N.W., Kvam E. P, Yu K.M., Olson D.A. and Washburn J, «Cross-section transmission electron microscopy study of carbon-implanted layers in silicon» J. Appl. Phys. Letters 57(8), August 1990, pp. 798−800.
  117. A.B., Попов В. П., Кашников Б. П., Грипентрог М. Ю. «Разупорядочение и аморфизация сильно легированного кремния при облучении легкими ионами». «Поверхность», N 9, 1986, с. 77−81.
  118. F. «Ion implant in semiconductors».- Jap. Sol. for Promot. of Science, 1972.
  119. Davies G., Newman R.C. in S. Mahajan (ed.), «Handbook on Semiconductors, Materials, Properties and Preparation, Vols 3a and 3b, North Holland, Amsterdam, 1994, Chapter 21, pp. 1557−1636,
  120. A.H. „Особенности кинетики выделения второй фазы в пересыщенных имплантированных кислородом слоях кремния“. „Поверхность“, т. 10, 1989, с. 109−116.
  121. Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. „Ионное легирование полупроводников (Кремний и германий), Из-во. „Мир“, М, 1973, 288 с.
  122. P., Fraundorf G.K., Shimura F. „Clustering of oxygen atoms around carbon in silicon“. J. Appl. Phys. 58(11), 1 December 1985, pp. 4049−4055.
  123. Watkins G.D. and Brower K.L. Phys. Rev. Lett., v. 36, 1976, p. 1329.
  124. A.C., Филатова E.O., Степанов А. П., Кожахметов С. К.“ Распределение структурных нарушений в имплантированном кремнии по данным рентгеноспектральных методов». ФТП, том 32, N 10, 1990, с. 28 952 898.
  125. Schaake H.F., Baber S.C., Pinizzotto R.F. Semiconductor Silicon 1981, edited by H.R. Huff, R.J.Kreigler and Y. Takeishi (Electrochemical Society, New Jersey, 1981), p.273.
  126. Bean A.R. and Newman R.C. J. Phys. Chem. Solids, 32 (1971), p. 1211.
  127. Newman R.C. and Smith R.S.- J. Phys. Chem. Solids, v. 30, 1969, p. 723.
  128. Kaneta C., Sasaki T. and Katayama-Yoshida H.- Mat. Sci. Forum. 143−147(1994), p. 957.
  129. Shimura F., Baiardo J.P., Fraungorf P. Appl. Phys. Lett., v. 46, 1985, p.941.
  130. Davidson S.M. in «Proc. European Conf. on Ion Implantation» (Reading, England, 1970), Stevanage, Herts, England, 1970, p.238.
  131. С.К., Лукьянчук Т. И., Горелик С. С., Карацюба А. П., Мы-шляев М.М., Ходос И. Н. Физика и химия обработки материалов, 6, 105 (1975).
  132. Tamora М. J. Appl. Phys. Letters, v. 23, N12, 1973, p. 15.
  133. Д.И. «Электронномикроскопические исследования природы дефектов, возникающих при постимплантационном отжиге кремния». -Диссертация на соискание ученой степени к. ф-м. наук, Москва, 1977.
  134. Darken L.S. Trans. AIME. 176 (1948), p. 148.
  135. .С., Бакштейн С. З., Жуховицкий А. А. «Термодинамика и кинетика диффузии в твердых телах». М., Металлургия, 1974, 248 с.
  136. Pinizzoto R.F. and Marks S. «Carbon and the kinetics of oxygen precipitation in silicon». Defects in Semiconductor 11, Materials Research Society, Symposia Proceedings, 1982 Boston, v. 14, p. 147−152.
  137. G.F., Bertony S., Meda L., Spaggiari C. «Etherogeneous precipitation in oxygen-implanted silicon». Materials Science and Engineering B36 (1996), p. 26−29.
  138. Romanj-Rodriguez A., Serre C., Calvo-Barrio L. et. al. «Detailed analysis of b-SiC formation by high doze carbon ion implantation in silico». Materials Science and Engineering B36(1996), p. 282−285.
  139. К.Л., Алешин A.H., Мордкович B.H., Русак Т. Ф., Калинин А. А. «Ионно-легированные слои геттер для эпитаксиальных структур». — Электронная техника, сер. Материалы, вып. 6(260), 1991, с. 17−19.
  140. А.Н., Енишерлова К. Л., Калинин А. А., Мордкович В. Н., Русак Т. Ф. «Создание внутреннего геттера в кремнии путем имплантации ионов углерода и кислорода». Поверхность, вып. 1, 1992, с. 35−40.
  141. Ав. св. N 1 797 403 «Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур с внутренним геттером», приоритет от 11.03.90. Авторы: Енишерлова-Вельяшева К.Л., Алешин А. Н., Мордкович В. Н., Русак Т. Ф., Казакевич М. Я
  142. К.Л., Бачурин В. В., Кузнецов Ю. А. «Перспективная экологически чистая технология получения многослойных кремниевых структур». -«Электронная промышленность», 7, 1995, с. 4−9.
  143. J.B., Striffler S.R., White F.R., Abernathey J.R. «Silicon-on-insulator (SOI) by bonding and etch-back». International Electron Devices Meeting, 1985, IEDM, p. 648−684.
  144. Ко W.H., Suminto J.T., Yen G.J. «Bonding techniques for microsensors».-Micromachining and Micropackaging of Transducers, edited by C.D. Fung, P.W. Cheung et al. Elsevier Science Publishers B.Y. Amsterdam, 1985, p. 41−61.
  145. Чарлз Коэн." Термокомпрессия пластин, улучшающая характеристики мощных приборов". «Electronics, N 26, том 58, 1985, с. 15−17.
  146. Niromichi Ohashi, Junichi Ohura, Tsuneo Tsukakoshi and Masaru Simbo „Improved dielectrically isolated device integration by silicon wafer direct bonding (SDB) technigue“. International Electron Devices Meeting, 1986, p. 210−213.
  147. Frye R.C., Grifith J.E. and Wang Y.H. „A field-assisted process for silicon dielectric isolation“. J. Electrochem. Society, v. 133, N8, 1986, pp. 1673−1677.
  148. Самьюэл Уэбф. „Эффективные методы изготовления СБИС повышенной радиационной стойкости“, „Electronics“, N 24,1987, с. 48−49.
  149. Atsuta M., Ogura Т., Nakagawa A. et. al. „An n-p-n transistor, fabricated by silicon wafer direct bonding“. Extended Abstracts of the 19-th Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, 1987, pp. 47−50.
  150. Stefan Bengtsson. „Semiconductor wafer bonding: A review of interfacial properties and applications“.- J. of Electronic Materials, v. 21, N.8, 1992, pp. 841 861.
  151. B.M., Воронков В. Б., Грехов И. В., Козлов В. А. „Формирование р-п переходов методом прямого сращивания кремниевых пластин (ПСК)“.-Письма в ЖТФ, том 15, вып. 18, с. 59−63.
  152. В.М., Воронков В. Б., Грехов И. В., Коробков И. Н. -ФТП, т. 13, N4, 1979, с. 701−706. .
  153. R.W.Bower, M.S. Ismail and S.N.Fan-ens. „Aligned wafer bonding a key to three dimensional microstructures“. J. of Electronic Materials, v. 20, No. 5, 1991, p. 383−387.
  154. Hartndt Christine et.al. „Silicon on insulator material by wafer bonding“. -J. of Electronic Materials, v. 20, N 3, 1991, p. 267−277.
  155. Gosele U., Tong Q-Y „Silicon layer transfer by wafer bonding“ Extended abstracts, Volume 93−1, Spring Meeting, Honolulu, Hawaii, May 16−21, 1993, Abstact No 844, p. 1240
  156. First International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding Science, 1991, Phoenix, Arizona, Extended Abstracts.183. „Atomic glue solves high voltage IGBT problem“, Electronic Engineering, v. 62, N 768, 1991, p. 10
  157. Abe Т., Takei Т., Uchiyama A. et al. „Silicon wafer bonding mechanism for silicon-on-insulator structures“. J. Appl. Phys., vol. 29(12), 1990. p. L2311-L 2314.
  158. Stengl R., Tan Т., Gosele U.» A model for silicon wafer bonding process". Japanese J. of Applied Physics, v. 28, No 10, October, 1989, p. 1735−1741.
  159. R. Stengl, K-Y. Aim and V. Gosele. «Bubble free silicon wafer bonding in a noncleanroom environment». Japanese J. of Appl. Physics, v. 27, No 12, December, 1988, p. L 2364-L2366.
  160. Masara W.P., Goetz G. et. al. J. Appl. Physics, v. 64, 1989, p. 4943.
  161. Horning R.D., Burns D.W. and Akinwange.- Ext. Abst. 1991 Electro-chem. Society, Fall. Mtg., vol 91−2, Phoenix, p.735.
  162. Kiyoshi Mitani and Ulrich M. Gosele «Wafer bonding technology for silicon-on-insulator applications: A review» J. of Electronic. Materials, vol. 21, N7, 1992, pp. 669−676.
  163. Н.И., Быстров K.H., Киреев П.С.-Краткий справочник по физике, Из-во «Высшая школа», М., 1969, с. 375.191. «Прочность. Устойчивость. Колебания», том 1. Под ред. И.А. Бирге-ра, Изд. «Машиностроение», 1968, с. 568.
  164. Kyoung-Soo Yi, GeniTech Inc. ey. al. «Wafer bonding technology for SOI, Part 1″. Proceeding of the 3rd Workshop on „Semiconductor Wafer Cleaning and Surface Characterization“, 1996, p. 264−288.
  165. Ljungberg K., Soderbarg A., Bengtsson S., Jauhianen A. Extended abstracts, Volume 93−1, Spring Meeting, Honolulu, Hawaii, May 16−21, 1993, Abstact No 852, p. 1255.
  166. Israelachvili J., McGuiggan P. and Horn R. Ext. Abst. 1991 Electochem. Society Fall. Meeting, vol. 91−2, Phoenix, 458 (1991).3 8S~
  167. Ching-Fa Yen and Shyang H. Wangleu „The novel prepartion of p-n junction Mesa diodes by silicon-wafer direct bonding (SDB) Jpn. J. Appl. Phys., v. 31(1992), Pt. l, No 5a, pp. 1535−1540.
  168. Kissinger G., Kissinger W., Hofmann H. and Kruger J. „SOI by silicon wafer direct bonding-problems of wafer warpage and surface chemistry“. Solid State Phenomena, vol. 19 — 20 (1991), pp. 625 -630.
  169. И.Г. Сб. „Электронная техника“, сер.2, вып.7, 1975, р. 126−136.
  170. Ни X-L, Nong Q-Y. Electron. Lett., v. 25(6), 1989, p. 394.
  171. Yamada A., Jiang B-L., Rozgonyi G.A. et. al."Structral evaluation of silicon-on-insulator fabricated by a direct wafer bonding and numerically controlled polishing techniquey“. J. Electrochem. Society, vol. 138, No 8, 1991, pp. 2468−2474.
  172. K.JI., Русак Т. Ф., Шмелева Г. Г., Ерусалимчик И. Г. „Исследование процессов прямого соединения пластин кремния при формировании КНИ-структур“. ж."Микроэлектроника», т. 23, вып. 6, 1994, с. 46−54.
  173. Enisherlova K.L., Rusak T.F., Chervyakova Е. N., VinogradovR.N. «SOI-structures produced by the silicon direct bonding method», Materials Science and Engineering В 46 (1997), p. 33−37.
  174. R.A. «Bonded silicon on insulator technologies». Proceeding of the 3rd Workshop on «Semiconductor Wafer Cleaning and Surface Characterization», 1996, p. 317−338.
  175. Патент РФ N 1 547 619, приоритет от 24.11.87. «Устройство для высокотемпературной обработки полупроводниковых пластин». Авторы: Концевой Ю. Ф., Енишерлова-Вельяшева К.Л., Бачурин В. В., Левин А.Б.
  176. Патент РФ N 1 581 124, приоритет от 31.08.88. Авторы: Енишерлова-Вельяшева К.Л., Мордкович В. Н., Верников М. А., Бачурин В. В., Левин А. Б, Пащенко П.Б.
  177. Ав. св. N 301 807, приоритет от 27.06.88. Авторы: Енишерлова-Вельяшева К.Л., Бачзфин В. В., Казакевич М. А., Левин А. Б., Матвеев Ю.А.
  178. Ав.св. N 292 113, приоритет от 30.05.88. Авт оры: Енишерлов, а -Вельяшева К.Л., Берников М. А, Бачурин В. В., Левин А. Б., Садковская Е.А.
  179. Ав. св. N 293 696, приоритет, от 16.06.88 «Способ изготовления высоковольтных кремниевых приборов». Авторы: Енишерлова-Вельяшева К.Л., Бачурин В. В, Иноземцев С. А., Левин А.Б.
  180. Yun S.J., Ahn K-Y, Yi K-S and Kang S.W. «Studies on microvoids at the interface of direct bonded silicon wafers». Extended abstracts, Volume 93−1, Spring Meeting, Honolulu, Hawaii, May 16−21, 1993, Abstact No 464, p. 686.
  181. Ahn K-Y., Stengl R., Tan T.Y. and Gosele U. «Stability of interfacial oxide layers during silicon wafer bonding». J. Appl. Phys., v. 65(2), 15 January, 1989, pp. 561−563.
  182. Kawai Y., Ishigami S., Furuya H. et. al. «Structure of the interface of a bonded wafer». Extended abstracts, Volume 93−1, Spring Meeting, Honolulu, Hawaii, May 16−21, 1993, Abstact No 826, p. 1208−1209.
  183. А.Я. «Взаимосвязь между свойствами жидкой и твердой фазы». ж. «Расплавы», N 1,1991, с. 27−33.
  184. Yang W.-S., Ahn K-Y., Marioton B.P.R. et. al. «Gold gettering in directly bonded silicon wafers». Japanese J. of Appl. Physics, vol. 28, No 5, 1989, pp L721-L724.
  185. Stengl R., Ahn K-Y., Mii Т., Yang W-S., Gosele U." Tunneling structures fabricated by silicon wafer durect bonding". Japanese J. of Appl. Physics, vol. 28, No 12, 1989, pp, 2405−2412.
  186. A.A., Беклемышев В. И., Дарьяшкин A.E. и др. «Процессы удаления алюминия с поверхности кремниевых пластин». «Микроэлектроника», т. 20, вып. 4, 1991, с. 410−414.
  187. А.П. «Основы аналитической химии», М.Химия, 1965, 243 с.
  188. А.А. «Исследования химических процессов при одностадийной обработке кремниевых пластин». сб. «Электронная техника, сер. 2, вып. 4(147), 1981, с. 51−53.-38 $
  189. И.П. „Перекисно-аммиачные составы для очистки поверхностей кремния“ . сб. Электронная техника, сер 2, вып. 1(174), 1985, с. 66−71.
  190. Slusser G.J., McDowel L. J. Vac. Sci. Technol., v. A5(4), 1987, p. 1649.
  191. Патент РФ N 2 033 657, приоритет от 14.02.92. „Устройство для низкотемпературного прямого соединения полупроводниковых пластин“, Авторы: Енишерлова-Вельяшева К.Л., Бачурин В. В., Фейгин Х. И., Ушаков М.А.
  192. B.M., Воронков В. Б., Грехов И. В. и Козлов В.А.» Применение технологии твердофазного прямого сращивания кремния при изготовлении полупроволдниковых структур для силовой электроники". ВИНИТИ N 32, 1991, с. 58−66.
  193. Nakagawa A., Eng D., Imamura К. et. al." 1.800 V bioplar-mode MOS-FETs (IGBT)", Toshiba Review, No 161, Autumn 1992, p. 34−37.
  194. D.Yu. Khomutsky, K.L. Enisherlova, N.I. Koshelev, A.I. Ermolayeva «Multilayer silicon structures as a base for power electronucs and microelectronics. Formation of SOI-structures by silicon wafers bonding from glass insulator"3sg~
  195. Proceeding or 4-th Workshop on «Semiconductor Wafer Cleaning and Surface Characterization», Editors: K. Ryoo and J. Lee July, 1998, Korea.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!