Вах гпт. 
Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники

Соотношение (V111.2.7), определяющее зависимость поверхностной плотности заряда электронов в канале, в точности совпадает с аналогичным соотношением для идеализированного МДПТ (Ш.3.9). Поэтому ВАХ идеализированного ГИТ (пулевые сопротивления стока и истока, постоянная подвижность электронов в канате) в крутой области совпадают по виду с ВАХ идеализированного МДП-транзистора до тех пор, пока ток затвора мат, а электроны в подзатворном слое и⁴ -Al_vGa, _vAs отсутствуют:

где Количественное отличие состоит в значительно большей подвижности электронов и, соответственно, крутизне ВАХ.

Ввиду отсутствия проводящей подложки эффекты короткого канала в ГГГГ проявляются весьма слабо за исключением эффекта насыщения дрейфовой скорости электронов. Этот эффект, как и в ПТШ, проявляется в большей степени, так как значение порогового поля E_s=v_s / р" мало. Количественно эффект насыщения дрейфовой скорости описывается так же, как в МДПТ (см. параграфы Ш. 5.5—Ш.5.7).

Сопротивление истока R_s значительно снижает крутизну ГИТ ввиду высокой крутизны «внутреннего» транзистора, поэтому проходные ВАХ ГПТ ближе к линейным, чем к квадратичным (как в МДП-транзисторе).

Барьерный переход затвор—канал имеет диодную характеристику, как в ПТШ. Поэтому при протекании затворного тока ВАХ ГПТ имеет те же особенности, что и ВАХ ПТШ (см. параграф VII.2.3).

Специфической особенностью ГПТ является эффект экранирования ДЭГ в канале электронами, которые появляются в слое n⁺-Al_xGa_{1 x}As при повышении напряжения затвор—исток. Этот эффект может проявляться уже при таких напряжениях V_gs, при которых ток затвора остается малым. С ростом напряжения V_gs. уменьшается зазор между энергетическими уровнями Е_с2 и F_tl (см. рис. VIII.2.2). Когда этот зазор становится достаточно малым, в слое w⁺-Al Ga, _xAs создается второй капал, параллельный каналу с ДЭГ, который экранирует канал с ДЭГ от поля затвора. Поскольку подвижность электронов в слое n⁺-Al_xGa, _xAs значительно меньше, чем в ДЭГ, крутизна ВАХ при этом резко снижается и ток стока практически насыщается. Можно показать, что максимально достижимая поверхностная плотность электронов ДЭГ, при которой начинается экранирование ДЭГ, составляет где