Травление. 
Основы конструирования и технологии производства радиоэлектронных средств. 
Интегральные схемы

После операций механической обработки приповерхностный слой пластин остается поврежденным и загрязненным на глубину, зависящую от применяемого оборудования и размера абразивных частиц. Толщина поврежденного слоя может составлять 10 мкм и может бить удалена химическим травлением.

Травление поверхности пластины проводят в смеси плавиковой HF, азотной HNO3 и уксусной СНзСООН кислот, а также в растворе щелочей — гидроокиси калия КОН или натрия NaOH.

Глубина травления стороны подложки составляет 20 мкм.

Реакция травления кремния имеет электрохимическую природу. Травление представляет собой окислительно-восстановительный процесс с последующим растворением продуктов окислительной реакции.

Рис. 1.19. Схема процесса шлифования фаски. 1 — подложка,.

2 — фаска, 3 — шлифовальный инструмент, 4 — алмазная кромка В травящей системе азотная кислота — окислитель, а плавиковая растворяет продукты оксидирования.

Реакция травления выглядит следующим образом:

Уксусная кислота служит в качестве растворителя и обеспечивает большую однородность и более легкий контроль процесса травления.

Рекомендуемый состав травления 4:1:3 с использованием азотной, плавиковой и ледяной уксусной кислот.