Методика определения параметров р-n перехода
![Реферат: Методика определения параметров р-n перехода](https://gugn.ru/work/6590688/cover.png)
Контактная разность потенциалов может быть определена с помощью соотношений (П. 2.3)—(П. 2.4) и (П. 2.6). Учитывая, что концентрации носителей заряда на границах перехода (в плоскостях х = -1п0 и х = 1ро на рис. 11.2.1) соответствуют равновесным значениям (см. рис. II. 1.2, а), получаем. Отметим, что в набор уравнений, определяющих параметры р-п перехода, входят два уравнения для контактной… Читать ещё >
Методика определения параметров р-n перехода (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Основными параметрами р-п перехода являются контактная разность потенциалов протяженности перехода в р- и «-областях 1р0 и /,;0, а также максимальная напряженность электрического поля Ет0. Кроме того, необходимо знать распределение напряженности электрического поля в ОПЗ Е (х). Исходными данными являются результирующие примесные профили в базе NB(x) и эмиттере Л'/; (х), а также электрофизические параметры полупроводникового материала.
Контактная разность потенциалов может быть определена с помощью соотношений (П. 2.3)—(П. 2.4) и (П. 2.6). Учитывая, что концентрации носителей заряда на границах перехода (в плоскостях х = -1п0 и х = 1ро на рис. 11.2.1) соответствуют равновесным значениям (см. рис. II. 1.2, а), получаем.
![Методика определения параметров р-n перехода.](/img/s/8/09/1441509_1.png)
Перемножив равенства (II.2.9а, б), находим.
![Методика определения параметров р-n перехода.](/img/s/8/09/1441509_2.png)
Из рис. II.2.1 следует, что при отсутствии вырождения (когда уровень Ферми лежит в запрещенной зоне) высота потенциального барьера не может превышать ширины запрещенной зоны Е^. При этом
Очевидно, что контактная разность потенциалов увеличивается с увеличением степени легирования эмиттера и базы. Переходы, изготовленные на основе полупроводника с большей шириной запрещенной зоны (и, следовательно, меньшей собственной концентрацией носителей заряда и), имеют большую контактную разность потенциалов.
Основными допущениями при анализе перехода являются пренебрежение концентрациями подвижных носителей заряда в ОПЗ по сравнению с концентрациями примесей — приближение полного обеднения (II. 1.11), а также электронейтральность полупроводника вне ОПЗ. При этом распределение плотности объемного заряда имеет вид.
![Методика определения параметров р-n перехода.](/img/s/8/09/1441509_4.png)
Электрическое поле может быть найдено из уравнения Пуассона.
![Методика определения параметров р-n перехода.](/img/s/8/09/1441509_5.png)
На границах перехода (в плоскостях г = -/и0 и г = //)0) ноле равно нулю; поэтому согласно теореме Гаусса в целом переход электронейтрален.
![Методика определения параметров р-n перехода.](/img/s/8/09/1441509_6.png)
а распределение поля в 0113 определяется соотношением.
![Методика определения параметров р-n перехода.](/img/s/8/09/1441509_7.png)
Поскольку функция р (.г) меняет знак в плоскости х-0, максимальная напряженность электрического поля составляет.
![Методика определения параметров р-n перехода.](/img/s/8/09/1441509_8.png)
Интегрирование напряженности электрического поля по всей 0113 дает второе уравнение для контактной разности потенциалов.
![Методика определения параметров р-n перехода.](/img/s/8/09/1441509_9.png)
Интегрируя по частям, с учетом (II.2.14) получаем.
![Методика определения параметров р-n перехода.](/img/s/8/09/1441509_10.png)
Уравнения (И.2.10), (11.2.14), (И.2.16) и (II.2.17) с учетом очевидного равенства.
![Методика определения параметров р-n перехода.](/img/s/8/09/1441509_11.png)
могут быть решены относительно неизвестных и Ет0, после чего из (II.2.15) определяется функция.
Е (х).
Отметим, что в набор уравнений, определяющих параметры р-п перехода, входят два уравнения для контактной разности потенциалов. Уравнение (II.2.10) определяет значение срй? из соображений статистики носителей заряда, а уравнение (11.2.17) является уравнением электростатики.