Заключение. 
Описание поведения МОП-транзистора на физическом уровне с учётом экстремальных температур

Целью данной работы было оценить работоспособность элементов и фрагментов аналоговых КМОП-схем, изготовленных по субмикронной 0,5-мкм КНИ КМОП-технологии. Для достижения данной цели были решены следующие задачи:

• 1) Была исследована литература о высокотемпературной электронике и влияние температуры на параметры МОП транзисторов.
• 2) Были изучены существующие на данный момент модели МОП-транзисторов и их особенности для того, чтобы определить модель, наиболее точно описывающую работу исследуемых транзисторов в условиях повышенных температур. В качестве модели была выбрана модифицированная модель BSIMSOI для расширенного температурного диапазона.
• 3) Были исследованы сдвиги параметров, измеренных КНИ МОП транзисторов 0,5-мкм КМОП-технологии.
• 4) Была произведена экстракция параметров для выбранной модели на основе измеренных данных. Для этого использовался САПР для моделирования полупроводников устройств IC-CAP.
• 5) Была промоделирована и исследована схема компаратора, на основе полученных моделей, с использованием симулятора электронных схем HSPICE.

Полученная модель может использоваться для моделирования цифровых и аналоговых КМОП схем, изготовленных по данной технологии.