Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Влияние экранирования деполяризующих полей на кинетику доменной структуры монокристаллов семейства ниобата лития и танталата лития

Диссертация: Влияние экранирования деполяризующих полей на кинетику доменной структуры монокристаллов семейства ниобата лития и танталата лития
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Растущий интерес к доменной структуре сегнетоэлектриков во многом вызван бурным развитием в последние годы новой отрасли науки и технологии — «доменной инженерии». Данная область знаний занимается разработкой и усовершенствованием методов создания в сегнетоэлектрических монокристаллах доменных структур с заданной геометрией для различных применений. Основной задачей доменной инженерии на данный… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Анализ токов при переключении поляризации в сегнетоэлектриках
      • 1. 1. 1. Формула Колмогорова-Аврами
    • 1. 2. Современные методы исследования кинетики доменной структуры
      • 1. 2. 1. Исследование статической доменной структуры
      • 1. 2. 2. Исследование кинетики доменной структуры
    • 1. 3. Механизмы экранирования деполяризующего поля в сегнетоэлектриках
      • 1. 3. 1. Внешнее экранирование
      • 1. 3. 2. Внутренне экранирование
    • 1. 4. Особенности кинетики доменной структуры при циклическом переключении
      • 1. 4. 1. Влияние типа электродов на эффект усталости
      • 1. 4. 2. Механизмы усталости
      • 1. 4. 3. Формирование доменных структур с заряженными стенками в процессе переключения поляризации
      • 1. 4. 4. Влияние частоты переключающих импульсов на эффект усталости
    • 1. 5. Танталат лития и ниобат лития
      • 1. 5. 1. Основные физические свойства
      • 1. 5. 2. Структура монокристаллов ниобата и танталата лития
      • 1. 5. 3. Переориентация дипольных дефектов во внешнем поле
      • 1. 5. 4. Влияние отклонений от стехиометрии на свойства кристаллов ниобата лития и танталата лития
      • 1. 5. 5. Легирование танталата лития и ниобата лития
      • 1. 5. 6. Доменная структура
    • 1. 6. Исследование интегральных характеристик переключения в монокристаллах ниобата и танталата лития
    • 1. 7. Исследование процессов объемного экранирования
      • 1. 7. 1. Оптические методы
      • 1. 7. 2. Анализ интегральных характеристик переключения
    • 1. 8. Выводы из главы
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Исследуемые образцы
    • 2. 2. Экспериментальная установка для исследования кинетики доменной структуры
    • 2. 3. Экспериментальная установка для проведения диэлектрических измерений
    • 2. 4. Методы визуализации статической доменной структуры
    • 2. 5. Интегральные методы исследования кинетики доменной структуры
    • 2. 6. Методики исследования процессов экранирования
      • 2. 6. 1. Зависимость коэрцитивного поля от времени задержки
      • 2. 6. 2. Анализ релаксации контраста следа доменной стенки
      • 2. 6. 3. Дифракции света на доменных стенках
    • 2. 7. Краткие
  • выводы
  • ГЛАВА 3. КИНЕТИКА ПРОЦЕССА ЭКРАНИРОВАНИЯ ДЕПОЛЯРИЗУЮЩИХ ПОЛЕЙ В МОНОКРИСТАЛЛАХ НИОБАТА ЛИТИЯ И
  • ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ
    • 3. 1. Монокристаллы конгруэнтного состава
      • 3. 1. 1. Конгруэнтный ниобат лития
      • 3. 1. 2. Конгруэнтный танталат лития
    • 3. 2. Монокристаллы с составом, близким к стехиометрическому
      • 3. 2. 1. Ниобат лития
      • 3. 2. 2. Танталат лития
    • 3. 3. Легированные материалы
      • 3. 3. 1. Легирование оксидом магния
      • 3. 3. 2. Легирование эрбием
    • 3. 4. Краткие
  • выводы
  • ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ЭКРАНИРОВАНИЯ НА КИНЕТИКУ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ
    • 4. 1. Стехиометрический танталат лития
      • 4. 1. 1. Форма тока переключения
      • 4. 1. 2. Кинетика доменной структуры
      • 4. 1. 3. Полевая зависимость времени переключения
      • 4. 1. 4. Статистический анализ тока переключения
      • 4. 1. 5. Переключение в треугольных импульсах
    • 4. 2. Стехиометрический ниобат лития
    • 4. 3. Ниобат лития, легированный магнием
    • 4. 4. Краткие
  • выводы
  • ГЛАВА 5. ЭФФЕКТ УСТАЛОСТИ ПРИ ЦИКЛИЧЕСКОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИИ ПОЛЯРИЗАЦИИ
    • 5. 1. Стехиометрический танталат лития
      • 5. 1. 1. Поведение интегральных характеристик переключения при циклическом переключении
      • 5. 1. 2. Эволюция доменной структуры в процессе усталости
      • 5. 1. 3. Модель для описания эффекта усталости
      • 5. 1. 4. Частотная зависимость эффекта усталости
      • 5. 1. 5. Диэлектрические свойства
    • 5. 2. Стехиометрический ниобат лития
    • 5. 3. Конгруэнтный танталат лития
      • 5. 3. 1. Коэрцитивные поля
      • 5. 3. 2. Эволюция формы тока переключения
    • 5. 4. Краткие
  • выводы

Влияние экранирования деполяризующих полей на кинетику доменной структуры монокристаллов семейства ниобата лития и танталата лития (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Переключение поляризации в сегнетоэлектрике под действием внешнего электрического поля, происходящее за счет образования и роста доменов, можно рассматривать как аналог фазового перехода первого рода. Поэтому кинетика доменной структуры в процессе переключения поляризации представляет собой фундаментальную проблему физики конденсированного состояния, связанную с исследованием закономерностей кинетики фазовых превращений.

При изменении доменной структуры сегнетоэлектриков принципиальную роль играют процессы внешнего и объемного экранирования деполяризующего поля, создаваемого связанными зарядами. Медленные процессы объемного экранирования приводят к эффектам памяти и в значительной степени определяют кинетику доменов. Изучение влияния процессов экранирования деполяризующих полей на эволюцию доменной структуры необходимо для решения важной фундаментальной проблемы физики сегнетоэлектриков — процесса переключения поляризации.

Растущий интерес к доменной структуре сегнетоэлектриков во многом вызван бурным развитием в последние годы новой отрасли науки и технологии — «доменной инженерии». Данная область знаний занимается разработкой и усовершенствованием методов создания в сегнетоэлектрических монокристаллах доменных структур с заданной геометрией для различных применений. Основной задачей доменной инженерии на данный момент является создание стабильных регулярных доменных структур для улучшения нелинейно-оптических, электрооптических и акустических характеристик, в частности для изготовления эффективных преобразователей частоты когерентного излучения. Наиболее широко используемыми материалами для таких применений являются монокристаллы семейства ниобата лития и танталата лития. Периодические доменные структуры создают приложением пространственно неоднородного электрического поля создаваемого системой периодических полосовых электродов, нанесенных на полярную поверхность сегнетоэлектрической пластины. Для оптимального подбора технологических параметров необходимо понимание закономерностей кинетики доменной структуры и процессов объемного экранирования, играющих принципиальную роль для стабилизации созданных доменных структур.

Интерес к исследованию особенностей кинетики доменной структуры при циклическом переключении обусловлен созданием элементов энергонезависимой памяти на основе сегнетоэлектрических тонких пленок. Широкое применение таких элементов ограничено характерным для сегнетоэлектриков «эффектом усталости» — уменьшением переключаемого заряда при многократном циклическом переключении поляризации. Принято считать, что эффект усталости связан с процессом объемного экранирования.

Таким образом, комплексное исследование процессов объемного экранирования и их влияния на кинетику доменной структуры актуально как для решения фундаментальных проблем физики твердого тела, так и для важных практических применений.

Целью работы является исследование процессов объемного экранирования в монокристаллах семейства ниобата лития (ЫМЮз, ОЧ) и танталата лития (ТлТаОз, ЬТ) и их влияния на кинетику доменной структуры в данных материалах.

Объекты исследования.

Исследование кинетики доменной структуры проводилось в монокристаллах ниобата лития и танталата лития с различной степенью отклонения от стехиометрического состава, как номинально чистых, так и легированных магнием и эрбием.

Научная новизна работы заключается в следующем: 1) Разработаны оригинальные методы определения основных параметров процесса объемного экранирования в Ь№ и ЬТ на основе анализа: (а) 5 токов переключения, (б) релаксации контраста «следа» доменной стенки, (в) интенсивности когерентного света, дифрагировавшего на доменных стенках.

2) Впервые проведено комплексное исследование кинетики объёмного экранирования в монокристаллах ЦЧ и ЬТ с различной степенью отклонения от стехиометрического состава и легированием.

3) Впервые прямая визуализация доменов использована для детального исследования кинетики доменной структуры в монокристаллах и ЬТ стехиометрического состава с рекордно низкими коэрцитивными полями.

4) Предложена модель движения доменной стенки с учетом взаимодействия с центрами пиннинга, основанная на ключевой роли запаздывания объемного экранирования. Модель успешно использована для описания экспериментальной полевой зависимости времени переключения в стехиометрическом ЬТ.

5) Предложен и экспериментально подтвержден новый механизм эффекта усталости в сегнетоэлектриках при циклическом переключении, обусловленный образованием «замороженных доменов» (не переключающихся областей, содержащих заряженные доменные стенки).

6) Предложен новый подход к описанию процесса усталости (зависимости остаточной поляризации от количества циклов переключения) с использованием формулы Колмогорова-Аврами, модифицированной для переключения поляризации в ограниченном объеме.

Практическая значимость.

1. Разработанные методы измерения параметров объемного экранирования будут использованы для контроля качества и пространственной однородности монокристаллов ЬЫ и ЬТ.

2. Предложенный новый механизм описания процесса усталости будет использоваться для анализа усталостных явлений и повышения ресурса работы сегнетоэлектрических устройств на основе циклического переключения.

3. Выявленные закономерности и параметры кинетики доменной структуры в монокристаллах и ЬТ стехиометрического состава будут использоваться для разработки улучшенных методов формирования прецизионных периодических доменных структур для эффективных преобразователей длины волны с повышенной мощностью, эффективностью и надежностью.

Достоверность полученных результатов обеспечивается применением современного и надежного аттестованного оборудования, надежной статистикой проведенных экспериментов, применением современных и независимых методов обработки данных, согласием с экспериментальными результатами других авторов и непротиворечивостью известным физическим моделям. Достоверность проведенных расчетов подтверждается обоснованностью принятых допущений, согласованностью с экспериментальными данными.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту;

1. Методы определения основных параметров процесса объемного экранирования, основанные на анализе: (а) токов переключения, (б) релаксации контраста «следа» доменной стенки, (в) интенсивности когерентного света, дифрагировавшего на доменных стенках.

2. Результаты комплексного исследования процесса объёмного экранирования в монокристаллах ЬЫ и ЬТ с различным легированием и степенью отклонения от стехиометрического состава.

3. Модель движения доменной стенки в слабых полях с учетом взаимодействия с центрами пиннинга, основанная на ключевой роли запаздывания объемного экранирования.

4. Особенности кинетики доменной структуры в монокристаллах ЫЧ и ЬТ стехиометрического и конгруэнтного состава при циклическом переключении с жидкими и твердотельными электродами.

5. Новый подход к описанию зависимости остаточной поляризации от количества циклов переключения в процессе усталости, сопровождающемся ростом областей с не переключающимися доменами с заряженными доменными стенками.

Апробация работы.

Основные результаты были представлены на 25 Всероссийских и международных конференциях и симпозиумах: XVII, XVIII и XIX Всероссийских конференциях по физике сегнетоэлектриков (27.06−1.07.2005, Пенза- 12−14.06.2008, Санкт-Петербург- 20−23.06.2011, Москва), International Symposiums on Ferroic Domains and Microto Nanoscopic Structures (2630.06.2006, Dresden, Germany- 20−24.09.2010, Prague, Czech Republic), European Conferences on Applications of Polar Dielectrics (4−8.09.2006, Metz, France- 26−29.08.2008, Roma, Italy), International Seminars on Ferroelastic Physics (10−13.09.2006, 22−25.09.2009, Воронеж, Россия), 19th International Symposium on Integrated Ferroelectrics (8−12.05.2007, Bordeaux, France), International Symposiums «Microand Nano-scale Domain Structuring in Ferroelectrics» (22−27.08.2007, 13−18.09.2009, Екатеринбург), European Meetings on Ferroelectricity (3−7.09.2007, Bled, Slovenia- 26.06−2.07.2011, Bordeaux, France,), Russia/CIS/Baltic/Japan Symposiums on Ferroelectricity (1519.06.2008, Vilnius, Lithuania- 20−24.06.2010, Yokohama, Japan), MiniSymposium on Periodically-Modulated and Artificially Hetero-Structured Electrooptic Devices (18−21.05.2009, Grasmere, United Kingdom), 12th International Meeting on Ferroelectricity and 18th IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics (23−27.08.2009, Xi’an, China), 19th International Symposium on the Applications of Ferroelectrics and 10th European Conference on the Applications of Polar Dielectrics (10−12.08.2010, Edinburgh, United Kingdom), X, XI и XII Всероссийских молодёжных школах-семинарах по проблемам физики конденсированного состояния вещества (9−15.11.2009, 1521.11.2010, 14−20.11.2011, Екатеринбург), 22ой международной конференции.

Релаксационные явления в твердых телах" (14−18.09.2010, Воронеж), 2ой Уральской школе «Современные нанотехнологии. Сканирующая зондовая микроскопия» (18−23.04.2011, Екатеринбург), 20th IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics and International Symposium on Piezoresponse Force Microscopy & Nanoscale Phenomena in Polar Materials (2427.07.2011, Vancouver, Canada).

Публикации и личный вклад автора.

Основные результаты исследований опубликованы в 5 статьях в реферируемых печатных изданиях и 40 тезисах Всероссийских и международных конференций (всего 45 печатных работ). Диссертационная работа выполнена в лаборатории сегнетоэлектриков отдела оптоэлектроники и полупроводниковой техники Института естественных наук Уральского федерального университета имени первого Президента России Б. Н. Ельцина в рамках исследований, проводимых при частичной поддержке РФФИ (гранты 08−02−12 173-офи, 10−02−96 042-рурала, 10−02−627-а, 10−02−96 042-р-Урал-а, 08−02−90 434-У кра, 08−02−99 082-рофи, 11−02−91 066-CNRS-a), Федерального Агентства по образованию, ФЦП «Научные и педагогические кадры инновационной России на 2009 — 2013 годы» (гос. контракты № 02.552.11.7069, П870, П2127, 16.552.11.7020), а также стипендий Губернатора Свердловской области (2010/2011 и 2011/2012 уч. г.), Правительства РФ (2010/2011 уч. г.) и Президента РФ (2011/2012 уч. г.).

Устный доклад по теме работы был признан лучшим на International Symposiums «Microand Nano-scale Domain Structuring in Ferroelectrics», 2009, Екатеринбург. Стендовый доклад по теме работы был признан лучшим на 10th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposiums on Ferroelectricity, 2010, Yokohama, Japan.

Все основные результаты работы были получены лично автором. Выбор направления исследований, обсуждение результатов и формулировка задач проводились совместно с научным руководителем профессором В. Я. Шуром и с.н.с. И. С. Батуриным. Экспериментальные измерения параметров 9 объемного экранирования и интегральных параметров переключения проводились автором лично. In situ визуализация кинетики доменной структуры с использованием сверхбыстрой видеокамеры проводилась совместно с м.н.с. М. С. Коневым. Исследование процесса объемного экранирования методом анализа интенсивности дифрагировавшего света проводилось совместно с м.н.с. М. С. Небогатиковым. Статистический анализ токов переключения проводился совместно с с.н.с. Е. В. Шишкиной. Визуализация доменных структур сканирующей конфокальной микроскопией комбинационного рассеяния проводилась совместно с н.с. П. С. Зеленовским.

Автором работы написано все оригинальное программное обеспечение для автоматизации обработки экспериментальных данных.

Структура и объем диссертации

.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения и.

Основные результаты и выводы работы.

1) Предложены и апробированы оригинальные методы определения основных параметров процесса объемного экранирования в ЬЫ" и ЬТ на основе анализа токов переключения, релаксации контраста «следа» доменной стенки и интенсивности когерентного света, дифрагировавшего на доменных стенках.

2) Показано, что в монокристаллах семейства ЬЫ и ЬТ легирование и Ег, а также переход от конгруэнтного состава к стехиометрическому приводят к значительному уменьшению полей объемного экранирования и увеличению характерных времен релаксации. Наблюдаемый эффект объяснен уменьшением концентрации дипольных дефектов.

3) Впервые в монокристаллах ЫМ и ЬТ стехиометрического состава с рекордно низкими коэрцитивными полями проведено детальное исследование кинетики доменной структуры с использованием прямой визуализации доменов. В ЬТ стехиометрического состава впервые выявлено качественное изменение кинетики доменной структуры при переходе от слабых полей к сильным.

4) Для описания полевой зависимости времени переключения в стехиометрическом ЬТ в слабых полях предложена модель движения доменной стенки с учетом взаимодействия с центрами пиннинга и запаздывания объемного экранирования.

5) Предложен и экспериментально подтвержден новый механизм эффекта усталости в сегнетоэлектриках при циклическом переключении, обусловленный образованием «замороженных доменов» (областей, содержащих заряженные доменные стенки).

6) Предложен новый подход к описанию процесса усталости с использованием формулы Колмогорова-Аврами, модифицированной для переключения поляризации в ограниченном объеме.

Благодарности.

Во-первых, хотелось бы выразить благодарность своему научному руководителю Шуру Владимиру Яковлевичу за его безграничный энтузиазм и веру в своих учеников. Владимир Яковлевич является для меня примером современного успешного ученого, всегда открытого для новых идей и проектов. Также выражаю благодарность заведующему сектором кинетики доменной структуры Батурину Ивану Сергеевичу за обширные и глубокие знания по всем аспектам экспериментальных исследований, которыми он всегда готов поделиться с коллегами.

Особую благодарность хочу выразить моим родителям Вере Ивановне и Ришату Мубараковичу за их любовь и веру в меня. Спасибо моей жене Галине и дочке Алисе за их понимание и поддержку.

Спасибо всем сотрудникам и студентам лаборатории за возможность работать в таком дружном и сплоченном коллективе. Отдельная благодарность Иевлеву Антону, с которым мы прошли долгий путь от учеников СУНЦ УрГУ до соискателей степени кандидата физ.-мат. наук. Спасибо Шиховой Вере, Долбилову Михаилу и Мингалиеву Евгению за их готовность поделиться своим опытом по подготовке кандидатской диссертации с младшими товарищами. Спасибо Шур Алевтине Геннадьевне и Пелеговой Елене за помощь в решении административных вопросов.

Отдельно хочу сказать спасибо моему преподавателю физики в СУНЦ УрФУ Инишевой Ольге Викторовне и Минькову Григорию Максовичу за то, что открыли для меня этот удивительный мир физики и дали возможность приобщиться к настоящим научным исследованиям при решении задач Турнира Юных Физиков.

Работа состоялась во многом благодаря финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Министерства Образования и науки, стипендий Ученого совета УрГУ, Президента.

Российской Федерации, Правительства Российской Федерации, Губернатора Свердловской Области.

С уважением Андрей Ахматханов Екатеринбург, апрель 2012.

Список условных обозначений.

ВТ — титанат бария ВаТЮз.

CLN — конгруэнтный ниобат лития.

CLT — конгруэнтный танталат лития.

ITO — прозрачные оксидные электроды Ir^OjiSn.

LN — ниобат лития LiNbC>3.

LT — танталат лития ГлТаОз.

CLN:Mg — ниобат лития легированный магнием.

NSLN — ниобат лития с составом близким к стехиометрическому.

NSLT — танталат лития с составом близким к стехиометрическому.

PZT — цирконат-титанат свинца.

А — переключаемая площадь.

С — емкость с — константа формы в теории Колмогорова-Аврами d — толщина образца г 13 — электро-оптический коэффициент.

Еыш = (Ес+ + Ес~)/2 — внутреннее поле смещения.

Еь — поле объемного экранирования.

Ее, Ее — коэрцитивное поле.

Edep — деполяризующее поле.

Erd — остаточное деполяризующее поле.

Еех — внешнее поле.

Е/ос — локальное поле на доменной стенке.

Еыдолгорелаксирующая составляющая поля объемного экранирования.

H — показатель Херста, а — показатель скейлинга.

Imax — максимальный ток переключения п — размерность задачи в теории Колмогорова-Аврами.

Ps — спонтанная поляризация.

Рг — остаточная поляризация q — доля материнской фазы в теории Колмогорова-Аврами tcr — критическое время, когда все домены коснутся границы объема в модифицированной теории Колмогорова-Аврами tCat — момент времени, когда происходит геометрическая катастрофа в модифицированной теории Колмогорова-Аврами ts — время переключения tst — время стабилизации доменной структуры Тс — температура сегнетоэлектрического фазового перехода Uex — приложенное напряжение а,/3-вероятность зародышеобразования на единицу объема и число зародышей, появившихся в начале процесса в теории Колмогорова-Аврами Еа — поле активации.

Sl — диэлектрическая проницаемость диэлектрического зазора s0 — диэлектрическая проницаемость вакуума ¡-л — подвижность доменной стенки фрактальное время корреляции г — постоянная времени объемного экранирования Ят — эталонное измерительное сопротивление.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М. Лайнс and А. Гласс, Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981, р. 728.
  2. R. L. Byer, «Quasi-phasematched nonlinear interactions and devices», Journal of Nonlinear Optical Physics and Materials, vol. 6, no. 4, pp. 549−592, 1997.
  3. E. Fatuzzo and W. J. Merz, Ferroelectricity. Amsterdam: North-Holland, 1967, p. 201.
  4. A. G. Chynoweth, «Effect of Space Charge Fields on Polarization Reversal and the Generation of Barkhausen Pulses in Barium Titanate», Journal of Applied Physics, vol. 30, no. 3, p. 280, 1959.
  5. В. M. Рудяк, Процессы переключения в нелинейных кристаллах. М.: Мир, 1981, р. 736.
  6. P. Вак, С. Tang, and К. Wiesenfeld, «Self-organized criticality: An explanation of the 1/f noise», Physical Review Letters, vol. 59, no. 4, pp. 381−384, Jul. 1987.
  7. P. Вак, C. Tang, and K. Wiesenfeld, «Self-organized criticality», Physical Review A, vol. 38, no. 1, pp. 364−374, Jul. 1988.
  8. D. Spasojevic, S. Bukvic, S. Milosevic, and H. Stanley, «Barkhausen noise: Elementary signals, power laws, and scaling relations», Physical Review E, vol. 54, no. 3, pp. 25 312 546, Sep. 1996.
  9. C. Pawlaczyk, A. K. Tagantsev, K. Brooks, I. M. Reaney, R. Klissurska, and N. Setter, «Fatigue, rejuvenation and self-restoring in ferroelectric thin films», Integrated Ferroelectrics, vol. 9, no. 4, pp. 293−316, Aug. 1995.
  10. A. Chynoweth, «Barkhausen Pulses in Barium Titanate», Physical Review, vol. 110, no. 6, pp. 1316−1332, Jun. 1958.
  11. A. Kumada, «Domain switching in Gd2(Mo04)3», Physics Letters A, vol. 30, no. 3, pp. 186−187, Oct. 1969.
  12. В. M. Рудяк, А. Ю. Кудзин, Т. В. Панченко, «Скачки Баркгаузена и стабилизация спонтанной поляризации монокристаллов ВаТЮз», ФТТ, Т. 14, с. 2441, 1972.
  13. В. М. Рудяк, «Эффект Баркгаузена», УФН, Т. 101, с. 429, 1970.
  14. V. Y. Shur et al., «Polarization reversal in congruent and stoichiometric lithium tantalate», Applied Physics Letters, vol. 79, no. 19, p. 3146, 2001.
  15. J. Russ, Fractal Surfaces. New York: Plenum, 1994.
  16. J. Feder, Fractals. New York: Plenum, 1988.
  17. Y. Ishibashi and Y. Takagi, «Note on Ferroelectric Domain Switching», Journal of the Physical Society of Japan, vol. 31, no. 2, pp. 506−510, Feb. 1971.
  18. V. Y. Shur and E. L. Rumyantsev, «Crystal growth and domain structure evolution», Ferroelectrics, vol. 142, no. 1, pp. 1−7, Jan. 1993.
  19. V. Y. Shur and E. L. Rumyantsev, «Kinetics of ferroelectric domain structure during switching: Theory and experiment», Ferroelectrics, vol. 151, no. 1, pp. 171−180, Jan. 1994.
  20. J. Cahn, «Theory of crystal growth and interface motion in crystalline materials», Acta Metallurgica, vol. 8, no. 8, pp. 554−562, Aug. 1960.
  21. A. H. Колмогоров, «К статистической теории кристаллизации металлов», Изв. АН СССР. Сер. матем., Т. 1, Вып. 3. С. 355−359, 1937.
  22. М. Avrami, «Kinetics of Phase Change. I General Theory», J. Chem. Phys., vol. 7, p. 1103,1939.
  23. E. Fatuzzo, «Theoretical Considerations on the Switching Transient in Ferroelectrics», Physical Review, vol. 127, no. 6, pp. 1999−2005, Sep. 1962.
  24. K. Dimmler et al., «Switching kinetics in KN03 ferroelectric thin-film memories», Journal of Applied Physics, vol. 61, no. 12, p. 5467, 1987.
  25. J. F. Scott et al., «Switching kinetics of lead zirconate titanate submicron thin-film memories», Journal of Applied Physics, vol. 64, no. 2, p. 787, 1988.
  26. V. Shur, E. Rumyantsev, and S. Makarov, «Kinetics of phase transformations in real finite systems: Application to switching in ferroelectrics», Journal of Applied Physics, vol. 84, no. l, p. 445, 1998.
  27. V. Y. Shur, E. L. Rumyantsev, S. D. Makarov, and V. V. Volegov, «How to extract information about domain kinetics in thin ferroelectric films from switching transient current data», Integrated Ferroelectrics, vol. 5, no. 4, pp. 293−301, Dec. 1994.
  28. V. Y. Shur, E. L. Rumyantsev, and S. D. Makarov, «Geometrical transformations of the ferroelectric domain structure in electric field», Ferroelectrics, vol. 172, no. 1, pp. 361 372, Oct. 1995.
  29. T. Jach, S. Kim, V. Gopalan, S. Durbin, and D. Bright, «Long-range strains and the effects of applied field at 180° ferroelectric domain walls in lithium niobate», Physical Review В, vol. 69, no. 6, Feb. 2004.
  30. G. Gouadec and P. Colomban, «Raman Spectroscopy of nanomaterials: How spectra relate to disorder, particle size and mechanical properties», Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, vol. 53, no. 1, pp. 1−56, Mar. 2007.
  31. A. Bartasyte et al., «Residual stress estimation in ferroelectric РЬТЮЗ thin films by Raman spectroscopy», Physical Review B, vol. 79, no. 10, Mar. 2009.
  32. Y. Kong et al., «The asymmetry between the domain walls of periodically poled lithium niobate crystals», Optical Materials, vol. 27, no. 3, pp. 471−473, Dec. 2004.
  33. R. Hammoum, M. D. Fontana, P. Bourson, and V. Y. Shur, «Raman Micro-Spectroscopy as a Probe to Investigate PPLN Structures», Ferroelectrics, vol. 352, no. 1, pp. 106−110, Jul. 2007.
  34. M. D. Fontana, R. Hammoum, P. Bourson, S. Margueron, and V. Y. Shur, «Raman Probe on PPLN Microstructures», Ferroelectrics, vol. 373, no. 1, pp. 26−31, Nov. 2008.
  35. P. S. Zelenovskiy, M. D. Fontana, V. Y. Shur, P. Bourson, and D. K. Kuznetsov, «Raman visualization of micro- and nanoscale domain structures in lithium niobate», Applied Physics A, vol. 99, no. 4, pp. 741−744, Mar. 2010.
  36. П. Зеленовский, В. Я. Шур, Д. Кузнецов, Е. Мингалиев, М. Fontana, P. Bourson, «Визуализация нанодоменов в монокристаллах ниобата лития методом сканирующей лазерной конфокальной микроскопии комбинационного рассеяния», ФТТ, Т. 53, с. 106−109, 2011.
  37. V. Y. Shur et al., «Investigation of the nanodomain structure formation by piezoelectric force microscopy and Raman confocal microscopy in LiNbC>3 and LiTaC>3 crystals», Journal of Applied Physics, vol. 110, no. 5, p. 52 013, 2011.
  38. K. Nassau, H. J. Levinstein, and G. M. Loiacono, «The domain structure and etching of ferroelectric lithium niobate», Applied Physics Letters, vol. 6, no. 11, p. 228, 1965.
  39. W. L. Holstein, «Etching study of ferroelectric microdomains in LiNb03 and Mg0: LiNb03», Journal of Crystal Growth, vol. 171, no. 3, pp. 477−484, Feb. 1997.
  40. X. H. Li, J. Y. Xu, M. Jin, H. Shen, B. L. Lu, and Z. Y. Wang, «Growth and Etching Studies of MgO-Doped LiNbCb Single Crystal», Materials Science Forum, vol. 663−665, pp. 1133−1136, Nov. 2010.
  41. Y. Zheng et al., «Domain structures and etching morphologies of lithium niobate crystals with different Li contents grown by TSSG and double crucible Czochralski method», Crystal Research and Technology, vol. 39, no. 5, pp. 387−395, May 2004.
  42. I. E. Barry, G. W. Ross, P. G. R. Smith, and R. W. Eason, «Ridge waveguides in lithium niobate fabricated by differential etching following spatially selective domain inversion», Applied Physics Letters, vol. 74, no. 10, p. 1487, 1999.
  43. А. В. Randies, M. Esashi, and S. Tanaka, «Etch rate dependence on crystal orientation of lithium niobate.», IEEE trans, ultrason., ferroelectr., freq. control, vol. 57, no. 11, pp. 2372−80, Nov. 2010.
  44. С. Sones et al., «Fabrication of piezoelectric micro-cantilevers in domain-engineered LiNbO 3 single crystals», Journal of Micromechanics and Microengineering, vol. 12, no. l, pp. 53−57, Jan. 2002.
  45. D. Xue and K. Kitamura, «Origin of Differential Etching Rates of the + Z and Z Faces of Lithium Niobate Crystal», Ferroelectrics Letters Section, vol. 29, no. 5−6, pp. 89−93, Jan. 2002.
  46. X. Zhang, D. Xue, and K. Kitamura, «Domain switching and surface fabrication of lithium niobate single crystals», Journal of Alloys and Compounds, vol. 449, no. 1−2, pp. 219−223, Jan. 2008.
  47. W. Merz, «The Electric and Optical Behavior of ВаТЮЗ Single-Domain Crystals», Physical Review, vol. 76, no. 8, pp. 1221−1225, Oct. 1949.
  48. C. Sawyer and C. Tower, «Rochelle Salt as a Dielectric», Physical Review, vol. 35, no. 3, pp. 269−273, Feb. 1930.
  49. W. Kanzig, «Space Charge Layer Near the Surface of a Ferroelectric», Physical Review, vol. 98, no. 2, pp. 549−550, Apr. 1955.
  50. W. J. Merz, «Switching Time in Ferroelectric ВаТЮз and Its Dependence on Crystal Thickness», Journal of Applied Physics, vol. 27, no. 8, p. 938, 1956.
  51. G. Arlt and H. Neumann, «Internal bias in ferroelectric ceramics: Origin and time dependence», Ferroelectrics, vol. 87, no. 1, pp. 109−120, Nov. 1988.
  52. B.M., Сегнетоэлектрики-полупроводники. Моевка: Наука, 1976, с. 408.
  53. А. К. Tagantsev and I. A. Stolichnov, «Injection-controlled size effect on switching of ferroelectric thin films», Applied Physics Letters 74, 1326 (1999).
  54. A. K. Tagantsev and G. Gerra, «Interface-induced phenomena in polarization response of ferroelectric thin films», Journal of Applied Physics 100, 51 607 (2006).
  55. Ф. Иона, Д. Ширане, Сегнетоэлектрические кристаллы. Москва: Мир, 1965, с. 555.
  56. Д. Барфут, Дж. Тейлор, Полярные диэлектрики и их применения. Москва: Мир, 1981, с. 528.
  57. D. S. Campbell, «Some observations on switched single crystal barium titanate», Philosophical Magazine, vol. 7, no. 79, pp. 1157−1166, Jul. 1962.
  58. A. K. Tagantsev, I. Stolichnov, E. L. Colla, and N. Setter, «Polarization fatigue in ferroelectric films: Basic experimental findings, phenomenological scenarios, and microscopic features», Journal of Applied Physics, vol. 90, no. 3, p. 1387, 2001.
  59. C. Z. Pawlaczyk, A. K. Tagantsev, K. Brooks, R. Klissurska, and N. Setter, «Rejuvenation and Self-Restoring in Ferroelectric Thin-Films», Integrated Ferroelectrics, vol. 8, pp. 293−316, 1995.
  60. X. J. Lou, «Polarization fatigue in ferroelectric thin films and related materials», Journal of Applied Physics, vol. 105, no. 2, p. 24 101, 2009.
  61. А. Кудзин, Т. Панченко, С. Юдин, Поведение 180°-х доменных стенок монокристаллов ВаТЮз в процессе «усталости» и восстановления свойств переключения, Физика Твердого Тела, Т. 16, С. 2437, 1974.
  62. W. L. Warren et al., «Polarization suppression in Pb (Zr, Ti)03 thin films», Journal of Applied Physics, vol. 77, no. 12, p. 6695, 1995.
  63. E. L. Colla, A. K. Tagantsev, D. V. Taylor, and A. L. Kholkin, «Fatigued state of the Pt-PZT-Pt system», Integrated Ferroelectrics, vol. 18, no. 1−4, pp. 19−28, Sep. 1997.
  64. V. Y. Shur, E. L. Rumyantsev, E. V. Nikolaeva, E. I. Shishkin, and I. S. Baturin, «Kinetic approach to fatigue phenomenon in ferroelectrics», Journal of Applied Physics, vol. 90, no. 12, p. 6312, 2001.
  65. D. Lupascu and U. Rabe, «Cyclic Cluster Growth in Ferroelectric Perovskites», Physical Review Letters 89, (2002).
  66. A. Bratkovsky and A. Levanyuk, «Abrupt Appearance of the Domain Pattern and Fatigue of Thin Ferroelectric Films», Physical Review Letters, vol. 84, no. 14, pp. 3177−3180, Apr. 2000.
  67. M. Dawber and J. F. Scott, «A model for fatigue in ferroelectric perovskite thin films», Applied Physics Letters, vol. 76, no. 8, p. 1060, 2000.
  68. U. Robels, J. H. Calderwood, and G. Arlt, «Shift and deformation of the hysteresis curve of ferro electrics by defects: An electrostatic model», Journal of Applied Physics, vol. 77, no. 8, p. 4002, 1995.
  69. G. Le Rhun, G. Poullain, and R. Bouregba, «A model for fatigue in ferroelectric thin films based on trapping of carriers at interfacial states», Journal of Applied Physics, vol. 96, no. 7, p. 3876, 2004.
  70. A. Gruverman, O. Auciello, and H. Tokumoto, «Nanoscale investigation of fatigue effects in Pb (Zr, Ti)03 films», Applied Physics Letters, vol. 69, no. 21, p. 3191, 1996.
  71. А. Кудзин, Т. Панченко, «Динамическая усталость монокристаллов ВаТЮз», Физика Твердого Тела, vol. 6, pp. 92−96, 1972.
  72. А. Кудзин, Т. Панченко, С. Юдин, «Поведение 180°-х доменных стенок монокристаллов ВаТЮз в процессе 'усталости' и восстановления свойств переключения», Физика Твердого Тела, vol. 16, по. 8, р. 2437, 1974.
  73. V. Y. Shur, Е. L. Rumyantsev, Е. V. Nikolaeva, and Е. I. Shishkin, «Formation and evolution of charged domain walls in congruent lithium niobate», Applied Physics Letters, vol. 77, no. 22, p. 3636, 2000.
  74. R. Abe, «Theoretical Treatment of the Movement of 180° Domain in ВаТЮз Single Crystal», Journal of the Physical Society of Japan, vol. 14, no. 5, pp. 633−642, May 1959.
  75. V. Y. Shur and E. L. Rumyantsev, «Kinetics of ferroelectric domain structure: Retardation effects», Ferroelectrics, vol. 191, no. 1−4, pp. 319−333, 1997.
  76. R. Ramesh et al., «Fatigue and aging in ferroelectric PbZro.2Tio.8O3/YBa2Cu3O7 heterostructures», Integrated Ferroelectrics, vol. l, no. l, pp. 1−15, Apr. 1992.
  77. K. Lee, B. R. Rhee, and C. Lee, «Characteristics of ferroelectric Pb (Zr, Ti)03 thin films having Pt/PtOx electrode barriers», Applied Physics Letters, vol. 79, no. 6, p. 821, 2001.
  78. S. B. Majumder, Y. N. Mohapatra, and D. C. Agrawal, «Fatigue resistance in lead zirconate titanate thin ferroelectric films: Effect of cerium doping and frequency dependence», Applied Physics Letters, vol. 70, no. 1, p. 138, 1997.
  79. M. Grossmann, D. Bolten, O. Lohse, U. Boettger, R. Waser, and S. Tiedke, «Correlation between switching and fatigue in PbZro.3Tio.7O3 thin films», Applied Physics Letters, vol. 77, no. 12, p. 1894, 2000.
  80. B. G. Chae, С. H. Park, Y. S. Yang, and M. S. Jang, «Asymmetry in fatigue and recovery in ferroelectric Pb (Zr, Ti)03 thin-film capacitors», Applied Physics Letters, vol. 75, no. 14, p. 2135, 1999.
  81. S. Kim, V. Gopalan, K. Kitamura, and Y. Furukawa, «Domain reversal and nonstoichiometry in lithium tantalate», Journal of Applied Physics, vol. 90, no. 6, p. 2949, 2001.
  82. V. Gopalan, T. E. Mitchell, Y. Furukawa, and K. Kitamura, «The role of nonstoichiometry in 180 domain switching of LiNbO crystals», Applied Physics Letters, vol. 72, pp. 19 811 983, 1998.
  83. T. Volk and M. Wohlecke, Lithium Niobate, vol. 115. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2008, p. 250.
  84. S. C. Abrahams and P. Marsh, «Defect structure dependence on composition in lithium niobate», Acta Crystallographica Section B Structural Science, vol. 42, no. 1, pp. 61−68, Feb. 1986.
  85. L. O. Svaasand, M. Eriksrud, G. Nakken, and A. P. Grande, «Solid-solution range of LiNb03», Journal of Crystal Growth, vol. 22, p. 230, 1974.
  86. N. Iyi et al., «Comparative study of defect structures in lithium niobate with different compositions», Journal of Solid State Chemistry, vol. 101, no. 2, pp. 340−352, Dec. 1992.
  87. A. P. Wilkinson, A. K. Cheetham, and R. H. Jarman, «The defect structure of congruently melting lithium niobate», Journal of Applied Physics, vol. 74, no. 5, p. 3080, 1993.
  88. N. Zotov, H. Boysen, F. Frey, T. Metzger, and E. Born, «Cation substitution models of congruent LiNb03 investigated by X-ray and neutron powder diffraction», Journal of Physics and Chemistry of Solids, vol. 55, no. 2, pp. 145−152, Feb. 1994.
  89. G. DeLeo, J. Dobson, M. Masters, and L. Bonjack, «Electronic structure of an oxygen vacancy in lithium niobate», Physical Review B, vol. 37, no. 14, pp. 8394−8400, May 1988.
  90. P. Lerner, C. Legras, and J. P. Dumas, «Stoechiometrie des monocristaux de metaniobate de lithium», Journal of Crystal Growth, vol. 3−4, pp. 231−235, 1968.
  91. G. E. Peterson and A. Carnevale, «93Nb NMR Linewidths in Nonstoichiometric Lithium Niobate», The Journal of Chemical Physics, vol. 56, no. 10, p. 4848, 1972.
  92. H. Donnerberg, S. Tomlinson, C. Catlow, and O. Schirmer, «Computer-simulation studies of intrinsic defects in LiNbC>3 crystals», Physical Review B, vol. 40, no. 17, pp. 1 190 911 916, Dec. 1989.
  93. D. M. Smyth, «The role of impurities in insultating transition metal oxides», Progress in Solid State Chemistry, vol. 15, no. 3, pp. 145−171, Jan. 1984.
  94. J. Blumel, E. Born, and T. Metzger, «Solid state NMR study supporting the lithium vacancy defect model in congruent lithium niobate», Journal of Physics and Chemistry of Solids, vol. 55, no. 7, pp. 589−593, Jul. 1994.
  95. H. Xu et al., «Stability of intrinsic defects and defect clusters in LiNbC>3 from density functional theory calculations», Physical Review B Condensed Matter and Materials Physics, vol. 78, no. 17, 2008.
  96. V. Gopalan and M. C. Gupta, «Observation of internal field in LiTaC>3 single crystals: Its origin and time-temperature dependence», Applied Physics Letters, vol. 68, no. 7, p. 888, 1996.
  97. X. Liu, K. Kitamura, K. Terabe, H. Zeng, and Q. Yin, «Effect of nonstoichiometric defects on antiparallel domain formation in LiNbCV, Applied Physics Letters, vol. 91, no. 23, p. 232 913, 2007.
  98. V. Gopalan, V. Dierolf, and D. A. Scrymgeour, Defect-domain wall interactions in trigonalferroelectrics, vol. 37. 2007.
  99. N. Zotov et al., «X-ray and neutron diffuse scattering in LiNb03 from 38 to 1200 K», Acta Crystallographica Section B Structural Science, vol. 51, no. 6, pp. 961−972, Dec. 1995.
  100. P. V. Lambeck and G. H. Jonker, «Ferroelectric domain stabilization in BaTi03 by bulk ordering of defects», Ferroelectrics, vol. 22, no. 1, pp. 729−731, Jan. 1978.
  101. P. V. Lambeck and G. H. Jonker, «The nature of domain stabilization in ferroelectric perovskites», Journal of Physics and Chemistry of Solids, vol. 47, no. 5, pp. 453−461, Jan. 1986.
  102. W. L. Warren, G. E. Pike, K. Vanheusden, D. Dimos, B. A. Tuttle, and J. Robertson, «Defect-dipole alignment and tetragonal strain in ferroelectrics», Journal of Applied Physics, vol. 79, no. 12, p. 9250, 1996.
  103. G. Bergmann, «The electrical conductivity of LiNbCV, Solid State Communications, vol. 6, no. 2, pp. 77−79, Feb. 1968.
  104. V. Gopalan and M. C. Gupta, «Origin and characteristics of internal fields in LiNb03 crystals», Ferroelectrics, vol. 198, no. 1, p. 49, 1997.
  105. K. Nassau and M. Lines, «Stacking-Fault Model for Stoichiometry Deviations in LiNb03 and LiTaOj and the Effect on the Curie Temperature», Journal of Applied Physics, vol. 41, no. 2, p. 533, 1970.
  106. H. Xu, D. Lee, S. B. Sinnott, V. Dierolf, V. Gopalan, and S. R. Phillpot, «Structure and diffusion of intrinsic defect complexes in LiNb03 from density functional theory calculations.», J. Phys.: Condens. Matter, vol. 22, no. 13, p. 135 002, 2010.
  107. H. Xu et al., «Stability of intrinsic defects and defect clusters in LiNb03 from density functional theory calculations», Phys. Rev. B, vol. 78, no. 17, p. 174 103, 2008.
  108. A. Mehta, E. K. Chang, and D. M. Smyth, «Ionic transport in LiNb03M, Journal of Materials Research, vol. 6, no. 4, pp. 851−854, 1991.
  109. T. K. Halstead, «Temperature Dependence of the Li NMR Spectrum and Atomic Motion in LiNb03M, Journal of Chemical Physics, vol. 53, p. 3427, 1970.
  110. J. Rahn, E. Hiiger, L. Dorrer, B. Ruprecht, P. Heitjans, and H. Schmidt, «Li self-diffusion in lithium niobate single crystals at low temperatures.», Physical chemistry chemical physics, vol. 14, no. 7, pp. 2427−33, Feb. 2012.
  111. Y. Furukawa, K. Kitamura, S. Takekawa, A. Miyamoto, M. Terao, and N. Suda, «Photorefraction in LiNb03 as a function of Li]/[Nb] and MgO concentrations», Applied Physics Letters, vol. 77, no. 16, pp. 2494−2496, 2000.
  112. S. H. Yao et al., «Growth and characterization of near stoichiometric LiNb03 single crystal», Crystal Research and Technology, vol. 42, no. 2, pp. 114−118, Feb. 2007.
  113. S. Kan, M. Sakamoto, Y. Okano, K. Hoshikawa, and T. Fukuda, «LiNb03 single crystal growth by the continuous charging Czochralski method with Li/Nb ratio control», Journal of Crystal Growth, vol. 119, no. 3−4, pp. 215−220, May 1992.
  114. Y. Furukawa, M. Sato, K. Kitamura, and F. Nitanda, «Growth and characterization of off-congruent LiNbOj single crystals grown by the double crucible method», Journal of Crystal Growth, vol. 128, no. 1−4, pp. 909−914, Mar. 1993.
  115. S. Kan, M. Sakamoto, Y. Okano, K. Hoshikawa, and T. Fukuda, «LiNb03 single crystal growth from Li-rich melts by the continuous charging and double crucible Czochralski methods», Journal of Crystal Growth, vol. 128, no. 1−4, pp. 915−919, Mar. 1993.
  116. D. H. Jundt, M. M. Fejer, and R. L. Byer, «Optical properties of lithium-rich lithium niobate fabricated by vapor transport equilibration», IEEE Journal of Quantum Electronics, vol. 26, no. 1, pp. 135−138, 1990.
  117. M. Katz, R. K. Route, D. S. Hum, K. R. Parameswaran, G. D. Miller, and M. M. Fejer, «Vapor-transport equilibrated near-stoichiometric lithium tantalate for frequency-conversion applications.», Optics letters, vol. 29, no. 15, pp. 1775−7, Aug. 2004.
  118. Y. Cho et al., «Terabit inch 2 ferroelectric data storage using scanning nonlinear dielectric microscopy nanodomain engineering system», Nanotechnology, vol. 14, no. 6, pp. 637 642, Jun. 2003.
  119. L. Tian, V. Gopalan, and L. Galambos, «Domain reversal in stoichiometric УТаОз prepared by vapor transport equilibration», Applied Physics Letters, vol. 85, no. 19, p. 4445, 2004.
  120. G. I. Malovichko et al., «Characterization of stoichiometric LiNb03 grown from melts containing K2O», Applied Physics A, vol. 56, no. 2, pp. 103−108, 1993.
  121. S. Kumaragurubaran, S. Takekawa, M. Nakamura, S. Ganesamoorthy, and K. Kitamura, «Polarization Switching and Defect Structure in Pure and MgO Doped Near-Stoichiometric LiNbC>3 Crystals», Ferroelectrics, vol. 326, no. 1, pp. 113−116, Oct. 2005.
  122. E. И. Шишкин, «Исследование формирования микро- и нанодоменных структур в электрическом поле в ниобате лития и танталате лития», Уральский государственный университет, 2002.
  123. V. Y. Shur et al., «Domain Shape in Congruent and Stoichiometric Lithium Tantalate», Ferroelectrics, vol. 269, no. 1, pp. 195−200, 2002.
  124. M. Т. E. Gopalan V., «Wall velocities, switching times, and the stabilization mechanism of 180° domains in congruent LiTaOi crystals», Journal of Applied Physics, vol. 83, no. 2, pp. 941−954, 1998.
  125. V. Gopalan et al., «Mobility of 180° domain walls in congruent LiTaOj measured using real-time electro-optic imaging microscopy», Journal of Applied Physics, vol. 86, no. 3, p. 1638, 1999.
  126. L.-H. Peng, Y.-C. Fang, and Y.-C. Lin, «Polarization switching of lithium niobate with giant internal field», Applied Physics Letters, vol. 74, no. 14, p. 2070, 1999.
  127. D. S. Hum et al., «Optical properties and ferroelectric engineering of vapor-transport-equilibrated, near-stoichiometric lithium tantalate for frequency conversion», Journal of Applied Physics, vol. 101, no. 9, p. 93 108, 2007.
  128. Y. Zhi, D. Liu, W. Qu, Z. Luan, and L. Liu, «Investigation of effective internal field in congruent lithium niobate crystal by digital holographic interferometry», Applied Physics Letters, vol. 90, no. 3, p. 32 903, 2007.
  129. M. Paturzo et al., «On the origin of internal field in Lithium Niobate crystals directly observed by digital holography», Optics Express, vol. 13, no. 14, p. 5416, 2005.
  130. S. Grilli et al., «In-situ visualization, monitoring and analysis of electric field domain reversal process in ferroelectric crystals by digital holography», Optics Express, vol. 12, no. 9, p. 1832, 2004.
  131. M. Paturzo et al., «Investigation of electric internal field in congruent LiNb03 by electro-optic effect», Applied Physics Letters, vol. 85, no. 23, p. 5652, 2004.
  132. S. De Nicola, P. Ferraro, A. Finizio, and G. Pierattini, «Reflective Grating Interferometer: a Folded Reversal Wave-Front Interferometer», Applied Optics, vol. 38, no. 22, p. 4845, Aug. 1999.
  133. T. J. Yang, V. Gopalan, P. Swart, and U. Mohideen, «Experimental study of internal fields and movement of single ferroelectric domain walls», Journal of Physics and Chemistry of Solids, vol. 61, no. 2, pp. 275−282, Feb. 2000.
  134. V. Gopalan and M. C. Gupta, «Origin of internal field and visualization of 180° domains in congruent LiTa03 crystals», Journal of Applied Physics, vol. 80, no. 11, p. 6099, 1996.
  135. J. H. Ro and M. Cha, «Subsecond relaxation of internal field after polarization reversal in congruent LiNb03 and LiTa03 crystals», Applied Physics Letters, vol. 77, no. 15, pp. 2391−2393,2000.
  136. S. Chao, W. Davis, D. D. Tuschel, R. Nichols, M. Gupta, and H. C. Cheng, «Time dependence of ferroelectric coercive field after domain inversion for lithium-tantalate crystal», Applied Physics Letters, vol. 67, no. 8, p. 1066, 1995.
  137. M. C. Wengler, M. Muller, E. Soergel, and K. Buse, «Poling dynamics of lithium niobate crystals», Applied Physics B: Lasers and Optics, vol. 76, no. 4, pp. 393−396, Apr. 2003.
  138. P. S. Zelenovskiy, V. Y. Shur, P. Bourson, M. D. Fontana, D. K. Kuznetsov, and E. A. Mingaliev, «Raman study of neutral and charged domain walls in lithium niobate», Ferroelectrics, vol. 398, no. 1, pp. 34−41, Jun. 2010.
  139. J. C. Phillips, «Stretched exponential relaxation in molecular and electronic glasses», Reports on Progress in Physics, vol. 59, no. 9, pp. 1133−1207, Sep. 1996.
  140. M. F. Shlesinger, «Williams-watts dielectric relaxation: A fractal time stochastic process», Journal of Statistical Physics, vol. 36, no. 5−6, pp. 639−648, Sep. 1984.
  141. I. Gutzow, T. Grigorova, and I. Avramov, «Generic phenomenology of vitrification and relaxation and the Kohlrausch and Maxwell equations», Physics and Chemistry of Glasses, vol. 43, no. 2001, pp. 1−6, 2002.
  142. I. S. Baturin, M. V. Konev, A. R. Akhmatkhanov, A. I. Lobov, and V. Y. Shur, «Investigation of Jerky Domain Wall Motion in Lithium Niobate», Ferroelectrics, vol. 374, no. 1, pp. 136−143, Nov. 2008.
  143. M. Muller, E. Soergel, and K. Buse, «Visualization of ferroelectric domains with coherent light», Opt. Lett., vol. 28, no. 24, pp. 2515−2517, 2003.
  144. V. Gopalan, Q. X. Jia, and T. E. Mitchell, «In situ video observation of 180° domain kinetics in congruent LiNbC>3 crystals», Applied Physics Letters, vol. 75, no. 16, p. 2482, 1999.
  145. N. E. Yu and J. H. Ro, «Near field diffraction analysis of optical domain wall image in stoichiometric LiNbC>3 crystal», Phase Transitions, vol. 84, no. 9−10, pp. 821−828, Sep. 2011.
  146. N. E. Yu and J. H. Ro, «In-situ visualization method of domain boundary for stoichiometric lithium niobate crystal», Japanese Journal of Applied Physics, vol. 48, no. 12, p. 121 407, Dec. 2009.
  147. D. Johnston, «Stretched exponential relaxation arising from a continuous sum of exponential decays», Physical Review B, vol. 74, no. 18, Nov. 2006.
  148. N. Iyi, K. Kitamura, Y. Yajima, S. Kimura, Y. Furukawa, and M. Sato, «Defect structure model of MgO-doped LiNbCV', Journal of Solid State Chemistry, vol. 118, no. 1, pp. 148 152, Aug. 1995.
  149. M. N. Palatnikov et al., «Growth and concentration dependencies of rare-earth doped lithium niobate single crystals», Journal of Crystal Growth, vol. 291, no. 2, pp. 390−397, Jun. 2006.
  150. H. Xu et al., «Stability and charge transfer levels of extrinsic defects in LiNbCV, Physical Review B, vol. 82, no. 18, Nov. 2010.
  151. H. Xu, D. Lee, S. Sinnott, V. Gopalan, V. Dierolf, and S. Phillpot, «Structure and energetics of Er defects in LiNbC>3 from first-principles and thermodynamic calculations», Physical Review B, vol. 80, no. 14, Oct. 2009.
  152. E. Soergel, «Visualization of ferroelectric domains in bulk single crystals», Applied Physics B, vol. 81, no. 6, pp. 729−751, Oct. 2005.
  153. V. Y. Shur, «Domain Engineering in Lithium Niobate and Lithium Tantalate: Domain Wall Motion», Ferroelectrics, vol. 340, no. 1, pp. 3−16, Sep. 2006.
  154. R. Miller and G. Weinreich, «Mechanism for the Sidewise Motion of 180° Domain Walls in Barium Titanate», Physical Review, vol. 117, no. 6, pp. 1460−1466, Mar. 1960.
  155. V. Y. Shur et al., «Barkhausen Jumps During Domain Wall Motion in Ferroelectrics», Ferroelectrics, vol. 267, no. 1, pp. 347−353, 2002.
  156. V. Y. Shur, «Kinetics of ferroelectric domains: Application of general approach to LiNb03 and LiTa03», Journal of Materials Science, vol. 41, no. 1, pp. 199−210, 2006.
  157. В.Я. Шур, B.B. Летучев, И. В. Овечкина, «Обратное переключение в монокристаллах германата свинца», ФТТ, Т.26. Вып.11. С.3474−3476, 1984
  158. М. Е. Drougard and R. Landauer, «On the dependence of the switching time of barium titanate crystals on their thickness», Journal of Applied Physics, vol. 30, no. 11, p. 1663, 1959.
  159. S. Hashimoto, H. Orihara, and Y. Ishibashi, «Study on D-E hysteresis loop of TGS based on the Avrami-type model», Journal of the Physical Society of Japan, vol. 63, no. 4, pp. 1601−1610, 1994.
  160. H. Orihara, S. Hashimoto, and Y. Ishibashi, «A theory of D-E hysteresis loop based on the Avrami model», Journal of the Physical Society of Japan, vol. 63, no. 3, pp. 1031−1035, 1994.
  161. Публикации по теме диссертации
  162. Статьи, опубликованные в ведущих рецензируемых научных журналах, определенных ВАК РФ:
  163. I. S. Baturin, A. R. Akhmatkhanov, V. Ya. Shur, М. S. Nebogatikov, M. A. Dolbilov, E. A. Rodina, Characterization of bulk screening in single crystals of lithium niobate and lithium tantalate family, Ferroelectrics 374, 1−13 (2008).
  164. I. S. Baturin, M. V. Konev, A. R. Akhmatkhanov, A. I. Lobov, V. Ya. Shur, Investigation of jerky domain wall motion in lithium niobate, Ferroelectrics 374, 136−143 (2008).
  165. В. Я. Шур, A. P. Ахматханов, И. С. Батурин, М. С. Небогатиков, М. А. Долбилов, Комплексное исследование процессов объемного экранирования в монокристаллах семейства ниобата лития и танталата лития, Физика Твердого Тела 52, 2004−2010 (2010).
  166. V.Ya. Shur, A.R. Akhmatkhanov, I.S. Baturin, E.V. Shishkina, polarization reversal and jump-like domain wall motion in stoichiometric ЫТаОз produced by vapor transport equilibration, Journal of Applied Physics 111, 14 101−1-8 (2012).
  167. V.Ya. Shur, A.R. Akhmatkhanov, I.S. Baturin, Fatigue effect in stoichiometric LiTaC>3 crystals produced by vapor transport equilibration, Ferroelectrics 426, 142−151 (2012).
  168. Тезисы всероссийских и международных конференций:
  169. И.С. Батурин, В. Я. Шур, Е. И. Шишкин, А. Р. Ахматханов, L. Galambos, R.O. Miles,
  170. D. Hum, Y. Furukawa, K. Kitamura, Влияние отклонения от стехиометрии на переключение поляризации в монокристаллах танталата лития, Тезисы докладов XVII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков, 27 июня 1 июля 2005 г., Пенза, С. 179.
  171. P.V. Samarin, V.Ya. Shur, A.R. Akhmatkhanov, E.I. Shishkin, I.S. Baturin,
  172. И.С. Батурин, М. В. Конев, А. Р. Ахматханов, А. И. Лобов, В. Я. Шур, Скачкообразное движение доменных стенок в ниобате лития, Тезисы XVIII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков, Санкт-Петербург, Россия, 12−14 июня 2008, стр. 208.
  173. Baturin, V. Shur, M. Konev, A. Akhmatkhanov, and A. Lobov, Study of Jump-Like Domain Wall Motion and Bulk Screening Process in Lithium Niobate Single Crystals,
  174. Mini-Symposium on Periodically-Modulated and Artificially Hetero-Structured Devices, Grasmere, UK, 18−21 May, 2009, p.29
  175. A.R. Akhmatkhanov, V.Ya. Shur, I.S. Baturin, R. Route, R. Roussev, D. Hum, L. Galambos and R. Miles, The Features of Polarization Reversal Process and Domain Shape Evolution in Lithium Niobate and Lithium Tantalate Single Crystals Prepared by
  176. Vapor Transport Equilibration, Abstracts of The 10th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity, Yokohama, Japan, June 20−25, 2010, p.214
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!