Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Разработка процессов и оборудования для изменения структурного состояния тонкопленочных слоев оптических и магнитооптических носителей информации

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

При этом возникает законный вопрос: как влияют различные внешние воздействия на активный (регистрирующий) информационный тонкопленочный слой носителей информации? Данная проблема имеет два направления. Во-первых, защита информации при попадании носителя в условия, когда непредвиденное внешнее воздействие может повредить информацию. Во-вторых, целенаправленное уничтожение информации с носителя… Читать ещё >

Содержание

  • ПЕРЕЧЕНЬ СОКРАЩЕНИЙ
  • Глава 1. Активные (регистрирующие) информационные слои оптических и магнитооптических носителей информации
    • 1. 1. Оптические носители информации
      • 1. 1. 1. Материалы с изменением фазового состояния для информационного слоя в оптических носителях информации
      • 1. 1. 2. Оптические свойства соединений GST
      • 1. 1. 3. Оптические свойства ZnS
    • 1. 2. Магнитооптические носители информации
  • Глава 2. Исследование фазовых переходов в Ge-Sb-Te сплавах
    • 2. 1. Получение пленок
    • 2. 2. Кристаллические структуры в Ge-Sb-Te сплавах
    • 2. 3. Термический анализ GST
    • 2. 4. Структурные изменения при фазовых переходах
    • 2. 5. Электро-физические исследования Ge2Sb2Tes пленок
    • 2. 6. Влияния лазерного излучения на фазовые переходы в соединении Ge2Sb2Te
    • 2. 7. Теория эффекта переключения в халькогенидных стеклах
  • Глава 3. Экспериментальные исследования ориентационных фазовых переходов и структурных изменений в материалах, составляющих основу носителей информации, под воздействием различных физических факторов
    • 3. 1. Оптические носители информации

    3.1.1. Исследование оптических характеристик компакт-дисков различного типа в видимом и ближнем ИК диапазоне и выбор спектральных диапазонов для эффективного воздействия на них внешнего лазерного излучения.

    3.1.2. Исследование устойчивости оптических носителей информации к воздействию тепловыми ударами и СВЧ излучением.

    3.1.3. Возможности уничтожения информации с оптических носителей.

    3.2. Магнитооптические носители информации.

    3.2.1 Исследование воздействия внешних магнитных полей на магнитооптические носители информации.

    Глава 4. Разработка методов и аппаратуры для стирания и уничтожения информации с оптических и магнитооптических носителей.

    4.1. Аппаратура для уничтожения информации с оптических носителей посредством воздействия СВЧ излучением.

    4.1.1. Метод воздействия СВЧ излучением для уничтожения информации с оптических носителей.

    4.1.2. Макет по проверке воздействия электромагнитного СВЧ поля.

    4.1.3.Макет переносного устройства уничтожения информации с оптических носителей.

    4.2. Аппаратура для уничтожения информации с магнитооптических носителей посредством воздействия импульсным магнитным полем.

    4.2.1. Метод воздействия импульсным магнитным полем.

    4.2.2 Макет по проверке воздействия импульсного магнитного поля.

    4.2.3. Прибор для уничтожения информации с магнитооптических носителей.

    4.2.4. Испытание прибора для уничтожения информации с магнитооптических носителей

    4.3. Аппаратура для электромеханического воздействия на оптические и магнитооптические носители информации.

    Глава 5. Разработка систем электронного управления и контроля.

    5.1. Система управления бесперебойной подачей питающего напряжения для аппаратуры стирания информации.

    5.2. Система управления с реализацией авторизованного доступа к аппаратуре и встроенным контролем работоспособности.

    5.3. Измерение и регистрация значений напряженности магнитных полей.

    5.4. Источник импульсных магнитных полей с системой управления зарядом накопителей энергии.

Разработка процессов и оборудования для изменения структурного состояния тонкопленочных слоев оптических и магнитооптических носителей информации (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

В любой сфере деятельности человечества информация хранится, обрабатывается, передается с помощью специальных устройств — носителей информации. Современную жизнь невозможно представить без цифровых носителей информации. Так основным средством хранения информации в вычислительных системах различного назначения в настоящее время по-прежнему являются накопители на жестких магнитных дисках (винчестеры). В тоже время широко используются оптические и магнитооптические энергонезависимые носители. Материалы, структуры, конструкции носителей информации и, следовательно, их технические характеристики постоянно совершенствуются.

При этом возникает законный вопрос: как влияют различные внешние воздействия на активный (регистрирующий) информационный тонкопленочный слой носителей информации? Данная проблема имеет два направления. Во-первых, защита информации при попадании носителя в условия, когда непредвиденное внешнее воздействие может повредить информацию. Во-вторых, целенаправленное уничтожение информации с носителя. Первое направление касается, например, работы электронного устройства с носителями в агрессивных средах, при мощных излучениях, например в космосе [1]. Целенаправленное уничтожение информации с носителя чрезвычайно актуально, в связи с возможностью несанкционированного доступа к ней. Важность данной проблемы возрастает для случаев специальных документов, уничтожение которых должно быть гарантировано и максимально оперативно. Прекрасным подтверждением данного утверждения является тот факт, что для уничтожения информации с магнитных носителей в различных странах выпускаются целые серии разнообразных приборов. Имеются сообщения о выпуске аппаратуры для уничтожения информации с флеш-носителей. Но, несмотря на то, что оптические и магнитооптические носители занимают значительную нишу в средствах хранения информации, подобных исследований в литературе не опубликовано.

Целью диссертационной работы является исследование и разработка процессов, а также принципов преобразования активного (регистрирующего) информационного тонкопленочного слоя и создание оборудования для изменения структурного состояния оптических и магнитооптических носителей информации.

Для достижения поставленной цели, необходимо решить ряд задач:

1. Анализ материалов, структуры современных оптических и магнитооптических носителей информации с целыо определения внешних воздействий, которые влияют на свойства активного (регистрирующего) информационного тонкопленочного слоя;

2. Проведение комплексных исследований внешних воздействий на информационные слои современных оптических и магнитооптических носителей информации с целью выявления процессов, происходящих под действием внешних воздействий, и определения требуемых характеристик для внешних воздействий, необходимых для тех или иных преобразований активного (регистрирующего) информационного тонкопленочного слоя;

3. Разработка стендов и экспериментальное моделирование внешних воздействий на современные оптические и магнитооптические носители информации с целью окончательного анализа процессов перестройки в информационных слоях носителей информации и уточнения режимов воздействий;

4. Разработка и создание приборов для гарантированного и экстренного уничтожения информации с оптических и магнитооптических носителей.

Научная новизна:

1. Показано, что комплексные экспериментальные исследования соединения СБТ225, используемого в тонкопленочных слоях носителей информации, описываются электронной теорией эффекта переключения в халькогенидных стеклах;

2. На основе экспериментальных исследований характеристик оптических носителей различного типа в видимом и ближнем ИК-диапазоне, выбраны спектральные диапазоны для эффективного воздействия на них внешнего лазерного излучения;

3. В результате экспериментальных исследований устойчивости опти-ческих носителей информации к воздействию тепловым ударам и СВЧ излучению, сделан вывод об эффективности использования СВЧ излучения, для преобразования информационных слоев оптических носителей;

4. Определены диапазоны внешнего оптического излучения для уничтожения информации с оптических носителей;

5. На основе экспериментальных исследований ориентационных фазовых переходов в материалах, составляющих основу магнитооптических носителей информации, под воздействием внешних постоянных и импульсных магнитных полей, определены основные параметры внешних магнитных полей для уничтожения информации с магнитооптических носителей;

6. Предложены оригинальные методы для электромеханического уничтожения информации на оптических и магнитооптических носителях;

Практическая ценность работы заключается в том, что:

1. Разработанный прибор для уничтожения информации на магнитооптических носителях серийно выпускается на заводе;

2. Макет переносного прибора для уничтожения информации с оптических носителей информации, проходит необходимые испытания для последующего серийного производства.

Представленные в диссертации исследования выполнены в рамках НИР «Магнит», НИР"Слепота К-2″, инновационной НИОКР"Слепота П" и ОКР «Слепота».

Достоверность и обоснованность полученных результатов подтверждается согласием теоретических оценок и экспериментальных результатов, использованием комплекса современных методов исследования процессов, практической реализацией научных положений и новых предложенных способов и устройств, реализацией выводов при конструировании и разработке оригинальных приборов.

На защиту выносятся следующие научные положения: ¡-.Соединение GST225 имеет три фазовых состояний: рентгеноаморфное, метастабилыюе квази-кубическое со структурой fee, и стабильное со структурой hep. Переход из стабильного кристаллического в рентгеноаморфное состояние происходит при температуре ~ 600 °C, в то время когда из рентгеноаморфного в метастабилыюе состояние при температуре 160 °C, которое при повышении температуры свыше 200 °C переходит в стабильное кристаллическое состояние. Структура рентгеноаморфного состояния GST225 представляет собой кластеры, в которых атом Ge находится в положении, соответствующим не октаэдрической, а тетраэдрической симметрии- 2. Для соединения GST225 переход из рентгеноаморфного в метастабильное фазовое состояние происходит после приложение напряжения, по амплитуде превышающее величину порогового напряжения Упор, которое составляет (1-*-4)-105 В/см. Величина порогового напряжения уменьшается с ростом температуры. Для фиксации нового фазового состояния требуется некоторое время. Удельное сопротивление в метастабильном фазовом состоянии на несколько порядков меньше удельного сопротивления в рентгеноаморфном состоянии, которое составляет р=1-Ю10 Ом-см;

3. Для соединения GST225 фазовый переход происходит под действием лазерного облучения (А, = 0,63 мкм) с длительностью импульса более Юмкс. С увеличением мощности излучения растет интенсивность перехода. Времена 1 мкс предел для фазовых превращений;

4. Фазовый переход из рентгеноаморфного в метастабильное состояние, при приложении электрического поля, связан с образованием цепочки двухуровневых систем, а не с образованием цепочки кристалликов;

5. Излучение с длиной волны в диапазоне 330 — 400 нм имеет максимальный коэффициент поглощения для рабочего слоя оптических дисков однократной записи 25% и многократной записи от 34% до 51%. Подложка оптических дисков имеет полосу поглощения в области 1380 нм;

6. Для уничтожения информации с магнитооптических дисков следует использовать импульсные магнитные поля с вектором напряжённости, направленным перпендикулярно плоскости диска. При напряженности поля в диапазоне 300 350 кА/м, записанная на дисках информация повреждается, а при увеличении поля до 550 кА/м, информация на дисках уничтожается и диски не пригодны для повторного использования;

7. В результате воздействия теплового удара, при температурах диска свыше 350 °C, или СВЧ излучения оптические носители непригодны для дальнейшего использования. Для уничтожения информации с оптических дисков многократной записи, оптических дисков однократной записи и оптических дисков, изготовленных на заводе методом штамповки наиболее эффективен способ воздействия СВЧ излучением;

8. Разработана конструкция, технология и методика макета переносного прибора для гарантированного уничтожения информации с современных оптических носителей информации;

9. Разработана конструкция, технология и методика макета для гарантированного уничтожения информации с современных магнитооптических носителей;

10. Разработаны оригинальные метод и конструкция аппаратуры для электромеханического уничтожения информации на оптических и магнитооптических носителях;

11. Разработаны системы регистрации технических характеристик прибора обеспечивают высокую точность измерения параметров для надежного стирания информации.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались на:

— Международной конференции «Магниты и магнитные материалы», г. Суздаль,.

2007 г.;

— 16 Международной конференции по постоянным магнитам, г. Суздаль, 2007 г- -19 Международной конференции «Материалы с особыми физическими свойствами и магнитные системы», г. Суздаль, 2007 г.- -14 Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России», г. Москва, 2008 г.;

— 7 Международной конференции молодых специалистов «Новые материалы и технологии в авиационной и ракетно-космической технике», г. Королев, 2008 г.;

— 11 Международной научно практической конференции «Современные информационные и электронные технологии», г. Одесса, 2010 г.

— 16 Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России» г. Москва, 2010 г.

Результаты диссертационной работы опубликованы в 2 статьях в ведущих рецензируемых научных журналах, в которых должны быть опубликованы основные результаты диссертации на соискание ученой степени кандидата наук, в 5 патентах Российской Федерации, в 13 трудах международных конференций.

Личный вклад автора.

Концепция диссертации, формулирование цели и постановка решенных в ней задач отражают творческий вклад автора и его точку зрения на рассматриваемую проблему.

Во всех совместных работах автор участвовал в постановке задач, разработке методик исследований и технологических подходов, проведении экспериментов, анализе результатов, написании статей и докладов, а также представлял результаты исследований на научно-технических конференциях.

Выводы к главе 5.

Применение системы управления бесперебойной подачей питающего напряжения информации позволяет осуществлять питание прибора для стирания информации во время транспортирования.

Разработанная система управления с реализацией авторизированного доступа к аппаратуре и встроенным контролем работоспособности позволяет осуществить трехкратная защита информации.

Измерение и регистрация значений напряженности магнитных полей обеспечивает определение значений напряженности магнитного поля и гарантирует выдачу информации о работоспособности устройства стирания информации.

Предлагаемый малогабаритный источник импульсных магнитных полей с системой управления зарядом накопителей энергии позволяет получать в индуктивной нагрузке импульсные магнитные поля большой величины и малой длительности.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Проведен анализ материалов составляющих основу современных оптических и магнитооптических носителей информации, в результате были определены внешние воздействия, влияющие на свойства регистрирующих информационных тонкопленочных слоев носителей информации.

2. Проведены исследования влияния различных внешних физических факторов на материалы лежащие в основе оптических и магнитооптических носителей информации. Показано, что оптическое излучение в диапазоне 330 — 400 нм имеет максимальный коэффициент поглощения для рабочего слоя оптических дисков однократной записи, а оптическое излечение в диапазоне 780 — 850 нм эффективно воздействует на рабочий слой оптических дисков многократной записи. Для изменения состояния информационного слоя оптических носителей информации необходимо воздействие теплового удара температурой выше 350 °C. Наиболее эффективным методом теплового воздействия на информационный слой оптических носителей информации является нагревание носителя информации в СВЧ поле. Так же показано, что воздействие магнитного поля в диапазоне 300 — 350 кА/м на информационный слой магнитооптических носителей повреждает записанную на них информацию, а при увеличении величины магнитного поля до 550 кА/м информация на магнитооптических носителях уничтожается.

3. Разработаны и созданы стенды, проведено экспериментальное моделирование различных внешних воздействий на современные оптические и магнитооптические носители информации.

4. Разработан и описан макет переносного устройства стирания информации на оптических носителях, основанный на методе воздействия на носитель информации электромагнитного СВЧ поля частотой 2,45 ГГц и макет устройства стирания информации на магнитооптических носителях, основанный на методе воздействия на носитель информации импульсного магнитного поля величиной до 550 кА/м.

5. Разработаны электромеханические системы для уничтожения информации с оптических и магнитооптических носителей, позволяющие производить уничтожение одного носителя информации за время не более 60 с. для переносного устройства и 10 с. для стационарного устройства;

6. Разработана система управления с реализацией авторизированного доступа к аппаратуре и встроенным контролем работоспособности позволяющая осуществлять многократную защиту информации.

7. Разработана система измерения и регистрации значений напряженности магнитных полей, обеспечивающая определение значений напряженности магнитного поля и гарантирующая выдачу информации о работоспособности устройства стирания информации.

8. Применение метода воздействия импульсным магнитным полем позволило создать прибор для экстренного уничтожения информации на магнитооптических носителях, формирующий импульсное магнитное поле величиной не менее 550 кА/м с длительностью не более 10 мс. С целью подтверждения характеристик прибора создан стенд и проведены испытания. Результаты испытаний показали надежное стирание информации.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Jordan Isailovic, Videodisc and Optical Memory Systems Vol. 1, Boston: Prentice Hall, 1984.
  2. IEC 60 908 Ed. 2.0 b: 1999 Audio recording Compact disc digital audio system
  3. Г., Браат Дж., Хейсер А. и др. Оптические дисковые системы = Principles of
  4. Optical Disc Systems. — M.: Радио и связь, 1991. — 280 с.
  5. ISO/IEC 10 149:1995 Information technology — Data interchange on read-only 120 mmoptical data disks (CD-ROM)
  6. .В., Соколовский А. А. Митягин А.Ю. Кузьминых А. С. Перспективы развитияустройств хранения информации // Труды XIV Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России». — М., 2008. — С. 335 340
  7. Л. Е. Оптические накопители видеоинформации //"625″. 2004. № 6. С. 96−101
  8. . Г. Фазовые переходы и критические явления. — М.: Мир, 1973
  9. А. 3., Покровский В. Л. Флуктуационная теория фазовых переходов. —1. М.: Наука, 1981
  10. Лапин Евгений Васильевич. Подготовка и запись DVD всех типов. Краткое руководство. — М.: Вильяме, 2006. — С. 320
  11. Е. Morales-Sanchez et al., J. Appl. Phys. 91, 697 (2002)
  12. Pohlmann, Kenneth C. (1992). The Compact Disc Handbook. Middleton, Wisconsin: A-R Editions.
  13. Л. Чемберс. Запись компакт-дисков и DVD для «чайников» = CD & DVD Recording For Dummies. — 2-е изд. — M.: Диалектика, 2005. — 304 с.
  14. Labarge, Ralph. DVD Authoring and Production. Gilroy, Calif.: CMP Books, 2001
  15. А.В., Михайлов В. Н. Оптические системы записи, хранения и отображения информации. Учебное пособие. Изд.1. СПб: СПбГУ ИТМО, 2009
  16. С.Н., Рыжиков С.С. Термохимическое уничтожение носителей информации, «Специальная Техника», № 2, 2002
  17. В. Запись CD и DVD. Профессиональный подход СПб: Питер, 2006
  18. YamadaN, Kojima R, Uno M, Akiyama T, Kitaura H, et al. Phase-change material for use in rewritable dual-layer optical disk. Proc. SPIE 4342:55−63. 2002.
  19. Simone Raoux Phase Change Materials. Annu. Rev. Mater. Res. 39:25−48. 2009.
  20. M.Y. NADEEM, Waqas AHMED Optical Properties of ZnS Thin Films. Turk J Phy 24.стр. 651 -659. 2000.
  21. Handbook of magneto-optical data recording: materials, subsystems, techniques. Terry W. McDaniel, Randall H. Victora. 1997, William Andrew.
  22. Д. В. Общий курс физики. — М.: Т. IV. Оптика.
  23. В.А., Столяр С. В., Флоров Г. И., Яковчук В. Ю. Термомагнитная запись и стирание информации в пленочных структурах DyCo/NiFe (TbFe/NiFe) // Письма в ЖТФ.-2004/- Т.30, В. 19/- С.46−52
  24. .В., Митягин Ал.Ю., Митягин Ан.Ю. Свойства магнитных материалов, применяемых в системах внешней памяти ЭВМ // Труды Международной научно-технической конференции «Информационные технологии в науке, технике и образовании» М., т. 1, — С. 127 — 133
  25. A magnetooptic recording system using TbFeCo films / Y. Aoki, T. Ihashi, N. Sato, S. Miyaoka//IEEE Trans. Magn. 1985. Vol. MAG21, N 5.P. 1624—1628.
  26. У.М. Магнитооптическая запись // ТИИЭР, 1986, Т.74, N 11, С. 112−125.
  27. Л.В., Фролов Г. И. Аморфные пленки TbFe перспективный материал для электронной техники // Зарубежная электронная техника. — 1987. -Т. 9. — С. 3−68.
  28. Enhancement of Kerr rotation with amorphous Si films / K. Nakamura, T. Asaka, T. Asari e.a. // IEEE Trans. Magn. 1985. Vol. 21, N 5. P. 1654—1656.
  29. Коэн 4. JI. Магнитооптические диски из стекла// Электроника. 1987.№ 12. С. 15—16.
  30. Digital magnetooptic disk drive / Т. Dequchi, H. Kotayamaea.//Appl. Optics. 1984. Vol. 23, N 22. P. 3972−3978.
  31. Okihira M., Satih Т., Tada T. Heavy rare earthCo substituted TbFefilms for magnetooptical recording // INTERMAG86. Digest FC3.
  32. Connel G. A. N., Allen R., Mansuripur M. Interference enhanced Kerrspectroscopy for very thing absorbing films application to amorphous terbiumiron//J. Mag. and Magn. Mater. 1983. Vol. 35, N 1—3. P. 337—339.
  33. Mansuripur M., Connel G. A. N., Treves D. Optimum disk structuresand energetics of domain formation in magnetooptical recording // IEEE Trans.Magn. 1982. Vol. MAGI8, N 6. P. 1241 — 1243.
  34. Mansuripur M., Connel G. A. N., Goodman J. W. Signal and noisein magnetooptical readout//J. Appl. Phys. 1982. Vol. 53, N6. P. 4485—4494.
  35. Mansuripur M., Connel G. A. N., Goodman J. W. Laserindiced localheating of multilayer films//Appl. Optics. 1982. Vol. 21, N 6. P. 1106—1114.
  36. Magnetization process of exchangecoupled ferrimagnetic doublelayered films / T. Kobayashi, H. Tsuji, A. Tsunashima, S. Uchiyma//Japan.J. Appl. Phys. 1981. Vol. 20, N 11. P. 2089—2095.
  37. Levene M. L. A high data rate, highcapacity optical disk buffer //Proc. 7th Symp. on Mass Storage Systems. 1985. N 4—7. P. 17—21.
  38. Luborsky F. E. Cristallization kinetics of amorphous CoGd ribbonsand films // J. NonCrust. Solids. 1984. Vol. 62—63. P. 829.
  39. .Н. Законы физики: Учеб. пособие для подгот. отделений вузов. М.: Высш. шк., 1986. — 335 с.
  40. Технология тонких пленок. Справочник, под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга, пер. с англ., т. 1−2, М., 1977
  41. В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. Москва «Высшая школа», 1987
  42. Paesler M.A., Baker D.A., Lucovsky G., Taylor P.C., Washington J.S. Bond constraint theory and EXAFS studies of local bonding structures of Ge2Sb2Tc4, Ge2Sb2Te5 and Ge2Sb2Te7. //J. Optoelectronics and Advanced Materials. 2007. V.9, No.10. P.2996−3001.
  43. Kolobov A.V., Fons P., Frenkel A.I., Ankudinov A.I., Tominaga J., Uruga T. Understanding the phase-change mechanism of rewritable optical media //Nature Mater. V.3. 2004. P.703−708
  44. C.A., Кузьминых A.C., Митягин А. Ю., Хлопов Б. В., Чучева Г. В. Фазовые переходы в Ge-Sb-Te сплавах // Труды XVI Международная научно-техническая конференция «Высокие технологии в промышленности России» М., 2010. — С. 314 — 318
  45. . Г. Фазовые переходы и критические явления. — М.: Мир, 1973
  46. А.С., Митягин А. Ю., Хлопов Б. В. Фазовые переходы в оптических и магнитооптических носителях информации // T-Comm Телекоммуникации и Транспорт, № 3. — М., 2010. — С. 26 -27
  47. M. М., Мазурин О. В. Современное представление о строении стёкол и их свойствах. —Л.: Наука. 1988.
  48. С.А.Козюхин, А. А. Шерченков // Приложение к журналу «Вестник РГРТУ». Рязань. 2009. № 4
  49. A.V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, T. Uruga, J. Haines. // EPCOS. 2005.
  50. Е.И., Ждан А. Г., Чучева Г. В. ПТЭ. № 6. С. 110. 1997.•52. Чабан И. А. ФТТ. 2007.Т.49, ВыпЗ, С. 405. 2007.
  51. A.V. Kolobov, P. Fons, A.I. Frenkel, A.I. Ankudinov, J. Tominaga, T. Uruga. // Nature Mater. V.3. P.703−708. 2004.
  52. C.A., Кузьминых A.C., Митягин А. Ю., Хлопов Б. В., Чучева Г. В. Эффекты переключения в Ge2Sb2Te5 пленках // Труды XVI Международная научно-техническая конференция «Высокие технологии в промышленности России» М., 2010. — С. 386 — 391
  53. В.А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. С. 29 85
  54. А., Шо М., Физика и применение аморфных полупроводников: Пер. с англ. М.: Мир, 1991.- 670с.
  55. А.С. Запись оптической информации в пленочных реверсивных средах на основе диоксида ванадия // ЖТФ 2002, — Т.72, В.8. — С. 84 88.
  56. Wei-Chih HSU, Mei-Rurng TSENG, Song-Yeu TSAI and Po-Cheng KUO. Blue-Laser Readout Properties of Super Resolution Near Field Structure Disc with Inorganic Write-Once Recording Layer. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42. pp. 1005−1009.2003.
  57. A.A., Магницкий C.A., Музыченко Д. А., Панов В. И. // Зондовая микроскопия-99. Материалы всероссийского совещания. 10−13 марта 1999 года. Нижний Новгород: ИФМ РАН, 1999. С. 125
  58. С.В., Митягин А. Ю., Соколовский А. А., Хлопов Б. В., Кузьминых А. С. Об устойчивости магнитооптических дисков к внешним магнитным полям // Радиотехника и электроника, № 11, — М., 2010. С. 1396 — 1398
  59. А.А., Музыченко Д. А., Панов В.И Оптический теневой и пьезоэлектрические датчики силы для атомно-силовых микроскопов и сканирующих оптических микроскопов ближнего поля. Препринт № 15. М. Физический факультет МГУ, 1999
  60. S. V. Gerus, A. A. Sokolovskii, A. Yu. Mityagin, В. V. Khlopov, and A. S. Kuz’minykh Stability of Magnetooptical Disks under the Action of ExternalMagnetic Fields JOURNAL OF COMMUNICATIONS TECHNOLOGY AND ELECTRONICS Vol. 55 No. 11. P. 13 041 305,2010.
  61. Wunch D., Bell R. Determination of threshold failure levels semiconductor diods and transistors due to pulse voltage. // IEE Trans., 1968, v. NS-15, N6, p.244 252
  62. Keith Florig H. Interaction and influence highpower microwave on electronics. // Annales de Physique. 1989, vol. 14, N2, p.101
  63. B.B., Саркисьян А. П. Некоторые аспекты проблемы создания СВЧ средств функционального поражения.//Зарубежная радиоэлектроника. 1995, NN 10, 11, 12
  64. И. В. Лебедев Техника и приборы СВЧ. Часть I. — Москва: Высшая школа, 1970
  65. И. В. Лебедев Техника и приборы СВЧ. Часть II. — Москва: Высшая школа, 1972
  66. Ю. Н. Пчельников, В. Т. Свиридов Электроника сверхвысоких частот. — М.: Радио и связь, 1981
  67. Г. Гулямов, М. Г. Дадамирзаев, С. Р. Бойдедаев, Эдс горячих носителей, обусловленное модуляцией поверхностного потенциала в сильном СВЧ поле, Физика и техника полупроводников, 2009 г., том 43, вып. 9.
  68. ПерпяЯ.З. Как работает радиолокатор. Оборонгиз, 1955
  69. JI. А. Теоретические основы электротехники. Электромагнитное поле: Учебник. 9-е изд., перераб. и доп. — М.: Гардарики, 2001
  70. Т.И., Свиридов В. Т. Волноводы, коаксиальные и полосковые линии. М.: Энергия, 1975
  71. Ю. Б., Перов Ю. Ф. Рубин А. Б. Радиационная биофизика: радиочастотные и микроволновые электромагнитные излучения. Учебник для ВУЗов. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. — 184 с.
  72. .В., Кузьминых A.C., Фесенко М. В. Малогабаритное устройство хранения магнитных носителей информации // Труды 19 Международной конференции «Материалы с особыми физическими свойствами и магнитные системы». Суздаль, 2007-С. 303−305
  73. Г., Фриман А., Сильные магнитные поля, «Успехи физических наук», 1966, т. 88, в. 4, С. 703
  74. A.A., Бишард Е. Магнитные материалы и элементы, 3 изд., М., 1986
  75. Г. А. Устройства для стирания слабых постоянных магнитных полей. Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1972. 176 с
  76. М.В. Справочник по расчету параметров катушек индуктивности., М., Энергоатомиздат, 1989
  77. A.C., Макаров A.C., Фесенко М. В., Хлопов Б. В., Устройство контейнерное оперативного уничтожения информации на магнитных носителях Патент № 2 368 019 от 20.09.2009 г. с приоритетом от 08.02.2008 г.
  78. .Л., Орлов В. Л. Расчет параметров магнитных полей осесимметричных катушек. М.: Энергоатомиздат, 1983. 112 с.
  79. А.К., Гальченко В. Я. Информационные модели для проектирования источников магнитных полей // Информационные технологии, 2002. № 7. С. 47 53
  80. Lugansky L.B. On optimal synthesis of magnetic fields // Meas. Sei. Technol. 1990. V. 1. P. 53 58
  81. Adamiak K. Wariacyjne metody syntezy pola magnetyeznego na osi solenoidu walcowego // Arch. Elektrotechnik^ 1981. Т. 30. Z. 4. P. 1023 1030
  82. B.B., Гальченко В. Я., Бондаренко B.E. Синтез магнитных систем с дискретными источниками поля // Изв. вузов. Электротехника, 1991. № 8. С. 16.
  83. А.Г. Электромагниты и постоянные магниты.- М.: Энергия, 1972
  84. .В., Кузьминых A.C., Фесенко М. В., Способ стирания записанной информации и устройство для его осуществления. Патент № 2 390 058 от 20.05.2010 г. с приоритетом от 15.09.2008 г.
  85. A.C., Митягин А. Ю., Фесенко М. В., Хлопов Б. В. Автоматизированная встроенная система контроля (ВСК) стирания магнитной записи // Труды 16
  86. Международной конференции по постоянным магнитам. — Суздаль, 2007. С. 190 —
  87. В.Г. Сергеев, H.H. Силантьев, И. В. Сильванский, В. Г. Тугарин. Методы и средства измерения параметров магнитных полей, магнитотвердых материалов и постоянных магнитов. М.: ЦНИИ «Электроника», 1992. — 110 с.
  88. Средства измерения параметров магнитного поля. Ю. В. Афанасьев, Н. В. Студенцов, В. Н. Хорев и др. Л.: Энергия, 1979. — 320 с.
  89. .В., Кузьминых A.C., Сверчков В. Ф., Фесенко М. В. Устройство уничтожения информации с оптических и магнитооптических дисков Патент № 2 394 285 от 10.07.2010 г. с приоритетом от 25.06.2009 г.
  90. .В., Кузьминых A.C., Сверчков В. Ф., Фесенко М. В. Устройство уничтожения информации с оптических и магнитооптических дисков Патент № 2 389 556 от 20.05.2010 г. с приоритетом от 15.09.2008 г.
  91. .В., Кузьминых A.C., Сверчков В. Ф., Фесенко М. В. Устройство уничтожения информации с оптических и магнитооптических дисков Патент № 2 394 286 от 10.07.2010г. с приоритетом от 25.06.2009 г.
  92. .В., Кузьминых A.C., Фесенко М. В. Способ стирания записанной информации и устройство для его осуществления. Патент на изобретение № 2 390 058 от 20.05.2010 г. с приоритетом от 15.09.2008 г.
  93. .В., Крутов М. М., Фесенко М. В., Кузьминых A.C. Источник импульсных магнитных полей // Труды Международной конференции «Магниты и магнитные материалы». Информационно-аналитический бюллетень, ОВ№ 1., изд. МГГУ. — М., 1 912 007.-С. 295−299
Заполнить форму текущей работой