Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Исследоввание процессов плазмохимического осаждения пленок нитрида кремния

Диссертация: Исследоввание процессов плазмохимического осаждения пленок нитрида кремния
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Состояние вопроса. Диэлектрические пленки аморфного нитрида кремния привлекают все большее внимание специалистов различных областей науки и техники благодаря комплексу уникальных физических, химических и механических свойств. К основным характеристикам пленок нитрида кремния, обеспечивающим повышенный интерес специалистов в области микроэлектроники, в первую очередь относятся следующие… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. Пленки нлазмохимического нитрида кремния: технология получения, свойства и применение
    • 1. 1. Получение пленок нитрида кремния методом нлазмохимического осаждения из газовой фазы
    • 1. 2. Влияние условий осаждения на состав пленок нлазмохимического нитрида кремния
    • 1. 3. Свойства и применение пленок нлазмохимического нитрида кремния
    • 1. 4. Постановка задачи и цель диссертационной работы
  • Глава II. Используемое экспериментальное оборудование и методика исследований
    • 2. 1. Конструкция установки, предназначенной для исследования процесса осаждения пленок нитрида кремния в удаленной плазме с индуктивным методом возбуждения ВЧ разряда пониженного давления
      • 2. 1. 1. Конструкция реактора, применяемого для регистрации эмиссионных спектров плазмы
      • 2. 1. 2. Конструкция реакционной камеры, применяемой для осаждения пленок
      • 2. 1. 3. Газовая система
    • 2. 2. Конструкция установки, предназначенной для осаждения пленок нитрида кремния в удаленной плазме с емкостным методом возбуждения ВЧ разряда пониженного давления
    • 2. 3. Методика осаждения пленок нитрида кремния
    • 2. 4. Методика исследования толщины, состава и свойств пленок
      • 2. 4. 1. Измерение толщины и показателя преломления пленок методом эллипсометрии
      • 2. 4. 2. Измерение толщины и показателя преломления пленок интерференционным методом
      • 2. 4. 3. Измерение удельного пробивного напряжения, скорости травления пленок и концентрации в них связанного водорода
    • 2. 5. Характеристика метода оптической эмиссионной спектроскопии, применяемого для изучения механизма осаждения пленок
  • Глава III. Исследование эмиссионных спектров низкотемпературной плазмы с индуктивным способом возбуждения тлеющего ВЧ разряда
    • 3. 1. Исследование азотной плазмы ВЧ разряда низкого давления
    • 3. 2. Исследование влияния добавок аргона на параметры плазмы в системе N2 — Аг
    • 3. 3. Исследование оптических эмиссионных спектров плазмы в системе SiH4 — N2 — Аг
  • Глава IV. Исследование процесса осаждения пленок нитрида кремния в установке с удаленной плазмой и индуктивным методом возбуждения ВЧ разряда
    • 4. 1. Исследование физико-химических закономерностей роста пленок
    • 4. 2. Влияние технологических параметров процесса осаждения на состав пленок плазмохимического нитрида кремния
    • 4. 3. Влияние условий осаждения на физико-химические свойства пленок SiNxHy
  • Глава V. Исследование осаждения пленок нитрида кремния в удаленной плазме с емкостным методом возбуждения ВЧ разряда пониженного давления
    • 5. 1. Исследование состава газовой фазы в системе SiH4-N методом масс-спектрометрии
      • 5. 1. 1. Характерные масс-спектры газовой среды при отсутствии плазмы
      • 5. 1. 2. Характерные масс-спектры газовой среды при активации плазмой
    • 5. 2. Физико-химические закономерности осаждения пленок в системе SiH4-N
    • 5. 3. Связанный водород в пленках нитрида кремния полученных плазмохимическим методом
    • 5. 4. Влияние разбавления азота аргоном и гелием на осаждение пленок плазмохимического нитрида кремния

Исследоввание процессов плазмохимического осаждения пленок нитрида кремния (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

В настоящее время актуальной задачей является разработка низкотемпературных методов получения диэлектрических материалов в виде тонких высококачественных пленок различного функционального назначения. Использование высокотемпературных процессов для синтеза подобных слоев приводит к генерации и развитию структурных дефектов в полупроводниках, термической деформации подложек, перераспределению примесей в структурах, что неизбежно вызывает снижение выхода годных приборов. Особенно остро эта проблема стоит при изготовлении приборов на основе термически нестабильных полупроводников.

Я 5 ^? типа А" В и А" В, в частности арсенида галлия, являющегося одним из перспективных материалов для создания сверхскоростных цифровых интегральных схем и СВЧ аналоговых приборов.

Состояние вопроса. Диэлектрические пленки аморфного нитрида кремния привлекают все большее внимание специалистов различных областей науки и техники благодаря комплексу уникальных физических, химических и механических свойств. К основным характеристикам пленок нитрида кремния, обеспечивающим повышенный интерес специалистов в области микроэлектроники, в первую очередь относятся следующие :

— высокая диффузионная стойкость по отношению к влаге, ионам щелочных металлов, а также элементам-диффузантам, широко применяемым в электронной технике;

— хорошие электроизолирующие и диэлектрические свойства (удельное пробивное напряжение 107 В/см, тангенс угла диэлектрических л потерь составляет 1−10″ и др.);

— повышенная химическая стойкость в агрессивных газовых и жидких средах (в том числе в условиях высоких температур), не исключающая однако проведения фотолитографических операцийхимическая инертность по отношению к материалам (полупроводникам, диэлектрикам, металлам и т. д.), широко применяемым в технологии полупроводниковых приборов;

— удовлетворительная совместимость по величине коэффициента термического расширения (КТР) с полупроводниковыми подложками, применяемыми в микроэлектронике (средняя величина КТР составляет 5.5−10 6 1/К);

— высокая термостабильность.

Приведенные выше свойства обеспечили широкое использование пленок нитрида кремния, полученных в высокотемпературных процессах осаждения, в качестве подзатворного диэлектрика в МДП-транзисторах, а также для образования масок при окислении, имплантации и диффузии в случае изготовления приборов на основе кремния.

Наиболее часто слои нитрида кремния получают химическим осаждением из газовой фазы, основанном на реакциях взаимодействия моноси-лана или галогенидов кремния с аммиаком или гидразином при температурах 700−1000 °С. Однако вполне очевидна невозможность использования этих высокотемпературных методов для осаждения пленок на многочисленные виды полупроводниковых структур, деградирующих по разным причинам уже при температурах около 500 °C. Условием снижения температуры осаждения является использование не термических способов подвода к системе энергии, необходимой для инициирования химических реакций, приводящих к осаждению пленки. В этой связи интенсивно разрабатываются низкотемпературные способы получения пленок нитрида кремния: плазмохимические, фотоактивационные, ионноплазменные и т. д.

Среди упомянутых способов наиболее широко изучалось плазмохи-мическое осаждение пленок нитрида кремния. Однако, анализ имеющихся в литературе данных указывает на ряд существенных недостатков плазмо-активированного осаждения:

— при традиционной схеме плазмохимического процесса, когда подложки размещаются в области инициирования ВЧ разряда, совмещенной с зоной подачи исходных реагентов, основные параметры процесса (давление, мощность и т. д.) являются взаимозависимыми, и малейшее изменение одного параметра приводит к неконтролируемому изменению других, что создает большие проблемы в управлении осаждением;

— сильная зависимость технологических параметров друг от друга, а также от геометрических особенностей установки, делает невозможным нахождение оптимального режима проведения процесса, пригодного для сколько-нибудь широкого класса экспериментальной аппаратуры;

— полупроводниковые пластины подвергаются бомбардировке высо-коэнергетичными частицами плазмы (ионы, электроны), что приводит к генерации в них радиационных дефектов;

— состав получаемых пленок в большинстве случаев не отвечают стехиометрическому соотношению (3"Si):(4"N), характерному для нитрида кремния, а содержание связанного водорода в пленках может достигать 30 ат. % ;

Указанные недостатки удается частично преодолеть, используя сравнительно новую модификацию реакторов, в которых подложка вынесена из зоны инициирования плазменногб разряда и располагается в области послесвечения. Однако, этот вариант процесса, называемый осаждением в удаленной плазме, остается практически не исследованным, что ограничивает его дальнейшее совершенствование и применение.

Целью работы является исследование и разработка низкотемпературного метода плазмохимического осаждения диэлектрических слоев нитрида кремния в виде тонких высококачественных пленок в реакторе с удаленной плазмой при использовании как индуктивного, так и емкостного методов возбуждения тлеющего ВЧ разряда пониженного давления.

Для достижения поставленной цели необходимо:

— провести анализ известной информации, относящейся к закономерностям плазмохимического осаждения из газовой фазы в исследуемых системах пленок нитрида кремния, рассмотреть влияние условий осаждения на состав и свойства слоев;

— изучить состояние вопроса, относящегося к исследованию механизма плазмохимического осаждения пленок нитрида кремния;

— разработать конструкции и создать экспериментальные установки, предназначенные для исследования процессов осаждения из газовой фазы в системе «силан-азот-инертный газ» пленок нитрида кремния в реакторах с удаленной плазмой при использовании индуктивного и емкостного методов возбуждения тлеющего ВЧ разряда пониженного давления;

— отработать лабораторную технологию осаждения пленок;

— изучить влияние условий осаждения на закономерности роста, состав и свойства пленок в системах осаждения с индуктивным и емкостным методами возбуждения тлеющего ВЧ разряда пониженного давленияопределить оптимальные технологические параметры процесса, обеспечивающие наилучшее качества слоев;

— изучить влияние добавок инертных газов (аргон, гелий) на характеристики осаждения;

— провести исследование состава плазмы методами оптической эмиссионной спектроскопии и масс-спектрометрии в диапазоне изменения технологических параметров процесса, определить влияние этих параметров на состав газовой среды;

— сделать выводы о возможных механизмах образования пленок нитрида кремния в изучаемых системах осаждения.

— дать рекомендации по оптимизации технологических параметров осаждения (мощность, давление, расходы газов, температура и т. д.), необходимые для получения оптимальных по качеству слоев нитрида кремния.

Объектами исследований являются плазменная среда, образующаяся при осаждении пленок нитрида кремния в системе «силан-азот-инертный газ» в условиях активации плазмойдиэлектрические аморфные пленки нитрида кремниявлияние характеристик плазмы на свойства вышеупомянутых пленок.

Методы исследований обеспечивают получение информации о составе плазменной среды в течение осаждения, о закономерностях роста, составе и свойствах пленок. В работе использованы:

— методы оптических исследований: эмиссионная спектроскопия в видимой и УФ областях спектра, абсорбционная ИК спектроскопия, эл-липсометрия, интерферометрия;

— масс-спектрометрия;

— экспериментальные методы исследования кинетических закономерностей химических процессов;

— методы моделирования химических процессов, численного интегрирования, решения трансцендентных и дифференциальных уравнений с использованием ЭВМ.

Научная новизна работы состоит в том, что в ней впервые проведено комплексное исследование процессов плазмохимического осаждения из газовой фазы в системе «силан-азот-инертный газ» пленок нитрида кремния в установках с удаленной плазмой:

— проведен анализ эмиссионных спектров плазмы, выявлено влияние технологических параметров процесса на интенсивность излучения различных компонентов плазмы;

— экспериментально исследованы состав и характеристики плазмы в системах SiH4-N2-Ar (He) для диапазона условий осаждения;

— экспериментально исследовано влияние технологических параметров процесса осаждения на закономерности роста, изменения состава и свойств пленок нитрида кремния, полученных в установках с удаленной плазмой при использовании как индуктивного, так и емкостного методов возбуждения тлеющего ВЧ разряда пониженного давления;

— предложен единый метод объяснения основных закономерностей роста и изменения состава слоев, которые существуют в двух различающихся конструктивно и по методу возбуждения плазмы системах осаждения, с использованием инвариантного по отношению к конструктивным особенностям установки параметра — состава газовой (плазменной) среды.

Практическую ценность работы составляет разработка полупромышленной аппаратуры и технологии низкотемпературного метода осаждения из газовой фазы в системе «силан-азот-инертный газ» диэлектрических аморфных пленок нитрида кремния, пригодных для использования в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Реализация работы. Разработанная технология использована для нанесения пассивирующих покрытий на полупроводниковые структуры, изготавливаемые АОЗТ «Светлана» .

На защиту выносится совокупность результатов экспериментального исследования основных закономерностей плазмохимического осаждения из газовой фазы в системе «силан-азот-инертный газ» пленок нитрида кремния в реакторе с удаленной плазмой при использовании индуктивного, а также емкостного методов возбуждения тлеющего ВЧ разряда пониженного давления, а именно:

— результаты экспериментального исследования влияния технологических параметров процесса осаждения пленок нитрида кремния на состав и характеристики плазмы в изучаемой системе;

— положение об увеличении диссоциации в газовой фазе молекулярного азота по механизму предиссоциации при добавлении аргона в область инициирования ВЧ разряда пониженного давления;

— положение об участии атомарного азота в механизме осаждения пленок нитрида кремния в исследуемых системах;

— результаты экспериментального исследования влияния технологических параметров процесса осаждения на закономерности роста, изменения состава и свойств пленок нитрида кремния;

— положение об определяющем влиянии на состав пленок относительных концентраций в газовой фазе атомарного азота и кремнийсодер-жащих радикалов;

— результаты теоретических расчетов, иллюстрирующих влияние концентрации электронов в плазме, на содержание кремнийс о держащих частиц в газовой среде.

Апробация работы. Основные результаты работы были доложены на:

— международной конференции «EURO CVD 8», г. Глазго (Шотландия), 1992 г.;

— IV Всероссийской конференции по прикладной кристаллохимии, Санкт-Петербург, 1993 г.;

— Всесоюзном НТ семинаре «Низкотемпературные технологические процессы в электронике», Ижевск, 1990 г.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 5 статей и тезисы 2-х докладов.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти разделов, заключения, выводов, списка использованных источников и.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Разработаны конструкции и созданы экспериментальные установки, предназначенные для изучения процессов плазмохимического осаждения в системах SiH4-N2-(Ar, Не) пленок нитрида кремния в реакторах с удаленной плазмой при использовании как индуктивного, так и емкостного методов возбуждения тлеющего ВЧ разряда пониженного давления.

2. Проведенное методом оптической эмиссионной спектроскопии исследование состава и характеристик плазмы с индуктивным способом возбуждения ВЧ разряда позволило установить, что:

— в чисто азотном ВЧ разряде пониженного давления, используемом в качестве источника активных частиц при осаждении пленок нитрида кремния в установках удаленной плазмой, доказано образование и транспорт атомарного азота в зону осаждениянаиболее вероятным механизмом его образования является предиссоциация в возбужденных электронных состояниях С3Пи или D3SU+;

— в системе N2-Ar вследствие близости электронных метастабильных уровней аргона и колебательных уровней состояния СП, молекулы N2, неупругие столкновения частиц друг с другом увеличивают вероятность процесса предиссоциации молекулярного азота из состояния С Пи (с участием С Пи), что приводит к образованию атомов азота в S и D состоянияхпоэтому добавки аргона в область инициирования ВЧ разряда приводят к росту в газовой фазе концентрации атомарного азота;

— в системе SiH4-N2-Ar при активации плазмой образуются возбужденные радикалы Si* и SiH± исходный силан непосредственно не участвует в росте слоев SiNxHy, а радикалы SiH гомогенно реагируют с атомарным водородом и/или другими силановыми радикаламискорость процесса осаждения слоев, вероятно, определяется концентрацией радикалов Si или/и SiH2 или/и Sif Ь. |.

3. Впервые доказано, что отношение N/Si в осажденных слоях определяется отношением N/SiHn (п<4) в плазменной средепри избытке атомарного азота азот может входить в состав пленок в виде амидои имидогрупп.

4. Впервые проведенный детальный анализ физико-химических закономерностей процесса штазмохимического осаждения пленок нитрида кремния в установке с удаленной плазмой при использовании индуктивного метода возбуждения тлеющего ВЧ разряда пониженного давления показал, что:

— в исследуемых условиях осаждение слоев SiNxNy лимитируется доставкой активных частиц, участвующих в образовании слоев, в зону ростапричем скорость осаждения может быть ограничена либо доставкой силановых радикалов, .либо атомарного азота;

— гомогенное взаимодействие между силаном и силановыми радикалами существенно влияет на скорость осаждения кленок;

— концентрация электронов в плазме определяет характер зависимости Voc от расхода силана.

4. В результате исследования методом масс-спектрометрии состава газовой среды в системе S1H4-N2 в установке с удаленной плазмой при использовании емкостного метода возбуждения тлеющего ВЧ разряда пониженного давления установлено:

— в обычных режимах осаждения около 60−80% силана диссоциирует при активации плазмой, причем степень диссоциации SiH4 падает с ростом PsiH4 и общего давления в реакторе;

— при диссоциации силана в плазме возникают радикалы S1H2, гомогенное взаимодействие которых с молекулами S1H4 способствует образованию молекул Si2H6.

5. Проведен теоретический анализ влияния концентрации электронов в плазме на относительное содержание разных типов силановых радикалов SiHn (п=0−3). При низких мощностях разряда концентрация электронов в плазме мала, поэтому их взаимодействия с продуктами диссоциации силана незначительны. В этих условиях в газовой среде преобладают радикалы.

S1H2 и S1H3, концентрация которых определяет характер зависимости Voc от WB4. Высокие мощности разряда способствуют увеличению скорости вторичных реакций электронов с радикалами SiHn (п=1−3), что приводит к более «глубокой» диссоциации силана и к доминированию в плазме радикалов SiH и Si, т. е. к изменению механизма роста.

6. Природа и концентрация поступающих к поверхности растущей пленки радикалов SiHn (п=0−3) определяют содержание связанного с кремнием водорода, а также координацию кремния по водороду. Поверхностные процессы, зависящие от плотности потока энергии, поступающей к подложке, также влияют на величину концентрации водорода и характер его связей с азотом в слоях нитрида кремния.

7.

Введение

гелия в систему способствует росту отношения N/Si в осажденных слоях. Несмотря на то, что детальный механизм воздействия гелия на азотную плазму неизвестен, его влияние эквивалентно действию аргона. Поэтому можно полагать, что происходит усиление диссоциации молекулярного азота, приводящее к росту концентрации атомарного азота.

8. Анализ совокупности полученных результатов позволяет сделать вывод о том, что образование пленок SiNxHy происходит в результате гетерогенных реакций на поверхности растущего слоя из атомарного азота и сила-новых радикалов SiHn (п<4).

9. Впервые показано, что вне зависимости от принятого метода возбуждения тлеющего ВЧ разряда (индуктивный или емкостной), и, соответственно, характера образования и пространственного распределения компонентов плазмы, основные закономерности реакций осаждения плазмохимического нитрида кремния существенно не изменяются.

Показать весь текст

Список литературы

  1. S. 11 Current ToP. Mater. Sci., ed. by E.Kaldis. Amsterdam, 1980. V.4. P. 151−236.
  2. P.A. // Semiconductors and Semimetals. 1984. V.21A. P. 179−193.
  3. H., Sekiguchi A. // J. Vac. Sci. Technol. 1986. V. A4. N 3. P. 475 479.
  4. Swan R.G.G., Mehta R.R. Gauge T.P. // J. Electrochem. Soc. 1967. V.114. P.713.
  5. H.F., Warren R.W. // Solid State Technol. 1965. V.8. N 1. P. 33−37.
  6. S.V. //J. Vac. Sci. Technol. B. 1986. V.4. N 5. P. 1159−1167.
  7. D.W. // J. Vac. Sci. Technol. 1984. V. A2. N 2. P. 244−252.
  8. Fujita S., Zhou N-S., Toyoshima H. et al. // Int. ElectroN Dev. Meet., San-Francisco, Calif., Dec. 9−12, 1984, TechN Dig., New-York. 1984. N 4. P.630−633.
  9. F., Akio S. // J. Electrochem. Soc. 1988. V.135. N 10. P. 25 662 571.
  10. B.M., Петров А. А., Соловьев А. А. Спектральный анализ неорганических газов. Л.: Химия, 1988. 240 с.
  11. Герцберг. Электронные спектры и строение многоатомных молекул. М.: Мир, 1969.
  12. С., Bustarret Е., Bruyere J.C., Grolfau R. // Physica В. 1985. V.129. N. 1−3. P. 215−219.
  13. Ojha S.M. U Physics of thin films. 1982. V.12. P. 237−296.
  14. Reinberg A.R. I I Abstr. 6, P.19. The Electrochem. Soc. Ext. Abstr. Spring Meeting, San Francisco, California, May 12−17, 1974, US. Pat 3, 757, 733.
  15. R.S. Benzing W.C., Baldo J. // Solid State Technol. 1976. V.9. P. 45−50.
  16. Sinha A.K. et. al. // J. Electrochem. Soc. 1978. V.125. N 4. P. 601−608.
  17. Claassen W.A.P., Valkenburg W. G J.N, Habraken F.H.P.M., Tamminga Y. //J. Electrochem. Soc. 1983. V.130. N 12. P. 2419−2423.
  18. BlaauwC, //J. Electrochem. Soc. 1984. V. 131. N 5. P. 1114−1118.
  19. M., Nakamura H. // J. Appl. Phys. 1985. V.58. N 1. P.484−489.
  20. Zhou N-S., Fujita S., Sasaki A. // Journal of Electronic Materials. 1985. V.14. N 1. P.55−72.
  21. Shimozuma M., Kitamori K., Ohno H. et al. // Journal of Electronic Materials. 1985. V.14. N 5. P.573−586.
  22. Lucovsky G., Tsu D.V., Rudder R.A., Markunas R.L. // Thin Film Process II, Chapt. IV-2. Ed. by J.L.Vassen, W.Kem. Formation of Inorganic Films. London: Academic, 1991. P.565−619.
  23. Doering E. Insulating Films of Semiconductors. // Ed. by M. Schults, G. Pensl. Berlin: Springer, 1981.P.208.
  24. Cotler T.J., Chappie-Sokol J. // J. Electrochem. Soc. 1993. V.140. N 7. P.2071−2075.
  25. A., Gobbi A.L. // J. Electrochem. Soc. 1990. V.137. N 12. P.3910−3917.
  26. Lee S., Gopinath A. // J. Vac. Sci. Technol. 1990. V. B8. N 3. P.402−406.
  27. H., Katon K., Imagi S. // Thin Solid Films. 1986. V. 136. N 1. P.77−83.
  28. S. // Extended. Abst. Let. of the 18th Conference on Solid State Devices and Materials, Kobe, 1984. P.459−462.
  29. Tom Wu Т.Н., Rosier R.S. // Solid State Technol. 1992. May. P.65−72.
  30. Y.K. // Proc. Int. IoN Eng. Congr., Kyoto, 12−16 Sept., S.I.S.A. 1983. V.2. P.1341−1350.
  31. A.J., Powell M.J., Elliott S.R. // J. Appl. Phys. 1986. V.59. N 4. P.1251−1258.
  32. Nguyen V.S., Burton S., Pan P. // J. Electrochem. Soc. 1984. V.131. N 10. P.2348−2353.
  33. J.W., Knolle W.R., Elia A. // J.Electrochem. Soc. 1989. V.136. N ll.P.3409−3414.
  34. C.H., Kwok C.Y., Prasa D.K. // Phys. Stat. Sol. (a). 1984. V.84. P. kl-k4.
  35. Y., Imura Т., Osaka Y. // Journal of Non-Crystalline Solids. 1985. V.77−78. P.941−944.
  36. Smith D.L., Alimonda A.S., von Pressing F. J // J. Vac. Sci. Technol. B. 1990. V. 38. N3. P.551−557.
  37. Smith D.L., Alimonda A.S., Chen C.-C, et al. // J. Electrochem. Soc. 1990. V.137.N2. P.614−623.
  38. S.D., Milne W.I., Robertson P.A. // Appl. Phys. 1988. V. A 46. P.243−248.
  39. Richard P.D., Markunas R.J., Lucovsky G. et al. // J. Vac. Sci. Technol. 1985. V. A3. N3. P.867−872.
  40. Lucovsky G. et. al. // J. Vac. Sci. Technol. 1986. V. A4. pt.l. N 3. P. 681−694.
  41. Lucovsky G., Tsu D.V. // J. Cryst. Growth. 1988. V.86. P. 804−814.
  42. R., Scherber W. // J. Electrochem. Soc. 1972. V. l 19. N 9. P. 1248−1254.
  43. Richard P.D., Tsu D.V., Lucovsky G., Lin S.Y. // Journal of Non-Crystalline Solids. 1985. V.77−78. P.925−928.
  44. L., Musil J. // Czech. J. Phys. 1985. V. B 35. N 12. P. 1437−1444.
  45. L., Musil J., Taras P. // J. Phys D: Appl. Phys. 1982. V. l5. N 7. P. L79−82.
  46. Alexandrov S. E,, Kovalgin A.Y. // J. Phys. Ill France. 1992. V.2. N 8. P. 1421−1429.
  47. F.J. // Semiconductors and Semimetals. 1984. V.21 A. P. 153 177
  48. R., Gallagher A. // J. Appl. Phys. 1986. V.59. N 10. P.3402−3411
  49. R.M., Spears K.G., Wong G. // Appl. Phys. Lett. 1984. V.45. N 1. P.28−30.
  50. Y., Hayashi Т., Yoshikawa H., Komiya S. // J. Vac. Sci. Technol. 1986. V. A 4. N 3. P.1786−1790.
  51. Schmitt J.P.M. // J. Non-Cryst. Solids. 1983. V.59/60. P.649−653.
  52. Schmitt J.P.M., Gressier P., Krishan M. et al. // Chem. Phys. 1984. V.84. P.281−285.
  53. Bauer W., Becker K.H., Duren R. et al. // Chem. Phys. Lett. 1984. V.108. P.560−563.
  54. Jasinski J.M., Whittaker E.A., Bjorklund G.C. et al. //Appl. Phys. Lett. 1984. V.44. N 12. P.1155−1157.55., Hata N, Matsuda A., Tanaka K. // Proc. Int’I Ion Engeneering Congress ISIAI'83 and IPAT'83, Kyoto. 1983. P.1457−1462.
  55. M. // Semiconductors and Semimetals. 1984. V.21 A. P.9−39.
  56. Tsu D.V., Parsons G. N, Lucovsky G. // J. Vac. Sci. Technol. 1988. V. A 6. N3. P. 1849−1854.
  57. L., Musil J., Lubanski M. // Czech. J. Phys. 1984. V. В 34. P. 1242−1245.
  58. Lucovsky G., Tsu D.V. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1987. V. 5. P.2231.
  59. Perrin J., Delafosse E, // J. Phys. 1980. V. D 13. P.759−763.
  60. Kampas F.J., Grffith R.W. II J. Appl. Phys. 1981. V.52. N 3. P.1285−1288.
  61. J.C., Schmitt J.P., Perrin J., Guelachivi G. // J. Chem. Phys. 1982. V.76.P.3414−3417.
  62. Betsncourt M., Boudjaader D., Chollet P. et al. // J. Chem. Phys. 1986. V.84. P.412−416.
  63. Dautremont-Smith W.G., Lopata J. // J. Vac. Sci. Technol. 1983. V. B 1. N 4. P.943−946.
  64. D.E., Jacox M.E. // J. Chem. Phys. 1970. V.52. P.2594−2597.
  65. G., Catherine Y., Grolleau B. // Thin Solid Films. 1980. V.67. P.309−320.
  66. Breiland W.G., Coltrin M.E., Ho P. // Proceeding of SPIE The International Society for Optical Engineering. 1983. V.385. P.146−151.
  67. M., Kikuchi H. // Mat. Res. Soc. SymP. Proc. 1984. V.29. P.21−27.
  68. Dang-Nue M., Pierre G., Saint-Loup R. // Mol. Phys. 1974. V.28. P.447−451.
  69. Knights J.C., Schmitt J.P.M., Perrin J., Guelachvili G. // J. Chem. Phys.1982. V.76. P.3414−3417.
  70. R., Hils D., Chathman H., Gallagher A. // Appl. Phys. Lett.1983. V.43. N 6. P.544−546
  71. L., Musil J., Taras P. // Thin Solid Films. 1983. V.102. N 2. P.107−110.
  72. Smith D.L., Alimonda A.S., von Pressing F.J. //Symp. Proc. on Chem. Perspectives ofMicroel. Mater. 1989. V. 131.
  73. Samuelson G.M., Mar K.M. // J. Electrochem. Soc. 1982. V.129. N 8. P. 1773−1778.
  74. et. al. // J. Appl. Phys. 1980. V.51. N 10. P. 5470−5474.
  75. J.E., Hess D.W. // Thin Solid Films. 1987. V.148. P. 285 291.
  76. A.C. // Solid Stat. Technol. 1983. N 4. P. 135−139.
  77. A., Isujimura Y., Kumeda M., Shimizu T. // Japanese Journal of Applied Physics. 1985. V.24. N 11. P.1394−1398.
  78. Mar K.M., Samuelson M. // Solid State Technol. 1984. N 4. P. 137−142.
  79. W.A., Rand M.J. // J. Appl. Phys. 1978. V.49. N 4. P. 24 732 477.
  80. Claassen W.A.P. et. al. // Thin Solid Films. 1985. V. 129. N 3−4. P. 239 247.
  81. С. //J. Electrochem. Soc. 1984. V.131. N 5. P. 1114−1118.
  82. Claassen W.A.P., Valkenburg W.G.J.N, Willemsen M.F.C., v.d. Wijgert W.M. //J. Electrochem. Soc. 1985. V.132. N4. P. 893−898.
  83. Koyama K. et. al. // Plasma Processing, ed. J. Dielman, R.G.Frieser, G.S.Mathad. New York: Electrochem. Soc., 1982. P.478.
  84. DunH. et. al. //J. Electrochem. Soc. 1981. V.128. N 7. P. 1555−1563.
  85. Y., Aoki Т., Miyazawa S. // J. Vac. Sci. Technol. 1984. V.2. N 1. P. 49−53.
  86. Hashimoto A., Kobayashi M., Kamijoh T. et al // J. Electrochem. Soc.: Solid State Science and Technol. 1986. V. 133. N 7. P. 1464−1467.
  87. Nishibayashi Y., Imura Т., Osaka Y. et al // Japanese
  88. V.S., Lanford W.A., Rieger A.L. // J. of Electrochem. Soc. 1986. V.133. N 5. P.970−974.
  89. Claassen W.A.P., v. d. Pol H.A.J.Th., Goemans A.H., Kuiper A.E.T. // J. Electrochem. Soc.: Solid State Science and Technol. 1986. V. 133. N 7. P. 1458−1464.
  90. Popova L.I., Antov B.Z., Shopov A.V. et al // Thin Solid Films. 1984. V. 122. P. 153−163.
  91. G.H., Bilger G. // Proc. Int. Ion Engineering Congress -ISIATX83&IPAT"83, Kyoto, 1983, V. 2. P. 829−834.
  92. Ю. И. Эллипс ометрия. Изд. Воронежского Ун-та, 1971. 130с.
  93. В.И., Абаев М. И., Лызлов Н. Ю. Эллипсометрия в физи ко-химических исследованиях. Л.: Химия, 1986. 152 с.
  94. Микроскоп лазерный телевизионный ЛЭМ-ЗМ. Тип СЖМ0.384.000. Техническое описание и инструкция по эксплуатации.
  95. А.В. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структер. М.: Советское радио, 1975.
  96. Я.А. Практикум по химии и технологии полупроводников. М.: Высшая школа, 1978. 192 с.
  97. R.W., Jasinski J.M., Walkup R.E., Selwyn G.S. //Pure and Appl. Chem. 1985. V.57. N 9. P.1265−1276.
  98. J., Lopata E. // J.Vac.Sci.Technol.A. 1988. V.6. N 3. P. 2051−2053.
  99. H., Nobata K. //JpN J. Appl. Phys. 1986. V. 25. N 10. P. 1589.
  100. D.E., Broadfoot A.L. //J. Quant. Spectrosc. and Radiat. Transfer. 1971. V. 11. P. 1385.
  101. K.D., Kistiakowsky G.B. // J.Chem.Phys. 1960. V.32. N 4. P.992−1000.
  102. P.K., Mulliken R.S. // J. Chem. Phys. 1965. V. 43. N 7. P.2170−2179.
  103. D.C. //Phys. Rev. A. 1977. V. 16. N 3. P. 1013−1040
  104. B.B., Повч M.M, Запесочный И. П. Н Хим. вые. энергий. 1977. Т.Н. N2. с.116−120.
  105. Hess D.W., Graves D.B. Chemical Vapour Deposition Principles and Applications, //ed. by M.L.Hithman and K.F.JenseN London: Academic Press, 1993. Chapt 7.
  106. Хьюберг К.-П., Герцберг Г. Константы двухатомных молекул. М.: Мир, 1984. 366 с.
  107. G.R., Nicholls R.W. И J. Phys. В. 1969. V. 2. Ser. 2. P. 626−627.
  108. O. // Adv. Low-TemP. Plasm. Chem. Technol. Appl. 1984. V. l.P. 53−79.
  109. Parikh R.A., Hattangady S.V., Posthill J.V. et al. // MRS SymP. Proc. 1988. V. 102. P. 275−280.
  110. С.Е., Ковалгин А. Ю., Рыбников А. Ю. // ЖПХ. 1993. Т. 66. Вып. 12. стр. 2678−2686.
  111. T.D. // Semiconductors and Semimetals. 1984. V. 21 A. P. 55.
  112. А.А. Физические величины: Справочник /Ред. И. С. Григорьев и др. М.: Энергоатомиздат, 1991. С. 794−859.
  113. S.E., Hitchman M.L., Shamlian S. // J. de Physique IV suppl. J. de Physique II. 1993. V. 3. P. 233−240.
  114. K., Wasui M., Watanabe H. // JapaN J. Appl. Phys. 1983. V. 22. N 5. P. 321−323.
  115. M. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1987. V. В 23. N 4. P. 405.
  116. G.R., Gottscho R.A., Graves D.B., Intrator T. // J. Appl. Phys. 1988. V. 64. No. 2. P. 598−606.
  117. C.E., Ковалгин А. Ю. // ЖПХ. 1993. Т. 66. Вып. 12. стр. 2687−2694.
  118. С.Е., Ковалгин А. Ю. // принято к публикации в ЖПХ в 1995 г.
  119. А.Ю. Введение в моделирование химико-технологических процессов, М.: Химия, 1982, 288 С.
  120. Perrin J., Schmitt J.P.M. // Chem. Phys. 1982. V. 67. P. 167−176.
  121. Perkins G.G.A., Austin E.R., Lampe F.W. //J. Am. Chem. Soc. 1979. V. 101. P. 1109.
  122. Kuiper A.E.T., Habraken F.H.P.M., Oostrom A.V., Tamminga Y. // Philips J. Res. 1983. V. 38. P.l.
  123. Perrin J., Schmitt J.P.M., De Rosny G. // Chem. Phys. 1982. V. 73. P. 383−394.
  124. B.A. // Semiconductors and Semimetals. 1984. V. 21A. P. 123.
  125. Gupta M., Rathi V.K., Thangaraj R. et. al. // Thin Solid Films. 1991. V.204. P. 77.
  126. SchalchD., Scharmann A., WolfratR. //Thin Solid Films. 1985. V. 124. N 3−4. P.301−308.
  127. Claasen W.A.P., Valkenburg W.G.J.N, Willemsen M.F.C. et al. //J. Electrochem. Soc. 1985. V. 132. N 4. P. 893−898.
  128. R.H. // J. Appl. Phys. 1981. V. 52. N 9. P. 7064−7069.
  129. С. E., Волков В. В., Крякин В. А. и др. // Тез. I Всееоюз. конф. «Актуальн. проблемы технол. композиц. материалов и радио-комп. в микроэлектр. информ. сист.» Ялта, 1990. С. 95.
  130. Kamada Т., Hirao Т., Kitagawa М. et al. //Appl. Surf. Sci. 1988. V.33/34. P. 1094−1100. 133. Александров C.E., Хитчман М. Л., Ковалгин А. Ю. // ЖПХ. 1994. Т. 67. Вып. 1. стр. 140−145.
  131. J., Lopata Е. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. V. 6. N 3. P. 20 512 053.
  132. Setser D. W, Reactive intermediates in the gas phase. New York: Academic, 1979. P. 153.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!