Разработка гадолиний-и боросиликатных наноразмерных пленок, формируемых методом золь-гель технологии
Наноразмерные пленки являлись одними из первых объектов, получаемых золь-гель методом. Их применение остается актуальным в начале XXI века. Они по-прежнему востребованы в микроэлектронике в качестве источников диффузантов в кремний и другие материалы электронной техники при формировании р-п-переходов и стоп-слоев. Использование диффузии из пленок наиболее эффективно, когда ставится задача… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ПРОБЛЕМЫ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ СИНТЕЗА И ИСПОЛЬЗОВАНИЯ НЕОРГАНИЧЕСКИХ И ОРГАНО-НЕОРГАНИЧЕСКИХ ПЛЕНОК В ПЛАНАРНОЙ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
- 1. 1. Использование золь-гель технологии в современной промышленности
- 1. 1. 1. Использование тонких силикатных пленок, получаемых методом золь-гель технологии в качестве источников диффузантов
- 1. 1. 2. Требования к свойствам пленок, применяемым в планарной технологии микроэлектроники
- 1. 2. Технологические аспекты получения золей и формирование стекловидных и гибридных пленок на их основе
- 1. 2. 1. Золь-гель технология
- 1. 2. 2. Основные компоненты золь-гель систем
- 1. 2. 3. Физико-химические основы золь-гель процесса
- 1. 2. 4. Методы нанесения покрытий
- 1. 2. 5. Особенности синтеза пленкообразующих золей
- 1. 2. 6. Термическая обработка пленок
- 1. 2. 7. Гибридные органо-неорганические золь-гель системы
- 1. 3. Основные методы легирования кремния в современной планарной технологии микроэлектроники
- 1. 3. 1. Общие сведения о методах легирования
- 1. 3. 2. Ионная имплантация
- 1. 3. 3. Эпитаксиальное наращивание
- 1. 3. 4. Диффузия
- 1. 3. 5. Образование дислокаций под действием внутренних напряжений.38 1.4. Выводы и обоснование направления экспериментальных исследований
- 1. 1. Использование золь-гель технологии в современной промышленности
- 2. 1. Описание основных технологических стадий формирования пленок
- 2. 1. 1. Синтез золей на основе тетраэтоксисилана
- 2. 1. 2. Выбор органических низко- и высокомолекулярных соединений для модификации свойств золь-гель систем
- 2. 1. 3. Выбор неорганических соединений для легирования кремния
- 2. 1. 4. Получение ксерогелей
- 2. 1. 5. Влияние подложки на свойства пленок
- 2. 1. 6. Формирование пленок и их термообработка
- 2. 1. 7. Условия прохождения диффузии
- 2. 2. Выбор современных методов и подходов при исследовании физико-химических свойств золь-гель систем и формируемых из них наноразмерных стекловидных пленок и гибридных органо-неорганических покрытий
- 2. 2. 1. Методики определения вязкости золь-гель систем
- 2. 2. 1. 1. Определение вязкости с помощью рео-вискозиметра по Хопплеру
- 2. 2. 1. 2. Определение вязкости с помощью ротационного вискозиметра с коаксиальными цилиндрами
- 2. 2. 2. Термический анализ
- 2. 2. 3. Рентгенофазовый анализ
- 2. 2. 4. Исследование толщины и оптических характеристик пленок методом эллипсометрии и Alfa-step
- 2. 2. 5. Оптическая система анализа изображений
- 2. 2. 6. Атомно-силовая микроскопия
- 2. 2. 7. Метод динамической механической спектроскопии (внутреннее трение)
- 2. 2. 8. Определение поверхностного сопротивления
- 2. 2. 9. Определение глубины залегания диффузионных слоев
- 2. 2. 10. Вторичная ионная масс-спектрометрия
- 2. 2. 1. Методики определения вязкости золь-гель систем
Разработка гадолиний-и боросиликатных наноразмерных пленок, формируемых методом золь-гель технологии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Наноразмерные пленки являлись одними из первых объектов, получаемых золь-гель методом. Их применение остается актуальным в начале XXI века. Они по-прежнему востребованы в микроэлектронике в качестве источников диффузантов в кремний и другие материалы электронной техники при формировании р-п-переходов и стоп-слоев. Использование диффузии из пленок наиболее эффективно, когда ставится задача формирования глубоких (~ 310 мкм) разделительных ри р± слоев в кремнии, в том числе для формирования стоп-слоев в цикле анизотропного травления тонкостенных мембран для сенсоров, датчиков влажности, давления газа, расхода топлива, при создании кремниевых солнечных элементов и др.
В 60−70-х годах прошлого века пионерские работы по созданию тонких неорганических пленок для микроэлектроники были выполнены сотрудниками Института химии силикатов им. И. В. Гребенщикова РАН под руководством А. И. Борисенко. Традиции золь-гель синтеза в ИХС РАН имеют глубокие корни и воплощены в научных школах академиков И. В. Гребенщикова, М. Г. Воронкова, В. Я. Шевченко. В настоящее время работы по этому направлению активно развиваются.
Данная работа продолжает и развивает принятые в ИХС РАН методы и подходы, в первую очередь в части разработки гибридных органо-неорганических материалов для микроэлектроники. Вопросы создания гибридных органо-неорганических материалов из многокомпонентных золей на основе тетраэтоксисилана с высоким содержанием неорганических соединений и модифицированных органическими компонентами в настоящее время остаются недостаточно изученными. В то же время разработка таких золь-гель систем позволит существенно улучшить ряд физико-химических и электрофизических параметров получаемых пленок и диффузионных слоев, сформированных в кремнии с их помощью (состав, структура, состояние поверхности, толщина, диффузионные характеристики).
Целью данной работы является разработка золь-гель технологии получения новых гадолинийи боросиликатных наноразмерных пленок — источников реакционной диффузии в кремний для воспроизводимого получения диффузионных слоев с.
20 3 концентрацией примеси бора ~ 5−7-10 см" .
Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:
1. Исследовать особенности структурирования, гелеобразования и пленкообразования в многокомпонентных силикатных и гибридных золь-гель системах на основе тетраэтоксисилана (ТЭОС), содержащих большие количества неорганических соединений (борная кислота и нитрат гадолиния), а также органических модификаторов (низкои высокомолекулярные полиолы различной топологии и молекулярного веса).
2. Научно обосновать выбор органического модификатора, совместимого с высоколегированным борсодержащим золем на основе гидролизованного ТЭОС. Разработать составы гибридных органо-неорганических золей на основе ТЭОС с высоким содержанием борной кислоты и содержащих одновременно две легирующие примеси бор и гадолиний для получения пленок — источников диффузантов, отвечающих требованиям полупроводниковой технологии микроэлектроники.
3. Выявить закономерности протекания физико-химических процессов, происходящих во время формирования гадолинийи борсодержащих силикатных и гибридных пленок (нанесение в процессе центрифугирования и термическая обработка).
4. Разработать технологию получения высоколегированных боросиликатных гибридных пленок большей толщины, отвечающих требованиям к источникам диффузии, используемым в полупроводниковой микроэлектронике.
5. Создать источники реакционной диффузии бора и гадолиния с целью формирования диффузионных слоев с требуемыми параметрами (глубина диффузионного слоя 3,5±0,5 мкм,.
20 3 максимально возможная поверхностная концентрация легирующей примеси бора >5−10 см").
6. Использовать разработанные источники диффузии бора и гадолиния в цикле анизотропного травления кремния при получении тонкостенных мембран (толщиной 3,0±0,5 мкм) с повышенной механической прочностью.
Научная новизна результатов. С привлечением комплекса физико-химических методов исследования (вискозиметрия, оптическая и атомно-силовая микроскопия, термический и рентгенофазовый анализы, механическая динамическая спектроскопия, вторичная ионная масс-спектрометрия и др.) были впервые выявлены следующие закономерности поведения золь-гель систем на основе ТЭОС при введении в них органических и неорганических соединений, придающих полученным продуктам золь-гель синтеза технически ценные свойства:
1. Используя методы вискозиметрии, впервые выявлены особенности протекания реакции гидролитической поликонденсации тетраэтоксисилана в присутствии в золе ряда неорганических и органических соединений (борная кислота, нитрат гадолиния, низкои высокомолекулярные полиолы различной топологии и молекулярного веса).
2. Исходя из данных оптической микроскопии и АСМ, выявлено существенное изменение морфологии и рельефа поверхности сформированных пленок под воздействием вводимых неорганических (борная кислота и нитрат гадолиния) и малых количеств органических (полиолы различной топологии и молекулярного веса) соединений.
3. Показано, что увеличение толщины формируемых пленок в 1,5−2 раза можно осуществлять за счет введения в боросиликатные золи полиолов разветвленного и гиперразветвленного строения. При этом качество поверхности сформированных пленок соответствует требованиям планарной технологии микроэлектроники.
4. С использованием метода динамической механической спектроскопии (внутреннее трение) впервые выявлены особенности структуры стекловидных боросиликатных и гадолинийсиликатных пленок, изучены закономерности химического взаимодействия между нанофазами в нанокомпозитах в процессе последовательных термообработок, позволяющие дать рекомендации по составу пленок и температурно-временному режиму их обработки для максимального снижения дефектности кристаллической структуры легируемого кремния.
5. Исходя из данных ВИМС, получены и проанализированы профили распределения легирующих примесей бора и гадолиния при их раздельной и совместной диффузии из силикатных и гибридных пленок. На основании полученных данных впервые рассчитаны коэффициенты диффузии обеих примесей, при их совместной диффузии в кремний.
Практическая значимость работы. Разработана технология формирования боросиликатных гибридных и гадолинийсиликатных пленок — источников реакционной диффузии бора и гадолиния в полупроводниковый кремний. С помощью этих пленок методом высокотемпературной диффузии созданы диффузионные слои глубиной ~ 4,0±0,5 мкм с высоким содержанием бора на уровне предела его растворимости в кремнии (5−7-1020 см" 3). Сформированные области легирования использованы в качестве стоп-слоев в цикле анизотропного травления тонкостенных мембран для газовых сенсоров толщиной 3,0±0,5 мкм.
Технология формирования тонкостенной кремниевой мембраны внедрена в технологический процесс производства газовых сенсоров на СО и датчиков расхода топлива на ЗАО «Авангард-Микросенсор», г. Санкт-Петербург.
Основные положения и результаты, выносимые на защиту:
1. Разработка технологии золь-гель синтеза силикатных и гибридных органо-неорганических пленок, содержащих бор, а также одновременно два неорганических легирующих компонента — бор и гадолиний.
2. Обоснование выбора органических модифицирующих добавок низкои высокомолекулярных полиолов, обеспечивающих увеличение толщины пленокисточников реакционной диффузии.
3. Установление особенностей структурирования и гелеобразования силикатных и органо-неорганических золей в присутствии борной кислоты, нитрата гадолиния и полиолов различной топологии, молекулярного веса и количества активных функциональных групп.
4. Влияние чрезвычайно малых количеств (~ 1 мае. %) олигомерных полиолов на структуру и состояние поверхности формируемых пленок.
5. Эволюция состава, структуры и состояния поверхности силикатных и органо-неорганических пленок в процессе последовательных термообработок (от -100 до +300 °С).
6. Определение коэффициентов диффузии бора и гадолиния при реакционной диффузии из разработанных силикатных и органо-неорганических пленок с использованием модели диффузии из постоянного источника.
Диссертация состоит из введения, шести глав, выводов, списка литературы из 169 наименований и дополнена четырьмя приложениями, в т. ч. техническим актом внедрения с протоколом испытаний диффузионных структур, полученных золь-гель методом с использованием силикатных и гибридных органо-неорганических покрытий, допированных бором и гадолинием в цикле создания тонкостенных мембран. Основной материал диссертации изложен на 194 страницах машинописного текста, содержит 39 рисунков и 16 таблиц.
ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ.
1. Разработана технология получения силикатных и гибридных пленок — источников диффузии бора и гадолиния в кремний, содержащих большое количество бора (40 мае. % В2О3) и оптимальное количество редкоземельного элемента гадолиния (5+10 мае. % GCI2O3), отвечающих требованиям планарной технологии микроэлектроники и обеспечивающих формирование полупроводниковых структур с заданными параметрами.
20 3 поверхностная концентрация примеси бора, NS>5T0 см" - поверхностное сопротивление, ps=3,0±0,5 Ом/пглубина диффузионного слоя, Xj=3,5±0,5 мкм).
2. Осуществлен научно-обоснованный выбор органических модификаторов: низкои высокомолекулярных полиолов линейного (полиэтиленгликоль (ПЭГ)) и разветвленного строения (полигидроксилолигоуретанмочевина (ПОУМ) и гиперразветвленный полимер (ГРП)), совместимых с высоколегированным боросиликатным золем состава 40B203−60Si02 мае. %.
Введение
в золи ~ 1 мае. % ГРП дало возможность увеличить максимально возможную толщину формируемых высоколегированных боросиликатных пленок в 1,5−2 раза, без ухудшения состояния их поверхности. Это, в свою очередь, позволило увеличить степень легирования полупроводника и уменьшить дефектность диффузионных слоев, сформированных с использованием полученных пленок.
3. Используя методы вискозиметрии, термического анализа и механической динамической спектроскопии, оптической и атомной силовой микроскопии были выявлены особенности протекания реакции гидролитической поликонденсации тетраэтоксисилана (ТЭОС) в присутствии высоких концентраций борной кислоты (40 мае. %), нитрата гадолиния (5−10 мае. %) и небольших добавок (-0,5+2,0 мае. %) низкои высокомолекулярных полиолов линейного и разветвленного строения. Изучена эволюция состава и структуры продуктов золь-гель синтеза в процессе высокотемпературной обработки. При этом установлено, что:
3.1. Небольшие количества (-0.5−2 мае. %) низкои высокомолекулярных полиолов замедляют процессы структурирования и гелеобразования в боросиликатных золях, способствуя упрочнению сетки неорганического полимера. Однако по мере старения золей (свыше 30 суток) в золях, модифицированных ГРП при его концентрации ~ 2 мае. % происходит значительное ухудшение восстанавливаемости структуры и снижение прочностных характеристик золь-гель систем, а в случае модификации золей ~ 1 мае. % ПОУМ структурная сетка золя необратимо разрушается под воздействием незначительных нагрузок (20−30 г).
3.2. Небольшие добавки (~ 0,5−1 мае. %) олигомерных полиолов, особенно разветвленного и гиперразветвленного строения существенно увеличивают развитость поверхности гибридных боросиликатных пленок, приводят к образованию специфической структуры, характерной для каждого отдельного полиола.
3.3. По мере увеличения концентрации соединений гадолиния в золе (от 5 до 10 мае. % GchCb) возрастает склонность к выпадению кристаллов соединений гадолиния в тонком слое золя в процессе формирования пленки. Совместное введение борной кислоты и нитрата гадолиния препятствует протеканию нежелательных процессов фазового расслоения и кристаллизации.
3.4. Во время термической обработки при температуре 250−500 °С происходят процессы удаления легколетучих компонентов золь-гель системы, внутренней перестройки с образованием боросиликатного стекла, что приводит к сглаживанию рельефа поверхности силикатных и гибридных пленок и к увеличению их пористости. Легирование силикатных пленок гадолинием способствует разрыхлению структуры силикатных пленок.
3.5. Отличительной особенностью обладают спектрограммы внутреннего трения пленки, содержащей одновременно бор (40 мае. % В2О3) и гадолиний (10 мае. % GCI2O3), предварительно термообработанной при 500 °C. При проведении четвертого цикла термообработки кривая внутреннего трения становится гладкой — пиков ВТ практически не наблюдается. Это свидетельствует о том, что при формировании пленок из золей данного состава, после отжига при 500 °C можно максимально снизить дефектность структуры, что благоприятно скажется на качестве изготовляемой кремниевой мембраны.
4. Традиционными методами для определения электрофизических параметров диффузионных слоев, а также, используя вторичную ионную масспектрометрию, были изучены особенности протекания процесса реакционной диффузии бора и гадолиния из силикатных и гибридных пленок, получаемых методом золь-гель технологии. Рассчитаны значения коэффициентов диффузии для бора и впервые — для гадолиния. Установлен факт замедления процесса диффузии бора при его совместном введении с гадолинием.
5. На основании проведенных экспериментов и исследований выявлено, что наилучшими физикохимическими и электрофизическими свойствами (гомогенность структуры, воспроизводимость получаемых диффузионных параметров и др.) обладают боросиликатные гибридные органо-неорганические пленки, сформированные из золей, модифицированных полиолами разветвленного и гиперразветвленного строения ПОУМ и ГРП в количестве ~ 1 мае. %, а также боросиликатные пленки, содержащие в качестве второго легирующего элемента гадолиний в количестве ~ 5 мае. %.
6. Гибридные боросиликатные пленки и содержащие гадолиний в качестве второго легирующего компонента, сформированные по разработанной технологии, внедрены в технологический процесс изготовления тонкостенных кремниевых мембран (толщиной 3,5±0,5 мкм) в цикле изготовления металлооксидных газовых сенсоров в ЗАО «Авангард-Микросенсор» (Технический акт внедрения и Протокол испытаний прилагаются).
Список литературы
- B.A. Васильев, K.A. Воротилов, A.C. Сигов и др. Изолирующие слои многоуровневой разводки интегральных схем с низкой диэлектрической проницаемостью. //Электронная промышленность. 2004. № 4. С. 145−154.
- Шилова О.А. Наноразмерные пленки, полученные из золей на основе тетраэтоксисилана и их применение в планарной технологии изготовления полупроводниковых газовых сенсоров.// Физ. и хим. стекла. 2005. Т. 31, № 2. С. 270−294.
- Борило JI. П. Синтез и физико-химические закономерности формирования золь-гель методом тонкопленочных и дисперсных наноматериалов оксидных систем элементов III—V групп, докт. дис. Автореф. докт. дис. Томск: ТГУ, 2003. 220 с.
- Смирнова И.В., Шилова О. А., Мошников В.А.. Применение наноразмерных гибридных органо-неорганических пленок в качестве источников высокотемпературной диффузии бора в монокристаллический кремний. // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». 2004. вып. 2. С. 3−9.
- В. А. Свидерский, М. Г. Воронков, С. В. Клименко и др. Термические превращения полиметаллосилоксанов, полученных золь-гель методом. // ЖПХ. 2001. Т. 74. № 7. С. 1137−1141.
- Шилова О.А., Хашковский С. В. Золь-гель метод получения композиционных стекловидных и стекло керамических пленок на основе неорганических полимеров. // Материалы. Технологии. Инструменты. (МТИ, НАН Беларуси). 2001. — Т. 6, № 2. — С.64−70.
- Шилова О.А., Шилов В. В. Нанокомпозиционные оксидные и гибридные органо-неорганические материалы, получаемые золь-гель методом. Синтез. Свойства.
- Применение. // Наносистемы. Наноматериалы. Нанотехнологии. Сб. науч. трудов под ред. акад. А. П. Шпака. Т. 1, № 1, Киев: Академпериодика, 2003, с. 9−83.
- S. Sakka. Sol-gel science and technology: processing, characterization and applications. 2005. V. 1. 680 p.
- Yoldas В. Е., Okeefe Т. W. Antireflective coatings applied from metal-organic derived liquid precursors. // Appl. Opt. 1979- № 18. P. 3133−3138.
- Sanchez C., Livage J., Henry M., Babonneau F. Chemical modification of alkoxide precursors. // J. Non-Cryst. Solids. 1998- № 100. P. 65−76.
- Kato K., Suzuki K., Nishizawa K., Miki T. Ferroelectric properties of alkoxy-derived CaBi2Ta209 thin films. // J. Appl. Phys. 2000. № 88. P. 3779−3780.
- Bianco A., Viticoli M., Gusmano G., Paci M., Padeletti G., Scardi P. Zirconium tin titanate thin films via aqueous polymeric precursor route. // Mater. Sci. Eng. С 2001. № 15. P. 211−213.
- Kozhukharov V., Machkova M., Brashkova N. Sol-gel route and characterization of supported perovskites for membrane application. // J. Sol-Gel Sci. Technol. 2003. № 26. P. 753 757.
- Ronconi C.M., Pereira E.C. Electrocatalustic propertie of Ti/Ti02 electrodes prepared by the Pechini method. // J. Appl. Electrochem. 2001. № 31. P. 319−323.
- Pechini M.P. Method of preparing lead and alkaline earth titanates and niobates and coating method using the same to form a capacitor. US Patent 3, 330, 697 (1967).
- Thomas I. M. Porous fluoride antireflective coatings. // Appl. Opt. 1988. № 27. P. 3356−3358.
- Wang B.L. Lithography: birefringence in fused silica and CaF2 for lithography. // Solid State Tech. 2000. № 43. P. 77−78.
- Mizuguchi M., Hosono H., Kawazoe H., Ogawa T. Generation of optical absorption bands in CaF2 single crystals by ArF excimer laser irradiation: effect of yttrium impurity. // J. Vac. Sci. Tech. A. 1998. № 16. P. 3052−3057.
- Uhlmann D. R., Suratwala Т., Davidson K., Boulton J. M., Teowee G. Sol-gel Derived coatings on glass. // J. Non-Cryst. Solids. 1997. № 218. P. 113−122.
- M. Langlet, A. Kim, M. Audier, J.M. Herrmann. Sol-gel preparation of photocatalytic Ti02 films on polymer substrates. // J. Sol-Gel Sci. Tech. № 25 (2002). P. 223−226.
- Shur V.Ya., Negashev S.A., Subbotin A.L., Borisova E.A. Crystallization Kinetics of Amorphous Ferroelectric Films. //Ferroelectrics, 1997. V.196. P.183−186.
- Vorotilov К.А., Orlova E.V., Petrovsky V.I. Sol-gel Ti02 films on silicon substrates // Thin Solid Films. 1992. V. 207. P. 180−184.
- Vorotilov K.A., Yanovskaya M.I., Turevskaya E.P., Sigov A.S. Sol-gel derived ferroelectric thin films: avenues for control of microstructural and electric properties // J. Sol-Gel Science and Technology. 1999. V. 16. P. 109−118.
- Квартальный отчет ЗАО «Авангард» MOTOPOJIJ1A окт. 1994 г. — янв. 1995 г.
- Бубнов Ю.З., Чепик Л. Ф., Шилова О. А., Вишевник Л. Н. Использование золь-гель технологии в производстве тонкопленочных газовых сенсоров.// Температуроустойчивые функциональные покрытия. Ч. 1. СПб.: ООП НИИХ СПбГУ, 1997, с. 99−104.
- Жабрев В. А., Мошников В. А., Таиров Ю. М., Федотов А. А., Шилова О. А. Золь-гель технология. Учеб. пособие. СПб.: СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2005. 156 с.
- Шилова О. А., Чепик Л. Ф., Бубнов Ю. 3. Свойства пленок, получаемых из растворов на основе тетраэтоксисилана, в зависимости от технологических аспектов их формирования // ЖПХ, 1995, Т. 68, вып. 10, с. 1608−1612.
- С. П. Авдеев, JI. П. Милешко, П. Г. Музыков, Д. И. Чередниченко. Перспективы применения электронно-лучевой обработки для модификации золь-гельных пленок легированного диоксида кремния. // Физ. и хим. обраб. матер. 1998. № 2. с. 77−83.
- Гребенщиков И.В., Власов А. Г., Непорент Б. С., Суйковская Н. В. Просветление оптики. М.: Госхимиздат, 1946. 211 с.
- Гребенщиков И.В. Поверхностные свойства стекла. Строение стекла. Под ред. А. Б. Безбородова. М.: Госхимиздат. 1933. С. 101−116.
- Борисенко А.И., Новиков В. В., Прихидько Н. Е., Митникова И. М., Чепик Л. Ф. Тонкие неорганические пленки в микроэлектронике. Л.: Наука, 1972, 114с.
- Brinker C.F., Scherer G.W. Sol-Gel Science. The Physics and Chemistry of Sol-Gel Processing. San Diego: Academic Press, Inc., 1990. 908 p.
- Тхорик Ю.А., Хазан Л. С. Пластичные деформации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев: наук, думка, 1983. -304 с.
- Емцев В.В., Машовец Т. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. 248 с.
- Козлов И.П., Логвиненко Т. А., Лугаков П. Ф., Ткачев В. Д. Изменение концентрации носителей тока в кремнии при облучении быстрыми электронами. // ФТП. 1974. № 8. С. 1431−1435.
- Вавилов B.C., Кив А. Е., Ниязова О. Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 368 с.
- Атомная диффузия в полупроводниках. / Под ред. Д. Шоу. Пер. с англ. М.: Мир, 1975. 684 с.
- Арутюнян В. М., Погосян А. С., Абовян Г. В. Датчики на основе технологии микроэлектроники. М.: Знание, 1989, с. 31.
- Арутюнян В. М. Микроэлектронные технологии магистральный путь для создания химических твердотельных сенсоров. // Микроэлектроника. 1991. Т. 20, вып. 4. С. 17−21.
- Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. Под ред. Р. Бургера и Р. Донована. Перевод с англ. М.: Мир, 1969, с. 451.
- Зиновьев К.В., Вихлянцев О. Ф., Грибов Б. Г. Получение окисных пленок из растворов и их использование в электронной технике. М. ЦНИИ Электроника. 1974. 61 с. // МЭП СССР. Обзоры по электронной технике. Сер. Материалы. Вып. 13 (250).
- Возняковская (Шилова) О.А., Меньшикова Е. М., Митникова И. М., Пьянова Л. И., Чепик Л. Ф. Исследование влияния структуры борсодержащих пленок на процесс диффузии бора в кремний // Вопросы радиоэлектроники (научно-технический сборник
- Министерства Радиопромышленности СССР). Сер. «Технология производства и оборудование» (ТПО). 1984, № 3. С. 114−117.
- А. И. Курносов, В. В. Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов. Учеб. пособие, М.: Высшая школа, 1974. 368 с.
- Пичугин И.Г., Таиров Ю. М. Технология полупроводниковых приборов. М.: Высшая школа, 1984. 288 с.
- Степаненко И. П. Основы микроэлектроники. Учеб. пособие. М.: Сов. радио, 1980. 424 с.
- Шилова О.А., Смирнова И. В., Василенко Т. И., Бубнов Ю. З., Мошников В. А., Максимов А. И. Формирование наноразмерных гибридных органо-неорганических пленок, содержащих бор и гадолиний для применения в микроэлектронике. // Пленки 2004.
- Материалы международной научной школы-конференции). М.: МИРЭА, 2004, часть 2,-с.24−29.
- Смирнова И. В., Шилова О. А. Фазовое разделение и кристаллизация в наноразмерных пленках, полученных золь-гель методом. // Кинетика и механизм кристаллизации. Нанокристаллизация. Биокристаллизация. Тезисы докладов. Иваново, Россия. 2006, с. 202.
- Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы. / Под ред. Лучинина В. В., Таирова Ю. М. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006. — 552 с.
- Суйковская Н. В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок. // Л., Химия, 1971,200 с.
- Семченко Г. Д. Золь гель процесс в керамической технологии. Харьков, 1997, с. 144.
- Суйковская Н. В. Применение кремнеорганических соединений для получения тонких прозрачных пленок на стекле. // Химия и практическое применение кремнеорганических соединений, вып. 4. ЦБТИ, Л., 1958, с. 76.
- В. А. Свидерский, М. Г. Воронков, С. В. Клименко, Д. Н. Быстров. Гидролитическая полисоконденсация этилсиликата с солями меди минеральных и органических кислот в золь-гель процессе. //ЖПХ. 2001. Т. 74. № 12. С. 2027−2030.
- Борисенко А. И., Николаева Л. В. Тонкослойные стеклоэмалевые и стеклокерамические покрытия. //Л.: Наука, 1980, 88 с.
- Андрианов К. А. Кремнийорганические полимерные соединения, ч. 1, ГЭИ, М. -Л., 1946, 120 с.
- Андрианов К. А. Методы элементоорганической химии. Кремний. М.: Наука, 1968.700 с.
- Андрианов К. А. Полимеры с неорганическими главными цепями молекул. // М.: АН СССР, 1962, 520 с.
- В. А. Свидерский, М. Г. Воронков, В. С. Клименко, С. В. Клименко. Гидролитическая поликонденсация тетраэтоксисилана с солями и оксидами металлов в золь-гель процессе. // ЖПХ. 1997. Т. 70. № 10. С. 1698−1703.
- О. A. Shilova, S. V. Hashkovsky and Е. V. Tarasyuk. Organic Inorganic Insulating Coatings Based on Sol-Gel Technology. // Journal of Sol-gel Science and Technology. 2003. № 26. P. 1131−1135.
- Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высш. школа. 1982.
- Воронков М. Г., Пащенко А. А., Тищенко В. Т. и др. «Изв. АН Латв. ССР», серия «Химия». 1970. № 3. С. 611.
- Измайлов Н.В., Ильин. Ю.Л., Мошников В. А., Томаев В. В., Ярославцев Н. П., Яськов. Д.А. ЖФХ, 1988, № 12, с.1370−1373.
- Андреев Ю.Н., Даринский Б. М., Мошников В. А., Сайко Д. С., Ярославцев Н. П. ФТП, 2000, т.34, вып.6, с.644−646.
- Патрушева, Т. Н. Растворные пленочные технологии: Учеб. пособие. / Красноярск: ИПЦ КГТУ, 2002. 140 с.
- Ulrich S. Silica Based and Transition Metal- Based Inorganic-Organic Hybrid Materials-a Comparison. //J. Sol-Gel Sci. andTechnol. 2003. 26, № 1. p. 47−55.
- Noble K., Seddon A.B., Turner M.L. and all. Porous siloxane silica hybrid materials by sol-gel processing. // J. Sol-Gel Sci. and Technol. 2003. 26, № 1. p. 419−423.
- Takahashi Y., Matsuoka Y. Dip-coating of ТЮ2 films using a sol derived from the Ti (0-i-Pt)4-diethan0lamine-H20-i-Pr0H system. // J. Mater. Sci. 1988. № 23. P. 2259−2266.
- Chujo Y., Matsuki H., Kure S., Saugusa Т., Yazawa T. Control of pore size of porous silica by means of pyrolysis of an organic-inorganic polymer hybrid. // J. Chem. Soc., Chem. Commun. 1994. P. 635−636.
- Борисенко В. E., Самуйлов В. Д. Твердофазные процессы в поликристаллическом кремнии при импульсной термообработке некогерентным светом. // Зарубежная электронная техника, № 1 (308). М.: ЦНИИ «Электроника», 1987, с. 46−69.
- Петросянц К. О., Мазинг О. В. Моделирование диффузии примесей в кремний. // Зарубежная электронная техника, № 5−6 (360−361). М.: ЦНИИ «Электроника», 1991, с.3−86.
- Парфёнов О. Д. Технология микросхем: Учебник. М.: Высшая школа, 1986. 320 с.
- Богдановский Ю. Н., Гасько Л. 3., Коледов Л. А., Пих В. С. Твердые планарные источники для диффузии в технологии полупроводниковых приборов и ИС. // Зарубежная электронная техника. 1982. № 8 (254).с.60−90.
- Новиков В.В. Теоретические основы микроэлектроники. Учебн. пособие для радиотехнич. спец. вузов. М.: Высшая школа, 1972. 352 с.
- Александров О. В. Технологические процессы изготовления СБИС. Учеб. пособие. СПб.: СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2005. 56 с.
- Мазель Е. 3. Мощные транзисторы., М.: Энергия, 1969. 186 с.
- Агеев В. В., Коковина В. Н., Прихидько Н. Е., Трошина Е. П. Характеристики кремния, легированного редкоземельными элементами. // Известия ЛЭТИ, 1976, вып. 186, с 51−55.
- A. Manoogian and A. Leclerc, Rhus. Stat. Sol. (b), 92 (1978) K23.
- Т. Г. Керимова, Ш. С. Мамедов, И. А. Мамедова, Неорг. материалы, 1993. № 29. С. 902−906.
- Иевлев В. М., Косилов А. Т., Ковнеристый Ю. К., Лебедев А. И. и др. Методы исследования атомной структуры и субструктуры материалов. / Учеб. пособие, 2-е изд. перераб. и доп. Под общ. ред. В. М. Иевлева. Воронеж: Воронеж, гос. техн. ун-т, 2003. 484 с.
- Terai R. Ionic Diffusion in Glass. // J. Non-Cryst. Solids. 1975. V.18, № 2. P. 217−264.
- В.А.Сокол, М. М. Пинаева, Е. А. Гурская. Легированные редкоземельными металлами диэлектрические пленки в МДМ-структурах. // Микроэлектроника. 1999. Т. 28, № 6. с. 463−468.
- Готра 3. Ю., Осадчук В. В., Кучмий Г. Л. Диффузионное легирование в современной технологии кремниевых ИС. // Зарубежная электронная техника. 1990. № 5 (348). С. 5−63.
- В. А. Жабрев. Диффузионные процессы в стеклах и стеклообразующих расплавах. С.-Пб.: ИХС РАН, 1998. 188 с.
- Шорыгин А. П., Толкачев Ю. В. // Измерения, контроль, автоматизация, 1984, № 3 (51), с.З.
- Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. 246 с.
- А. М. Hashimov, S. М. Hasanli. Influence the heat treatment on the mechanical characteristics of silicon plates. // Fizika. 2004.№ 4. P. 71−72.
- Д. В. Штанский, С. А. Кулинич, E. А. Левашов. Особенности структуры и физико-механических свойств наноструктурных тонких пенок. // ФТТ 2003. Т. 45, вып. 6. С. 1122−1129.
- Е. Д. Щукин, А. В. Перцов, Е. А. Амелина. Коллоидная химия.-3-е изд., перераб. и доп.- М.: Высшая школа, 2004- 445 е.: ил.
- Жуков И. И. Коллоидная химия. Л.: ЛГУ им. А. А. Жданова, 1949. 324 с.
- Н. Б. Урьев. Высококонцентрированные дисперсные системы. М.: Химия, 1980.
- Н. Б. Урьев, Я. П. Иванов. Структурообразование и реология неорганических дисперсных систем и материалов. Изд-во болгарской АН, София, 1991. 286 с.
- Берг JI. Г. Введение в термографию. Изд. 2-е доп. М.: Наука, 1969. 396 с.
- А. А. Аппен. Химия стекла. Д.: «Химия», 1970. 352 с.
- Карякин Ю. В., Ангелов И. И. Чистые химические вещества. Изд. 4-е, пер. и доп. М.: Химия, 1974. 408 с.
- Павлов JI. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. Учеб. для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1987, с. 239.
- Зон Б. А. Взаимодействие лазерного излучения с атомами. // СОЖ. 1998. № 1. 84 с.
- П.А. Арутюнов, А. Л. Толстихина. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники. Часть I. // Микроэлектроника. 1999. Т. 28, № 6. с. 403−404.
- Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. Пер. с англ. М.: Мир, 1985.496 с.
- Золотухин И. В., Калинин Ю. Е., Железный В. С., Гущин В. С. Экспериментальные методы исследований. Учеб. пособие, Воронеж, ВГТУ, 2004, 493 с.
- Ефимов И.Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надёжность. Учеб. пособие. 2-е изд. М.: Высшая школа, 1986. 464 с.
- Черняев В. Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. Учебник. М.: Высшая школа, 1987. 376 с.
- Мак-Хью И. А. Вторично-ионная масс-спектрометрия. // Методы анализа поверхности. Пер с англ. М.: Мир, 1979. с. 276−342.
- Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. Пер. с англ. М.: Мир, 1989. 342 с.
- Шабанова Н. А., Саркисов П. Д. Основы золь-гель технологии нанодисперсного кремнезёма. М.: ИКЦ «Академкнига», 2004. 208 с.
- Шредер X. Осаждение окисных слоев из органических растворов. В кн.: Физика тонких пленок, Т. 5. М.: Мир, 1972, с.84−139.
- Syms R.R.A., Holmes A.S. Deposition of silica-titania sol-gel films on Sisubstrates // J. Non-Cryst. Solids. 1994. V.170. P.223−233.
- И. Т. Гороновский, Ю. П. Назаренко, E. Ф. Некряч. Краткий справочник по химии. Киев: Наукова думка, 1987. 830 с.
- Р. С. Сайфуллин, А. Р. Сайфуллин. Универсальный лексикон: химия, физика и технология (на рус. и англ. яз.): Справ. М.: Логос, 2001. — 448с.
- Бажант В., Хваловски В., Ратоуски Л. Силиконы. М.: Госхимиздат, 1960. 710 с.
- Жуков И. И. Коллоидная химия. Л.: ЛГУ им. А. А. Жданова, 1949. 324 с.
- Bechtold М. F., Vest R. D., Plambeck L. J. Silicic Acid from Tetraethyl Silicate Hydrolysis Polymerization and Properties. J. Amer. Chem. Soc., v. 90, No. 17, 1968, p. 4590.
- В. M. Смирнов. Структурирование на наноуровне путь к конструированию новых твердых веществ и материалов. // ЖНХ. 2002. Т. 72. Вып. 4. С. 633−650.
- Мовчан Т. Г., Урьев Н. Б., Хамова Т. В. и др. Кинетика структурирования золь-гель систем на основе тетраэтоксисилана в присутствии органических добавок.// Физика и химия стекла. 2005. Т. 31, № 2. с. 294−308.
- Ефремов И. Ф., Лукашенко Г. М., Терентьева Э. А. Дилатантность коллоидных структур.// Коллоид, журн. 1980. Т. 42. № 5. С. 859−865.
- Полифункциональные элементоорганические покрытия. Под ред. А. А. Пащенко. К.: Вища школа, 1987. 198 с.
- Возняковская (Шилова) О. А. Разработка растворов на основе тетраэтоксисилана для получения легированных кремнеземных пленок с целью модификации свойств кремния и ниобата лития. Дис. канд. техн. наук. Л. 1984. 309 с.
- Шилова О. А. Силикатные и гибридные нанокомпозиционные материалы, формируемые методом золь-гель технологии. Дис. докт. хим. наук. СПб. 2005. 342 с.
- Цветкова И. Н., Шилова О. А., Шилов В. В., Шаулов А. Ю., Гомза Ю. П., Хашковский С. В. Золь-гель синтез и исследование гибридных органо-неорганических боросиликатных нанокомпозитов. // Физика и химия стекла. 2006. Т. 32. № 2. С. 301−315.
- О. A. Shilova, S. V. Hashkovsky, Е. V. Tarasuk. Organic-Inorganic Insulating Coatings Based on Sol-Gel Technology. // J. Sol-Gel Sci. and Tech. 2003. V.26. P. 1131−1135.
- Виноградова H. H., Дмитрук Л. H., Петрова О. Б. Стеклование и кристаллизация стекол на основе боратов редкоземельных элементов. // Физика и химия стекла. 2004. Т. 30. № 1.С. 3−8.
- Теория роста и методы выращивания кристаллов. Под ред. К. Гудмана (пер. с англ.).-М.: Мир, 1981.220 с.
- Ликвационные явления в стеклах. Тр. всесоюзн. симпозиума. Л.: Наука, 1969. 170 с.
- Михайлов О. В. Что такое темплатный синтез. // СОЖ, 1999, № 10, с. 42−50.
- Южелевский Ю. А. Синтез и свойства кремнийорганических полимеров. // Труды V совещания по химии и практическому применению кремнийорганических соединений. 1984. Л.: Наука, Ленинград, отд. С. 92−97.
- Wemple S.H., Pinnow D.A., Rich Т.С., Jaeger R.E. and Van Uitert L.G. // J. Appl. Phys., 1973, vol. 44, No. 12, p. 5432.
- К. И. Портной, Н. И. Тимофеева. Кислородные соединения редкоземельных элементов. Справ, изд. М.: Металлургия, 1986. 480 с.
- Шевченко В. Я., Шудегов В. Е. Развитие работ в Российской Федерации в области нанотехнологий. Доктрина. / Наука Москвы и регионов. 2006. № 3. С. 54−65.
- Шевченко В. Я., Кингери У. Д. Взгляд в будущее. Стекло и керамика XXI. Перспективы развития (концепция). СПб.: Янус, 2001. 303 с.
- Помогайло А. Д., Розенберг А. С., Уфлянд И. Е. Наночастицы металлов в полимерах. М.: Химия, 2000. 142 с.
- Колобов Н. А., Самохвалов М. М. Диффузия и окисление полупроводников. М.: Металлургия, 1975, с. 456.
- Зайнабидинов С., Назыров Д. Э. Исследование диффузии лантана в кремнии. // Известия вузов. Электроника. 2007. № 1. С. 87−89.
- Козлов А. Г. Исследование процесса диффузии редкоземельных элементов в кремний из пленок, полученных из растворов. // Известия ЛЭТИ. 1986. № 322. С. 105−122.
- Богдановский Ю. Н., Гасько Л. 3., Коледов Л. А., Пих В. С. Твердые планарные источники для диффузии в технологии полупроводниковых приборов и ИС // Зарубежная электронная техника. 1982. № 8 (254),-с.60 90.
- П. И. Воскресенский. Техника лабораторных работ. М.: Химия, 1973. 717 с.
- Злотников Э. Г. Краткий справочник по химии. СПб: Питер, 2005. 192 с.
- Л. Полинг, П. Полинг. Химия. Под ред. М. Л. Карапетьянца. М.: Мир, 1978. 683 с.154
- Никольский А. Б., Суворов А. В. Химия: Учебник для вузов. СПб: Химиздат. 2001. 512 с.
- Фишер X. Практикум по общей химии (пер с нем.). Новосибирск: Наука, 2002.326 с.
- Олейников Н. Н., Муравьева Г. П. Химия. Основные алгоритмы решения задач Под ред. Ю. Д. Третьякова. М.: УНЦДО, ФИЗМАТЛИТ, 2003. 272 с.
- Филиппов А.Ф. Введение в теорию дифференциальных уравнений. СПб.: КомКнига, 2007. 240 с.
- Р. Айлер. Химия кремнезема. Пер. с англ. М.: Мир, 1982, Ч. 2. 712 с.
- Демидович Б.П. Краткий курс высшей математики. М.: ACT. 2005. 324 с.155