Полевые транзисторы с управляющим переходом
Объемные каналы, представляющие собой участки однородного полупроводника, отделенные от поверхности обедненным слоем. Для транзисторов с объемным каналом характерно то, что обедненный слой создается с помощью />-л-персхода. Управление сопротивлением канала осуществляется с помощью электрического поля путем изменения площади поперечного сечения проводящего полупроводникового слоя (ширины… Читать ещё >
Полевые транзисторы с управляющим переходом (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Общие сведения.
Разработка нолевых транзисторов вызвана стремлением создания усилительного прибора с большим входным сопротивлением (как у электронных ламп). Появившиеся значительно раньше биполярные транзисторы управляются током, вследствие чего имеют малое входное сопротивление. В результате исследований были разработаны транзисторы, управляемые электрическим полем (напряжением), в связи с чем и получили название полевых. Их работа основана:
=> на изменении сопротивления полупроводникового материала поперечным электрическим полем.
=> на использовании носителей зарядов одного вида (электронов или дырок), из-за чего их еще называют униполярными.
Под действием поля создается проводящий слой, или канал, по которому протекает рабочий ток. Создаются два типа каналов:
=> объемные каналы, представляющие собой участки однородного полупроводника, отделенные от поверхности обедненным слоем. Для транзисторов с объемным каналом характерно то, что обедненный слой создается с помощью />-л-персхода. Управление сопротивлением канала осуществляется с помощью электрического поля путем изменения площади поперечного сечения проводящего полупроводникового слоя (ширины /7-и-перехода). Отсюда следует название — полевые транзисторы с управляющим р-п-переходом. В дальнейшем используется название полевые транзисторы;
=> приповерхностные каналы, представляющие собой либо обогащенные, либо инверсные слои. Управление сопротивлением канала осуществляется с помощью электрического поля путем изменения удельной проводимости полупроводникового слоя. Транзисторы с приповерхностным каналом имеют струкгуру металл — диэлектрик — полупроводник (МДП). Обычно в качестве диэлектрика используется двуокись кремния (SiO:), поэтому часто этот тип транзисторов называют МОП-транзисторами. Это название и будет использоваться в дальнейшем.