Расчет тока при прямом смещении

Задание № 1

Si. p-n переход., Na =Nд =.

Рассчитать Uo, W (при U=0). Рассчитать ток при прямом смещении 0.5 В, в предположении что доминирует диффузионная компонента тока.

Какие носители, электроны или дырки будут преобладать в этом токе? Что нужно делать для удвоения этого тока?

Постоянные для Si:

Nc =.

Nv =.

Eg = 1,12 эВ е (Si) = 11,68.

ео = 8,85*.

q = 1.6Кл.

A=2*смІ.

T= 300K.

Решение:

Na =.

Nд =.

Nc =.

Nv =.

ток диффузионный электрон канал.

.

В этом токе будут преобладать дырки. Для того чтобы удвоить ток, нужно удвоить.

Задание № 2.

JFET. n-канал., в р+. ,.

. Сравнить VP с Uo. При каком VD наступит насыщение тока канала, если VG = -3 В.

. Определить IDsat для VG = 0, -2, -4, -6 В. Построить ID (VD)sat.

Решение:

при =0, = 0:

= А.

при =0, = -2:

=.

А.

при =0, = -4:

=.

А.

при =0, = -6:

=.

при =1, = 0:

=.

= А.

при =1, = -2:

=.

при =1, = -4:

=.

=.

при =1, = -6:

=.

= А.

при =2, = 0:

=.

= А.

при =2, = -2:

=.

= А.

при =2, = -4:

=.

= А.

при =2, = -6:

=.

= А.

Ncэффективная плотность состояния вблизи краев зоны проводимости.

Nv — эффективная плотность состояния вблизи валентной зоны.

Eg — ширина запрещенной зоны е (Si)-диэлектрическая проницаемость для Кремния ео — электрическая постоянная.

д — собственная проводимость; Т — температура.

Na — концентрация неподвижного заряда акцепторов.

Nd — концентрация неподвижного заряда доноров мn — подвижность электронов.

ni — собственная концентрация.

q — заряд электрона, А — площадь перехода.

go — крутизна транзистора.

W — ширина области пространственного заряда.

U — внешнее напряжения смещения.

k — постоянная Больцмана.

D — коэффициент диффузии.

J — ток при прямом смещении ф — время.