Введение. 
Вольтамперная характеристика Al–p-CdTe–Mo

Теллурид кадмия p-типа проводимости является оптимальным материалом для создания фотоэлементов наземного применения. Его ширина запрещенной зоны, составляющая 1,45 eV, хорошо соответствует максимуму спектра солнечного излучения. Поэтому СЭ с базовым слоем из теллурида кадмия имеет самый высокий теоретический коэффициент полезного действия — 29% [1]. ток температура диффузионный Теллурид кадмия также широко применяется для создания детекторов рентгеновского (Х) и ?- излучений. Большие атомные номера компонент этого материала и ширина запрещенной зоны обеспечивают более высокую эффективность регистрации ядерных излучений CdTe детекторами без охлаждения по сравнению с Si и Ge детекторами. Монокристаллические CdTe и Cd_1-xZn_xTe детекторы уже показали свои преимущества перед Si и GaAs детекторами и с успехом применяются для спектрометрии X и ?- излучений. В последние годы на основе CdTe и Cd_1-xZn_xTe — материалов начали интенсивно разрабатываться детекторы с барьером Шоттки [2−4]. Существенным преимуществом таких детекторов являются малые темновые токи (~10^-7A) и высокие рабочие температуры (T? 300 K). Кроме этого, детекторы на основе диодов с барьером Шоттки могут регистрировать кванты с энергии до 1 MeV и выше предельным энергетическим разрешением [5].

Однако детекторные монокристаллы соединений А²В⁶ имеют недостатки. Основным недостатком таких монокристаллов является наличие в них значительного количества дефектов различной природы, которые уменьшают времена жизни носителей заряда и ухудшают функциональные характеристики детекторов.

Крупноблочные поликристаллические CdTe-пленки со столбчатой структурой зерен (кристаллитов) обладают уникальными свойствами. Основным преимуществом такого материала является то, что его кристаллиты в направлении вертикального роста обладают свойствами монокристаллов, а в горизонтальном направлении-свойствами поликристаллов. Границы между кристаллитами являются стоками для дефектов различного рода, что может привести к увеличению времени жизни неосновных носителей заряда в кристаллитах. Создание на основе таких материалов солнечных элементов и полупроводниковых структур с протяженной базой, в которой ток практически остается постоянным при изменении напряжения смещения в широком диапазоне, является актуальной задачей.

Целью данной работы является исследование электронных процессов и влияния температуры на кинетические параметры диодной структуры с протяженной базой (p-CdTe), толщина которой намного превышает длину пробега ядерных частиц слабой энергии, и обеспечивает малые темновые токи при изменении температуры в широком диапазоне.